JP2016033093A - 単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1〜図3に示した単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ11を、以下の工程を経て作製した。
実施例1と比べて熱処理条件を1000℃、0.5時間に変更し、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、比較例1よりは大幅に改善されたものの、実施例1よりも単結晶の歩留まりが若干低下した。これは、実施例1よりも熱処理温度が低く、熱処理時間も短かったために、内表面の粗面化領域の結晶化の進行の程度が実施例1よりも低かったためと考えられる。
実施例1と比べて内表面算術平均粗さを1.0μmとし、熱処理温度を1000℃に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、製造した単結晶の歩留まりは良好であった。
実施例1と比べて内表面算術平均粗さを1.0μmとし、熱処理時間を24時間に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、製造した単結晶の歩留まりは良好であった。
実施例1と比べて内表面算術平均粗さを2.0μmとし、熱処理時間を48時間に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、製造した単結晶の歩留まりは良好であった。
実施例1と比べて内表面算術平均粗さを3.0μmとし、熱処理温度を1000℃に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、製造した単結晶の歩留まりは良好であった。
実施例1と比べて内表面算術平均粗さを3.0μmとし、熱処理条件を1500℃、1時間に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、比較例1よりは改善されたものの、実施例1よりも単結晶の歩留まりが若干低下した。これは、熱処理温度が高かったために、石英ガラスるつぼの粘性が低下し、石英ガラスるつぼ自体の変形が発生したためであると考えられる。
実施例5と比べて熱処理条件を900℃、12時間に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、比較例1よりは改善されたものの、実施例1よりも製造した単結晶の歩留まりは若干低下した。これは、熱処理温度が低く、石英ガラスるつぼ内面の粗面化領域の結晶化の程度が低くなり、単結晶シリコン引き上げ中の石英ガラスるつぼ内面に少量発生したブラウンリングが剥離し、単結晶シリコンに取り込まれることで結晶性が低下したためと考えられる。
実施例5と比べて熱処理時間を60時間に変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、比較例1よりは改善されたものの、実施例1よりも製造した単結晶の歩留まりは若干低下した。これは、熱処理時間が長かったために石英ガラスるつぼの粘性が低下し、石英ガラスるつぼ自体の変形が発生したためであると考えられる。
実施例1と比べて内表面算術平均粗さを4.0μmに変更して、石英ガラスるつぼ11を製造した。この石英ガラスるつぼ11を用いて、実施例1と同様に単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、比較例1よりは改善されたものの、実施例1よりも製造した単結晶の歩留まりは若干低下した。これは、内表面の粗面領域が粗く、単結晶シリコン引き上げ中に脱離片が一部発生し、シリコン単結晶に取り込まれることで結晶性が低下したものと考えられる。
単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼを、以下の工程を経て作製した。まず、粒径50〜500μmの天然石英粉を回転する内径570mmのモールド内に供給し、外層となる厚さ25mmの粉体層からなる成型体を成型した。次に、アーク放電により該成型体の内部から加熱溶融すると同時に、その高温雰囲気中に合成石英ガラス粉を100g/分の割合で供給し、泡の無い透明ガラス層(内層)を全内面領域にわたり、1〜3mmの厚さで形成した。溶融が終了した後、冷却して直径555〜560mmの石英ガラスるつぼを得た。この石英ガラスるつぼについて、高さH(底部の外表面の中心点から、直胴部の上端までの高さ)が370mmとなるよう上端部をカットし、石英ガラスるつぼを製造した。この石英ガラスるつぼには、実施例1〜10のような内面粗面領域を形成せず、熱処理も行わなかった。
まず、比較例1と同様に石英ガラスるつぼを作製した。この石英ガラスるつぼには、実施例1〜10のような内面粗面領域を形成しなかった。この石英ガラスるつぼに、1200℃、12時間の熱処理を行った石英ガラスるつぼを製造した。この石英ガラスるつぼを用いて単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、製造した単結晶の歩留まりは大幅に低下し、満足できるものではなかった。これは、石英ガラスるつぼ内面に粗面が形成されていなかったことから、熱処理によってもるつぼ内表面の結晶化が不十分となり、単結晶シリコン引き上げ中の石英ガラスるつぼ内面に発生したブラウンリングが剥離し、単結晶シリコンに取り込まれることで結晶性が低下したためと考えられる。
比較例1と同様に石英ガラスるつぼを作製したのち、その内表面全面を粗面化した。比較例1と比べると、内表面算術平均粗さを4.0μmに変更して、石英ガラスるつぼを製造した。この石英ガラスるつぼを用いて単結晶シリコンの引き上げを行ったところ、製造した単結晶の歩留まりは大幅に低下した。これは、内表面の粗面領域が粗く、かつ、予め熱処理による結晶化がされていないことから、単結晶シリコン引き上げ中に脱離片が大量に発生し、シリコン単結晶に取り込まれることで結晶性が低下したものと考えられる。
21…結晶化された粗面化領域、 31…シリコン融液、 32…融液面。
Claims (11)
- 内部に保持したシリコン融液から単結晶シリコンを引き上げるための石英ガラスるつぼを製造する方法であって、
気泡を含有する不透明石英ガラスからなる外層と、実質的に気泡を含有しない透明石英ガラスからなる内層とを有する石英ガラスるつぼを作製する工程と、
前記作製した石英ガラスるつぼの内表面のうち、シリコン融液を保持した際に該シリコン融液に接触する領域を粗面化する工程と、
前記内表面が粗面化された石英ガラスるつぼを熱処理することにより、前記粗面化された領域の表面を結晶化する工程と
を含むことを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。 - 前記粗面化により、前記粗面化された領域の粗さを、算術平均粗さで0.1μm以上3.0μm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 前記粗面化する工程において、前記石英ガラスるつぼの内表面の全面を粗面化することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 前記粗面化を、石英粉を用いたブラスト処理により行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 前記ブラスト処理を乾式又は湿式で行うことを特徴する請求項4に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 前記熱処理の処理温度を1000℃以上1500℃以下とすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 前記熱処理の処理時間を0.5時間以上48時間以下とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。
- 内部に保持したシリコン融液から単結晶シリコンを引き上げるための石英ガラスるつぼであって、気泡を含有する不透明石英ガラスからなる外層と、実質的に気泡を含有しない透明石英ガラスからなる内層とを有し、
前記石英ガラスるつぼの内表面のうち、シリコン融液を保持した際に該シリコン融液に接触する領域が粗面化されており、該粗面化された領域は熱処理により結晶化されたものであることを特徴とする単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ。 - 前記粗面化された領域の粗さが算術平均粗さで0.1μm以上3.0μm以下であることを特徴とする請求項8に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ。
- 前記石英ガラスるつぼの内表面の全面が粗面化されており、該粗面化された領域は熱処理により結晶化されたものであることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ。
- 前記粗面化された領域は、石英粉を用いたブラスト処理により粗面化されたものであることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の単結晶シリコン引き上げ用石英ガラスるつぼ。
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