JP2013224232A - シリコン単結晶育成用石英るつぼ、シリコン単結晶育成用石英るつぼの製造方法、およびシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英材料のるつぼ本体12と、るつぼ本体の内壁に形成された、内部に充填するシリコン材料14と同等の純度を有する純シリコンのコーティング層17とを備えた構成とする。コーティング層17の純シリコンは、内部に充填したシリコン材料とともに溶融する。
【選択図】図1
Description
石英材料のるつぼ本体と、
前記るつぼ本体の内壁に形成された、内部に充填するシリコン材料と同等の純度を有する純シリコンのコーティング層とを備えたことを特徴とする、シリコン単結晶育成用石英るつぼである。
前記コーティング層は、多結晶処理が施された多結晶シリコンであることを特徴とする、第1の本発明のシリコン単結晶育成用石英るつぼである。
前記コーティング層は、少なくとも、前記るつぼ本体の最上部における厚さが前記るつぼ本体の底部における厚さよりも薄いことを特徴とする、第1の本発明のシリコン単結晶育成用石英るつぼである。
前記コーティング層には、凹凸面が設けられていることを特徴とする、第1の本発明のシリコン単結晶育成用石英るつぼである。
石英材料のるつぼ本体の内壁にシリコン粉末を塗布し、局所加熱処理によって前記塗布したシリコン粉末を多結晶化することによって純シリコンのコーティング層を形成することを特徴とする、シリコン単結晶育成用るつぼの製造方法である。
前記コーティング層を、少なくとも前記るつぼ本体の最上部における厚さが前記るつぼ本体の底部における厚さよりも薄くなるように形成することを特徴とする、第5の本発明のシリコン単結晶育成用るつぼの製造方法である。
前記コーティング層に凹凸面を設けることを特徴とする、第5の本発明のシリコン単結晶育成用るつぼの製造方法である。
第1の本発明のシリコン単結晶育成用石英るつぼの内部に、原材料のポリシリコン塊を充填する充填工程と、
前記シリコン単結晶育成用石英るつぼを加熱して、前記充填したポリシリコン塊を溶融する溶融工程と、
前記シリコン単結晶育成用石英るつぼを加熱しながら、前記ポリシリコン塊を溶融したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる単結晶引き上げ工程とを備えたことを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法である。
前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層は、多結晶処理が施された多結晶シリコンであることを特徴とする、第8の本発明のシリコン単結晶の製造方法である。
前記溶融工程において、前記コーティング層の純シリコンが溶融することを特徴とする、第8の本発明のシリコン単結晶の製造方法である。
前記充填工程では、前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層と密着するように前記ポリシリコン塊を充填し、
前記溶融工程では、前記るつぼ本体の外側からヒーターにより加熱することを特徴とする、第8の本発明のシリコン単結晶の製造方法である。
前記充填工程では、前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層が変形または部分的に分離されるように前記ポリシリコン塊を前記コーティング層に押し付けながら充填し、
前記溶融工程では、分離された前記コーティング層の純シリコンの破片が前記ポリシリコン塊とともに溶融することを特徴とする、第8の本発明のシリコン単結晶の製造方法である。
前記溶融工程後に、シリコン溶融液面よりも上部の、前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に前記コーティング層が残存していることを特徴とする、第8の本発明のシリコン単結晶の製造方法である。
前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層の純シリコンとして、シリコンインゴット製造の後工程であるシリコンウエハ製造工程において、切代として発生する単結晶のシリコン屑を用いることを特徴とする、第8の本発明のシリコン単結晶の製造方法である。
図1(a)に、本発明の実施の形態1の石英るつぼの断面図を示す。
次に、本発明の実施の形態2において、本発明の石英るつぼのSiコーティング層の形成方法について説明する。
次に、本発明の実施の形態3の石英るつぼの構成について説明する。
14 ポリシリコン塊
13、72 シリコン多結晶融液
17、83 Siコーティング層
18 純Siチッピング
32 シリコン溶融液面位置
33 厚膜Siコーティング層
34 薄膜Siコーティング層
42、52 シリコン粉末
43、53 大気圧プラズマトーチ
44、54 局所加熱
45 多結晶Siコーティング層
55 制御装置
56 加熱強度変調
57 多結晶Si凹凸コーティング層
73 シリコンインゴット
75 Siコーティング層残存部
76 輻射熱線
82 不溶膜
Claims (14)
- 石英材料のるつぼ本体と、
前記るつぼ本体の内壁に形成された、内部に充填するシリコン材料と同等の純度を有する純シリコンのコーティング層とを備えたことを特徴とする、シリコン単結晶育成用石英るつぼ。 - 前記コーティング層は、多結晶処理が施された多結晶シリコンであることを特徴とする、請求項1に記載のシリコン単結晶育成用石英るつぼ。
- 前記コーティング層は、少なくとも、前記るつぼ本体の最上部における厚さが前記るつぼ本体の底部における厚さよりも薄いことを特徴とする、請求項1に記載のシリコン単結晶育成用石英るつぼ。
- 前記コーティング層には、凹凸面が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のシリコン単結晶育成用石英るつぼ。
- 石英材料のるつぼ本体の内壁にシリコン粉末を塗布し、局所加熱処理によって前記塗布したシリコン粉末を多結晶化することによって純シリコンのコーティング層を形成することを特徴とする、シリコン単結晶育成用るつぼの製造方法。
- 前記コーティング層を、少なくとも前記るつぼ本体の最上部における厚さが前記るつぼ本体の底部における厚さよりも薄くなるように形成することを特徴とする、請求項5に記載のシリコン単結晶育成用るつぼの製造方法。
- 前記コーティング層に凹凸面を設けることを特徴とする、請求項5に記載のシリコン単結晶育成用るつぼの製造方法。
- 請求項1に記載のシリコン単結晶育成用石英るつぼの内部に、原材料のポリシリコン塊を充填する充填工程と、
前記シリコン単結晶育成用石英るつぼを加熱して、前記充填したポリシリコン塊を溶融する溶融工程と、
前記シリコン単結晶育成用石英るつぼを加熱しながら、前記ポリシリコン塊を溶融したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる単結晶引き上げ工程とを備えたことを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。 - 前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層は、多結晶処理が施された多結晶シリコンであることを特徴とする、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記溶融工程において、前記コーティング層の純シリコンが溶融することを特徴とする、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記充填工程では、前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層と密着するように前記ポリシリコン塊を充填し、
前記溶融工程では、前記るつぼ本体の外側からヒーターにより加熱することを特徴とする、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記充填工程では、前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層が変形または部分的に分離されるように前記ポリシリコン塊を前記コーティング層に押し付けながら充填し、
前記溶融工程では、分離された前記コーティング層の純シリコンの破片が前記ポリシリコン塊とともに溶融することを特徴とする、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記溶融工程後に、シリコン溶融液面よりも上部の、前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に前記コーティング層が残存していることを特徴とする、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶育成用石英るつぼの前記るつぼ本体の内壁に形成されている前記コーティング層の純シリコンとして、シリコンインゴット製造の後工程であるシリコンウエハ製造工程において、切代として発生する単結晶のシリコン屑を用いることを特徴とする、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160076173A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장장치의 도가니 |
KR20190116525A (ko) * | 2017-04-27 | 2019-10-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 인상 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103964677B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-03-30 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 | 多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片再生方法 |
EP3025701A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-01 | Evonik Degussa GmbH | Nanokristalline siliciumpulver, verfahren zu dessen herstellung als auch deren verwendung |
CN114347218A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-15 | 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 | 提高直拉单晶硅棒尾部氧含量的石英坩埚的制备装置及方法和石英坩埚 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06127915A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-10 | Tonen Chem Corp | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 |
JPH10101319A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-21 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン鋳造方法 |
JPH11130583A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-18 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボ及びその製造方法 |
JP2001114590A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-24 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JP2002226291A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 石英るつぼ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6221478B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-04-24 | James Kammeyer | Surface converted graphite components and methods of making same |
JP4710187B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2011-06-29 | ソニー株式会社 | 多結晶シリコン層の成長方法および単結晶シリコン層のエピタキシャル成長方法 |
JP4148049B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2008-09-10 | 株式会社Sumco | 原料供給装置 |
JP4789437B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2011-10-12 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼおよびその製造方法 |
EP1974076A2 (en) * | 2006-01-20 | 2008-10-01 | BP Corporation North America Inc. | Methods and apparatuses for manufacturing geometric multicrystalline cast silicon and geometric multicrystalline cast silicon bodies for photovoltaics |
US9567691B2 (en) * | 2008-06-20 | 2017-02-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Melt purification and delivery system |
JP5500684B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-05-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ及びその製造方法、シリコンインゴットの製造方法 |
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2013
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06127915A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-10 | Tonen Chem Corp | 多結晶シリコン製造用流動層反応器 |
JPH10101319A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-21 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン鋳造方法 |
JPH11130583A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-18 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボ及びその製造方法 |
JP2001114590A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-24 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JP2002226291A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 石英るつぼ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160076173A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장장치의 도가니 |
KR101665793B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-10-24 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장장치의 도가니 |
KR20190116525A (ko) * | 2017-04-27 | 2019-10-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 인상 방법 |
KR102267755B1 (ko) | 2017-04-27 | 2021-06-21 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 인상 방법 |
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