JP2013256399A - Ito膜及びこのito膜の製造に用いられるito粉末 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】4.0eV〜4.5eVの範囲のバンドギャップを有するITO膜である。
【選択図】なし
Description
3価インジウム化合物と2価錫化合物は溶液中においてアルカリの存在下で沈殿し、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する。このとき、溶液のpHを4.0〜9.3、好ましくはpH6.0〜8.0、液温を5℃以上、好ましくは液温10℃〜80℃に調整することによって、乾燥粉末が山吹色から柿色の色調を有するインジウム錫の共沈水酸化物を沈澱させることができる。この山吹色から柿色の色調を有する水酸化物は、従来の白色のインジウム錫水酸化物よりも結晶性に優れている。反応時の液性をpH4.0〜9.3に調整するには、例えば、3塩化インジウム(InCl3)と2塩化錫(SnCl2・2H2O)の混合水溶液を用い、この混合水溶液とアルカリ水溶液とを同時に水に滴下して上記pH範囲に調整することが好ましい。或いは、アルカリ水溶液に上記混合液を滴下する。アルカリ水溶液としてはアンモニア(NH3)水、炭酸水素アンモニウム(NH4HCO3)水などが用いられる。
紫外線を照射した後、スラリー状のインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で2〜24時間乾燥した後、大気中250〜800℃の範囲で0.5〜6時間焼成する。この焼成により形成された凝集体をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ITO粉末を得る。このITO粉末を50〜95質量部の無水エタノールと5〜50質量部の蒸留水を混合した表面処理液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、200〜400℃の範囲で0.5〜5時間加熱すると、表面改質処理したITO粉末が得られる。
第1の製造方法で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、管の長手方向を鉛直にして配置した、250〜800℃の範囲に加熱した管状炉の内部にキャリアガスであるN2ガスを流通させている状態で、スラリー状のインジウム錫水酸化物を40kHz〜2MHzの超音波によりガス化して流通しているN2ガスに噴霧する。超音波の周波数が下限値未満では、霧化されたインジウム錫水酸化物を含む液滴が大きく、液滴中のインジウム錫水酸化物の含有量が多いため、熱分解する際に、ITOが焼結し粗大化してしまう不具合があり、上限値を越えると霧化する効率が悪くなる不具合がある。これによりインジウム錫水酸化物が管状炉内で熱分解して管状炉の排出口より表面改質処理したITO粉末が得られる。
第1の製造方法で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、このインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で2〜24時間乾燥してインジウム錫水酸化物粉末を得る。このインジウム錫水酸化物粉末の分散溶液にレーザー光を照射する。この方法で用いることのできるレーザーの種類は、高強度のパルス光を発生できるレーザーであればよく、例えば、Nd:YAGレーザー、エキシマレーザー、Tiサファイアレーザーを用いることができ、Nd:YAGレーザーが好ましい。レーザー光の照射強度は溶液中のインジウム錫水酸化物がレーザー光照射を受けてアブレーションができるのに十分に足りる強度があれば良く、1パルス当りの強度としては10mJ(10mJ/pulse)以上あれば十分であり、望ましくは50mJ/pulse〜500mJ/pulseである。また、レーザー光のパルス幅は限定されないが1nm〜20nsが好ましく、せん頭値(ピークパワー)は0.5〜500MWが好ましい。また、レーザーの発振周波数(パルス周期)は限定されないが、10〜60Hzが好ましく、平均パワーは、0.1〜30Wが好ましい。
第1の方法で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、このインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で2〜24時間乾燥した後、大気中250〜800℃の範囲で0.5〜6時間焼成する。この焼成により形成された凝集体をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ITO粉末を得る。このITO粉末をジェットミルを用いて、粉砕処理を行い、平均粒径を5〜15nmの範囲にする。以下、第1の方法と同様に、このITO粉末を無水エタノールと蒸留水とを混合した表面処理液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、加熱すると、表面改質処理したITO粉末が得られる。
なお、本明細書におけるITO粉末の平均粒径とは、個数分布に基づく平均粒径をいう。また本発明においては、200個の平均径である。
〔表面改質処理したITO粉末の製法〕
先ず、In金属18gを含有する塩化インジウム(InCl3)水溶液50mLと、二塩化錫(SnCl2・2H2O)3.6gとを混合し、この混合水溶液とアンモニア(NH3)水溶液を水500mLに同時に滴下し、pH7に調整した。液温を30℃にした状態で30分間反応させた。生成したインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物をイオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の抵抗率が50000Ω・cm以上になったところで、上記沈殿物の上澄み液を捨て、粘度の高いスラリー状にして、このスラリーを撹拌しながら、紫外線照射装置(HOYA−SCHOTT社製、UL250)を用いて365nmの紫外線を5時間照射した。その後、スラリー状のインジウム錫水酸化物を大気中、110℃で一晩乾燥した後、大気中550℃で3時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ITO粉末約25gを得た。このITO粉末25gを無水エタノールと蒸留水を混合した表面処理液(混合比率はエタノール95質量部に対して蒸留水5質量部)に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、330℃にて2時間加熱して表面改質処理したITO粉末を得た。
この表面改質処理したITO粉末20gを、蒸留水(0.020g)、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート[3G](23.8g)、無水エタノール(2.1g)、リン酸ポリエステル(1.0g)、2−エチルヘキサン酸(2.0g)、2,4−ペンタンジオン(0.5g)の混合液に入れて分散させた。調製した分散液を無水エタノールで固形分であるITO粉末の含有量が10質量%になるまで希釈した。この希釈した分散液をスピンコーティングにより石英ガラス板に塗布して成膜し、厚さ0.2μmのITO膜を得た。
実施例1と同様にして得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、実施例1の紫外線照射を行う代わりに、長手方向を鉛直にして配置した、350℃に加熱した管状炉内にキャリアガスであるN2ガスを流通させている状態で、スラリー状のインジウム錫水酸化物を1.7MHzの超音波によりガス化して流通しているN2ガスに噴霧した。これによりインジウム錫水酸化物が管状炉内で熱分解して管状炉の排出口より表面改質処理したITO粉末を得た。またこのITO粉末を用いて、実施例1と同様にしてITO膜を作製した。
実施例1と同様にして得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、実施例1の紫外線照射を行う代わりに、このインジウム錫水酸化物を110℃で一晩乾燥してインジウム錫水酸化物粉末を得た。このインジウム錫水酸化物粉末をエタノール中に0.005g/Lの濃度で分散させてインジウム錫水酸化物粒子分散溶液を調製した。25℃、40mLの分散溶液をガラスセル(内径30mm、胴径35mm、高さ80mmのバイアルびん)中に分取し、そこへレーザー装置である高出力ナノ秒Nd:YAGパルスレーザー(スペクトラ・フィジックス社製、LAB−150−10)の第三高調波(波長:355nm、発振周波数:10Hz、パルス幅:7ns)の20,50,100,及び150mJ/pulseのレーザー光を集光レンズである焦点距離が50mmの合成石英製平凸レンズを介してそれぞれ照射した。レーザー光の集光位置は、溶液中になるように集光レンズとガラスセルとの距離を調整した。この際、エタノールだけをガラスセル中に溜めてレーザー光を照射すると、エタノールが集光点における強い電場強度よってブレイクダウンして、その結果形成されるプラズマからの発光が観測されることを確認した。また、マグネチックスターラー(東京硝子器機社製、FS−05)を介してテフロン(登録商標)製回転子(東京硝子器械社製)を回転(200rpm)させて、粒子分散溶液を攪拌しながら上記レーザー光を60分間照射した。分散溶液を固液分離し、乾燥して表面改質処理したITO粉末を得た。またこのITO粉末を用いて、実施例1と同様にしてITO膜を作製した。
実施例1と同様にして得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、実施例1の紫外線照射を行う代わりに、このインジウム錫水酸化物を110℃で一晩乾燥した後、大気中550℃で3時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ITO粉末を得た。このITO粉末をジェットミル(スギノマシン社製ジェットミル極少量対応機 スターバースト ミニ)を用いて、粉砕処理を行った。このITO粉末25gを無水エタノールと蒸留水とを混合した表面処理液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、330℃にて2時間加熱して表面改質処理したITO粉末を得た。またこのITO粉末を用いて、実施例1と同様にしてITO膜を作製した。
実施例1と同様にと同様にして得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物を濾別し、固液分離したインジウム錫水酸化物を110℃で一晩乾燥した後、大気中550℃で3時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ITO粉末を得た。このITO粉末を無水エタノールと蒸留水を混合した表面処理液(混合比率はエタノール95質量部に対して蒸留水5質量部)に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、330℃にて2時間加熱して表面改質処理したITO粉末を得た。またこのITO粉末を用いて、実施例1と同様にしてITO膜を作製した。
〔色調(Lab値)の測定〕
実施例1〜4及び比較例1で得られた各ITO膜の色調(L*、a*、b*)を表1に示す。このL*a*b*値はスガ試験機社のカラーコンピュータ(SM−T)を用いて測定した。
また実施例1〜4及び比較例1で得られた表面改質処理した各ITO粉末を用いて、それぞれのITO粉末の可視光線透過率(%Tv)を測定した。具体的には実施例1〜4及び比較例1で得られたITO粉末の各20gを、蒸留水(0.020g)、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート[3G](23.8g)、無水エタノール(2.1g)、リン酸ポリエステル(1.0g)、2−エチルヘキサン酸(2.0g)、2,4−ペンタンジオン(0.5g)の混合液に入れて分散させた。調製した分散液をトリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエートでITO粉末の含有量が0.7質量%になるまで希釈した。この希釈液を光路長1mmのガラスセルに入れ、自記分光光度計(日立製作所社製U−4000)を用い、規格(JIS R 3216−1998)に従い、380nm〜780nmの可視光線透過率(%Tv)を測定した。比較例1の可視光線透過率(%Tv)を1としたときの実施例1〜4の変化の度合いを表1に示す。
更に、実施例1〜4及び比較例1で得られた各ITO膜のバンドギャップは次の方法により算出した。積分球式分光光度計(日立ハイテクノロジー社製U−4100型)を用いてITO膜の透過スペクトルから光学バンドギャップを算出する。ITO膜の透過率Tを用いて、以下に示す式からフォトンエネルギー(E=1240/波長(nm))に対する吸収係数α2の関係をプロットする。その曲線の直線で近似できる部分を吸収が小さい側に外挿し、その外挿線とx軸との交点の光子エネルギーから光学バンドギャップを算出する。式中、dはITO膜の膜厚である。実施例1〜4及び比較例1で得られた各ITO膜のバンドギャップの値を表1に示す。
表1から明らかなように、色調(Lab値)に関しては、いずれの実施例においても、b*値がマイナスの値であり、黄色味はなく、青色をしていることが分かった。また可視光線透過率(%Tv)に関しては、比較例1を基準としてTvを評価すると、いずれの実施例においても、比較例1よりも高い値を示し、可視光線透過率が向上していることが分かった。このことは光学バンドギャップが比較例1の3.90eVに比較して、実施例1〜4はいずれも4.0eVを越えて高いことからも立証されていた。
Claims (2)
- 4.0eV〜4.5eVの範囲のバンドギャップを有することを特徴とするITO膜。
- 請求項1記載のITO膜の製造に用いられるITO粉末。
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