JP5069956B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
前記円筒状蒸発源は、前記円筒状ターゲットの中心軸に垂直な平面において、前記円筒状ターゲットの中心軸と前記エロージョン領域の直線部とを結ぶ直線と、前記ホルダ本体の中心軸と前記円筒状ターゲットの中心軸とを結ぶ基準線とのなす角度の少なくとも一方を10〜40度の範囲とすることが好ましい。
前記円筒状蒸発源は、前記円筒状ターゲットの中心軸と垂直な平面において、前記円筒状ターゲットの中心軸と前記エロージョン領域の直線部とを結ぶ直線と、前記円筒状ターゲットの中心軸を通り、前記ホルダ本体の移動方向に対して垂直な方向に設けた基準線とのなす角度の少なくとも一方を10〜50度の範囲とすることが好ましい。
2,2A 基材ホルダ
3 円筒状マグネトロンスパッタ蒸発源
6,6A ホルダ本体
11 円筒状ターゲット
12 磁場発生手段
W 部分筒状基材
S 凹状成膜面
Claims (10)
- 真空容器内で基材に形成された凹状成膜面にターゲット表面から蒸発した成膜粒子を堆積させて皮膜を形成する成膜装置であって、
中心軸回りに回転自在とされた円筒状のホルダ本体を有し、前記ホルダ本体の外周部に前記凹状成膜面が外側を向いた状態で、前記基材を前記ホルダ本体の中心軸方向に複数保持する基材ホルダと、
前記ホルダ本体の中心軸に平行に設けられた中心軸を有する円筒状ターゲットを備え、前記円筒状ターゲットの中心軸方向に平行に形成された2本の直線部の両端が弧状部でつながれたレーストラック状のエロージョン領域が前記円筒状ターゲットの表面に形成される円筒状蒸発源を備えた、成膜装置。 - 前記円筒状蒸発源は、前記円筒状ターゲットの中心軸に垂直な平面において、前記円筒状ターゲットの中心軸と前記エロージョン領域の直線部とを結ぶ直線と、前記ホルダ本体の中心軸と前記円筒状ターゲットの中心軸とを結ぶ基準線とのなす角度の少なくとも一方が10〜40度の範囲とされた、請求項1に記載した成膜装置。
- 真空容器内で基材に形成された凹状成膜面にターゲット表面から蒸発した成膜粒子を堆積させて皮膜を形成する成膜装置であって、
直線状に移動自在とされたホルダ本体を有し、前記ホルダ本体の外周部に前記凹状成膜面が外側に向いた状態で、前記基材を前記ホルダ本体の移動方向と交差する方向に複数保持する基材ホルダと、
前記基材ホルダの保持凹部の正面に円筒状ターゲットを備え、前記円筒状ターゲットの中心軸方向に平行に形成された2本の直線部の両端が弧状部でつながれたレーストラック状のエロージョン領域が前記円筒状ターゲットの表面に形成される円筒状蒸発源を備えた、成膜装置。 - 前記円筒状蒸発源は、前記円筒状ターゲットの中心軸と垂直な平面において、前記円筒状ターゲットの中心軸と前記エロージョン領域の直線部とを結ぶ直線と、前記円筒状ターゲットの中心軸を通り、前記ホルダ本体の移動方向に対して垂直な方向に設けた基準線とのなす角度の少なくとも一方が10〜50度の範囲とされた、請求項3に記載した成膜装置。
- 前記円筒状蒸発源は、前記エロージョン領域が前記円筒状ターゲットの周方向に移動可能に設けられた、請求項1から4のいずれか1項に記載した成膜装置。
- 前記円筒状蒸発源の円筒状ターゲットは中心軸回りに回転自在に設けられた、請求項1から5のいずれか1項に記載した成膜装置。
- 前記基材ホルダには冷却手段が付設された、請求項1から6のいずれか1項に記載した成膜装置。
- 前記基材ホルダには、前記ホルダ本体に設けられた保持凹部と当該保持凹部に保持された基材との間の熱伝達を促進する熱伝達促進手段が設けられた、請求項1から7のいずれか1項に記載した成膜装置。
- 前記円筒状ターゲットをスパッタ蒸発源とし、成膜時に前記円筒状ターゲットの表面からスパッタ蒸発した成膜粒子を基材の凹状成膜面に堆積させて皮膜を形成する、請求項1から8のいずれか1項に記載した成膜装置。
- 前記円筒状ターゲットをアーク蒸発源とし、成膜時に前記円筒状ターゲットの表面からアーク放電によって蒸発飛散した成膜粒子を基材の凹状成膜面に堆積させて皮膜を形成する、請求項1から8のいずれか1項に記載した成膜装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007165737A JP5069956B2 (ja) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | 成膜装置 |
PCT/JP2008/058250 WO2009001614A1 (ja) | 2007-06-25 | 2008-04-30 | 成膜装置 |
US12/663,977 US20100187104A1 (en) | 2007-06-25 | 2008-04-30 | Film formation apparatus |
DE112008001676T DE112008001676T5 (de) | 2007-06-25 | 2008-04-30 | Filmbildungsapparat |
CN200880021777.9A CN101688294B (zh) | 2007-06-25 | 2008-04-30 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007165737A JP5069956B2 (ja) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009001884A JP2009001884A (ja) | 2009-01-08 |
JP5069956B2 true JP5069956B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=40185437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007165737A Active JP5069956B2 (ja) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | 成膜装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100187104A1 (ja) |
JP (1) | JP5069956B2 (ja) |
CN (1) | CN101688294B (ja) |
DE (1) | DE112008001676T5 (ja) |
WO (1) | WO2009001614A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013232974A (ja) * | 2010-01-13 | 2013-11-14 | Toshiba Corp | 動画像符号化装置および復号装置 |
JP2014060744A (ja) * | 2010-01-13 | 2014-04-03 | Toshiba Corp | 動画像符号化装置および復号装置 |
WO2012066079A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | Bekaert Advanced Coatings | Soft sputtering magnetron system |
CN102071400A (zh) * | 2011-02-11 | 2011-05-25 | 张敬祎 | 一种防止微波反应溅射台靶中毒的金属靶装置 |
US20140332369A1 (en) * | 2011-10-24 | 2014-11-13 | Applied Materials, Inc. | Multidirectional racetrack rotary cathode for pvd array applications |
DE102012003828A1 (de) * | 2012-02-29 | 2013-08-29 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung eines Schichtstapels eines Metalloxids mit wechselnder Leitfähigkeit |
WO2016164276A1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for magnetron sputtering |
US10869393B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-12-15 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Pedestal mounting of sensor system |
JP6396367B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2018-09-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード |
CN108203812B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板固定载具、蒸镀设备及蒸镀方法 |
CN109972092B (zh) * | 2019-05-20 | 2021-07-06 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种凹型基体的表面处理装置 |
EP3886139B1 (en) * | 2020-03-16 | 2024-02-07 | Vapor Technologies, Inc. | Convertible magnetics for rotary cathode |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3717712A1 (de) * | 1987-05-26 | 1988-12-15 | Leybold Ag | Vorrichtung zur halterung von werkstuecken |
JPH03115560A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-16 | Daido Metal Co Ltd | すべり軸受の製造方法 |
US5108574A (en) * | 1991-01-29 | 1992-04-28 | The Boc Group, Inc. | Cylindrical magnetron shield structure |
JPH05295536A (ja) | 1992-04-24 | 1993-11-09 | Fuji Electric Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード |
JP2679920B2 (ja) | 1992-09-28 | 1997-11-19 | 大同メタル工業株式会社 | 非焼付性に優れたオーバーレイを有するすべり軸受材料 |
CA2120875C (en) * | 1993-04-28 | 1999-07-06 | The Boc Group, Inc. | Durable low-emissivity solar control thin film coating |
JP2838032B2 (ja) | 1993-07-20 | 1998-12-16 | 大同メタル工業株式会社 | 高負荷用すべり軸受材料およびその製造方法 |
DE19753656C1 (de) * | 1997-12-03 | 1998-12-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur Vakuumbeschichtung von Gleitlagern |
US20030118586A1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-06-26 | Shuji Hinuma | G protein coupled receptor protein, production and use thereof |
JP2003096562A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Kobe Steel Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
JP2004010915A (ja) | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Ushio Inc | マグネトロンスパッタ装置 |
DE10336422A1 (de) * | 2003-08-08 | 2005-03-17 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
JP2005133110A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Konica Minolta Opto Inc | スパッタリング装置 |
JP2005213585A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Konica Minolta Opto Inc | マグネトロンスパッタ装置 |
SG118232A1 (en) * | 2004-02-27 | 2006-06-27 | Superiorcoat Private Ltd | Cathodic arc coating apparatus |
-
2007
- 2007-06-25 JP JP2007165737A patent/JP5069956B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-30 DE DE112008001676T patent/DE112008001676T5/de not_active Ceased
- 2008-04-30 CN CN200880021777.9A patent/CN101688294B/zh active Active
- 2008-04-30 US US12/663,977 patent/US20100187104A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-30 WO PCT/JP2008/058250 patent/WO2009001614A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100187104A1 (en) | 2010-07-29 |
CN101688294A (zh) | 2010-03-31 |
DE112008001676T5 (de) | 2010-08-05 |
JP2009001884A (ja) | 2009-01-08 |
WO2009001614A1 (ja) | 2008-12-31 |
CN101688294B (zh) | 2013-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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