JP2013257571A - Duv用光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Mをカルシウム、バリウム、マグネシウム若しくはストロンチウムまたはこれらの混合物として、化学式MF2の金属フッ化物単結晶から作製される光学素子の表面を、保護材料の膜で被覆する処理に先立って、洗浄する方法に向けられる。方法は、少なくとも以下のステップ、(a)少なくとも1つの選択された液体に、MF2単結晶の光学素子を浸し、メガソニック周波数で音波処理を行って微粒子を除去し、かつ、スラリーの残留物および前記光学素子の損傷した上面を磨くステップ、(b)気相洗浄プロセスで洗浄を行い、光学素子の表面から紫外線/オゾン洗浄を用いて炭化水素を除去するステップ、および、(c)気相プロセスにおいて、光学素子の表面を、真空雰囲気中でアルゴンおよび酸素を含む低エネルギー・プラズマにさらすステップを含む。
【選択図】図1
Description
(1)選択された液体中に光学素子を浸漬し、メガソニック周波数の音波処理を用いて微粒子を除去し、スラリー残留物および光学素子の損傷した頂面を研磨する処理、
(2)UV/オゾン洗浄を用いて光学素子の表面から炭化水素を除去する気相洗浄プロセス、および、
(3)光学素子の表面を、真空雰囲気中で、アルゴンおよび酸素、または、キセノンおよび酸素、または、フッ素を含む低エネルギー・プラズマにさらす処理
を含む。
(1)選択された液体中に光学素子を浸漬し、メガソニック周波数の音波処理を用いて微粒子を除去し、スラリー残留物および光学素子の損傷した頂面を研磨する処理、
(2)UV/オゾン洗浄を用いて光学素子の表面から炭化水素を除去する気相洗浄プロセス、および、
(3)光学素子の表面を、真空雰囲気中で、アルゴンおよび酸素を含む低エネルギー・プラズマにさらす処理
を含む。
メガソニック洗浄は、およそ0.7MHzから2MHzまでの周波数で行なわれる。メガソニック洗浄は、1回で2分から1時間までの範囲で行なわれる。複数の洗浄タンクを使用するときには、各タンクでの洗浄時間は2分から1時間までの範囲とすることができる。したがって、以下に示すように、3つの洗浄タンクを使用するときには、合計の洗浄時間は、6分から3時間までの範囲とすることができる。詳細は後述するが、図1に示した一連のサブステップは以下の:
符号10: 最終研磨から基板を受け取ること、
符号100:HPLC等級のメタノールまたはエタノールを使用するメガソニック洗浄、
符号110:高いpH値の洗浄剤水溶液を使用するメガソニック洗浄、
符号120:オーバーフローする脱イオン(「DI」)水リンスを用いるメガソニック洗浄、
符号200:UVO洗浄、
符号300:被覆チャンバー内の真空下で手順が実行される、低エネルギーAr/O2、Xe/O2またはフッ素プラズマ洗浄、および
符号400:基板を被覆する処理
を含む。本発明の3部分洗浄法は、第1のステップとして、音波処理と共に液体をベースとする媒質を使用し、次いで、後続する2つの気相洗浄ステップを有する。本発明で使用されるような音波処理プロセスは、ほぼ0.7MHz−2MHzの範囲にあるメガソニック周波数で実行される。メガソニック洗浄タンクで使用される液状媒質は、炭化水素系でありかつ水溶液系である。炭化水素系溶媒が、光学面をエッチングすることなく、その表面から残留物および微粒子を除去するために使用される。アルカリ土類金属フッ化物は水に可溶性を持つ(MgF2=0.076g/l、CaF2=0.016g/l、BaF2=1.7g/l、および、SrF2=0.39g/l)ので、水溶液系溶剤が、基板の表面を穏やかにエッチングするために使用される。
メガソニック洗浄ステップは、1つまたは複数の音波処理タンクで行うことができる。複数のタンクの使用は、メガソニック洗浄サブステップ間でタンクを空にしかつ洗浄する処理を回避する上で、また、多くの光学素子の処理を計画的に実施できるので好ましい。典型的には、3つのタンクが使用される。第1のタンクは、HPLC等級のメタノールまたはエタノール(一般にC1〜C5アルコールが好ましい洗浄液である)のような炭化水素系溶媒を収容し、光学素子の表面をエッチングすることなく、穏やかに残留物と微粒子を除去する。水溶性洗浄溶媒を使用する洗浄は、1回で2分から1時間までの範囲で実行される。
メガソニック洗浄後に、光学素子素表面は、次いでUVO洗浄プロセスを受けるであろう。このステップでは、素子はステンレス鋼の筐体箱に収容され、酸素含有の乾燥した大気圧雰囲気中で水銀ランプ(184.9nmおよび253.7nm)からのUV照射にさらされる。筐体は、UVO洗浄プロセスからの主ガスの副生成物であるH2OおよびCO2を除去する排気ポートを有する。酸素含有雰囲気としては空気が好ましく、空気は、この分野で知られている方法、例えば分子ふるいを使用して乾燥することができる。乾燥空気は、10〜30SCCM(立方センチメートル毎分)の範囲のレートで筐体に導入されかつこれから排気される。
のように、原子酸素およびオゾンが生成される。
励起された汚染物分子および解離によって生成された遊離基は、式(1)および(2)によって生成された酸素原子に反応して、CO2およびH2Oのような簡単な揮発性分子を形成する。CaF2がUV光源に透明であるため、UVO洗浄の時間を長くすることにより、1つの汚染物質が、埋め込まれている複数の汚染物質の更なる除去を可能にする。正の準ブリュースター・シフト(「qBAS」)の量は、表面汚染および表面下汚染の指標であると知られている。図4は、193nmおよび248nmでのUVO洗浄時間の関数としてCaF2上で測定されたqBASを示す。193nmでは、UVO洗浄時間を増加させるとqBASが正から負に変化して、汚染除去の有効性を示している。しかし、248nmでは、この波長で汚染物が透明であるため、顕著な変化が認められない。
洗浄プロセスの第3でかつ最終ステップは、真空雰囲気下で、アルゴンなどの不活性ガスと酸素の混合ガスを含む低エネルギー・プラズマに光学素子をさらすことから成る。この最終の洗浄ステップは、薄膜の堆積直前に行われ、堆積プロセスと同じチャンバー内で実行され、これが最大の利益である。これらプロセス・パラメータを極めて注意深く選ぶ必要があり、さもなければ、ハロゲン化物系基板に損傷が生じることがある。CaF2表面は、イオンビーム、電子線およびX線を含むエネルギー照射にさらされたときに、フッ素の喪失に陥ることが報告されている。CaF2表面との間での、希ガスイオンによる損傷相互作用も観察され研究されてきた。主な損傷メカニズムは、CaF2基質からのフッ素枯渇に至り、これは色中心の形成のため光吸収が増加することにつながる。フッ素枯渇は、プラズマ・エネルギーに比例するので、低いプラズマ・エネルギーはフッ素喪失の危険を減らす。アルゴン・プラズマ中にO2ガスを加えることによって、混合プラズマの洗浄プロセスは、炭化水素汚染を除去するのに、アルゴン・プラズマの単独使用よりも効果的である。
(1) 洗浄効率を向上すること;および
(2) CaF2表面上の色中心の形成を大幅に削減すること
により、洗浄ステップに利益を与える。酸素を加えることによって、CaF2表面のF−中心およびCaコロイドを含む、如何なるフッ素枯渇に関連する欠陥も、F−中心の欠陥を埋めCaコロイドと反応してCaOを生成する酸素によって置換されるであろう。その結果、色中心の形成が大幅に削減される。また、F−中心およびCaコロイドと異なり、CaOは193nmに殆ど透明である。
Claims (5)
- 化学式MF2の成形された単結晶アルカリ土類金属フッ化物の光学素子から成るDUV光学素子であって、120mJ/cm2のパルス照射を受けたときに、少なくとも12億回のパルス照射に耐える寿命を有し、
前記光学素子が、MF2単結晶の光学素子の表面を洗浄する方法により取得され、該方法が、
(a)MF2単結晶の光学素子をメガソニック洗浄槽内の少なくとも1つの選択された液体に浸漬して微粒子を除去することにより前記光学素子をメガソニック洗浄し、スラリー残留物および前記光学素子の損傷を受けた頂面を研磨するステップ、
(b)前記光学素子の表面をUV/オゾン洗浄して炭化水素を除去するステップ、
(c)真空雰囲気下で、アルゴンおよび酸素、または、キセノンおよび酸素、または、フッ素を含む低エネルギー・プラズマを用いて前記光学素子の表面を洗浄するステップを含み、
前記アルカリ土類金属Mが、Mg、Ca、BaおよびSrから成る群、または、該金属の混合物から選択されることを特徴とするDUV用光学素子。 - 前記光学素子が、少なくとも1つの表面にレーザ光が透過する皮膜を有し、該皮膜の材料が、シリカ、オキシフッ化ケイ素、フッ素ドープのシリカ、および、フッ素含有酸化アルミニウムから成る群から選択されており、
前記アルカリ土類金属がCa、BaまたはSrであるときに、前記皮膜の材料がMgF2であり得ることを特徴とする請求項1に記載のDUV用光学素子。 - 前記光学素子は、少なくとも1つの表面でレーザ光が透過する被膜を有するCaF2素子であり、前記被膜が、シリカ、フッ素ドープのシリカ、窒化ケイ素、フッ素ドープの酸化アルミニウムから成る群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のDUV用光学素子。
- レーザ窓またはレーザプリズムであることを特徴とする請求項1に記載のDUV用光学素子。
- 前記単結晶アルカリ土類金属フッ化物の光学素子が、被覆されたMF2光学素子を、被覆処理に先立ってメガソニック洗浄を用いて製造する方法により取得され、該方法が、
単結晶MF2の光学結晶を供給するステップ、
前記光学結晶を切断、研削および研磨して光学素子を形成するステップ、
前記ステップ(a)、前記ステップ(b)および前記ステップ(c)により、前記MF2単結晶の光学素子の表面を洗浄するステップ、並びに
前記切断、研削、研磨され、かつ洗浄された光学素子を、選択された保護被膜で被覆して、レーザ・リソグラフィーのためのMF2DUV用光学素子を供給するステップ、
を有することを特徴とする請求項1に記載のDUV用光学素子。
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Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8889042B2 (en) * | 2008-02-14 | 2014-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Coatings |
KR101172861B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2012-08-09 | 삼성전기주식회사 | 금속 나노입자의 세정방법 |
JP5842645B2 (ja) * | 2012-02-02 | 2016-01-13 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
CN102644052B (zh) * | 2012-05-03 | 2014-02-05 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种配置紫外光照射清洁功能的真空镀膜机 |
US9169155B2 (en) * | 2012-05-03 | 2015-10-27 | Guardian Industries Corp. | Method and apparatus for making vacuum insulated glass (VIG) window unit including cleaning cavity thereof |
US9573111B1 (en) | 2012-07-09 | 2017-02-21 | Kla-Tencor Corporation | High purity ozone generator for optics cleaning and recovery |
CN103235353A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-08-07 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种使深紫外光学薄膜具有光学稳定性的处理方法 |
WO2017100393A2 (en) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of manufacturing |
CN106216308B (zh) * | 2016-08-08 | 2018-10-23 | 泉州市三星消防设备有限公司 | 一种抛光后的光学零件的清洗方法 |
CN106881308A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-06-23 | 上海巨煌光电科技有限公司 | 一种镀膜镜片的清洗方法 |
DE102018221189A1 (de) | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen an einer Oberfläche und optisches Element |
DE102019200208A1 (de) | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum in situ dynamischen Schutz einer Oberfläche und optische Anordnung |
CN111329082B (zh) * | 2020-03-20 | 2021-08-27 | 陈海峰 | 一种可以模拟人工清洗的苹果清洗设备 |
US11715622B2 (en) | 2020-08-05 | 2023-08-01 | Kla Corporation | Material recovery systems for optical components |
CN114371223B (zh) * | 2022-03-16 | 2022-09-20 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10298589A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-11-10 | Tadahiro Omi | 洗浄液及び洗浄方法 |
JPH11305002A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | レンズ洗浄方法及び装置 |
JP2002082211A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-03-22 | Canon Inc | 光学素子の製造方法 |
JP2002177908A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-25 | Olympus Optical Co Ltd | 光学部品の洗浄方法 |
JP2003114301A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-04-18 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 安定性が高められた光学部品の製造方法、それにより得られる部品、及びそれらの使用 |
JP2004325794A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Showa Denko Kk | フッ化物光学素子の製造方法およびフッ化物光学素子 |
JP2005040736A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Canon Inc | 光学部品の洗浄方法及び装置 |
JP2006072364A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Corning Inc | 金属フッ化物エキシマ光学素子の表面形成の改良 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6345065B1 (en) * | 1998-06-04 | 2002-02-05 | Lambda Physik Ag | F2-laser with line selection |
US6868106B1 (en) * | 1998-06-04 | 2005-03-15 | Lambda Physik Ag | Resonator optics for high power UV lasers |
WO2000012231A1 (en) * | 1998-08-27 | 2000-03-09 | Anon, Inc. | Method of removing organic materials from substrates |
US6242361B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-05 | Industrial Technology Research Institute | Plasma treatment to improve DUV photoresist process |
US6466365B1 (en) | 2000-04-07 | 2002-10-15 | Corning Incorporated | Film coated optical lithography elements and method of making |
DE10142649A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-24 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung bruchfester Calciumfluorid-Einkristalle sowie deren Verwendung |
US6848455B1 (en) * | 2002-04-22 | 2005-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species |
JP2004020710A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Canon Inc | 光学素子の製造方法 |
US6872479B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-03-29 | Corning Incorporated | Coated optics to improve durability |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005175139A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Nikon Corp | フッ素洗浄装置及びフッ素エッチング装置 |
DE102004030803A1 (de) * | 2004-06-25 | 2006-01-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Hochreflektiv beschichteter mikromechanischer Spiegel, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung |
DE102005024682A1 (de) * | 2005-05-30 | 2006-12-14 | Schott Ag | Optisches Material aus kristallisiertem Erdalkalimetallfluorid mit erhöhtem Brechungsindex |
US7242843B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-07-10 | Corning Incorporated | Extended lifetime excimer laser optics |
DE102005044697B4 (de) * | 2005-09-19 | 2011-07-21 | Hellma Materials GmbH & Co. KG, 07745 | Verfahren zur Herstellung von CAF2-Einkristalle mit erhöhter Laserstabilität, CAF2-Einkristalle mit erhöhter Laserstabilität und ihre Verwendung |
-
2008
- 2008-07-23 EP EP11181764A patent/EP2399680A1/en not_active Withdrawn
- 2008-07-23 EP EP08794669A patent/EP2185298B1/en not_active Not-in-force
- 2008-07-23 JP JP2010519209A patent/JP5432143B2/ja active Active
- 2008-07-23 WO PCT/US2008/008934 patent/WO2009017634A2/en active Application Filing
- 2008-07-23 KR KR1020107004707A patent/KR101580699B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-25 TW TW097128545A patent/TWI372083B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-07-28 US US12/180,849 patent/US20090035586A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-07-09 JP JP2013143334A patent/JP5728050B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10298589A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-11-10 | Tadahiro Omi | 洗浄液及び洗浄方法 |
JPH11305002A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | レンズ洗浄方法及び装置 |
JP2002082211A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-03-22 | Canon Inc | 光学素子の製造方法 |
JP2002177908A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-25 | Olympus Optical Co Ltd | 光学部品の洗浄方法 |
JP2003114301A (ja) * | 2001-05-18 | 2003-04-18 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 安定性が高められた光学部品の製造方法、それにより得られる部品、及びそれらの使用 |
JP2004325794A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Showa Denko Kk | フッ化物光学素子の製造方法およびフッ化物光学素子 |
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