JP2013511850A - 歪み材料を有する半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
104 歪み材料
110、112、114、116 セル
120、128、130、138 ソース
122、126、132、136 ゲート
124、134 共通ドレイン
140 シャロートレンチ分離領域
142 分離材料
Claims (41)
- 少なくとも2つのセルが互いに隣接する多数のセルを含む半導体デバイスに歪み材料を適用する段階であって、
前記少なくとも2つのセルの1番目は第1ソースを含み、前記少なくとも2つのセルの2番目は第2ソースを含み、
前記第1ソースは前記第2ソースに隣接し、シャロートレンチ分離領域は前記第1ソースと前記第2ソースとの間にあり、
前記歪み材料の少なくとも一部が、前記第1ソースと前記第2ソースとの間の前記シャロートレンチ分離領域上に堆積される、段階を含む方法。 - 前記第1ソースに対応するドレイン上よりも前記第1ソース上に、より多くの前記歪み材料が堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体デバイスはメモリデバイスである、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリデバイスは読み出し専用メモリである、請求項3に記載の方法。
- 共通ドレインを有する第1セットの隣接セルの第1ゲート間距離は、別々のソースを有する第2セットの隣接セルの第2ゲート間距離よりも小さい、請求項1に記載の方法。
- 前記第1ゲート間距離を上回る前記第2ゲート間距離は、前記第1セットの隣接セルのセル間よりも前記第2セットの隣接セルのセル間により多くの歪み材料を適用することを可能にする、請求項5に記載の方法。
- 前記シャロートレンチ分離領域は前記第2セットの隣接セルのソース間にあり、前記歪み材料の堆積段階は、前記第1セットの隣接セルの共通ドレイン上よりも前記シャロートレンチ分離領域上により多量の前記歪み材料をもたらす、請求項5に記載の方法。
- 前記歪み材料の適用段階は、電子デバイスに統合されたプロセッサで開始される、請求項1に記載の方法。
- 半導体デバイスに第1マスクを適用してパターン化されたデバイスを形成する段階であって、前記第1マスクが少なくとも1つのダミーゲートを特定する、段階と、
前記パターン化されたデバイスをエッチングして前記少なくとも1つのダミーゲートを除去し、前記パターン化されたデバイス内にエッチング領域を形成する段階と、
前記パターン化されたデバイス内の前記エッチング領域に歪み材料を堆積する段階と、
を含む方法。 - 前記歪み材料上に中間層誘電体(ILD)材料を堆積する段階をさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記ILD材料の少なくとも一部を通ってコンタクトを堆積する段階をさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 少なくとも1つの金属層を前記コンタクト上に堆積して機能デバイスを形成する段階をさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記歪み材料を含む半導体デバイスを製造する段階をさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのダミーゲートは、前記半導体デバイス内の機能回路から電気的に絶縁される、請求項13に記載の方法。
- 第2マスクを用いて前記パターン化されたデバイスをエッチングする段階をさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのダミーゲートは非稼働である、請求項9に記載の方法。
- 前記歪み材料は窒化ケイ素を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記歪み材料は強い引張応力を有し、前記エッチング領域に隣接するN型電界効果トランジスタ(NFET)デバイスのソース上に堆積される、請求項17に記載の方法。
- 前記歪み材料は圧縮応力を有し、前記エッチング領域に隣接するP型電界効果トランジスタ(PFET)デバイスのソース上に堆積される、請求項17に記載の方法。
- 前記歪み材料は炭化ケイ素を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記歪み材料の堆積段階は、電子デバイスに統合されたプロセッサで開始される、請求項9に記載の方法。
- 第1ドレインと第1ソースとの間に第1ゲートを含む第1セルと、
前記第1セルに隣接し、第2ドレインと第2ソースとの間に第2ゲートを含む第2セルと、
前記第1ソースと前記第2ソースとの間のシャロートレンチ分離領域と、
を含む半導体デバイスであって、
前記第1ソースおよび前記第2ソース上の第1量の歪み材料は、前記第1ドレインおよび前記第2ドレイン上の第2量の歪み材料より多い、半導体デバイスを含む装置。 - 前記シャロートレンチ分離領域は前記半導体デバイスの基板内に分離材料を含み、前記第1ソースおよび前記第2ソース上の歪み材料は、前記シャロートレンチ分離領域上に実質的に連続して広がる、請求項22に記載の装置。
- 前記半導体デバイスは、前記第1ソースと前記第2ソースとの間にダミーゲートエッチング領域をさらに含む、請求項22に記載の装置。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択され、前記半導体デバイスが内部に統合されるデバイスをさらに含む、請求項22に記載の装置。
- 第1ソースと第1ドレインとの間の第1電気路を制御するための第1手段と、
第2ソースと第2ドレインとの間の第2電気路を制御するための第2手段と
前記第2ソースから前記第1ソースを少なくとも部分的に電気的に絶縁するための手段と、
前記第1ソースと前記第2ソースとの間、および前記第1ドレインと前記第2ドレインとの間に歪みを誘導するための手段であって、前記歪みを誘導するための手段が、前記第1ドレインと前記第2ドレインとの間よりも前記第1ソースと前記第2ソースとの間により多量の歪みを誘導する、手段と、
を含む装置。 - 少なくとも1つの半導体ダイに統合される、請求項26に記載の装置。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択され、前記半導体デバイスが内部に統合されるデバイスをさらに含む、請求項26に記載の装置。
- 半導体デバイスに第1マスクを適用してパターン化されたデバイスを形成するための第1段階であって、前記第1マスクが少なくとも1つのダミーゲートを特定する、段階と、
前記パターン化されたデバイスをエッチングして前記少なくとも1つのダミーゲートを除去し、前記パターン化されたデバイス内にエッチング領域を形成するための第2段階と、
前記パターン化されたデバイス内の前記エッチング領域に歪み材料を堆積するための第3段階と、
を含む方法。 - 前記第1段階、前記第2段階、および前記第3段階は、電子デバイスに統合されたプロセッサで開始される、請求項29に記載の方法。
- コンピュータによって実行可能な命令を記憶するコンピュータ可読有形媒体であって、前記命令が、コンピュータによって実行可能な、少なくとも2つのセルが互いに隣接する多数のセルを含む半導体デバイスに歪み材料を適用する段階を開始するための命令を含み、
前記少なくとも2つのセルの1番目は第1ソースを含み、前記少なくとも2つのセルの2番目は第2ソースを含み、
前記第1ソースは前記第2ソースに隣接し、シャロートレンチ分離領域は前記第1ソースと前記第2ソースとの間にあり、
前記歪み材料の少なくとも一部が、前記第1ソースと前記第2ソースとの間の前記シャロートレンチ分離領域上に堆積される、コンピュータ可読有形媒体。 - 前記コンピュータが通信デバイスおよび固定位置データユニットの1つに統合される、請求項31に記載のコンピュータ可読有形媒体。
- 半導体デバイスの少なくとも1つの物理的特性を表す設計情報を受け取る段階であって、前記半導体デバイスが、
第1ドレインと第1ソースとの間に第1ゲートを含む第1セルと、
前記第1セルに隣接し、第2ドレインと第2ソースとの間に第2ゲートを含む第2セルと、
前記第1ソースと前記第2ソースとの間のシャロートレンチ分離領域と、を含み、
前記第1ソースおよび前記第2ソース上の第1量の歪み材料は、前記第1ドレインおよび前記第2ドレイン上の第2量の歪み材料より多い、段階と、
前記設計情報をあるファイル形式に従うように変換する段階と、
前記変換された設計情報を含むデータファイルを生成する段階と、
を含む方法。 - 前記データファイルがGDSII形式を含む、請求項33に記載の方法。
- 半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受け取る段階と、
前記設計情報に従って前記半導体デバイスを製造する段階であって、前記半導体デバイスが、
第1ドレインと第1ソースとの間に第1ゲートを含む第1セルと、
前記第1セルに隣接し、第2ドレインと第2ソースとの間に第2ゲートを含む第2セルと、
前記第1ソースと前記第2ソースとの間のシャロートレンチ分離領域と、を含み、
前記第1ソースおよび前記第2ソース上の第1量の歪み材料は、前記第1ドレインおよび前記第2ドレイン上の第2量の歪み材料より多い、段階と、
を含む方法。 - 前記データファイルがGDSII形式を有する、請求項35に記載の方法。
- パッケージされた半導体デバイスの回路基板上の物理的配置情報を含む設計情報を受け取る段階であって、前記パッケージされた半導体デバイスが、
第1ドレインと第1ソースとの間に第1ゲートを含む第1セルと、
前記第1セルに隣接し、第2ドレインと第2ソースとの間に第2ゲートを含む第2セルと、
前記第1ソースと前記第2ソースとの間のシャロートレンチ分離領域と、を含み、
前記第1ソースおよび前記第2ソース上の第1量の歪み材料は、前記第1ドレインおよび前記第2ドレイン上の第2量の歪み材料より多い、段階と、
データファイルを生成するように前記設計情報を変換する段階と、
を含む方法。 - 前記データファイルがGERBER形式を有する、請求項37に記載の方法。
- パッケージされた半導体デバイスの回路基板上の物理的配置情報を含む設計情報を含むデータファイルを受け取る段階と、
前記設計情報に従って前記パッケージされた半導体デバイスを受け取るように構成された前記回路基板を製造する段階であって、前記パッケージされた半導体デバイスが、
第1ドレインと第1ソースとの間に第1ゲートを含む第1セルと、
前記第1セルに隣接し、第2ドレインと第2ソースとの間に第2ゲートを含む第2セルと、
前記第1ソースと前記第2ソースとの間のシャロートレンチ分離領域と、を含み、
前記第1ソースおよび前記第2ソース上の第1量の歪み材料は、前記第1ドレインおよび前記第2ドレイン上の第2量の歪み材料より多い、段階と、
を含む方法。 - 前記データファイルがGERBER形式を有する、請求項39に記載の方法。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスの内部に前記回路基板を統合する段階をさらに含む、請求項39に記載の方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8350253B1 (en) * | 2010-01-29 | 2013-01-08 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit with stress inserts |
US8765491B2 (en) * | 2010-10-28 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation recess repair using spacer formation process |
US9564361B2 (en) * | 2013-09-13 | 2017-02-07 | Qualcomm Incorporated | Reverse self aligned double patterning process for back end of line fabrication of a semiconductor device |
US9196613B2 (en) * | 2013-11-19 | 2015-11-24 | International Business Machines Corporation | Stress inducing contact metal in FinFET CMOS |
KR102219096B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 성능 개선을 위한 패턴 구조가 적용된 반도체 장치 |
KR102181686B1 (ko) | 2014-12-04 | 2020-11-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
US9362275B1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with dummy gate structures |
US9818873B2 (en) * | 2015-10-09 | 2017-11-14 | Globalfoundries Inc. | Forming stressed epitaxial layers between gates separated by different pitches |
US9991167B2 (en) * | 2016-03-30 | 2018-06-05 | Globalfoundries Inc. | Method and IC structure for increasing pitch between gates |
US9946674B2 (en) | 2016-04-28 | 2018-04-17 | Infineon Technologies Ag | Scalable multi-core system-on-chip architecture on multiple dice for high end microcontroller |
KR102629347B1 (ko) * | 2016-12-08 | 2024-01-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US11594337B2 (en) | 2016-12-14 | 2023-02-28 | Reliant Immune Diagnostics, Inc. | System and method for advertising in response to diagnostic test results |
US10527555B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-01-07 | Reliant Immune Disgnostics, Inc. | System and method for visual trigger to perform diagnostic test |
US11599908B2 (en) | 2016-12-14 | 2023-03-07 | Reliant Immune Diagnostics, Inc. | System and method for advertising in response to diagnostic test |
US11170877B2 (en) * | 2016-12-14 | 2021-11-09 | Reliant Immune Diagnostics, LLC | System and method for correlating retail testing product to medical diagnostic code |
US10331924B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-06-25 | Reliant Immune Diagnostics, Inc. | System and method for audiovisual response to retail diagnostic product |
CN108574013B (zh) * | 2017-03-13 | 2021-07-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其操作方法 |
US10861553B2 (en) * | 2018-09-27 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Device-region layout for embedded flash |
DE102019112410A1 (de) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Bauelementbereich-Layout für eingebetteten Flash-Speicher |
CN112151379B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-12-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086708A (ja) * | 2000-12-08 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003243649A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004087640A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004327574A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置および半導体集積回路 |
WO2008117431A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2009058248A2 (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device |
WO2009135226A2 (en) * | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Qualcomm Incorporated | Clock gating system and method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7101742B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Strained channel complementary field-effect transistors and methods of manufacture |
US7484198B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-01-27 | Synopsys, Inc. | Managing integrated circuit stress using dummy diffusion regions |
JP2008091536A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102007025342B4 (de) * | 2007-05-31 | 2011-07-28 | Globalfoundries Inc. | Höheres Transistorleistungsvermögen von N-Kanaltransistoren und P-Kanaltransistoren durch Verwenden einer zusätzlichen Schicht über einer Doppelverspannungsschicht |
DE102007030058B3 (de) * | 2007-06-29 | 2008-12-24 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Technik zur Herstellung eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials mit erhöhter Zuverlässigkeit über einer Struktur, die dichtliegende Leitungen aufweist |
US8039203B2 (en) * | 2007-09-25 | 2011-10-18 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuits and methods of design and manufacture thereof |
US7923365B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-04-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming field effect transistors having stress-inducing sidewall insulating spacers thereon |
JP5268385B2 (ja) | 2008-02-13 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-11-19 US US12/621,736 patent/US8159009B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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-
2012
- 2012-04-17 US US13/448,786 patent/US20130099851A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086708A (ja) * | 2000-12-08 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003243649A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004087640A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004327574A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置および半導体集積回路 |
WO2008117431A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2009058248A2 (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device |
JP2011502359A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 半導体デバイスのコンタクト層スタックにおいて高応力エッチストップ材料と層間絶縁膜を逐次的に提供することによる応力伝達 |
WO2009135226A2 (en) * | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Qualcomm Incorporated | Clock gating system and method |
JP2011526091A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-09-29 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | クロック・ゲーティング・システム及び方法 |
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