JP2013501305A - パス電圧の外乱及びフローティングゲートから制御ゲートへのリークを低減するメモリプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 不揮発性記憶システムを動作させる方法であって、その不揮発性記憶システムは、一組のワードライン(WL0〜WL63)及び一組のビットライン(BLi−2〜BLi+2)に接続された一組の不揮発性記憶素子(400)を含み、その方法は、
少なくとも一つの検知動作を実行する工程と、ここで、前記少なくとも一つの検知動作は、前記一組のワードライン内の選択された選択ワードライン(WLn)に隣接する隣接ワードライン(WLn−1)に対して行われ、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子(1390;1392,1398;1396;1394)をM≧2個のグループに区分し、前記記憶素子のM≧2個のグループは、前記一組のビットラインのM≧2個の対応するビットラインのグループ(BLi−2;BLi−1、BLi+2;BLi+1;BL)に接続され、前記M≧2個のビットラインのグループは、第1(BLi−1、BLi+2)及び第2(BLi+1)のビットラインのグループを含み、
プログラムシーケンスの複数の反復を実行する工程と、ここで、少なくとも一つの反復は、
前記第1のビットラインのグループに接続された前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1392、1398)をプログラムのために選択し、前記第2のビットラインのグループに接続された選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1396)のプロクラムを禁止し、かつ隣接ワードライン(WLn−1)に第1のパス電圧(Vpass1〜Vpass4)を印加しながらの、選択ワードラインへの第1のプログラムパルス(1302)の印加と、
前記第2のビットラインのグループに接続された前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1396)をプロクラムのために選択し、前記第1のビットラインのグループに接続された選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1392、1398)のプログラムを禁止し、かつ隣接ワードライン(WLn−1)に第2のパス電圧(Vpass1〜Vpass4)を印加しながらの、選択ワードラインへの第2のプログラムパルス(1304)の印加とを含む、
を備える方法。 - 前記少なくとも一つの反復の前記第1のプログラムパルスと前記第2のプログラムパルスとの間では、前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子に対する検証動作が実行されず、
前記第2のプログラムパルスの後に、前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子に対する検証動作(1309、1319、1329、1339)を実行し、その後、前記プログラムシーケンスの次の反復を実行する工程と、
をさらに備える請求項1に記載の方法。 - 前記隣接ワードライン上の前記不揮発性記憶素子は、少なくともM+1種類のデータ状態(E、A、B、C)によってデータを記憶し、
前記少なくとも一つの検知動作は、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子をM≧2個だけのグループ(E、A;B、C)に区分する、
請求項1又は2に記載の方法。 - 前記隣接ワードラインが、前記選択ワードラインのソース側にある請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの検知動作は、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子の閾値電圧に応じて、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子を前記M≧2個のグループに区分し、
前記第1のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子は、前記第2のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子よりも低い閾値電圧を有し、
前記第1のパス電圧(Vpass1)は、前記第2のパス電圧(Vpass2)よりも低い、
請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記少なくとも一つの検知動作は、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子の閾値電圧に応じて、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子を前記M≧2個のグループに区分し、
前記第1のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子は、前記第2のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子よりも高い閾値電圧を有し、
前記第1のパス電圧(Vpass2)は、前記第2のパス電圧(Vpass1)よりも高い、
請求項1から4のどれか一つに記載の方法。 - 前記プログラムシーケンスの複数の反復のなかで前記少なくとも一つの反復よりも先に行われる少なくとも一つの事前の反復(1710)では、前記第1及び第2のビットラインのグループのいずれかに接続された前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子をプログラムのために同時に選択しつつ、前記選択ワードラインにプログラムパルス(1702、1706、1710)を印加する、
請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記少なくとも一つの事前の反復では、前記第1のパス電圧(Vpass1)の大きさと前記第2のパス電圧(Vpass2)の大きさとの間の大きさを有するパス電圧(Vpass)を、前記隣接ワードラインに印加する、
請求項7に記載の方法。 - 前記プログラムシーケンスの複数の反復のなかで前記少なくとも一つの反復よりも先に行われる事前の反復では、前記選択ワードライン上の少なくとも一つの不揮発性記憶素子を、一つのターゲットデータ状態(B)にプログラムし、
前記少なくとも一つの反復は、前記選択ワードライン上の他の少なくとも一つの不揮発性記憶素子を、前記一つのターゲットデータ状態よりも高い他のターゲットデータ状態(C)にプログラムする、
請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。 - 少なくとも第1(2101)及び第2(2102)のラッチが前記一組のビットラインのなかの一つのビットラインに接続され、
前記事前の反復では、第1の検証レベル(VvaL、VvbL)、次いで前記第1の検証レベルよりも高い第2の検証レベル(VvaH、VvbH)を使用して、前記少なくとも一つの不揮発性記憶素子をプログラムし、
前記第1のラッチは、前記少なくとも一つの不揮発性記憶素子が前記第1の検証レベルまでプログラムされているのか否かを示すビットを記憶し、
前記第2のラッチは、前記少なくとも一つの不揮発性記憶素子が前記第2の検証レベルまでプログラムされているのか否かを示すビットを記憶し、
前記少なくとも一つの検知動作は、前記プログラムシーケンスの途中で、前記事前の反復の後に実行され、
前記少なくとも一つの検知動作では、前記一つのビットラインに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子を検知し、前記不揮発性記憶素子のM≧2個のグループのなかで当該隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子が属するグループを少なくとも部分的に識別するためのビットを、前記第1のラッチ(2101)に上書きして記憶する、
請求項9に記載の方法。 - 前記少なくとも一つの検知動作は、前記プログラムシーケンスの途中で、前記事前の反復(1710)の後、かつ、前記選択ワードライン上の前記少なくとも一つの不揮発性記憶素子が、前記一つのターゲットデータ状態にプログラムされたと判断されたときに、実行される、
請求項10に記載の方法。 - 一組の不揮発性記憶素子(400)と、
選択された選択ワードライン(WLn)及び前記選択ワードラインに隣接する隣接ワードライン(WLn−1)を含む、前記一組の不揮発性記憶素子に接続された一組のワードライン(WL0からWL63)と、
前記一組の不揮発性記憶素子に接続された一組のビットライン(BLi−2からBLi+2)と、
前記一組のワードライン及び前記一組のビットラインに接続された少なくとも一つの制御回路(510、550)とを備え、
前記少なくとも一つの制御回路は、
(a)前記隣接ワードラインに対する少なくとも一つの検知動作と、ここで、前記少なくとも一つの検知動作は、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子(1390;1392,1398;1396;1394)をM≧2個のグループに区分し、前記M≧2個の不揮発性記憶素子のグループは、少なくとも第1(BLi―1、BLi+2)及び第2(BLi+1)のビットラインのグループを含む、前記一組のビットラインのM≧2個の対応するビットラインのグループ(BLi−2;BLi−1、BLi+2;BL+1;BL)に接続され、
(b)プログラムシーケンスの複数の反復と、ここで、少なくとも一つの反復において前記少なくとも一つの制御回路は、(i)前記第1のビットラインのグループに接続された前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1392、1398)をプログラムのために選択し、前記第2のビットラインのグループに接続された選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1396)のプロクラムを禁止し、隣接ワードライン(WLn−1)に第1のパス電圧(Vpass1〜Vpass4)を印加し、かつ選択ワードラインに第1のプログラムパルス(1302)を印加し、(ii)前記第2のビットラインのグループに接続された前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1396)をプロクラムのために選択し、前記第1のビットラインのグループに接続された選択ワードライン上の不揮発性記憶素子(1392、1398)のプログラムを禁止し、隣接ワードライン(WLn−1)に第2のパス電圧(Vpass1〜Vpass4)を印加し、かつ選択ワードラインに第2のプログラムパルス(1304)を印加する、
を実行する、不揮発性記憶システム。 - 前記少なくとも一つの反復の前記第1のプログラムパルスと前記第2のプログラムパルスとの間では、前記選択ワードライン上の不揮発性記憶素子に対する検証動作が実行されない請求項12に記載の不揮発性記憶システム。
- 前記隣接ワードライン上の前記不揮発性記憶素子は、少なくともM+1種類のデータ状態(E、A、B、C)によってデータを記憶し、
前記少なくとも一つの検知動作は、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子をM≧2個だけのグループ(E、A;B、C)に区分する、
請求項12又は13に記載の不揮発性記憶システム。 - 前記少なくとも一つの検知動作は、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子の閾値電圧に応じて、前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子を前記M≧2個のグループに区分し、
前記第1のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子が、前記第2のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子よりも低い閾値電圧を有するときは、前記第1のパス電圧(Vpass1)が前記第2のパス電圧(Vpass2)よりも低くし、
前記第1のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子が、前記第2のビットラインのグループに接続された前記隣接ワードライン上の不揮発性記憶素子よりも高い閾値電圧を有するときは、前記第1のパス電圧(Vpass2)が前記第2のパス電圧(Vpass1)よりも高くする、
請求項12から14のいずれか一項に記載の不揮発性記憶システム。
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