JP2013215039A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】供給される電力を変換するためのスイッチング動作を行うパワー半導体素子12と、パワー半導体素子12のスイッチング動作を制御する駆動信号を出力する駆動回路2と、パワー半導体素子12に流れる被制御電流の大きさが所定の閾値を超えたときにオン状態とオフ状態とが切り替わるように構成したスイッチ50を含むとともに、スイッチ50の切り替わりによってパワー半導体素子12への駆動信号の供給を停止し、パワー半導体素子12に流れる被制御電流を遮断するように構成した保護回路5とを備えていることを特徴とする電力変換装置1である。
【選択図】図1
Description
該パワー半導体素子のスイッチング動作を制御する駆動信号を出力する駆動回路と、
上記パワー半導体素子に流れる被制御電流の大きさが所定の閾値を超えたときにオン状態とオフ状態とが切り替わるように構成したスイッチを含むとともに、該スイッチの切り替わりによって上記パワー半導体素子への上記駆動信号の供給を停止し、上記パワー半導体素子に流れる上記被制御電流を遮断するように構成した保護回路とを備えていることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
この場合には、上記被制御電流の大きさを電子回路により検出する必要がなくなるため、上記保護回路を簡素な構成にすることができる。また、上記接点部を上記被制御電流が流れる経路から分離することができるため、上記接点部に過大な電流が流れること等を防止し、上記スイッチの焼損を防ぐと共に長寿命化することができる。
この場合には、上記スイッチにおける消費電力を低減することができる。また、上記スイッチを小型化することが容易であるため、上記保護回路を容易に小型化することができる。
この場合には、上記スイッチに流れる電流を上記パワー半導体素子へ供給される駆動信号の電流よりも充分に小さくすることができる。そのため、上記スイッチの小型化を容易に実現することができる。
この場合には、上記信号増幅回路により上記駆動信号を増幅することができる。その結果、上記パワー半導体素子を駆動させるために充分な大きさの上記駆動信号を供給することにより、上記パワー半導体素子の動作をより確実なものとすることができる。
この場合には、上記スイッチがチャタリングを起こした場合においても上記遮断トランジスタの動作を確実に行うことができる。これにより、上記保護回路の誤作動をより確実に防止することができる。
上記電力変換装置の実施例を、図1〜図6を用いて説明する。電力変換装置1は、図1に示すごとく、供給される電力を変換するためのスイッチング動作を行うパワー半導体素子としてのIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)素子12と、IGBT素子12のスイッチング動作を制御する駆動信号を出力する駆動回路2を有する。また、IGBT素子12に流れる被制御電流の大きさが所定の閾値を超えたときにオン状態とオフ状態とが切り替わるように構成したスイッチとしてのMEMS(Micro Electro Mechanical System)スイッチ50を有する。そして、MEMSスイッチ50の切り替わりによってIGBT素子12への駆動信号の供給を停止し、IGBT素子12に流れる被制御電流を遮断するように構成した保護回路5を備えている。
本例は、実施例1における保護回路5に遮断トランジスタ6を適用した例である。本例の保護回路5は、図7に示すごとく、MEMSスイッチ50の切り替わりに応じて導通状態と非導通状態とが切り替わるように構成された遮断トランジスタ6を有しており、該遮断トランジスタ6の状態の切り替わりによってIGBT素子12への駆動信号の供給を停止するように構成されている。
本例は、実施例2におけるMEMSスイッチ50と遮断トランジスタ6との間に、チャタリング防止用フィルタ7を接続した例である。本例のチャタリング防止用フィルタ7は、図9に示すごとく、抵抗71とコンデンサ72とからなるローパスフィルタと、シュミットトリガゲート73とから構成されている。つまり、MEMSスイッチ50と遮断トランジスタ6のゲート端子との間に、抵抗71とシュミットトリガゲート73とが直列接続されている。そして、抵抗71とシュミットトリガゲート73との中点と接地線16とがコンデンサ72を介して接続されている。その他は実施例2と同様である。なお、図9において用いた符号のうち、実施例2において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り実施例2と同様の構成要素等を表すものとする。
本例は、実施例1における保護回路5の接続位置を変更した例である。本例の保護回路5は、図10に示すごとく、駆動回路2と信号増幅回路3との間と、接地線16とをMEMSスイッチ50を介して接続するように構成されている。その他は実施例1と同様である。なお、図10において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り実施例1と同様の構成要素等を表すものとする。
12 IGBT素子
2 駆動回路
5 保護回路
50 MEMSスイッチ
Claims (6)
- 供給される電力を変換するためのスイッチング動作を行うパワー半導体素子(12)と、
該パワー半導体素子のスイッチング動作を制御する駆動信号を出力する駆動回路(2)と、
上記パワー半導体素子に流れる被制御電流の大きさが所定の閾値を超えたときにオン状態とオフ状態とが切り替わるように構成したスイッチ(50)を含むとともに、該スイッチの切り替わりによって上記パワー半導体素子への上記駆動信号の供給を停止し、上記パワー半導体素子に流れる上記被制御電流を遮断するように構成した保護回路(5)とを備えていることを特徴とする電力変換装置(1)。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、上記スイッチは、上記被制御電流により上記パワー半導体素子に発生するジュール熱を検知するとともにその大きさに応じてオン状態とオフ状態とが切り替わる接点部(51)を有することを特徴とする電力変換装置。
- 請求項2に記載の電力変換装置において、上記スイッチはMEMSスイッチ(50)であり、該MEMSスイッチの上記接点部は、その少なくとも一部をバイメタルにより構成してあることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の電力変換装置において、上記保護回路は、上記スイッチの切り替わりに応じて導通状態と非導通状態とが切り替わるように構成された遮断トランジスタ(6)を有しており、該遮断トランジスタの状態の切り替わりによって上記パワー半導体素子への上記駆動信号の供給を停止するように構成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力変換装置において、上記駆動回路と上記パワー半導体素子との間に上記駆動信号を増幅する信号増幅回路(3)を備えていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項4または5に記載の電力変換装置において、上記スイッチと上記遮断トランジスタとの間にチャタリング防止用フィルタ(7)が接続されていることを特徴とする電力変換装置。
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