JP2013215043A5 - - Google Patents

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S1、S、S、S6がP側電位とN側電位間に4個直列接続されているダイオードを逆並列接続した半導体スイッチとしてのIGBTである。SとSは、IGBTS1とSとの接続点とIGBTSとS6との接続点との間に接続されたダイオードを逆並列接続したIGBTである。S9は直流電源の1と2の直列接続点であるM電位とIGBTS7とS8の直列接続点との間に接続された双方向性の半導体スイッチで、図4に示すように逆耐圧を有するIGBTを逆並列接続するか、もしくは図9(a)、図9(b)に示すように逆耐圧を有しないIGBTQ1、Q2とダイオードD1、D2とを組み合わせて構成できる。図9(a)はIGBTQ1、Q2のコレクタ同士を共通接続した構成で、
図9(b)はIGBTQ1、Q2のエミッタ同士を共通接続した構成である。
上述の課題を解決するために、第1の発明においては、直流から交流、もしくは交流から直流に変換する電力変換回路で、正極端子と、負極端子と、前記正極端子と前記負極端子との中間電位点である中点端子とを備えた直流電源と、1相分の回路として前記直流電源の正極端子と負極端子との間に接続するダイオードを逆並列接続した半導体スイッチを少なくとも4個直列に接続した半導体スイッチ直列回路と、前記直流電源の中点端子と前記半導体スイッチ直列回路の中間接続点との間に接続された双方向性にスイッチングが可能な双方向スイッチと、前記直列接続された半導体スイッチ群の半導体スイッチ同士が接続されている点の電位を出力する二つの端子各々と前記双方向性スイッチの前記直流電源側に接続されていない側の端子との間に接続されたダイオードを逆並列接続した半導体スイッチと、前記二つの端子間に接続されたコンデンサと、を含んだ回路構成のマルチレベル電力変換回路において、前記電力変換回路を動作状態から停止させる場合、所定のシーケンス動作に基づき半導体スイッチを順々に遮断し、最後に遮断させる半導体スイッチは前記双方向性スイッチとする。
以下IGBTをS2→S1→S8の順に遮断した時の動作を説明する。
IGBTS1、S2がオンしている状態(図(a))即ち交流出力に直流電源1の電圧2Edが出力されている状態からIGBTS2をオフすると、IGBTS1、S2を流れていた電流は図(b)に破線で示すように、直流電源のP点→IGBTS1→コンデンサ10→IGBTS5のダイオード→交流出力の経路となる。この時、交流出力での電圧は直流電源1の電圧2Edからコンデンサ10の電圧Edを減算した電圧Edとなり、IGBTS2に印加される電圧はコンデンサ10の電圧Edとなる。
この状態からIGBTS1をオフすると、IGBTS1を流れていた電流は図(c)に破線で示すように、直流電源のM点→双方向性IGBTS9→IGBTS8→IGBTS5のダイオード→交流出力の経路となる。この時交流出力電圧は直流電源の中点電位Mとなり、IGBTS1に印加される電圧は直流電源1の電圧2Edからコンデンサ10の電圧Edを減算した電圧Edとなる。この状態からIGBTS8をオフすると、IGBTS8を流れていた電流は図(d)に破線で示すように、直流電源のM点→双方向性IGBTS9→IGBTS7のダイオード→コンデンサ10→IGBTS5のダイオード→交流出力の経路となる。この時交流出力の電位はM点電位(零)からコンデンサ10の電圧を減算した電圧−Edとなり、IGBTS8に印加される電圧はコンデンサ10の電圧Edとなる。
次に双方向性IGBT9をオフさせると、交流出力の負荷電流はIGBTS5、S6のダイオードを流れる経路に転流し、この時双方向性IGBTS9に印加される電圧はEdとなる。この様に、オフ動作するIGBTには1単位の電圧Edが印加されるだけであり、高耐圧の半導体スイッチを使用することなく、安全に回路を遮断させることが可能となる。

Claims (1)

  1. 直流から交流、もしくは交流から直流に変換する電力変換回路であって、正極端子と、負極端子と、前記正極端子と前記負極端子との中間電位点である中点端子とを備えた直流電源と、1相分の回路として前記直流電源の正極端子と負極端子との間に接続するダイオードを逆並列接続した半導体スイッチを少なくとも4個直列に接続した半導体スイッチ直列回路と、前記直流電源の中点端子と前記半導体スイッチ直列回路の中間接続点との間に接続された双方向性にスイッチングが可能な双方向スイッチと、前記直列接続された半導体スイッチ群の半導体スイッチ同士が接続されている点の電位を出力する二つの端子各々と前記双方向性スイッチの前記直流電源側に接続されていない側の端子との間に接続されたダイオードを逆並列接続した半導体スイッチと、前記二つの端子間に接続されたコンデンサと、を含んだ回路構成のマルチレベル電力変換回路であって、前記電力変換回路を動作状態から停止させる場合、所定のシーケンス動作に基づき半導体スイッチを順々に遮断し、最後に遮断させる半導体スイッチは前記双方向性スイッチとすることを特徴とするマルチレベル電力変換装置。
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