JP2013237913A - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空処理室1aで基板に対向配置される金属製のターゲットT1,T2と、ターゲットに電力投入する交流電源Eaと、真空処理室内にスパッタガスと反応ガスとを夫々導入するガス導入手段7,8とを備える。ターゲットは筒状の輪郭を有するものであり、このターゲットをその軸線を回転中心として回転駆動する駆動手段Mと、ターゲット内に設けられた、基板に対向するターゲットの外表面にその長手方向に沿って漏洩磁場を発生する磁場発生手段MGとを更に備える。駆動手段は、ターゲットの外表面をスパッタリングしたときに逆堆積する、ターゲットから飛散したスパッタ粒子と反応ガスとの反応生成物でこの外表面が覆われない速さにターゲットの回転数を制御する。
【選択図】図2
Description
Claims (5)
- 真空処理室で処理すべき基板に対向配置される金属製のターゲットと、ターゲットに電力投入するスパッタ電源と、真空処理室内にスパッタガスと反応ガスとを夫々導入するガス導入手段とを備え、所定の反応ガス雰囲気中で金属製のターゲットをスパッタリングし、基板のターゲットとの対向面に反応性スパッタリングにより金属化合物膜を成膜するスパッタリング装置において、
前記ターゲットは筒状の輪郭を有するものであり、このターゲットをその軸線を回転中心として回転駆動する駆動手段と、前記ターゲット内に設けられた、基板に対向するターゲットの外表面にその長手方向に沿って漏洩磁場を発生する磁場発生手段とを更に備え、駆動手段は、ターゲットの外表面をスパッタリングしたときに逆堆積する、ターゲットから飛散したスパッタ粒子と反応ガスとの反応生成物でこの外表面が覆われない速さにターゲットの回転数を制御することを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記回転数は15rpm以上であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲット外表面における漏洩磁場の磁場強度は600G以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のスパッタリング装置。
- 請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のスパッタリング装置であって、前記ターゲットの長手方向に対して直交方向に所定間隔で複数本のターゲットを並設したものにおいて、
スパッタ電源として交流電源を用い、交流電源からの出力を、並設したターゲットのうち対をなすものに夫々接続したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 請求項3または請求項4記載のスパッタリング装置にて、反応ガスたる酸素ガスを導入し、基板のターゲットとの対向面に反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を成膜するスパッタリング方法において、
スパッタリング中、ターゲットを15rpm以上の回転数で回転駆動させることを特徴とするスパッタリング方法。
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