JP2013227160A - 酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化ガリウム単結晶13は、双晶14を1〜70%含んでいる。酸化ガリウム単結晶13は、EFG法によって製造されている。双晶14は、その引上げ方向に沿って帯状に形成されている。酸化ガリウム単結晶基板は、酸化ガリウム単結晶13からなる。酸化ガリウム単結晶基板は、表面にCMP加工が施され、結晶面ごとの研磨加工レート差によって、幅が3〜10μmの範囲で揃った凹凸を持ったストライプ状に形成されている。
【選択図】図3
Description
例えば、凹凸の幅が3〜10μmである。
例えば、少なくとも2インチサイズである。
スプレッド中の蒸発量[g] = 0.12×W×t
ここで、Wはスリット5Aの幅(ダイ5の幅方向(図7(a)参照))[mm]、tはスプレディング工程の所要時間[hour]である。例えば、2インチ基板を製造するためのルツボ3では、W=50.8[mm]となっている。この式からスプレディング工程の所要時間に基づき蒸発量を求めることができる。表2にスプレッド方向の成長速度、スプレッド角度θ、スプレディング工程の所要時間、蒸発量、スプレッド中の原料蒸発ロス(2インチ基板の製造に用いる直胴部分の結晶重量46グラムに対する蒸発量の割合)の関係を示す。
廃棄割合=(A+46×B%)÷(46×(100−B%))
それぞれのスプレッド方向の成長速度に対する廃棄割合を計算した結果を表3に示す。
2 酸化ガリウム融液
3 ルツボ
4 支持台
5 ダイ
5A スリット
5B 開口部
6 蓋
7 熱電対
8 断熱材
9 ヒータ部
10 種結晶
11 種結晶保持具
12 シャフト
13 酸化ガリウム単結晶
13a ネック部
14 双晶
21 酸化ガリウム単結晶基板
Claims (6)
- 双晶を1〜70%含む、ことを特徴とする酸化ガリウム単結晶。
- EFG法によって製造され、
前記双晶は、その引上げ方向に沿って帯状に形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の酸化ガリウム単結晶。 - 請求項1または2に記載の酸化ガリウム単結晶からなる、ことを特徴とする酸化ガリウム単結晶基板。
- その表面にCMP加工が施され、結晶面ごとの研磨加工レート差によって、凹凸がストライプ状に形成されている、ことを特徴とする請求項3に記載の酸化ガリウム単結晶基板。
- 凹凸の幅が3〜10μmであることを特徴とする請求項4に記載の酸化ガリウム単結晶基板。
- 少なくとも2インチサイズである、ことを特徴とする請求項3乃至5の何れかに記載の酸化ガリウム単結晶基板。
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