JP2013180902A - 封着材料ペーストとそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】封着材料ペースト8は、軟化点が415℃以下であると共に、結晶化ピーク温度と軟化点との差が80℃以上であり、少なくとも、実質的に鉛を含まないガラスフリットと0〜40体積%の範囲の無機充填材とを含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとを含む混合物である。ずり速度が0.0001[s-1]における封着材料ペースト8の粘度η0.0001[Pa・s]と、ずり速度が10[s-1]における封着材料ペースト8の粘度η10[Pa・s]とから、[式(1):TI=η0.0001/η10]により求められるチキソトロピー指数TIが10〜1500の範囲である。
【選択図】図2
Description
TI=η0.0001/η10 …(1)
ただし、半導体デバイス1はこれらに限定されるものではない。
少なくとも、実質的に鉛を含まないガラスフリット(無鉛系ガラスフリット)を封着ガラスとして含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとを含む混合物である。無鉛系ガラスフリットとしては、例えば酸化ビスマスを含むビスマス系ガラス、酸化スズとリン酸とを含むスズ−リン酸系ガラス、酸化バナジウムを含むバナジウム系ガラス、ホウ酸亜鉛系ガラス等の低融点ガラスが挙げられ、特に封着温度、耐候性、気密封止性等の点からビスマス系ガラスが好ましい。
Bi2O3の含有量が70質量%未満であると低融点ガラスの軟化点が高くなり、低温での封着が困難になる。Bi2O3の含有量が90質量%を超えるとガラス化しにくくなると共に、熱膨張係数が高くなる傾向がある。
B2O3はガラスの骨格を形成してガラス化が可能となる範囲を広げる成分である。B2O3の含有量が2質量%未満であるとガラス化が困難となり、18質量%を超えると軟化点が高くなりすぎて、封着時に荷重をかけても、低温での封着が困難となる。
TI=η0.0001/η10 …(1)
式(1)において、η0.0001はずり速度が0.0001[s-1]における粘度[Pa・s]、η10はずり速度が10[s-1]における粘度[Pa・s]である。
質量割合でBi2O382.8%、B2O35.59%、ZnO10.7%、Al2O30.49%、CeO20.2%、Fe2O30.1%、CuO0.1%の組成を有するビスマス系ガラスフリット(ガラス転移点Tg:355℃、軟化点Ts:410℃、結晶化ピーク温度Tc:530℃)84体積%と、コージェライト粉末16体積%とを混合して封着材料を作製した。また、エチルセルロース(ダウケミカル社製、商品名:工業用グレード スタンダード45cps)10質量%を、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート90質量%に溶解してビヒクルを作製した。なお、上記したエチルセルロースは、トルエン/エタノール=80/20の混合溶剤に、5質量%溶解した際の粘度が45mPa・sとなるものである。
表1および表2に示す封着材料、ビヒクルおよび分散剤を用いて、表1および表2に示す組成を有する封着材料ペーストを、例1と同様にして調製した。これらの封着材料ペーストを用いる以外は例1と同様にして、封止用基板に対する封着材料ペーストの塗布工程、封着材料層の形成工程、封止用基板と素子用半導体基板との封着工程を実施した。このような半導体デバイスの製造工程において、例1と同様にして、封着材料ペーストの塗布層の静置後の表面状態、半導体デバイスの気密封止状態を評価した。その結果を表1および表2に示す。
これに対して、例14の塗布層は、結晶化温度が低く、仮焼成によりフリットが結晶化し、ガラスの軟化流動が不十分であり、表面にメッシュ痕起因と考えられる凹凸が残留していた。
例15の塗布層は、TI値が低く、形状保持性が不十分であり、滲みが生じていた。
例16、例17の塗布層にはピンホールが多数存在していた。
このような例14〜例17の封着材料ペーストの塗布層を用いて製造した半導体デバイスは、いずれも気密性に劣るものであった。
Claims (10)
- 軟化点が415℃以下であると共に、結晶化ピーク温度と軟化点との差が80℃以上であり、少なくとも、実質的に鉛を含まないガラスフリットと0〜40体積%の範囲の無機充填材とを含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとを含む混合物である封着材料ペーストであって、
ずり速度が0.0001[s-1]における前記封着材料ペーストの粘度η0.0001[Pa・s]と、ずり速度が10[s-1]における前記封着材料ペーストの粘度η10[Pa・s]とから、下式(1)により求められるチキソトロピー指数TIが10〜1500の範囲である、封着材料ペースト。
TI=η0.0001/η10 …(1) - 前記封着材料ペーストの粘度η10が30〜200[Pa・s]の範囲である、請求項1に記載の封着材料ペースト。
- 前記ガラスフリットは、酸化ビスマスを含むビスマス系ガラスフリットである、請求項1または2に記載の封着材料ペースト。
- 前記有機樹脂は、セルロース系樹脂である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の封着材料ペースト。
- 前記セルロース系樹脂は、エチルセルロースおよび/またはニトロセルロースである、請求項4に記載の封着材料ペースト。
- 前記有機溶剤は、沸点が200℃以上300℃以下であると共に、少なくとも1つの水酸基を有するアルコール系溶剤である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の封着材料ペースト。
- 前記封着材料ペーストは、水酸基、アミノ基およびカルボキシル基からなる群より選ばれる少なくとも1つの官能基を有する有機化合物である分散剤を含有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の封着材料ペースト。
- 前記無機充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、ケイ酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、および石英固溶体からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる低膨張充填材を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の封着材料ペースト。
- 素子部と、前記素子部を囲むように設けられた第1の封止領域とを備える第1の表面を有する素子用半導体基板を用意する工程と、
前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域を備える第2の表面を有する封止用基板を用意する工程と、
前記素子用半導体基板の前記第1の封止領域、または前記封止用基板の前記第2の封止領域に、請求項1〜8のいずれか1項に記載の封着材料ペーストを塗布する工程と、
前記封着材料ペーストの塗布層を焼成して封着材料層を形成する工程と、
前記素子用半導体基板の前記第1の表面と前記封止用基板の前記第2の表面とを対向させつつ、前記封着材料層を介して前記素子用半導体基板と前記封止用基板とを積層する工程と、
前記素子用半導体基板と前記封止用基板との積層物を加熱し、前記封着材料層を溶融させて前記素子部を封止する封着層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記封着材料ペーストの塗布層を、前記ガラスフリットの軟化点以上450℃以下の範囲の温度で焼成する、請求項9に記載の半導体デバイスの製造方法。
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