JP2013192332A - パワーコンディショナ - Google Patents

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Abstract

【課題】ノイズフィルタを大型化及び高コスト化することなく、雷サージなどにより半導体スイッチ素子などが破壊される可能性を低減した太陽光発電用のパワーコンディショナを提供する。
【解決手段】電源回路を、制御回路18に電力を供給するための第1電源回路20と、ゲート駆動回路G1〜G5に電力を供給する複数の第2電源回路21で構成する。第1電源回路20は絶縁型スイッチング電源回路であり、一次側が昇圧チョッパ、インバータ又は商用電源に接続され、二次側が制御回路18に接続され、第1電源回路20の一次側32と二次側33の間に結合コンデンサ34が接続されている。第2電源回路21は第1電源回路20よりも小容量の絶縁型スイッチング電源回路であり、一次側が第1電源回路20の二次側に接続され、二次側がゲート駆動回路G1〜G5に接続され、第2電源回路の一次側42と二次側43の間に結合コンデンサが接続されていない。
【選択図】図2

Description

本発明は、太陽光発電用のパワーコンディショナ、特にその内部電源に関する。
図8は、一般的な太陽光発電用のパワーコンディショナのブロック構成を示す。このパワーコンディショナ50には、並列接続された複数の太陽電池ストリング60が接続されている。太陽電池ストリング60から出力される直流電力は、入力側ノイズフィルタ51を介して昇圧チョッパ52により所定電圧に昇圧され、インバータ53により交流電力に変換される。インバータ53から出力される交流電力は、出力側ノイズフィルタ54及び連系/解列リレー55を介して分電盤などに出力される。
インバータ53から出力される交流電力の電圧は、例えばAC200Vに設定されている。一方、太陽電池ストリング60は最大電力点制御されるため、太陽電池ストリング60から出力される直流電力の電圧は一定ではない。そのため、昇圧チョッパ52により、所定の電圧、例えばDC320Vに昇圧される。昇圧チョッパ52は、インダクタやFETなどの半導体スイッチ素子で構成され、太陽電池ストリング60から出力される直流電力の電圧に応じて、半導体スイッチ素子が導通している時間のデュティ比が制御される。また、インバータ53も、複数のFETやIGBTなどの半導体スイッチ素子で構成され、交流電力が所定の周波数(50Hz又は60Hz)を有するように、各半導体スイッチ素子の導通/非導通のタイミングが制御される。昇圧チョッパ52及びインバータ53には、半導体スイッチ素子にゲート駆動信号を入力するためのゲート駆動回路56及び57が接続されている。制御回路58は、これらゲート駆動回路56及び57を駆動するための駆動信号を出力する。
制御回路58は、CPUやメモリなどで構成されており、駆動電圧はDC3〜6V程度である。一方、昇圧チョッパ52及びインバータ53の半導体スイッチ素子には、DC200〜400V程度の高電圧が印加される。そのため、ゲート駆動回路56及び57は、フォトカプラなどで構成され、昇圧チョッパ52及びインバータ53の半導体スイッチ素子のゲートに接続された高電圧側と、制御回路58に接続された低電圧側が、光絶縁されている。
電源回路59は、例えば特許文献1に記載されているように、太陽電池ストリング60から電力が出力されているときは、昇圧チョッパ52から出力される直流電力を電源として用い、太陽電池ストリング60から電力が出力されていないときは、商用電源を電源として用いる。図9は、従来の電源回路59の概略構成を示す。電源回路59は絶縁型スイッチング電源回路であり、様々な構成を採ることができる。電源回路59の一次側(入力側)発振回路65には、上記のようにDC200〜400V又はAC200Vが入力され、二次側(出力側)からはDC3〜6Vが出力される。そのため、電源回路59の一次側と二次側は、トランス61によって交流的に絶縁されている。また、トランス61の一次側巻線62と二次側巻線63の間にはノイズ対策用の結合コンデンサ64が接続されており、直流的に絶縁されている。この電源回路59は、集中型と呼ばれ、トランス61の二次側には、複数のゲート駆動回路用の電源となる複数の二次側巻線63及び二次側回路66が設けられている。
昇圧チョッパ52の場合、最も簡単な回路構成であれば、半導体スイッチ素子は1つであり、ゲート駆動回路56は1回路だけでよい。一方、インバータ53の場合、半導体スイッチ素子は少なくとも2つ必要であり、フルブリッジ構成の場合、ゲート駆動回路57は4回路必要である。一般的にグランドの異なるゲート駆動回路は、それぞれ異なる電源から電力を供給されることが好ましく、電源回路としては3回路必要である。図9では、制御回路58用に1回路、昇圧チョッパ52のゲート駆動回路56用に1回路、インバータ53のゲート駆動回路57用に4回路の合計6回路分の二次側巻線63及び二次側回路66を描いている。
特開2002−238160号公報
上記従来の電源回路59のトランス61の一次側巻線62と二次側巻線63の間に結合コンデンサ64が接続されているため、例えば商用電源に雷サージなどの外来ノイズに起因する高周波電流が流れると、結合コンデンサ64を通って二次側回路に大電流が流れ、二次側回路やゲート駆動回路を構成する半導体スイッチ素子などが破壊されてしまう虞がある。一方、集中型の電源回路59の場合、全体としての電力容量が比較的大きいため、これら結合コンデンサ64を省略した場合、ノイズフィルタ54のノイズ除去効果を高くしなければならず、ノイズフィルタ54の大型化及び高コスト化の原因となる。
本発明は、上記従来例の問題を解決するためになされたものであり、ノイズフィルタの大型化及び高コスト化をもたらすことなく、雷サージなどの外来ノイズに起因して半導体スイッチ素子などが破壊される可能性を低減した太陽光発電用のパワーコンディショナを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係るパワーコンディショナは、太陽電池パネルから出力される直流電力の電圧を昇圧する昇圧回路と、前記昇圧回路から出力された直流電力を交流電力に変換する直流/交流変換回路と、前記昇圧回路及び前記直流/交流変換回路を構成する半導体スイッチ素子の導通及び非導通を制御する複数のゲート駆動回路と、前記ゲート駆動回路に対して制御信号を出力する制御回路と、前記ゲート駆動回路及び前記制御回路に対して電力を供給する電源回路を備え、
前記電源回路は、前記制御回路に電力を供給するための第1電源回路と、前記ゲート駆動回路に電力を供給する複数の第2電源回路で構成され、
前記第1電源回路は絶縁型スイッチング電源回路であって、その一次側が前記昇圧回路、前記直流/交流変換回路又は商用電源に接続され、その二次側が前記制御回路に接続され、前記第1電源回路の一次側と二次側の間に結合コンデンサが接続されており、
前記第2電源回路は前記第1電源回路よりも小容量の絶縁型スイッチング電源回路であって、その一次側が前記第1電源回路の二次側に接続され、その二次側が前記ゲート駆動回路に接続され、前記第2電源回路の一次側と二次側の間に結合コンデンサが接続されていないことを特徴とする。
また、前記昇圧回路及び前記直流/交流変換回路を構成する半導体スイッチ素子のうち、グランドに接続された半導体スイッチ素子群に対して、前記複数の第2電源回路のうち同じ第2電源回路から電力を供給することが好ましい。
前記ゲート駆動回路は、前記制御回路に接続された一次側と前記昇圧回路又は前記直流/交流変換回路に接続された二次側が、フォトカプラにより光絶縁されていることが好ましい。
また、前記第2電源回路の一次側と二次側の間にギャップアレスタとバリスタの直列回路が接続されていることが好ましい。
また、前記第2電源回路を、前記第1電源回路の駆動周波数よりも高い駆動周波数で駆動することが好ましい。
また、前記第2電源回路は、前記第2電源回路から前記ゲート駆動回路までの距離が、前記第2電源回路から前記第1電源回路までの距離よりも短くなる場所に設けられていることが好ましい。
また、前記第1電源回路の一次側に設けられた入力電圧監視回路をさらに備え、前記入力電圧監視回路は、前記第1電源回路の一次側の入力電圧が第1閾値以上のときに、前記第2電源回路を動作させ、前記第1電源回路の一次側の入力電圧が前記第1閾値と同一又は異なる第2閾値未満になったときに、前記第2電源回路の動作を停止させることが好ましい。
または、前記第2電源回路は、運転許可及び運転禁止機能を有し、前記制御回路から所定の運転許可信号が出力されたときに動作を開始し、前記制御回路から前記所定の運転許可信号が出力されなくなったときに動作を停止することが好ましい。
また、前記第2電源回路は、過電流保護回路、過電圧保護回路及び過温度保護回路の少なくとも1つをさらに備えることが好ましい。
このような構成によれば、第2電源回路の一次側と二次側の間に結合コンデンサが接続されていないので、雷サージなどが発生しても、第2電源回路の二次側には大電流が流れず、ゲート駆動回路などを構成する素子が破壊されることを防止することができる。また、第2電源回路は第1電源回路よりも小容量であるため、第2電源回路の一次側と二次側の間に結合コンデンサが接続されていなくてもノイズの発生量は少ない。そのため、ノイズフィルタを強化しなくとも、特に問題は生じない。また、第2電源回路は第1電源回路トン独立して設けることができるため、回路基板の設計上の自由度が大きくなり、回路基板の小型化を図ることができる。
本発明の一実施形態に係る太陽光発電用のパワーコンディショナの構成を示すブロック図。 上記パワーコンディショナにおける電源回路の構成を示すブロック図。 上記パワーコンディショナにおける昇圧チョッパ及びインバータの具体的な構成例を示す回路図。 上記昇圧チョッパ及びインバータにおける半導体スイッチ素子及びゲート駆動回路の具体的な構成例を示す回路図。 第2電源回路の変形例の構成を示すブロック図。 上記パワーコンディショナの変形例の構成を示すブロック図。 上記パワーコンディショナの他の変形例の構成を示すブロック図。 従来のパワーコンディショナの構成を示すブロック図。 従来のパワーコンディショナにおける電源回路の構成を示すブロック図。
本発明の一実施形態に係る太陽光発電用のパワーコンディショナについて説明する。図1は、本実施形態に係るパワーコンディショナ10のブロック構成を示す。また、図2は、パワーコンディショナ10の電源回路付近のブロック構成を示す。このパワーコンディショナ10は、電源回路の構成を除いて基本的に図8に示す従来のパワーコンディショナ50と同様であるため、相違点を中心にして説明する。
電源回路は、昇圧チョッパ12又は商用電源に接続され、制御回路18に電力を供給するための第1電源回路20と、第1電源回路20とゲート駆動回路16及び17の間にそれぞれ接続され、ゲート駆動回路16及び17に電力を供給するための複数の第2電源回路21で構成されている。なお、図1において第2電源回路21及びゲート駆動回路16及び17は、それぞれ2組ずつ図示しているが、後述するように、第2電源回路及びゲート駆動回路の数は、2組に限定されない。
第1電源回路20は、トランス31によって一次側(入力側)と二次側(出力側)が絶縁されたスイッチング電源回路である。第1電源回路20の一次側には、昇圧チョッパ12から出力される直流電力又は商用電源からの交流電力が選択的に入力される。より具体的には、太陽電池ストリング60から電力が出力されているときは、昇圧チョッパ12から出力される直流電力が第1電源回路20の一次側に入力される。一方、太陽電池ストリング60から電力が出力されていないときは、商用電源からの交流電力が第1電源回路20の一次側に入力される。あるいは、太陽電池ストリング60から電力が出力されているときに、インバータ13から出力される交流電力を第1電源回路20の一次側に入力するように構成してもよい。その場合、第1電源回路20の一次側の回路構成を交流電力のみに対応させることができ、回路構成を簡略化することができる。
第1電源回路20の一次側発振回路35は、半導体スイッチ素子などで構成され、半導体スイッチ素子を断続的に導通/非導通させることにより、所定周波数のパルス電流をトランス31の一次側巻線32に発生させる。トランス31の一次側巻線32には、例えばDC200〜400V程度の高電圧が印加される。第1電源回路20の二次側回路36は、トランス31の二次側巻線33に励起されたパルス電流を整流及び平滑化し、DC6V程度の低電圧を出力する。トランス31の一次側巻線32と二次側巻線33の間には、ノイズ対策用の結合コンデンサ34が接続されている。なお、本実施形態においては、第1電源回路20のトランス31の二次側には、単一の二次側巻線33及び二次側回路36のみが設けられているものとする。
第1電源回路20の二次側回路36の出力端子には、1つ又は複数(図2では4つ)の第2電源回路21の一次側(入力側)が接続されている。各第2電源回路21は、基本的に同一構成であり、一次側発振回路45は、半導体スイッチ素子などで構成され、半導体スイッチ素子を断続的に導通/非導通させることにより、所定周波数のパルス電流をトランス41の一次側巻線42に発生させる。第2電源回路21の一次側発振回路45の発振周波数は、第1電源回路20の一次側発振回路35の発振周波数と同じである必要はなく、それよりも高い周波数で駆動してもよい。一次側発振回路45の発振周波数をより高くすることにより、トランス41を小型化することができる。トランス41の一次側巻線42には、例えばDC6V程度の低電圧が印加される。第2電源回路21の二次側回路46は、トランス41の二次側巻線43に励起されたパルス電流を整流及び平滑化し、DC3.3V程度のさらに低電圧を出力する。なお、トランス41の一次側巻線42と二次側巻線43の間には、ノイズ対策用の結合コンデンサは接続されていない。第1電源回路20は、例えば10〜15w程度の電力を出力するのに対して、各第2電源回路21はせいぜい1w程度の電力しか出力しない。そのため第2電源回路21における元々ノイズの発生量は少なく、トランス41の一次側巻線42と二次側巻線43の間にノイズ対策用の結合コンデンサを設けていなくても、特に問題は生じない。
図3は、昇圧チョッパ12及びインバータ13の具体的な回路構成例を示す。昇圧チョッパ12は、MOS−FETなどの半導体スイッチ素子Q5と、インダクタL1と、ダイオードD1などで構成されている。半導体スイッチ素子Q5のゲートにはゲート駆動回路G5が接続されている。また、インバータ13は、ブリッジ結合された4つの半導体スイッチ素子Q1〜Q4で構成され、各半導体スイッチ素子Q1〜Q4のゲートにはゲート駆動回路G1〜G4が接続されている。
図4は、半導体スイッチ素子Q1〜Q5及びゲート駆動回路G1〜G5の具体的な回路構成例を示す。ゲート駆動回路G1〜G5は、フォトカプラPCと、フォトカプラPCの二次側フォトトランジスタQ13と半導体スイッチ素子Q1〜Q5のゲートとの間に接続されたバイポーラトランジスタなどの半導体スイッチ素子Q11及びQ12のダーリントン接続回路などで構成されている。フォトカプラPCの一次側の発光ダイオードD2は、制御回路18と制御回路用の第1電源回路20に接続されている。第2電源回路21は、昇圧チョッパ12やインバータ13とグランドが共通である。このフォトカプラPCにより、制御回路18と半導体スイッチ素子Q1〜Q5のゲート側との間で、電源及び信号が絶縁されている。制御回路18から制御信号が出力されると、フォトカプラPCの一次側発光ダイオードD2が発光し、さらに、二次側のフォトトランジスタQ12が導通する。フォトトランジスタQ12が導通することによって、半導体スイッチ素子Q11及びQ12が導通し、半導体スイッチ素子Q1〜Q5のゲートに所定の電圧が印加され、半導体スイッチ素子Q1〜Q5が導通する。
図3において、ゲート駆動回路G2とG4は同じグランドに接続されているので、ゲート駆動回路G2とG4は同じ第2電源回路21から電力を供給することができる。一方、ゲート駆動回路G1とG3は直接グランドに接続されていないので、それぞれゲート駆動回路G2とG4は異なる第2電源回路21から電力を供給することが好ましい。そのため、図2においては、5つのゲート駆動回路に対して4つの第2電源回路21を用意している。このように、昇圧チョッパ12及びインバータ13を構成する半導体スイッチ素子Q1〜Q5のうち、グランドに接続された半導体スイッチ素子群Q2とQ4に対して、同じ第2電源回路21から電力を供給することにより、第2電源回路21の数を減らすことができる。
なお、昇圧チョッパ12を構成する半導体スイッチ素子Q5もグランドに接続されているため半導体スイッチ素子群Q2とQ4と同じ第2電源回路21から電力を供給することも可能であるが、回路基板の設計上の理由から、別の第2電源回路21から電力を供給している。図9に示す従来の集中型の電源回路59によれば、回路基板上、電源回路59の各二次側回路66から制御回路58及び各ゲート駆動回路56及び57までの電力供給線を一定の絶縁距離を保つように配線しなければならない。それに対して、図2に示す本実施形態の構成によれば、各第2電源回路21を、それぞれゲート駆動回路G1〜G5の近傍に配置することができる。具体的には、第2電源回路21からゲート駆動回路G1〜G5までの距離が、第2電源回路21から第1電源回路20までの距離よりも短くなる場所に、第2電源回路21を設ければよい。また、各第2電源回路21の一次側の入力は、第1電源回路20の二次側、すなわち制御回路18に電力を供給するための電力供給線からとることができる。そのため、回路基板の設計上の自由度が大きくなると共に、一定の絶縁距離を保たなければならない箇所を任意に配置することができ、回路基板全体の小型化を図ることができる。
図5は、第2電源回路21の変形例の構成を示す。図2に示す基本構成例では、トランス41の一次側巻線42と二次側巻線43の間には何も接続されていなかったが、図5に示す変形例では、トランス41の一次側巻線42と二次側巻線43の間に、ギャップアレスタ47とバリスタ48の直列回路が接続されている。このように、トランス41の一次側巻線42と二次側巻線43の間にサージ防止素子を設けることにより、トランス41の絶縁耐圧を超えるような電圧が印加された場合にも、第2電源回路21を損傷することなく、電圧変換動作を継続することができる。
図6は、パワーコンディショナ10の変形例の構成を示す。この変形例では、第1電源回路20の一次側に入力電圧監視回路22を設けており、制御回路18が正常に起動してから、各ゲート駆動回路G1〜G5を起動し、制御回路18が正常に機能できなくなる前に各ゲート駆動回路G1〜G5を停止させるように構成されている。入力電圧監視回路22は、第1電源回路20の一次側の入力電圧を検出するための電圧検出センサ23と、検出された入力電圧を所定の閾値と比較する比較部24と、比較結果に基づいて第2電源回路21を起動させたり停止させたりする制御部25と、第2電源回路21の一次側に設けられ、制御部25からの制御信号によってオン/オフされるスイッチ26などで構成されている。前述のように、第1電源回路20の一次側の入力電圧は、例えば200〜400Vの高圧であり、一方、第2電源回路21の一次側の入力電圧は6V程度の低圧である。そのため、スイッチ26は、例えばフォトカプラなどによって絶縁されている。比較部24は、例えばOPアンプなどで構成され、第1電源回路20の一次側の入力電圧と第1閾値及び第2閾値とを比較する。制御部25は、例えば半導体素子で構成された論理回路などで構成され、第1電源回路20の一次側の入力電圧が第1閾値以上のときにスイッチ26をオンする。それによって、第2電源回路21が起動する。また、制御部25は、第1電源回路20の一次側の入力電圧が第2閾値未満になったときにスイッチ26をオフし、それによって第2電源回路21が停止する。第1閾値と第2閾値は、同じ電圧値であってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第2閾値を第1閾値よりも高い値に設定すれば、制御部25が正常に機能している状態で、余裕を持って確実に第2電源回路21の動作を停止させることができる。
図7は、パワーコンディショナ10の他の変形例の構成を示す。図7に示す変形例では、第1電源回路20の一次側に入力電圧監視回路22を設ける代わりに、第2電源回路21に運転許可及び運転禁止機能を設け、制御回路18から所定の運転許可信号が出力されたときに動作を開始し、制御回路18から所定の運転許可信号が出力されなくなったときに動作を停止するように構成してもよい。例えば、バイポーラトランジスタなどの半導体スイッチ素子27を第2電源回路21の一次側に設け、制御回路18からこの半導体スイッチ素子27のベースに運転許可信号である所定の電圧を印加するように構成する。第1電源回路20の一次側の入力電圧が所定の閾値以上であり、制御回路18が正常に機能していれば、制御回路18から運転許可信号が出力され、半導体スイッチ素子27が導通し、第2電源回路21が動作する。一方、第1電源回路20の一次側の入力電圧が所定の閾値未満であれば、制御回路18が正常に機能せず、制御回路18から運転許可信号が出力されず、半導体スイッチ素子27は導通しない。その結果、第2電源回路21は動作せず、各ゲート駆動回路G1〜G5も駆動されない。そのため、上記の場合と同様に、制御回路18が正常に起動してから、各ゲート駆動回路G1〜G5を起動し、制御回路18が正常に機能できなくなったときに各ゲート駆動回路G1〜G5を停止させることができる。
なお、本発明は、上記実施形態の説明に限定されず、さまざまな変形が可能である。図1に示す構成例では、複数の太陽電池ストリング60が並列接続され、各太陽電池ストリング60から出力される直流電力は1つの昇圧チョッパ12に入力され、昇圧されるように構成されている。しかしながら、例えば、各太陽電池ストリング60を構成する太陽電池パネルの枚数が異なる場合には、複数の昇圧チョッパ12を用意し、複数の太陽電池ストリング60のそれぞれに昇圧チョッパ12を接続するように構成してもよい。なお、その場合、各昇圧チョッパ12から出力される直流電力の電圧が同じになるように、昇圧率を制御することは言うまでもない。
さらに、第2電源回路21に過電流保護回路、過電圧保護回路及び過温度保護回路のいずれか、又はこれらを組み合わせて設けてもよい。例えば、第2電源回路21の一次側に上記半導体スイッチ素子27と、電流センサ、電圧センサ、温度センサ(サーミスタ)などを設け、過電流、過電圧又は過温度が発生したときに、半導体スイッチ素子27をオフするように構成してもよい。特に、上記のように複数の昇圧チョッパ12が設けられている場合、いずれかの昇圧チョッパ12を駆動するための第2電源回路21に過電流、過電圧又は過温度が発生したとしても、その他の第2電源回路21を動作させることができ、太陽光発電を継続することができる。
10 パワーコンディショナ
12 昇圧チョッパ(昇圧回路)
13 インバータ(直流/交流変換回路)
16、17、G1〜G5 ゲート駆動回路
18 制御回路
20 第1電源回路
21 第2電源回路
22 入力電圧監視回路
23 電圧検出センサ
24 比較部
25 制御部
26 スイッチ
27、Q1〜Q5 半導体スイッチ素子
31、41 トランス
32、42 一次側巻線
33、43 二次側巻線
34 結合コンデンサ
35、45 一次側発振回路
36、46 二次側回路
47 ギャップアレスタ
48 バリスタ
60 太陽電池ストリング

Claims (9)

  1. 太陽電池パネルから出力される直流電力の電圧を昇圧する昇圧回路と、前記昇圧回路から出力された直流電力を交流電力に変換する直流/交流変換回路と、前記昇圧回路及び前記直流/交流変換回路を構成する半導体スイッチ素子の導通及び非導通を制御する複数のゲート駆動回路と、前記ゲート駆動回路に対して制御信号を出力する制御回路と、前記ゲート駆動回路及び前記制御回路に対して電力を供給する電源回路を備え、
    前記電源回路は、前記制御回路に電力を供給するための第1電源回路と、前記ゲート駆動回路に電力を供給する複数の第2電源回路で構成され、
    前記第1電源回路は絶縁型スイッチング電源回路であって、その一次側が前記昇圧回路、前記直流/交流変換回路又は商用電源に接続され、その二次側が前記制御回路に接続され、前記第1電源回路の一次側と二次側の間に結合コンデンサが接続されており、
    前記第2電源回路は前記第1電源回路よりも小容量の絶縁型スイッチング電源回路であって、その一次側が前記第1電源回路の二次側に接続され、その二次側が前記ゲート駆動回路に接続され、前記第2電源回路の一次側と二次側の間に結合コンデンサが接続されていないことを特徴とするパワーコンディショナ。
  2. 前記昇圧回路及び前記直流/交流変換回路を構成する半導体スイッチ素子のうち、グランドに接続された半導体スイッチ素子群に対して、前記複数の第2電源回路のうち同じ第2電源回路から電力を供給することを特徴とする請求項1に記載のパワーコンディショナ。
  3. 前記ゲート駆動回路は、前記制御回路に接続された一次側と前記昇圧回路又は前記直流/交流変換回路に接続された二次側が、フォトカプラにより光絶縁されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワーコンディショナ。
  4. 前記第2電源回路の一次側と二次側の間にギャップアレスタとバリスタの直列回路が接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のパワーコンディショナ。
  5. 前記第2電源回路を、前記第1電源回路の駆動周波数よりも高い駆動周波数で駆動することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のパワーコンディショナ。
  6. 前記第2電源回路は、前記第2電源回路から前記ゲート駆動回路までの距離が、前記第2電源回路から前記第1電源回路までの距離よりも短くなる場所に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のパワーコンディショナ。
  7. 前記第1電源回路の一次側に設けられた入力電圧監視回路をさらに備え、前記入力電圧監視回路は、前記第1電源回路の一次側の入力電圧が第1閾値以上のときに、前記第2電源回路を動作させ、前記第1電源回路の一次側の入力電圧が前記第1閾値と同一又は異なる第2閾値未満になったときに、前記第2電源回路の動作を停止させることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のパワーコンディショナ。
  8. 前記第2電源回路は、運転許可及び運転禁止機能を有し、前記制御回路から所定の運転許可信号が出力されたときに動作を開始し、前記制御回路から前記所定の運転許可信号が出力されなくなったときに動作を停止することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のパワーコンディショナ。
  9. 前記第2電源回路は、過電流保護回路、過電圧保護回路及び過温度保護回路の少なくとも1つをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のパワーコンディショナ。
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