JP2003160393A - 単結晶成長用石英ルツボ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大口径の単結晶引き上げにおいて大口径石英
ルツボを使用する場合においても、かつ低速引き上げを
採用する長時間引き上げの場合においても、単結晶の転
位発生を防止することのできる単結晶成長用石英ルツボ
を提供する。 【解決手段】 ルツボの内表面２に失透促進剤付着層ま
たは失透促進剤含有層を有する単結晶成長用石英ルツボ
１であって、付着または含有する失透促進剤の濃度を、
ルツボ内表面の部位によって異ならせてなることを特徴
とする単結晶成長用石英ルツボ。ルツボ内表面２のう
ち、単結晶成長中の温度が低く若しくは失透層成長速度
が遅くなる部位の失透促進剤の濃度を、単結晶成長中の
温度が高く若しくは失透層成長速度が速くなる部位の失
透促進剤の濃度よりも高くしてなる。ルツボ内表面２の
うち、底部５内表面の失透促進剤の濃度を、側壁部３お
よびコーナー部４内表面の失透促進剤の濃度よりも高く
してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法による単結晶成長に用いられる石英ルツボに関するも
のであり、特にルツボの内表面に失透促進剤付着層また
は失透促進剤含有層を有する単結晶成長用石英ルツボに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコン半導体などの単結晶成長におい
ては、チョクラルスキー法が広く用いられている。チョ
クラルスキー法においては、原料多結晶を石英ルツボ内
に装入して加熱・溶解し、この溶融浴に種結晶を接触さ
せ、種結晶を引き上げることによって単結晶インゴット
を成長させる。

【０００３】石英ルツボは、ガラス質のシリカからな
る。単結晶成長中において、高温で長時間にわたって融
液を保持するため、融液と接触する石英ガラス表面から
異物が分離して融液に放出されることがあり、この異物
が育成中の単結晶の固液界面に付着すると、単結晶イン
ゴットに転位が発生することとなる。

【０００４】最近の半導体ウェーハの大口径化に伴い、
単結晶成長に用いられる石英ルツボの大型化が進み、成
長中の融液とルツボの界面における温度が上昇するとと
もに、融液を保持する時間も長時間化している。これに
伴い、前記ルツボから分離する異物の融液中への混入も
多くなり、成長結晶を有転位化させる頻度が増大する傾
向があった。

【０００５】単結晶成長中の高温で融液と接する石英ガ
ラス質のルツボ内表面においては、汚染物を核として褐
色のクリストバライトが島状に析出する。このクリスト
バライトが粒子としてルツボ内表面から融液中に放出さ
れ、結晶を有転位化させる原因になると考えられてい
る。

【０００６】特開平９−１１０５７９、特開平９−１１
０５９０号公報においては、石英ルツボ表面に予め失透
促進剤を均一に被覆することによって、クリストバライ
ト粒子の放出を防止する方法が記載されている。ルツボ
の内表面が失透促進剤で均一に被覆されると、結晶成長
中においてルツボ内表面でガラス質シリカが結晶化し、
ルツボ内表面に実質的に均一および連続的なβ−クリス
トバライトの失透シェルを形成する。均一および連続的
な失透シェルは、融液と接触すると均一に溶解するの
で、従来のようにβ−クリストバライト粒子が融液中に
放出されることがなくなり、成長結晶中に形成される転
位が最少限になるとしている。失透促進剤としては、バ
リウム、マグネシウム、ストロンチウムおよびベリリウ
ムからなるアルカリ土類金属が用いられている。ルツボ
表面に被覆する失透促進剤の濃度としては、少なくとも
０．１０mM/1000cm²が必要であるとしている。濃度が低
いと核が小さすぎて、メルトによる溶融を越える速度で
成長することができない。従って結晶化が起こる前に核
が溶融し、特にルツボ壁で高温メルトを有する大きい直
径のルツボにおいて溶融するとしている。

【０００７】特開平８−２９３２号公報においても、石
英ガラスルツボ内表面の厚さ１ｍｍ以内に結晶化促進剤
含有塗布膜または固溶層を形成することにより、ルツボ
内表面をその使用時に結晶化させ、ルツボ内壁の溶損量
を少なくし、ルツボの長時間の使用を可能にするとして
いる。結晶化促進剤としてはマグネシウム、ストロンチ
ウム、カルシウム、バリウムなどの２ａ族元素、アルミ
ニウムなどの３ｂ族元素が用いられている。

【０００８】ガラス質の石英ルツボは透明である。表面
に結晶化層が形成されると透明性が失われ、即ち失透す
る。従って、上記失透促進剤と結晶化促進剤とは同じ概
念を示すものである。ここでは以後「失透促進剤」とい
う。

【０００９】特開平１１−２１１９６号公報において
は、石英ルツボ中に収容されたシリコン融液からチョク
ラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する場合にお
いて、シリコン融液中にＣａＯまたはＢａＯを添加して
シリコン単結晶を育成することにより、シリコン融液中
のＣａＯまたはＢａＯが石英ルツボ内表面にドーピング
され、石英の結晶化を促進して、均一で微細な結晶層が
形成され、シリコン融液による石英ルツボの劣化、浸
食、剥離を抑制することができると記載されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】半導体用シリコンウェ
ーハの大口径化はさらに進み、３００ｍｍ口径ウェーハ
が市場に出荷され始めてきた。シリコンウェーハの大口
径化に伴い、単結晶引き上げ用の石英ルツボの口径も大
きくなっている。従来の１５０ｍｍや２００ｍｍ口径の
単結晶引き上げの場合には石英ルツボの口径は１８〜２
２インチ程度であったが、３００ｍｍ口径単結晶引き上
げには２６〜３２インチの石英ルツボが主流になってき
た。石英ルツボの口径が２６〜３２インチの大口径とな
ると、従来の１８〜２２インチ口径の石英ルツボを使用
していたときと比較し、単結晶引き上げ中の石英ルツボ
の温度が数１０℃高くなる。加えて、結晶の高品質化要
求はますます拍車がかかり、無欠陥結晶を製造するため
に結晶引き上げ速度をある程度低速化する場合も多くな
ってきた。引き上げ速度の低速化によって結晶成長に長
時間を要することとなり、石英ルツボの温度上昇と相ま
って、石英ルツボへの負荷が格段に増えている。

【００１１】以上のような状況のもと、３００ｍｍ口径
単結晶引き上げや低速引き上げにおいては、石英ルツボ
内面に失透促進剤を使用しているにもかかわらず、単結
晶引き上げ中における転位発生を十分に防止することが
できなくなっている。

【００１２】本発明は、大口径の単結晶引き上げにおい
て大口径石英ルツボを使用する場合においても、かつ低
速引き上げを採用する長時間引き上げの場合において
も、単結晶の転位発生を防止することのできる単結晶成
長用石英ルツボを提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】バリウムなどの失透促進
剤を石英ルツボ１の内表面２に塗布し、この石英ルツボ
に多結晶シリコンを装入して溶融し単結晶引き上げを行
うと、融液と接触する石英ルツボ内面には結晶化した失
透層が形成される。図１に単結晶引き上げ後の石英ルツ
ボの断面顕微鏡写真を示す。ルツボの内表面に、内部の
透明層と明確に区別できる失透層が形成されているのが
わかる。失透層は成長し、失透層の厚さは時間の経過と
ともに厚くなる。本発明者らは、引き上げ終了後の石英
ルツボ内表面に観察される失透層の厚さを溶解から引き
上げ終了までの経過時間で割り、この値を失透層成長速
度と定義した。

【００１４】本発明者らの検討の結果、失透層成長速度
は石英ルツボの当該部位に付着または含有する失透促進
剤の濃度の影響を受け、さらに結晶成長中の石英ルツボ
の当該部位における温度の影響を受けることが明らかに
なった。失透促進剤の濃度が高いほど失透層成長速度は
速くなり、温度が高いほど失透層成長速度は速くなる。

【００１５】さらに、失透層成長速度には適正範囲があ
ることを明らかにした。失透層成長速度が遅すぎると失
透促進剤を用いた効果が見られず、失透促進剤を用いな
かった場合と同様に石英ルツボ内面に発生した島状のク
リストバライトが分離して異物となり、単結晶の転位発
生の原因となる。逆に失透層成長速度が速すぎると、結
晶化した多くのシリカを異物として失透層から溶液中に
放出し、単結晶の転位発生の原因となるのである。

【００１６】石英ルツボの内表面に均一に失透促進剤を
塗布した上で単結晶引き上げを行うと、失透層成長速度
は石英ルツボの部位によって異なることが明らかになっ
た。石英ルツボ１は、図２に示すように、その断面にお
いて、側壁部３、コーナー部４、底部５に分けることが
できる。コーナー部４の失透層成長速度が最も速く、底
部５の失透層成長速度が最も遅く、側壁部３は両者の中
間である。また、石英ルツボの口径が大きくなるほど失
透層成長速度は増大し、特に大口径ルツボにおけるコー
ナー部４および側壁部３の失透層成長速度が大きな値を
示す。大口径ルツボにおいては、コーナー部４の失透層
成長速度と底部５の失透層成長速度をともに上記適正範
囲に収めることができず、これが大口径ルツボにおいて
単結晶の転位発生を防止することができない原因である
ことが判明した。

【００１７】単結晶成長中における石英ルツボの温度は
伝熱計算を行うことによって明らかにすることができ、
石英ルツボの部位によって温度が異なることが判明して
いる。単結晶成長中において、底部５の温度が最も低
く、コーナー部４の温度が最も高く、側壁部３は両者の
中間の温度である。また、石英ルツボの口径が大きくな
るほど石英ルツボ温度が高くなることがわかっている。

【００１８】以上の知見に基づき、石英ルツボ１の内表
面２に付着または含有する失透層促進剤の濃度をルツボ
各部位で均一にするのではなく、ルツボ内表面２の部位
によって異ならせ、単結晶引き上げ中の温度が高くなる
部位は濃度を低くし、温度が高くならない部位は濃度を
高くすることにより、石英ルツボ内表面のいずれの部位
においても失透層成長速度を適正範囲内に納めることが
でき、その結果単結晶成長における転位発生の大幅な低
減を実現した。

【００１９】本発明は以上の知見に基づいてなされたも
のであり、その要旨とするところは以下のとおりであ
る。 （１）ルツボの内表面２に失透促進剤付着層または失透
促進剤含有層を有する単結晶成長用石英ルツボ１であっ
て、付着または含有する失透促進剤の濃度を、ルツボ内
表面の部位によって異ならせてなることを特徴とする単
結晶成長用石英ルツボ。 （２）ルツボ内表面２のうち、単結晶成長中の温度が低
く若しくは失透層成長速度が遅くなる部位の失透促進剤
の濃度を、単結晶成長中の温度が高く若しくは失透層成
長速度が速くなる部位の失透促進剤の濃度よりも高くし
てなることを特徴とする上記（１）に記載の単結晶成長
用石英ルツボ。ここで、失透層成長速度とは、引き上げ
終了後の石英ルツボ内表面に観察される失透層の厚さを
溶解から引き上げ終了までの経過時間で割った値であ
る。以下同様である。 （３）ルツボ内表面２のうち、底部５内表面の失透促進
剤の濃度を、側壁部３およびコーナー部４内表面の失透
促進剤の濃度よりも高くしてなることを特徴とする上記
（１）に記載の単結晶成長用石英ルツボ。 （４）ルツボ内表面２における前記失透促進剤の濃度
は、当該石英ルツボ１をチョクラルスキー法によるシリ
コン単結晶成長に使用した場合において、ルツボ内表面
２の失透層成長速度が０．６μｍ／ｈｒ以下となるよう
に形成されてなることを特徴とする上記（１）乃至
（３）のいずれかに記載の単結晶成長用石英ルツボ。 （５）高濃度側の前記失透促進剤の濃度は、低濃度側の
失透促進剤濃度の２倍以上の濃度であることを特徴とす
る上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の単結晶成長
用石英ルツボ。 （６）失透層促進剤として、バリウム、マグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム、ベリリウムのうちの１又
は２以上からなる２ａ族元素、アルミニウムを含む３ｂ
族元素もしくはこれらの化合物を用いてなることを特徴
とする上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の単結晶
成長用石英ルツボ。

【００２０】

【発明の実施の形態】図２に石英ルツボ１の断面を示
す。石英ルツボ１の形状は、側壁部３、コーナー部４、
底部５から形成されている。装入した多結晶の溶解が完
了した時点での融液表面は図中の初期融液表面６の位置
であり、単結晶引き上げが終了した時点での融液表面は
図中の末期融液表面７の位置である。

【００２１】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶
成長において、石英ルツボとして天然石英を原料とした
１８、２２、２８インチの各口径の石英ルツボを用い、
バリウムを含む失透促進剤をルツボ内表面に濃度０．４
４mM/1000cm²で均一に塗布し、失透層成長速度の比較を
行った。ここで、失透促進剤の濃度は、ルツボ内表面の
表面積1000cm²当たりに付着又は含有する失透促進剤の
元素量をｍＭ（ミリモル）で表示したものである。各口
径の石英ルツボ毎に、また石英ルツボ１の側壁部３、コ
ーナー部４、底部５の各部位毎に、失透層成長速度を比
較した結果を図３にに示す。石英ルツボの口径が大きく
なるほど失透層成長速度が速くなることがわかる。ま
た、いずれの口径の石英ルツボにおいても底部の失透層
成長速度が最も遅くなっており、２２インチと２８イン
チ口径の石英ルツボにおいては、コーナー部の失透層成
長速度が、１８インチ口径では側壁部の失透層成長速度
が最も速くなっている。特に２８インチ口径の石英ルツ
ボにおいて、部位毎の失透層成長速度の差が顕著に現れ
ている。

【００２２】単結晶成長中における石英ルツボの部位毎
の温度は、伝熱計算を行うことによって推定することが
可能である。図４には、１８、２２、２８インチ石英ル
ツボを用いた場合の石英ルツボ各部位の結晶成長中の温
度を伝熱計算で求めた結果を示す。口径が大きいほど石
英ルツボの温度が高いことが明らかであり、石英ルツボ
部位別ではコーナー部の温度が最も高く底部の温度が最
も低いことがわかる。図３と図４とを対比することによ
り、失透層成長速度は単結晶成長中の石英ルツボ温度の
影響を強く受け、温度が高いほど失透層成長速度が速く
なることが明らかである。

【００２３】次に、失透層成長速度と単結晶引き上げに
おける転位の発生状況との関係について着目した。石英
ルツボとして口径１８インチから２８インチまでの各種
大きさの石英ルツボを使用し、直径３００ｍｍのシリコ
ン単結晶インゴットを０．５ｍｍ／ｍｉｎという低速引
き上げによって引き上げた。石英ルツボ内面に塗布する
失透促進剤のバリウム濃度を０．００２〜０．４４mM/1
000cm²の範囲で変化させ、引き上げにおける転位発生の
有無を調査した。図５の横軸は石英ルツボの部位、縦軸
は失透層成長速度、図中のプロットにおいて、○は転位
の発生を起こさずに単結晶引き上げを完了したもの、●
は結晶引き上げ中に転位が発生したものである。図５よ
り明らかなように、石英ルツボ内の部位によらず、失透
層成長速度が０．６μｍ／ｈｒを超えた場合には結晶に
転位が発生していることがわかる。また、失透層成長速
度がゼロの場合にも結晶に転位が発生している。

【００２４】以上のとおり、直径３００ｍｍのシリコン
単結晶を０．５ｍｍ／ｍｉｎという低速で引き上げる場
合においては、失透層成長速度を０．６μｍ／ｈｒ以下
に抑える必要があることが明らかである。同時に、失透
層成長速度がゼロでは、失透促進剤を用いない場合と同
様に転位発生を抑えることができず、現実的には表面の
塗布均一性を考慮するならば０．０５μｍ／ｈｒ以上は
必要と考えられる。より好ましくは、失透層成長速度を
０．１μｍ／ｍｉｎ以上とするとよい。

【００２５】一方、直径２００ｍｍ以下のシリコン単結
晶を引き上げ速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ超の高速で成長さ
せる場合においては、結晶に転位が発生しない上限の失
透層成長速度は１．２μｍ／ｈｒ程度であることがわか
っており、直径３００ｍｍ結晶を低速で引き上げる場合
と比較して失透層成長速度の適正範囲が広がっている。

【００２６】失透層成長速度が０．６μｍ／ｈｒを超え
る単結晶成長で引き上げ中に結晶に転位が発生した場合
において、引き上げ完了後に石英ルツボ内で凝固した残
湯を調査してみると、図６に顕微鏡写真で示すような２
０μｍ程度の長さを有するクリストバライト（シリカが
結晶化した異物）が多数観察されることがわかった。失
透促進剤を使用しない引き上げにおいて転位発生の原因
となるクリストバライト異物と同様のものであるが、失
透層成長速度が適正範囲上限を超えた引き上げにおいて
はその発生量がきわめて多い。この観察結果から明らか
なことは、失透促進剤の使用によって均一な結晶層を成
長させることにより、失透促進剤を使用しない場合に見
られる島状のクリストバライトの成長と剥離は防止でき
るものの、失透層成長速度が適正範囲を超えた速い成長
速度の領域に入ると、逆に成長した失透層（結晶層）か
ら結晶化異物が多数発生し、これらの異物がシリコン融
液中を浮遊して結晶成長界面に捕捉され、転位を引き起
こしているものと推定される。

【００２７】次に、口径２８インチの石英ルツボを使用
し、石英ルツボ内表面に失透促進剤をバリウム濃度０．
００９、０．０９，０．４４mM/1000cm²に均一に塗布し
て単結晶成長に使用し、単結晶成長後の石英ルツボの観
察から失透層成長速度を測定して比較した。図７に結果
を示す。失透促進剤の濃度が高いほど失透層成長速度が
速いこと、石英ルツボ部位別に失透層成長速度が異な
り、底部では速度が遅く、コーナー部では速度が速いこ
とが明らかである。ここで、失透促進剤濃度０．４４mM
/1000cm²では石英ルツボのいずれの個所においても失透
層成長速度が適正範囲を超えており、失透促進剤濃度
０．０９mM/1000cm²では、底部において適正な失透層成
長速度を実現するもののコーナー部と側壁部では失透層
成長速度が適正範囲上限を超えている。このため、失透
促進剤濃度０．０９、０．４４mM/1000cm²のいずれにお
いても、引き上げ初期において融液表面とルツボ表面と
の接点がルツボの側壁部に位置する時点で結晶に転位が
発生した。一方、失透促進剤濃度０．００９mM/1000cm²
では、コーナー部と側壁部において適正な失透層成長速
度を実現するものの底部では失透層が全く成長せず、そ
のため失透促進剤を塗布しない場合と同様に局部的に結
晶化したクリストバライトの異物剥離が発生し、結晶引
き上げ中盤以降に結晶に転位が発生した。

【００２８】そこで、本発明の上記（１）にあるように
付着する失透促進剤の濃度をルツボ内表面の部位によっ
て異ならせ、具体的には石英ルツボ内表面の側壁部とコ
ーナー部には０．００９mM/1000cm²の濃度で失透促進剤
を塗布し、底部には０．１２mM/1000cm²の濃度で失透促
進剤を塗布し、この石英ルツボを使用して直径３００ｍ
ｍシリコン単結晶を０．５ｍｍ／ｍｉｎ以下の低速引き
上げを行ったところ、結晶に転位が発生せず、全長を単
結晶として引き上げることに成功した。

【００２９】付着する失透促進剤の濃度をルツボ内表面
の部位によって異ならせるに際し、本発明の上記（２）
にあるように、単結晶成長中の温度が低く失透層成長速
度が遅くなる部位の失透促進剤の濃度を、単結晶成長中
の温度が高く失透層成長速度が速くなる部位の失透促進
剤の濃度よりも高くすることにより、単結晶に転位を発
生させることなく引き上げを行うことが可能になる。石
英ルツボ内表面のうち、単結晶成長中の温度が低い部分
は、失透層成長速度が相対的に遅くなるので、失透促進
剤の濃度を相対的に高くすることにより失透層成長速度
を速くし、失透層を付着または含有させることによる転
位発生防止効果を発揮させることができる。逆に、石英
ルツボ内表面のうち、単結晶成長中の温度が高い部分
は、失透層成長速度が相対的に速くなるので、失透促進
剤の濃度を相対的に低くすることにより失透層成長速度
を遅くし、当該部位における失透層成長速度が適正範囲
の上限を超えないようにして転位発生防止効果を発揮さ
せることができる。

【００３０】通常のシリコン単結晶引き上げにおいて
は、ルツボ内表面の底部の温度が比較的低く、側壁およ
びコーナー部の温度が比較的高いので、本発明の上記
（３）にあるように、底部内表面の失透促進剤の濃度
を、側壁およびコーナー部内表面の失透促進剤の濃度よ
りも高くすることにより、ルツボ内表面のいずれの部位
においても失透層成長速度を適正範囲内に収めることが
可能になる。

【００３１】本発明の上記（４）にあるように、石英ル
ツボをチョクラルスキー法によるシリコン単結晶成長に
使用した場合において、ルツボ内表面の失透層成長速度
が０．６μｍ／ｈｒ以下となるように形成すれば、直径
３００ｍｍシリコン単結晶を０．５ｍｍ／ｍｉｎ以下の
低速引き上げで引き上げるという最も転位発生の防止が
困難である引き上げ条件においても転位発生を防止して
単結晶を引き上げることが可能になる。もちろん、この
条件であれば、直径３００ｍｍシリコン単結晶を０．５
ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速で引き上げる場合、あるいは直
径２００ｍｍ以下のシリコン単結晶を引き上げる場合に
おいても、転位を発生させずに単結晶を引き上げること
が可能である。

【００３２】ここで、石英ルツボ内表面のうちの側壁お
よびコーナー部については、結晶引き上げ中における温
度が高いので、失透促進剤の濃度が高すぎると失透層成
長速度が速くなりすぎ、失透層（結晶層）から結晶化異
物が多数発生し、これらの異物がシリコン融液とともに
浮遊して結晶成長界面に捕捉され、転位を引き起こすこ
ととなる。一方、石英ルツボ内表面のうちの底部につい
ては、結晶引き上げ中における温度が低いので相対的に
失透層成長速度が遅く、一方で底部は引き上げの最終段
階まで融液で覆われているために融液との接触時間が長
くルツボ内表面の溶損量が多い。そのため、失透促進剤
の濃度が低すぎると引き上げ末期までに失透層がすべて
溶損して失われ、失透促進剤を塗布しない場合と同様に
島状のクリストバライトの成長と剥離が起こるために転
位が発生することになると推定することができる。

【００３３】付着または含有する失透促進剤の濃度をル
ツボ内表面の部位によって異ならせるに際し、高濃度
側、低濃度側の各失透促進剤の濃度は、ルツボ内表面の
いずれの部位においても失透層成長速度が適正範囲内に
収まるように定めればよい。通常のチョクラルスキー法
によるシリコン単結晶引き上げにおいては、本発明の上
記（５）にあるように、高濃度側の失透促進剤の濃度が
低濃度側の失透促進剤濃度の２倍以上の濃度となるよう
に各濃度を設定すれば、ルツボ内表面における失透層成
長速度をいずれの部位においても適正範囲内に収めるこ
とが可能になる。高濃度側の失透促進剤の濃度と低濃度
側の失透促進剤濃度との比は、５倍以上であればより好
ましい結果を得ることができる。

【００３４】本発明に用いる失透促進剤としては、バリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、ベ
リリウムのうちの１又は２以上からなる２ａ族元素、ア
ルミニウムを含む３ｂ族元素もしくはこれらの化合物を
用いることができる。

【００３５】失透促進剤は、石英ルツボ内表面に塗布し
て付着させ、あるいは内表面に失透促進剤を含有した石
英層を形成することによって、失透促進剤付着層または
失透促進剤含有層を形成することができる。

【００３６】ルツボ内表面への失透促進剤の塗布方法と
しては、まず複数の濃度に調整された水酸化バリウム水
溶液などの失透促進剤溶液を準備する。次に約２００〜
３００℃に加熱した石英ルツボに、最初に最も薄い濃度
の失透促進剤溶液を吹き付ける。その後、最も薄い濃度
が必要な部分をテフロン(R)等で製造した汚染のない材
料で被覆し、そのあとに別の濃度の失透促進剤溶液を吹
き付ける。被覆部分の失透促進剤濃度は最初に塗布した
失透促進剤の濃度に維持され、被覆のない部分について
は最初に塗布した失透促進剤濃度と次に塗布した失透促
進剤濃度の合計濃度となる。このようにして、石英ルツ
ボ内表面の部位別に異なった濃度の失透促進剤付着層を
形成することができる。付着濃度を部位によって３条件
以上に塗り分ける場合にも、被覆部位を変更して同様の
方法を行うことによって形成することができる。以上の
一連の操作をさらに複数回にわたって繰り返し行い、い
わゆる重ね塗りを繰り返すことにより、失透促進剤濃度
を精度良く調整することも可能であるが、通常は上記一
連の動作を１回行って失透促進剤濃度を調整する方法が
コスト的には実用的である。

【００３７】石英ルツボ内表面に失透促進剤溶液を吹き
付ける際における失透促進剤溶液の付着量は、吹き付け
時間などによって制御することができる。石英ルツボ内
表面単位面積あたりに付着させる失透促進剤溶液の量お
よび溶液中の失透促進剤の濃度を調整することにより、
ルツボ内表面に付着する失透促進剤の濃度を目的の濃度
とすることができる。

【００３８】石英ルツボの製造に際しては、真空中で回
転する型を準備し、この型の内表面の形状は石英ルツボ
の外形を形成しており、この型に石英粒子を供給して真
空中で型を回転しながら抵抗加熱により熱を加えて溶融
し、石英ガラス層を形成する。本発明において、ルツボ
内表面に失透促進剤含有層を形成するに際しては、石英
ルツボの製造時に失透促進剤を含む石英粒子を石英ルツ
ボの内表面側に吹き付け、失透促進剤含有層の厚さを
０．１ｍｍ以内に調整する。この際、吹き付ける石英粒
子中の失透促進剤濃度を吹き付け部位によって異ならせ
ることにより、含有する失透促進剤の濃度をルツボ内表
面の部位によって異ならせることができる。

【００３９】

【実施例】天然石英を原料とした口径２８インチの石英
ルツボの内表面に失透促進剤として水酸化バリウムを塗
布するに際し、本発明を適用した。実施例１、実施例２
それぞれにおいて、各２種類の濃度の水酸化バリウム水
溶液を準備し、約２００〜３００℃に加熱した石英ルツ
ボに第１の濃度の水酸化バリウム水溶液を吹き付け、次
いでルツボ内表面のうちのルツボ側壁部およびコーナー
部をテフロン(R)にて被覆し、第２の濃度の水酸化バリ
ウム水溶液を吹き付けた。側壁部およびコーナー部には
第１の濃度の水酸化バリウム水溶液濃度に対応する付着
濃度が得られ、底部には第１と第２の濃度の水酸化バリ
ウム水溶液の合計濃度に対応する付着濃度が得られる。
失透促進剤の塗布はルツボを回転しながらスプレー式に
吹き付けることによって行った。その結果、実施例１、
実施例２それぞれの石英ルツボ内表面各部位の水酸化バ
リウム濃度を表１に示す濃度とすることができた。

【００４０】以上のように失透促進剤を付着した口径２
８インチ石英ルツボを用い、多結晶シリコンを１７０ｋ
ｇ装入し、Ａｒガス雰囲気において２０ｍｂの真空度で
溶解を行い、その後種結晶をシリコン溶液に接触させ、
ダッシュ、コーン過程を経て、円筒部の直径３００ｍｍ
長さ７００ｍｍの結晶を引き上げ速度０．５ｍｍ／ｍｉ
ｎで引き上げた。その結果、実施例１、実施例２とも転
位の発生はなく、単結晶インゴットの引き上げに成功し
た。引き上げ完了後の石英ルツボを観察した結果、各実
施例毎の各部位の失透層成長速度は表１に示すとおりで
あり、いずれも失透層成長速度は適正範囲内であった。

【００４１】

【表１】

【００４２】引き上げが完了したシリコン単結晶を加工
してシリコンウェーハを製造し、各種品質評価を行っ
た。その結果、ウェーハの酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）
の発生は認められず、ウェーハの酸素濃度や不純物濃度
も失透促進剤を用いない石英ルツボで引き上げた結晶と
同等の結果であった。

【００４３】上記実施例と同様に失透促進剤を付着した
石英ルツボを用いて同様のシリコン単結晶を引き上げる
に際し、引き上げ途中でそれまでに引き上げた単結晶イ
ンゴットを再溶解し、再度単結晶引き上げを行った。引
き上げ速度は０．５ｍｍ／ｍｉｎとした。途中で再溶解
を行ったため、最初の溶解から単結晶引き上げ完了まで
の所要時間が１２０時間を超えたが、転位の発生なく単
結晶で引き上げを完了することができた。

【００４４】従来、失透促進剤を塗布していない天然石
英ルツボを用いたシリコン単結晶引き上げにおいては、
転位を発生させないためには、溶解から単結晶成長完了
までの所要時間は６０時間が限度であった。失透促進剤
を塗布した場合においても、石英ルツボ内表面に均一に
塗布した場合には、ルツボ内表面に失透層が形成されて
いない部位があると、所要時間は６５時間が限度であっ
た。それに対し、同じ天然石英ルツボにおいても、失透
促進剤濃度をルツボ内表面の部位によって異ならせるこ
とにより、溶解から単結晶成長完了までの限界所要時間
が飛躍的に向上していることが確認できた。

【００４５】

【発明の効果】本発明は、ルツボの内表面に失透促進剤
付着層または失透促進剤含有層を有する単結晶成長用石
英ルツボであって、付着または含有する失透促進剤の濃
度を、ルツボ内表面の部位によって異ならせてなること
により、直径２００ｍｍ以下、高速引き上げの場合はも
ちろん、直径３００ｍｍという大口径でかつ低速引き上
げの場合においても、転位の発生を防止して全長単結晶
として引き上げることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】引き上げ終了後の石英ルツボ内表面付近の断面
における顕微鏡写真であり、失透層の生成状況を示すも
のである。

【図２】石英ルツボの断面を示す図である。

【図３】石英ルツボ内表面に失透促進剤を均一に塗布し
た場合において、ルツボ口径別、ルツボ部位別の失透層
成長速度を示す図である。

【図４】伝熱計算によって求めた引き上げ中の石英ルツ
ボの温度について、ルツボ口径別、ルツボ部位別に示す
図である。

【図５】ルツボの部位別に、失透層成長速度と単結晶に
おける転位発生の有無との関係を示す図である。

【図６】失透層成長速度が０．６μｍ／ｈｒを超える引
き上げにおいて、引き上げ終了後のシリコン残湯中に見
られる結晶化した異物を示す顕微鏡写真である。

【図７】口径２８インチの石英ルツボに失透促進剤を均
一に塗布した場合において、失透促進剤塗布濃度、石英
ルツボ部位と失透層成長速度との関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 石英ルツボ ２ 内表面 ３ 側壁部 ４ コーナー部 ５ 底部 ６ 初期融液表面 ７ 末期融液表面

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G014 AH00 4G062 AA18 BB02 DA08 DB01 DB02 DC01 DD01 DE01 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 ED02 EE01 EE02 EF01 EF02 EG01 EG02 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH18 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM23 NN40 QQ03 4G077 AA02 BA04 CF10 EG01 HA12 PD01

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ルツボの内表面に失透促進剤付着層また
   は失透促進剤含有層を有する単結晶成長用石英ルツボで
   あって、付着または含有する失透促進剤の濃度を、ルツ
   ボ内表面の部位によって異ならせてなることを特徴とす
   る単結晶成長用石英ルツボ。
2. 【請求項２】 ルツボ内表面のうち、単結晶成長中の温
   度が低く若しくは失透層成長速度が遅くなる部位の失透
   促進剤の濃度を、単結晶成長中の温度が高く若しくは失
   透層成長速度が速くなる部位の失透促進剤の濃度よりも
   高くしてなることを特徴とする請求項１に記載の単結晶
   成長用石英ルツボ。ここで、失透層成長速度とは、引き
   上げ終了後の石英ルツボ内表面に観察される失透層の厚
   さを溶解から引き上げ終了までの経過時間で割った値で
   ある。以下同様である。
3. 【請求項３】 ルツボ内表面のうち、底部内表面の失透
   促進剤の濃度を、側壁部およびコーナー部内表面の失透
   促進剤の濃度よりも高くしてなることを特徴とする請求
   項１に記載の単結晶成長用石英ルツボ。
4. 【請求項４】 ルツボ内表面における前記失透促進剤の
   濃度は、当該石英ルツボをチョクラルスキー法によるシ
   リコン単結晶成長に使用した場合において、ルツボ内表
   面の失透層成長速度が０．６μｍ／ｈｒ以下となるよう
   に形成されてなることを特徴とする請求項１乃至３のい
   ずれかに記載の単結晶成長用石英ルツボ。
5. 【請求項５】 高濃度側の前記失透促進剤の濃度は、低
   濃度側の失透促進剤濃度の２倍以上の濃度であることを
   特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の単結晶成
   長用石英ルツボ。
6. 【請求項６】 失透層促進剤として、バリウム、マグネ
   シウム、カルシウム、ストロンチウム、ベリリウムのう
   ちの１又は２以上からなる２ａ族元素、アルミニウムを
   含む３ｂ族元素もしくはこれらの化合物を用いてなるこ
   とを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の単結
   晶成長用石英ルツボ。