JP2013182691A - 誘導加熱調理器 - Google Patents

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Abstract

【課題】回路基板に実装された各素子、及び、加熱コイルを効率よく冷却可能な誘導加熱調理器を提供する。
【解決手段】回路基板31上には、樹脂製の台座32が配置されており、この台座32上には、回路基板31に実装された各素子を冷却する冷却風を生成する冷却ファン33が配置され、冷却ファン33の吸込み側には、低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36が2組配置されており、冷却ファン33の吹出し側には、高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37が2組配置されている。
【選択図】図2

Description

本発明は、回路基板及び加熱コイルを効率的に冷却する誘導加熱調理器に関する。
従来の誘導加熱調理器として、内部に設置された冷却ファンにより、本体上部の吸気口より取り込んだ空気を、各種回路基板に当てて冷却させた後、これらの回路基板の上方に設置された加熱コイルを冷却させ、本体上部の排気口より外部に排出させるものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−173140号公報(第3−5頁、図3)
しかしながら、特許文献1に記載されている誘導加熱調理器においては、冷却すべき回路基板上の各素子がすべて、冷却ファンの吹出し側に配置されており、発熱量の異なる各素子が実装された回路基板に対して、一様に冷却風を吹き付けているので、冷却効率が悪いという問題点があった。
そして、冷却効率が悪いことによって圧損が増加し、風量の弱まった冷却風によって加熱コイルの冷却を実施するので、加熱コイルの冷却を十分に行えないという問題点もあった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、回路基板に実装された各素子、及び、加熱コイルを効率よく冷却可能な誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
本発明に係る誘導加熱調理器は、本体内に配置された加熱コイルによってトッププレートに載置された被加熱物を誘導加熱する誘導加熱調理器において、半導体素子が実装され、前記加熱コイルを駆動する回路基板と、前記半導体素子及び前記加熱コイルを冷却する冷却風を生成する冷却ファンと、該冷却ファンが前記冷却風を生成するために、外部から前記本体内に空気を送り込むための吸気口と、を備え、前記回路基板上には、前記半導体素子である低発熱素子が実装され、該低発熱素子よりも発熱量が高い前記半導体素子である高発熱素子が実装され、前記冷却ファンは、前記低発熱素子と前記高発熱素子との間に、かつ、前記低発熱素子がその吸込み側に位置し、前記高発熱素子がその吹出し側に位置するように、前記回路基板上に配置され、前記冷却ファンによって生成された前記冷却風が、前記吸気口から、前記低発熱素子、前記冷却ファン、前記高発熱素子、そして、前記加熱コイルの順に流れるような風路が前記本体内に形成されたものである。
本発明によれば、低発熱素子を冷却ファンの吸込み側に配置し、高発熱素子を冷却ファンの吹出し側に配置することによって、冷却風の全体的な圧損を低減することができる。
また、このように冷却風の圧損を低減できるので、冷却ファンの回転数を低減することが可能となり、低騒音化の効果を有することになる。
さらに、圧損が低減できるので、加熱コイル側に大きな風量の冷却風を送り込むことが可能となり、加熱コイルの冷却効率も向上する。
本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101の全体外観図である。 図1で示される誘導加熱調理器101のA−A断面図である。 図2で示される誘導加熱調理器101のB−B断面図である。 図2で示される誘導加熱調理器101のC−C断面図である。 図1で示される誘導加熱調理器101のD−D断面図である。 本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101において、加熱コイルが配置された空間を流通する冷却風の流れを示す図である。 図1で示される誘導加熱調理器101のE−E断面図である。 本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101の別形態の断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。 本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101の別形態の断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。 本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101の別形態の断面図であり、図2におけるB−B断面図に相当するものである。 本発明の実施の形態2に係る誘導加熱調理器101aの断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。 本発明の実施の形態2に係る誘導加熱調理器101aの別形態の断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。 本発明の実施の形態3に係る誘導加熱調理器101bの断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。 本発明の実施の形態3に係る誘導加熱調理器101bにおいて、加熱コイルが配置された空間を流通する冷却風の流れを示す図である。 本発明の実施の形態3に係る誘導加熱調理器101bの別形態の断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。
実施の形態1.
(誘導加熱調理器101の全体外観構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101の全体外観図である。
図1で示される本実施の形態に係る誘導加熱調理器101において、本体1の上面には、トッププレート2が設置されており、そのトッププレート2上には、鍋等の被加熱物を載置するための左加熱口3a、右加熱口3b及び中央加熱口3cが構成されている。また、本体1の上面前部には、各種設定値、異常情報、及び、各種メッセージ等を表示する液晶パネル等である表示パネル7、及び、左加熱口3a、右加熱口3b及び中央加熱口3cにおける誘導加熱動作等の操作をするための操作部8が設置されている。また、本体1の上面後部の右側には、本体1内部に空気を取り込むための吸気口9が形成され、本体1の上面後部の左側には、本体1内部から空気を排出するための排気口10が形成されている。また、本体1の内部左側は、調理物を加熱調理するグリル部12のグリル庫12b(図3において後述)が形成されており、本体1の上面中央部には、グリル部12のグリル庫12bで発生した調理物からの煙等を排出するためのグリル排気口11が形成されている。またグリル部12の前面にはグリル扉12aが形成されており、グリル扉12aの取っ手を手前に引くことによって、グリル庫12b内に載置された網(図示せず)が引き出され、グリル庫12bと外部とが連通することになる。
(誘導加熱調理器101の本体1の内部構造)
図2は、図1で示される誘導加熱調理器101のA−A断面図であり、図3は、図2で示される誘導加熱調理器101のB−B断面図であり、図4は、図2で示される誘導加熱調理器101のC−C断面図であり、そして、図5は、図1で示される誘導加熱調理器101のD−D断面図である。以下、図2〜図5を参照しながら、誘導加熱調理器101の本体1の内部構造について説明する。
図2、図3及び図5で示されるように、本体1内の右側下部に、左加熱コイル4a、右加熱コイル4b及びラジエントヒーター4c(図6において後述)(以下、これらの加熱コイルを総称する場合又は区別なく呼称する場合、単に「加熱コイル」というものとする)を駆動するインバーター回路を構成する各素子が実装された回路基板31が配置されている。この回路基板31上には、図2及び図3で示されるように、樹脂製の台座32が配置されており、この台座32上には、後述するように回路基板31に実装された各素子を冷却する冷却風を生成する冷却ファン33が配置されている。また、台座32上、かつ、冷却ファン33の吸込み側(冷却ファン33に対して後部側)には、ダイオード素子等の半導体素子である低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36が2組配置されており、低発熱素子34a、34bのリード線は、回路基板31上のパターン配線に接続されている。また、台座32上、かつ、冷却ファン33の吹出し側(冷却ファン33に対して前部側)には、スイッチング素子等の半導体素子であり、低発熱素子34a、34bよりも発熱量が高い高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37が2組配置されており、高発熱素子35のリード線は、回路基板31上のパターン配線に接続されている。また、前述の台座32は、低発熱素子用ヒートシンク36及び高発熱素子用ヒートシンク37と、回路基板31との絶縁を確保するものであり、また、回路基板31への組み立て性を向上させるものである。ただし、低発熱素子用ヒートシンク36及び高発熱素子用ヒートシンク37と、回路基板31との絶縁が確保されていれば、低発熱素子用ヒートシンク36及び高発熱素子用ヒートシンク37を台座32上に配置させなくてもよい。
なお、ラジエントヒーター4cは、左加熱コイル4a及び右加熱コイル4bと同様に、、加熱コイルとしてもよい。
また、図1及び後述する図6で示されるように、左加熱コイル4a、右加熱コイル4b及びラジエントヒーター4cは、それぞれトッププレート2におけるそれぞれ左加熱口3a、右加熱口3b及び中央加熱口3cの直下に配置されている。また、図2で示されるように、回路基板31が配置された空間は、本体1内の上部において加熱コイルが配置された空間と、水平仕切板23によって仕切られている。また、図2及び図3で示されるように、回路基板31は、その下方から下ケース22によって支持されており、回路基板31の前方側及び左右方向側は、上ケース21によって囲われている。すなわち、回路基板31は、下方側は下ケース22によって、上方側は水平仕切板23によって、そして、前方側及び左右方向側は上ケース21によって、それぞれ囲われた構成となっている。そして、回路基板31の後方側は、外部から吸気口9を介して取り込んだ空気を流通させるための吸気ダクト9aに連通している。
また、水平仕切板23の下面から、回路基板31の台座32上に配置された冷却ファン33の上部に向かって、ファン用リブ23cが延設されている。また、同様に、水平仕切板23の下面から、台座32上に配置された高発熱素子用ヒートシンク37の上部に向かって、高発熱素子用リブ23dが延設されている。さらに、図2で示されるように、水平仕切板23の下面から延設された高発熱素子用リブ23dよりも前方側の水平仕切板23の部分には、後述するように、冷却ファン33によって生成された冷却風を、加熱コイルが配置された空間に送り込むための開口部23aが形成されている。
また、前述のように、本体1の内部左側には、グリル部12のグリル庫12bが形成されており、図3及び図5で示されるように、このグリル庫12bが形成された空間は、回路基板31が配置された空間と縦仕切板24によって仕切られ、さらに、加熱コイルが配置された空間と水平仕切板25によって仕切られている。また、グリル庫12bは、その後部側において、グリル排気口11を介して外部と連通するグリル排気ダクト11aに連通している。
また、図4で示されるように、前述したグリル庫12bが形成された空間と、加熱コイルが配置された空間とを仕切る水平仕切板25の後方には、後述する排気ダクト10aに連通する開口部25aが形成されている。
(冷却風の全体的な流れについて)
図6は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器101において、加熱コイルが配置された空間を流通する冷却風の流れを示す図であり、図7は、図1で示される誘導加熱調理器101のE−E断面図である。以下、図2、図6及び図7を参照しながら、冷却ファン33によって生成される冷却風の全体的な流れについて説明する。
まず、図2で示されるように、冷却ファン33は、回転駆動することによって、外部から吸気口9を介して空気が吸気ダクト9aに取り込み、冷却風を生成する。冷却風は、吸気ダクト9aを流通して、回路基板31が配置された空間に流れ込み、冷却ファン33の吸込み側に位置する低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を流通する。この低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を冷却風が流通することによって、低発熱素子34a、34bで発生した熱が低発熱素子用ヒートシンク36を介して放熱されることになる。低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を通り抜けた冷却風は、冷却ファン33に吸い込まれて、冷却ファン33の吹出し側に位置する高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37に向かって、冷却ファン33によって吹き出される。そして、冷却風は高発熱素子用ヒートシンク37のフィン間を流通し、これによって、高発熱素子35で発生した熱が高発熱素子用ヒートシンク37を介して放熱される。
高発熱素子用ヒートシンク37のフィン間を通り抜けた冷却風は、図2及び図6で示されるように、水平仕切板23の開口部23aを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込む。この空間に流れ込んだ冷却風は、左加熱コイル4a、右加熱コイル4b及びラジエントヒーター4cの周辺を流通し、これらの加熱コイルを冷却(加熱コイルから吸熱)しながら、水平仕切板25の開口部25aに向かって流通する。ここで、図6及び図7で示されるように、加熱コイルが配置された空間と排気ダクト10aとの仕切板には、開口部25bが形成されている。そして、開口部25aへ向かった冷却風は、図7で示されるように、開口部25a及び開口部25bを介して、排気ダクト10aに流れ込み、排気口10を介して外部へ排出される。なお、図7で示されるように、開口部25aは、加熱コイルが配置された空間と排気ダクト10aとを連通させるものであり、加熱コイルが配置された空間とグリル庫12bとを連通させるものではない。
(回路基板31及び加熱コイルの冷却動作)
次に、図2を参照しながら、冷却風による回路基板31に実装された各素子及び加熱コイルの冷却動作についての詳細を説明する。
図2で示されるように、高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37は、冷却ファン33の吹出し側に配置されているので、高発熱素子用ヒートシンク37には、冷却ファン33から吹き出される直進性の高い冷却風を当てることが可能となり、冷却効率を向上させることができる。この際、水平仕切板23から高発熱素子用ヒートシンク37の上部に向かって高発熱素子用リブ23dが延設されていることによって、冷却ファン33から吹き出される冷却風のほぼすべてを高発熱素子用ヒートシンク37へ当てることができ、この冷却風が高発熱素子用ヒートシンク37に流通することなく、開口部23a側に漏れてしまうことを抑制している。さらに、水平仕切板23から冷却ファン33の上部に向かって、ファン用リブ23cが延設されていることによって、冷却ファン33から吹き出された冷却風が高発熱素子用ヒートシンク37に当たることによる吹き返りの風が、冷却ファン33の吸い出し側に戻ってしまうことを抑制できるので、冷却ファン33によって吹き出された冷却風を、ほぼ確実に高発熱素子用ヒートシンク37のフィン間に流通させることができる。ただし、高発熱素子用リブ23d及びファン用リブ23cは、それぞれ、高発熱素子用ヒートシンク37の上部、及び、冷却ファン33の上部に当接するように延設させる必要はなく、上記の各リブの機能が確保できる範囲内で近接するように延設させればよい。
また、高発熱素子35と比較して発熱量が低い低発熱素子34a、34bは、大きな風量がなくても冷却が可能である。そのため、低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36のフィンピッチは、高発熱素子用ヒートシンク37のフィンピッチよりも大きく構成されている。また、大きな風量がなくても冷却可能なので、低発熱素子用ヒートシンク36は、冷却ファン33の吸込み側に配置するものとし、高発熱素子用リブ23dのように強制的にほぼすべての冷却風を当てるような風路を形成する必要もなく、すなわち、吸気ダクト9aを流通して送られてくるすべての冷却風を低発熱素子用ヒートシンク36に当てる必要もなく、冷却ファン33に吸い込まれる冷却風を利用して冷却することが可能である。逆に、吸気ダクト9aを流通して送られてくるすべての冷却風を低発熱素子用ヒートシンク36に当てるような風路を設けると、圧損が増加してしまうので、その後の高発熱素子用ヒートシンク37及び加熱コイルの冷却に影響を及ぼしてしまうことになる。
このように、低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36を冷却ファン33の吸込み側に配置し、高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37を冷却ファン33の吹出し側に配置することによって、従来のように、冷却ファンの吹出し側に設けられ、発熱量の異なる各素子が実装された回路基板に対して、一様に冷却風を吹き付ける場合と比較して、低発熱素子用ヒートシンク36及び高発熱素子用ヒートシンク37を通り抜けた冷却風の全体的な圧損を低減することができるので風量が増加し、風量が増加した冷却風によって加熱コイルを冷却できるので、加熱コイルの冷却効率が向上する。
(実施の形態1の効果)
以上の構成のように、低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36を冷却ファン33の吸込み側に配置し、高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37を冷却ファン33の吹出し側に配置することによって、従来のように、冷却ファンの吹出し側に設けられ、発熱量の異なる各素子が実装された回路基板に対して、一様に冷却風を吹き付ける場合と比較して、低発熱素子用ヒートシンク36及び高発熱素子用ヒートシンク37を通り抜けた冷却風の全体的な圧損を低減することができる。また、このように冷却風の圧損を低減できるので、従来と同じ風量を得ようとした場合、冷却ファン33の回転数を低減することが可能となり、低騒音化の効果を有することになる。さらに、従来と同じ回転数で駆動させれば、圧損が低減できるので、加熱コイル側に大きな風量の冷却風を送り込むことが可能となり、加熱コイルの冷却効率も向上する。
なお、冷却ファン33の吸込み側に配置された低発熱素子用ヒートシンク36には、低発熱素子34a、34bの2個の素子が当接配置している構成としているが、これに限定されるものではなく、3個以上の低発熱素子が当接配置している構成としてもよい。また、冷却ファン33の吹出し側に配置された高発熱素子用ヒートシンク37には、高発熱素子35のみ当接配置している構成としているが、これに限定されるものではなく、2個以上の高発熱素子が当接配置している構成としてもよい。
また、図2で示されるように、低発熱素子34a、34bには発生した熱を放熱するための低発熱素子用ヒートシンク36が設置されているが、これに限定されるものではなく、低発熱素子用ヒートシンク36を設けない構成としてもよい。同様に、高発熱素子35には発生した熱を放熱するための高発熱素子用ヒートシンク37が設置されているが、これに限定されるものではなく、高発熱素子用ヒートシンク37を設けない構成としてもよい。
また、図2で示されるように、冷却ファン33の回転によって吸気口9を介して、外部から本体1内部に空気を取り込んでいるが、これに限定されるものではなく、例えば、図8で示されるように、吸気口9の他、本体1の後部側に後面吸気口13を設け、吸気口9及び後面吸気口13から本体1内部に空気を取り込む構成としてもよい。これによって、吸気口の面積が増えるので、冷却ファン33の回転数が同じ条件であれば、吸気口9だけの場合よりも、より大きな風量の冷却風を生成することが可能となる。また、吸気口9だけの場合と同風量の冷却風を生成した場合は、冷却ファン33の回転数を低減することが可能となり、低騒音化の効果を有することになる。
なお、図8における後面吸気口13の面積が、吸気口9の面積よりも大きい場合、図9で示されるように、吸気口9を設けず後面吸気口13のみを形成した構成としても、上記の効果を得ることができる。
また、図8においては、本体1の後部に後面吸気口13を設けた構成としているが、これに限定されるものではなく、例えば、図10で示されるように、吸気口9の他、本体1の後部右側面側に側面吸気口14を設け、吸気口9及び側面吸気口14から本体1内部に空気を取り込む構成としてもよい。これによっても、図8で示される構成と同様の効果を得ることができる。
なお、図10における側面吸気口14の面積が、吸気口9の面積よりも大きい場合、吸気口9を設けず側面吸気口14のみを形成した構成としても、上記の効果が得られるのは言うまでもない。
また、上記の図8〜図10のように、吸気口9に代えて、あるいは、吸気口9に追加して、本体1の別の部分から本体1内に空気を取り込んでいるが、図8〜図10で示されるように、本体1の後部側、及び、後部右側面側に限定されるものではなく、本体1のいずれの部分に吸気口を形成するものとしてもよい。この場合、吸気した空気は、冷却風として、低発熱素子用ヒートシンク36、冷却ファン33、高発熱素子用ヒートシンク37、そして、加熱コイルの順に流れるような構造とすればよい。
また、低発熱素子34a、低発熱素子34b及び高発熱素子35の少なくともいずれかを、SiC(炭化シリコン)、GaN(窒化ガリウム)又はダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体によって形成するものとしてもよい。上記の半導体素子をワイドバンドギャップ半導体により形成することによって、ワイドバンドギャップ半導体は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いので半導体素子の小型化が可能となり、また、耐熱性が高いのでヒートシンクを小型化及び簡素化が可能となり、圧損が低減させることができ、冷却ファン33の回転数を低減させ低騒音化を実現することができる。また、ワイドバンドギャップ半導体は、耐熱性が高いため、他の素子を冷却した後の温まった冷却風でも冷却可能であるため、回路基板31上において、冷却風の下流側の冷却ファン33から遠い半導体素子(高発熱素子)に適用することができ、この場合、ワイドバンドギャップ半導体を適用する半導体素子を最小限に抑えることができるので、コストの低減を図ることができる。
実施の形態2.
次に、本実施の形態に係る誘導加熱調理器101aについて、実施の形態1に係る誘導加熱調理器101と相違する構成及び動作を中心に説明する。
(誘導加熱調理器101aの本体1の内部構造)
図11は、本発明の実施の形態2に係る誘導加熱調理器101aの断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。
実施の形態1においては、回路基板31に実装された低発熱素子34a、34bが、共通の低発熱素子用ヒートシンク36に当接配置する構成としたものであるが、本実施の形態においては、1個の素子ごとに1個のヒートシンクを設けたものである。具体的には、図11で示されるように、低発熱素子34aが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36a、及び、低発熱素子34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36bが配置されており、低発熱素子34a、34bのリード線は、回路基板31上のパターン配線に接続されている。また、回路基板31上に隣接して実装された低発熱素子34a、34bがそれぞれ当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36a、36bは、ヒートシンク同士の絶縁を確保するため、所定の間隔をもって配置することが望ましい。その他の構成は、実施の形態1に係る誘導加熱調理器101と同様である。
(実施の形態2の効果)
以上の構成のように、1個の素子ごとに1個のヒートシンクを設けることによって、発熱量が異なる各素子に適したヒートシンクを取り付けることが可能となり、1個のヒートシンクに複数の素子を取り付ける場合よりも、冷却性能の無駄を抑制することができ、また、それぞれのヒートシンクの構成を簡素化することが可能となる。また、それぞれのヒートシンクの構成を簡素化することによって、それぞれのヒートシンクによる冷却風の圧力損失を低減することができ、冷却ファン33の回転数を低減することが可能となり、低騒音化の効果を有する。
なお、図11で示されるように、冷却ファン33の吸込み側に低発熱素子用ヒートシンク36a、36bの4個(図11の平面視奥側にもそれぞれ低発熱素子用ヒートシンク36a、36bが配置されている)を配置させ、冷却ファン33の吹出し側に高発熱素子用ヒートシンク37のみを配置させるものとしているが、これに限定されるものではない。すなわち、冷却ファン33の吸込み側には、4個に限定されない数の低発熱素子用ヒートシンク(低発熱素子が当接配置されている)を設置してよく、また、冷却ファン33の吹出し側の高発熱素子用ヒートシンク(高発熱素子が当接配置されている)の数も同様に限定するものではない。ここで、図12は、冷却ファン33の吸込み側に2個の低発熱素子用ヒートシンク(低発熱素子34が当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36が2個)を設置し、冷却ファン33の吹出し側に4個の高発熱素子用ヒートシンク(高発熱素子35a、35bがそれぞれ当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37a、37bが2組)を設置した例を示している。
実施の形態3.
次に、本実施の形態に係る誘導加熱調理器101bについて、実施の形態1に係る誘導加熱調理器101と相違する構成及び動作を中心に説明する。
(誘導加熱調理器101bの本体1の内部構造)
図13は、本発明の実施の形態3に係る誘導加熱調理器101bの断面図であり、図1におけるA−A断面図に相当するものである。
実施の形態1に係る誘導加熱調理器101おいては、冷却ファン33によって生成され、低発熱素子用ヒートシンク及び高発熱素子用ヒートシンクを通り抜けた冷却風が、水平仕切板23に形成された開口部23aを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込む構成としていた。これに対し、本実施の形態に係る誘導加熱調理器101bにおいては、冷却ファン33の吹出し側に相当する水平仕切板23の部分に、開口部23bを形成し、冷却ファン33によって吹き出される冷却風の一部が、開口部23bを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込むように構成されている。また、実施の形態1における高発熱素子用リブ23dの代わりに、開口部23bにおける前側の縁から高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部に向けて、冷却風逃しリブ23eが延設されており、この冷却風逃しリブ23eは、高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部から、前側上方に向かうように形成されている。これによって、低発熱素子用ヒートシンク36を通り抜けた冷却風の一部が、開口部23bを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込みやすい構造となっている。
(冷却風の全体的な流れについて)
図14は、本発明の実施の形態3に係る誘導加熱調理器101bにおいて、加熱コイルが配置された空間を流通する冷却風の流れを示す図である。以下、図13及び図14を参照しながら、冷却ファン33によって生成される冷却風の全体的な流れについて説明する。
まず、図13で示されるように、冷却ファン33は、回転駆動することによって、外部から吸気口9を介して空気が吸気ダクト9aに取り込み、冷却風を生成する。冷却風は、吸気ダクト9aを流通して、回路基板31が配置された空間に流れ込み、冷却ファン33の吸込み側に位置する低発熱素子34a、34bが当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を流通する。この低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を冷却風が流通することによって、低発熱素子34a、34bで発生した熱が低発熱素子用ヒートシンク36を介して放熱されることになる。低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を通り抜けた冷却風は、冷却ファン33に吸い込まれて、冷却ファン33の吹出し側に位置する高発熱素子35が当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37に向かって、冷却ファン33によって吹き出される。このとき、冷却ファン33によって吹き出された冷却風の一部は、高発熱素子用ヒートシンク37のフィン間を通り抜けることなく、開口部23bを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込む。そして、残りの冷却風は高発熱素子用ヒートシンク37のフィン間を流通し、これによって、高発熱素子35で発生した熱が高発熱素子用ヒートシンク37を介して放熱される。
高発熱素子用ヒートシンク37のフィン間を通り抜けた冷却風は、図14で示されるように、水平仕切板23の開口部23aを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込む。また、低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を通り抜けた冷却風が、前述のように、開口部23bを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込むので、この加熱コイルが配置された空間において、開口部23aを介して流れ込んできた冷却風と混合されることになる。開口部23a及び開口部23bを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込んだ冷却風は、左加熱コイル4a、右加熱コイル4b及びラジエントヒーター4cの周辺を流通し、これらの加熱コイルを冷却(加熱コイルから吸熱)しながら、水平仕切板25の開口部25aに向かって流通する。そして、開口部25aへ向かった冷却風は、開口部25a及び開口部25bを介して、排気ダクト10a(図示せず)に流れ込み、排気口10を介して外部へ排出される。
(回路基板31及び加熱コイルの冷却動作)
次に、図13を参照しながら、冷却風による回路基板31に実装された各素子及び加熱コイルの冷却動作についての詳細を説明する。
図13で示されるように、低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を通り抜け、冷却ファン33から吹き出される冷却風の一部は、冷却風逃しリブ23eを沿うようにして、開口部23bを介して、加熱コイルが配置された空間に流れ込むので、低発熱素子用ヒートシンク36のみを通り抜けた比較的温度上昇の少ない冷却風を加熱コイルの冷却に使用できるので、加熱コイルの冷却効率を向上させることができる。すなわち、冷却風逃しリブ23eは、低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を通り抜けた冷却風の一部を、開口部23bを介して加熱コイルが配置された空間に流れ込みやすいようにする機能を果たしている。ただし、冷却風逃しリブ23eは、高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部に当接するように延設させる必要はなく、冷却風逃しリブ23eの機能を確保できる範囲内で近接するように延設させればよい。
また、低発熱素子用ヒートシンク36のフィン間を通り抜け、冷却ファン33から吹き出される残りの冷却風は、直進性の高い冷却風であるので、高発熱素子用ヒートシンク37の冷却効率を向上させている。
その他の回路基板31及び加熱コイルの冷却動作は、実施の形態1と同様である。このように、開口部23bにおける前側の縁から高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部に向けて延設され、高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部から、前側上方に向かうように冷却風逃しリブ23eを形成し、冷却ファン33から吹き出される冷却風の一部を、開口部23bを介して加熱コイルが配置された空間に流れ込むような構成とすることにより、比較的温度上昇の少ない冷却風を加熱コイルの冷却に使用できるので、加熱コイルの冷却効率を向上させることができるとともに、低発熱素子用ヒートシンク36及び高発熱素子用ヒートシンク37を通り抜けた冷却風の全体的な圧損を低減することができるので風量が増加し、風量が増加した冷却風によって加熱コイルを冷却できるので、加熱コイルの冷却効率が向上する。
(実施の形態3の効果)
以上の構成によって、実施の形態1における効果を有するのはもちろんのこと、開口部23bにおける前側の縁から高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部に向けて延設され、高発熱素子用ヒートシンク37の上部の後ろ側端部から、前側上方に向かうように冷却風逃しリブ23eを形成し、冷却ファン33から吹き出される冷却風の一部を、開口部23bを介して加熱コイルが配置された空間に流れ込むような構成とすることにより、比較的温度上昇の少ない冷却風を加熱コイルの冷却に使用できるので、加熱コイルの冷却効率を向上させることができる。
なお、冷却ファン33の吸込み側に配置された低発熱素子用ヒートシンク36には、低発熱素子34a、34bの2個の素子が当接配置している構成としているが、これに限定されるものではなく、3個以上の低発熱素子が当接配置している構成としてもよい。また、冷却ファン33の吹出し側に配置された高発熱素子用ヒートシンク37には、高発熱素子35のみ当接配置している構成としているが、これに限定されるものではなく、2個以上の高発熱素子が当接配置している構成としてもよい。
また、図13で示されるように、冷却ファン33の吸込み側に配置された低発熱素子用ヒートシンク36に、低発熱素子34a、34bの2個の素子が当接配置している構成としているが、これに限定されるものではなく、実施の形態2のように、1個の素子ごとに1個のヒートシンクを設けたものとしてもよく、この場合、冷却ファン33の吸込み側及び吹出し側それぞれに設置するヒートシンクの個数を限定するものではない。ここで、図15は、冷却ファン33の吸込み側に2個の低発熱素子用ヒートシンク(低発熱素子34が当接配置された低発熱素子用ヒートシンク36が2個)を設置し、冷却ファン33の吹出し側に4個の高発熱素子用ヒートシンク(高発熱素子35a、35bがそれぞれ当接配置された高発熱素子用ヒートシンク37a、37bが2組)を設置した例を示している。
1 本体、2 トッププレート、3a 左加熱口、3b 右加熱口、3c 中央加熱口、4a 左加熱コイル、4b 右加熱コイル、4c ラジエントヒーター、7 表示パネル、8 操作部、9 吸気口、9a 吸気ダクト、10 排気口、10a 排気ダクト、11 グリル排気口、11a グリル排気ダクト、12 グリル部、12a グリル扉、12b グリル庫、13 後面吸気口、14 側面吸気口、21 上ケース、22 下ケース、23 水平仕切板、23a、23b 開口部、23c ファン用リブ、23d 高発熱素子用リブ、23e 冷却風逃しリブ、24 縦仕切板、25 水平仕切板、25a、25b 開口部、31 回路基板、32 台座、33 冷却ファン、34、34a、34b 低発熱素子、35、35a、35b 高発熱素子、36、36a、36b 低発熱素子用ヒートシンク、37、37a、37b 高発熱素子用ヒートシンク、101、101a〜101b 誘導加熱調理器。

Claims (11)

  1. 本体内に配置された加熱コイルによってトッププレートに載置された被加熱物を誘導加熱する誘導加熱調理器において、
    半導体素子が実装され、前記加熱コイルを駆動する回路基板と、
    前記半導体素子及び前記加熱コイルを冷却する冷却風を生成する冷却ファンと、
    該冷却ファンが前記冷却風を生成するために、外部から前記本体内に空気を送り込むための吸気口と、
    を備え、
    前記回路基板上には、前記半導体素子である低発熱素子が実装され、該低発熱素子よりも発熱量が高い前記半導体素子である高発熱素子が実装され、
    前記冷却ファンは、前記低発熱素子と前記高発熱素子との間に、かつ、前記低発熱素子がその吸込み側に位置し、前記高発熱素子がその吹出し側に位置するように、前記回路基板上に配置され、
    前記冷却ファンによって生成された前記冷却風が、前記吸気口から、前記低発熱素子、前記冷却ファン、前記高発熱素子、そして、前記加熱コイルの順に流れるような風路が前記本体内に形成された
    ことを特徴とする誘導加熱調理器。
  2. 前記半導体素子のうち、少なくともいずれかにはヒートシンクが当接して設けられた
    ことを特徴とする請求項1記載の誘導加熱調理器。
  3. 前記半導体素子ごとに、前記ヒートシンクが当接して設けられた
    ことを特徴とする請求項2記載の誘導加熱調理器。
  4. 前記風路は、前記冷却ファンの前記吸込み側において、前記冷却風の略全部が前記低発熱素子を通るように形成されていない
    ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
  5. 前記風路は、前記冷却ファンの前記吹出し側において、前記冷却風の略全部が前記高発熱素子を通るように形成された
    ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
  6. 前記風路は、前記冷却ファンから吹き出される前記冷却風の一部が、前記高発熱素子を経由せず、前記加熱コイル側に流れるように形成された
    ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
  7. 前記加熱コイルは、前記低発熱素子及び前記高発熱素子が実装され、かつ、前記冷却ファンが配置された前記回路基板よりも上方の位置に設置され、
    前記加熱コイルと、前記回路基板とは、仕切板によって仕切られ、
    該仕切板は、前記高発熱素子を通過した前記冷却風を前記加熱コイル側に送り込むための第1開口部と、前記冷却ファンから吹き出される前記冷却風の一部を前記加熱コイル側に送り込むための第2開口部と、を有し、
    前記冷却ファンに最も近い前記高発熱素子にはヒートシンクが当接して設けられ、
    前記第2開口部における、前記冷却ファンから該ヒートシンクへ向かう方向側の縁から、該ヒートシンクの上部の前記冷却ファン側の端部に向かって冷却風逃がしリブが延設され、
    前記冷却ファンから吹き出される前記冷却風の一部は、前記冷却風逃がしリブに沿って、前記第2開口部を通過し、前記加熱コイル側に送り込まれる
    ことを特徴とする請求項6記載の誘導加熱調理器。
  8. 前記吸気口は、前記本体外面において、複数個所に形成された
    ことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
  9. 前記半導体素子の少なくともいずれかは、ワイドバンドギャップ半導体によって形成された
    ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
  10. 少なくとも、前記高発熱素子のうち前記冷却ファンから最も遠い位置に配置されたものが前記ワイドバンドギャップ半導体によって形成された
    ことを特徴とする請求項9記載の誘導加熱調理器。
  11. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、少なくとも、炭化シリコン、窒化ガリウム又はダイヤモンドによって形成された
    ことを特徴とする請求項9又は請求項10記載の誘導加熱調理器。
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