JP2013225704A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013225704A5 JP2013225704A5 JP2013151652A JP2013151652A JP2013225704A5 JP 2013225704 A5 JP2013225704 A5 JP 2013225704A5 JP 2013151652 A JP2013151652 A JP 2013151652A JP 2013151652 A JP2013151652 A JP 2013151652A JP 2013225704 A5 JP2013225704 A5 JP 2013225704A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- solid
- state imaging
- conversion unit
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (9)
- 光電変換部と、
前記光電変換部で生じた信号電荷を保持可能な第1導電型の半導体領域と、該半導体領域上に絶縁膜を介して配された制御電極とを含み、前記信号電荷を保持可能な電荷保持部と、
第1導電型のフローティングディフュージョン領域と、
前記第1導電型の半導体領域と前記フローティングディフュージョン領域との導通を制御する転送部と、
前記光電変換部をソースとし、前記光電変換部の電荷を排出するオーバーフロードレインMOSトランジスタと、
を含む画素が二次元状に配され、
同一画素内において、
前記第1導電型の半導体領域は前記光電変換部に対して第1の方向に配置され、
前記フローティングディフュージョン領域は前記第1導電型の半導体領域に対して、前記第1の方向に直交する方向に前記転送部を介して配置され、
前記フローティングディフュージョン領域及び前記オーバーフロードレインMOSトランジスタのドレインは、前記第1の方向に直交する方向において互いに隣接して配置される複数の画素にそれぞれ含まれる前記電荷保持部の間の領域に配置されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記オーバーフロードレインMOSトランジスタを導通状態から非導通状態とすることで、前記光電変換部における露光期間を開始することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記露光期間終了後は、前記オーバーフロードレインMOSトランジスタを導通させ、前記光電変換部と前記オーバーフロードレインMOSトランジスタのドレインとの間の電荷の経路のポテンシャルを、前記光電変換部と前記電荷保持部との間の電荷の経路のポテンシャルよりも低い状態とすることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の光電変換部の電荷を同時に読み出すことで、グローバル電子シャッタ動作を行なうことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1導電型の半導体領域の不純物濃度は、前記オーバーフロードレインMOSトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1導電型の半導体領域及び前記ドレインは、第2導電型の半導体領域とPN接合を形成しており、前記第1導電型の半導体領域から伸びる空乏層の幅が、前記フローティングディフュージョン領域から伸びる空乏層の幅よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記画素は、増幅部を有しており、前記フローティングディフュージョン領域と、前記増幅部とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記画素は、前記フローティングディフュージョン領域の電位をリセットする、リセットトランジスタを有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部の露光期間において、前記光電変換部で生じた電荷を前記電荷保持部に転送して蓄積することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013151652A JP5709944B2 (ja) | 2013-07-22 | 2013-07-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013151652A JP5709944B2 (ja) | 2013-07-22 | 2013-07-22 | 固体撮像装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008119737A Division JP5328224B2 (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 固体撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013225704A JP2013225704A (ja) | 2013-10-31 |
JP2013225704A5 true JP2013225704A5 (ja) | 2014-02-06 |
JP5709944B2 JP5709944B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=49595518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013151652A Expired - Fee Related JP5709944B2 (ja) | 2013-07-22 | 2013-07-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5709944B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4300872B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2009-07-22 | 株式会社ニコン | 増幅型固体撮像素子 |
JP4273124B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2009-06-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP2007157912A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
JP2008010502A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Nikon Corp | 固体撮像装置、およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-07-22 JP JP2013151652A patent/JP5709944B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9129881B2 (en) | Solid-state imaging device with charge holding section between trenched transfer gate sections, manufacturing method of same, and electronic apparatus | |
JP2014060705A5 (ja) | 撮像装置 | |
JP2015177429A5 (ja) | ||
JP2005142503A5 (ja) | ||
JP2015149524A5 (ja) | ||
JP2013118345A5 (ja) | ||
JP2009272539A5 (ja) | ||
RU2010150350A (ru) | Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений, использующая его | |
JP2015195378A5 (ja) | ||
JP2015188049A5 (ja) | ||
JP2013080797A5 (ja) | ||
JP2011118887A5 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
JP2012015400A5 (ja) | ||
JP2012015274A5 (ja) | ||
JP2009181986A5 (ja) | ||
JP2012129371A5 (ja) | ||
JP2016025332A5 (ja) | ||
JP2015065271A5 (ja) | ||
JP2015023250A5 (ja) | ||
JP2013219082A5 (ja) | ||
JP2017184185A5 (ja) | ||
JP2015220279A5 (ja) | ||
JP2013171888A5 (ja) | ||
JP2017504966A5 (ja) | ||
JP2015177034A5 (ja) |