JP2014500398A - ソフトスパッタリングマグネトロンシステム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1B
Description
各筒状ターゲットの外面全面に磁場レーストラックを設けるように配置され、磁場レーストラックは各筒状ターゲットの長さ方向に沿った一対の実質的に平行な浸食領域からのプラズマガスを閉じ込め、各ターゲットのターゲット材料を浸食させる。各浸食領域対は、各ターゲットのソース面となるとともにその間の距離により分離され、および各マグネットアセンブリーは、平行浸食領域間の距離を固定するように配置されて、各筒状ターゲットのために、ターゲット材料の流束の結合領域を作り出す。ターゲットの中心を通るソース面に対する法線は、第1の基準面を規定する。各ターゲットの軸を通る一対の第2の基準面の間に夾角が形成されるように、マグネットアセンブリーを互いに配向させる。これらの第2の基準面は、それぞれ筒状ターゲットの中心および同じターゲットの浸食領域を通り、その筒状ターゲットの中心に45度より大きい角、例えば45〜90度の角を形成する。
該少なくとも第1および第2のターゲットの軸が互いに平行になるように、第2の回転可能な円筒状ターゲットを第1のターゲットに対して配置する;
各筒状ターゲットの長さ方向に沿って実質的に平行な一対の浸食領域から、各ターゲットのターゲット材料を浸食し、浸食領域の各対は各ターゲットのソース面を規定し、およびその間の距離により分離され、およびターゲットのためのターゲット材料流束の結合領域を作るため、各ターゲットの平行浸食領域の間の距離を固定するように各マグネットアセンブリーは配置され、(第1の基準面を規定するターゲットの中心を通るソース面に垂直である);
マグネットアセンブリーを互いに配向させ、および各ターゲットの軸において一対の第2の基準面の間に夾角を形成させるように、ターゲットを基材に対して配置する、ここで、第2の基準面のそれぞれは、筒状ターゲットの中心を通るととともに、同じ筒状ターゲットの浸食領域の中心も通り、そのターゲットの中心に45〜90度の夾角を形成する。
用いた配置の例:全ターゲットに対するレーストラック角X:54度、外側マグネトロンの傾斜(それぞれ内側に):6度、ターゲットの直径D:150mm、ターゲットターゲット間隔S:190mm、マグネトロンのセット数:2、マグネトロン当たりのパワーレベル:第1 100%、第2 100%、ターゲット−基材の間隔H:第1 149mm、第2 121mm。4に結果を模式的に示す:均一性:最少99%、最大100.1%、ピークピーク変動0.2%。必要に応じて、全ターゲットを、それらが同じターゲット−基材の間隔を持つように配置することができ、および外側マグネトロンにおけるパワーレベルを設定することにより、被膜の均一性を制御できる。
・1つのデュアル配置を有し、100mm〜450mmの均一領域(+/-1%)
・間隔(ターゲットと基材の間の)と角度に対する制約
・ターゲット寿命におけるターゲット直径とターゲット−基材の間隔の変化のシミュレーションを行う
・各変数についての感度分析。
図5からわかるように、レーストラック角が45〜90度の時、特に50〜80度の範囲にある時に均一性に関して良好な結果が得られる。
Claims (17)
- 浸食したターゲット材料を基材上に堆積させる真空スパッタリングシステムであり以下のものを含む:
少なくとも第1および第2の円筒状ターゲット、それぞれが長軸と外面と一定の長さを有し、該少なくとも第1および第2の円筒状ターゲットのそれぞれが円筒状ターゲットの長軸の回りを回転可能であって、少なくとも第1と第2のターゲットの軸が互いに平行になるように、第2の回転可能な円筒状ターゲットが第1のターゲットに対して配置されている;および
少なくとも第1および第2のマグネットアセンブリー、それぞれ、少なくとも第1および第2の筒状ターゲットの内部に、およびその長さ方向に沿って配置され、各マグネットアセンブリーは、各筒状ターゲットの外面全面に磁場レーストラックを設けるように配置され、磁場レーストラックは各筒状ターゲットの長さ方向に沿った一対の実質的に平行な浸食領域からのプラズマガスを閉じ込め、各ターゲットのターゲット材料を浸食させ、各浸食領域対は、各ターゲットのソース面となるとともにその間の距離により分離され、および各マグネットアセンブリーは、各ターゲットの平行浸食領域間の距離を固定するように配置されて、各筒状ターゲットのために、ターゲット材料の流束の結合領域を作り出し、各ターゲットの軸を通る一対の基準面の間に夾角が形成されるように、マグネットアセンブリーを互いに配向させ、これらの基準面が、それぞれ筒状ターゲットの中心および該ターゲットの浸食領域の中心を通り、その筒状ターゲットの中心に45〜90度の角を形成する。 - 前記基材をターゲットに対して配置する手段をさらに含み、異なるターゲットの中心を通りソース面に垂直な一対の面が、ターゲットを含む基材の面とは交差しない、請求項1記載の真空スパッタリングシステム。
- 前記レーストラックが、基材を向く向角と互いを向く向角を有し、各ターゲットの平行な浸食領域に対する法線間の角距離、ターゲットに対する基材の配置、およびレーストラックの向角は、ターゲットのそれぞれのターゲット流束が結合して、基材に実質的に均一な流束の領域を作り出すように存在している、請求項2記載の真空スパッタリングシステム。
- 前記基材におけるターゲット流束が、外側のマグネトロンの軸間の離間距離の少なくとも75%の距離の範囲で、より好ましくは外側のマグネトロンの軸間の離間距離と同様(+/-20%)の範囲で、実質的に一定で、そのばらつきが5%未満、好ましくは2%未満、より好ましくは1%未満である、請求項3記載の真空スパッタリングシステム。
- 中心で形成される角度が、50度〜80度の間である請求項1から4のいずれか一つに記載の真空スパッタリングシステム。
- 前記ターゲットと前記基材との間の距離が50〜500mmである請求項1から5のいずれか一つに記載の真空スパッタリングシステム。
- 外側のマグネットアセンブリーをさらに含み、該外側のマグネットアセンブリーが、基材に垂直な面に対して、5度〜40度の角度を形成するように配置されている請求項1から6のいずれか一つに記載の真空スパッタリングシステム。
- 前記少なくとも第1および第2のターゲットの軸の間隔が、40〜500mmである請求項1から7のいずれか一つに記載の真空スパッタリングシステム。
- 前記円筒状ターゲットの直径が30〜500mmである請求項1から8のいずれか一つに記載の真空スパッタリングシステム。
- 前記一対の面が、該一対の面の両方の面に共通する線で交差し、その交線よりも基材に近い距離に基材が配置されている、請求項2から9のいずれか一つに記載の真空スパッタリングシステム。
- 浸食したターゲット材料を基材上へ堆積させるための真空スパッタリング方法を提供するもので、該方法は、少なくとも第1および第2の円筒状ターゲットであって、それぞれ長軸と外面と所定の長さを有し、該少なくとも第1および第2の円筒状ターゲットがそれぞれ、該円筒状ターゲットの長軸の回りを回転可能である、該円筒状ターゲットと、該少なくとも第1および第2の筒状ターゲットの内部および長さ方向に沿ってそれぞれ配置された少なくとも第1および第2のマグネットアセンブリーであって、各筒状ターゲットの外面全面に磁場レーストラックを設けるように各該マグネットアセンブリーが配置された該マグネットアセンブリーとを用いる方法であり、該方法は以下のことを含む:
該少なくとも第1および第2のターゲットの軸が互いに平行になるように、第2の回転可能な円筒状ターゲットを第1のターゲットに対して配置する;
各筒状ターゲットの長さ方向に沿って実質的に平行な一対の浸食領域から、各ターゲットのターゲット材料を浸食し、浸食領域の各対は各ターゲットのソース面を規定し、およびその間の距離により分離され、およびターゲットのためのターゲット材料流束の結合領域を作るため、各ターゲットの平行浸食領域の間の距離を固定するように各マグネットアセンブリーは配置され;
マグネットアセンブリーを互いに配向させ、および各ターゲットの軸において一対の基準面の間に夾角を形成させるように、ターゲットを基材に対して配置し、該基準面のそれぞれは、筒状ターゲットの中心を通るととともに、同じ筒状ターゲットの浸食領域の中心も通り、そのターゲットの中心に45〜90度の夾角を形成する。 - 前記ターゲットに対して前記基材を配置することをさらに含み、異なるターゲットの中心を通りソース面に垂直な一対の面が、ターゲットを含む基材の面とは交差しない、請求項11記載の方法。
- 中心で形成される角度が、50度〜80度の間である請求項11または12に記載の方法。
- 外側のマグネットアセンブリーを、基材に垂直な面に対して、5度〜40度の角度を形成するように配置することをさらに含む請求項11から13のいずれか一つに記載の方法。
- 前記ターゲットのそれぞれのターゲット流束が結合して、基材に実質的に均一な流束の領域を作り出すように、各ターゲットの平行な浸食領域に対する法線間の角距離、ターゲットに対する基材の配置、基材を向くレーストラックの向角と互いを向くレーストラックの向角を設定することをさらに含む請求項12から14のいずれか一つに記載の方法。
- 前記基材におけるターゲット流束が、外側のマグネトロンの軸間の離間距離の少なくとも75%の距離の範囲で、より好ましくは外側のマグネトロンの軸間の離間距離と同様(+/-20%)の範囲で、実質的に一定で、そのばらつきが5%未満、好ましくは2%未満、より好ましくは1%未満となるように、基材におけるターゲット流束が設定される、請求項15記載の方法。
- 前記一対の面が、該一対の面の両方の面に共通する線で交差し、その交線よりも基材に近い距離に基材が配置されている、請求項12から16のいずれか一つに記載の方法。
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