JP2013206641A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013206641A5
JP2013206641A5 JP2012072710A JP2012072710A JP2013206641A5 JP 2013206641 A5 JP2013206641 A5 JP 2013206641A5 JP 2012072710 A JP2012072710 A JP 2012072710A JP 2012072710 A JP2012072710 A JP 2012072710A JP 2013206641 A5 JP2013206641 A5 JP 2013206641A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
measurement target
scanning
target pattern
signal waveform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012072710A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013206641A (ja
JP5932428B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012072710A priority Critical patent/JP5932428B2/ja
Priority claimed from JP2012072710A external-priority patent/JP5932428B2/ja
Priority to KR1020147018326A priority patent/KR101622613B1/ko
Priority to US14/379,715 priority patent/US9472376B2/en
Priority to PCT/JP2013/053790 priority patent/WO2013145924A1/ja
Publication of JP2013206641A publication Critical patent/JP2013206641A/ja
Publication of JP2013206641A5 publication Critical patent/JP2013206641A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5932428B2 publication Critical patent/JP5932428B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012072710A 2012-03-28 2012-03-28 走査電子顕微鏡 Active JP5932428B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012072710A JP5932428B2 (ja) 2012-03-28 2012-03-28 走査電子顕微鏡
KR1020147018326A KR101622613B1 (ko) 2012-03-28 2013-02-18 주사 전자 현미경
US14/379,715 US9472376B2 (en) 2012-03-28 2013-02-18 Scanning electron microscope
PCT/JP2013/053790 WO2013145924A1 (ja) 2012-03-28 2013-02-18 走査電子顕微鏡

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012072710A JP5932428B2 (ja) 2012-03-28 2012-03-28 走査電子顕微鏡

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013206641A JP2013206641A (ja) 2013-10-07
JP2013206641A5 true JP2013206641A5 (enExample) 2015-04-09
JP5932428B2 JP5932428B2 (ja) 2016-06-08

Family

ID=49259206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012072710A Active JP5932428B2 (ja) 2012-03-28 2012-03-28 走査電子顕微鏡

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9472376B2 (enExample)
JP (1) JP5932428B2 (enExample)
KR (1) KR101622613B1 (enExample)
WO (1) WO2013145924A1 (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9330884B1 (en) * 2014-11-11 2016-05-03 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Dome detection for charged particle beam device
JP2019185972A (ja) 2018-04-06 2019-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡システム及びパターンの深さ計測方法
JP2019184354A (ja) * 2018-04-06 2019-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡装置、電子顕微鏡装置を用いた検査システム及び電子顕微鏡装置を用いた検査方法
JP7150634B2 (ja) * 2019-02-21 2022-10-11 株式会社荏原製作所 電子線照射装置および電子ビームの位置合わせ方法
JP2021005497A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 キオクシア株式会社 電子顕微鏡およびビーム照射方法
JP7149906B2 (ja) 2019-08-07 2022-10-07 株式会社日立ハイテク 走査電子顕微鏡及びパタン計測方法
JP7218034B1 (ja) * 2022-11-04 2023-02-06 株式会社Photo electron Soul 局所観察方法、プログラム、記録媒体および電子線適用装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4327292A (en) * 1980-05-13 1982-04-27 Hughes Aircraft Company Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks
JPH01115042A (ja) * 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd 走査型電子顕微鏡の試料台
JP2650930B2 (ja) * 1987-11-24 1997-09-10 株式会社日立製作所 超格子構作の素子製作方法
JPH0529424A (ja) 1991-07-19 1993-02-05 Fujitsu Ltd 半導体装置の検査方法
DE69233781D1 (de) * 1991-11-27 2010-04-01 Hitachi Ltd Elektronenstrahlgerät
JPH05259240A (ja) * 1992-03-11 1993-10-08 Matsushita Electron Corp 半導体装置の評価方法
JP3749107B2 (ja) * 1999-11-05 2006-02-22 ファブソリューション株式会社 半導体デバイス検査装置
JP4418304B2 (ja) 2004-06-03 2010-02-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料観察方法
JP2008004376A (ja) 2006-06-22 2008-01-10 Seiko Epson Corp デバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器
JP5028159B2 (ja) * 2007-06-29 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
TWI585806B (zh) * 2008-04-11 2017-06-01 荏原製作所股份有限公司 試料觀察方法與裝置,及使用該方法與裝置之檢查方法與裝置
JP2010118414A (ja) 2008-11-11 2010-05-27 Topcon Corp 半導体検査装置
JP2010175249A (ja) 2009-01-27 2010-08-12 Hitachi High-Technologies Corp 試料高さ測定方法及び試料高さ測定装置
JP5537288B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビームの照射方法及び走査電子顕微鏡

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013206641A5 (enExample)
JP2013125583A5 (enExample)
TWI592976B (zh) Charged particle beam device and inspection method using the device
JP2010175249A (ja) 試料高さ測定方法及び試料高さ測定装置
JP2008016454A (ja) レンズ内の分割された検出器で側面像や平面像を集めるための電子ビーム装置
JP2009259444A5 (enExample)
JP2015017976A5 (enExample)
WO2006016613A1 (ja) 走査型電子顕微鏡
JP6132907B2 (ja) 試料ホルダ及びそれを備えた集束イオンビーム加工装置
JP2017016755A (ja) 荷電粒子線装置
US9472376B2 (en) Scanning electron microscope
WO2012075182A3 (en) Electron beam column and methods of using same
WO2010140649A1 (ja) 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置を利用した評価方法
KR101321049B1 (ko) 전자 검출기
WO2011058950A1 (ja) 電子線を用いた試料観察方法及び電子顕微鏡
US20190348255A1 (en) Scanning electron microscope and sample observation method using scanning electron microscope
JP5619118B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP2008256572A5 (enExample)
JP2008232838A (ja) 深さ方向の元素濃度分析方法
JP5478683B2 (ja) 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置
JP2012123942A5 (enExample)
KR101136258B1 (ko) 내부에 나노 개구 구비 금속막이 형성된 소자의 제조방법, 그 방법으로 제조된 나노 소자, 광학렌즈 및 플라즈모닉 광학헤드
JP5548244B2 (ja) 検査計測装置および検査計測方法
JP2013213747A (ja) イオンビーム装置、試料観察方法、および試料作製装置
JP6225055B2 (ja) ステージ装置および電子線装置