JP5494831B2 - 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記した「第1のガラス基板を用意する工程」と「第2のガラス基板を用意する工程」とは、上記した順であっても良いし、逆の順でも良いし、また同時並行して行なってもよい。これらの工程に続く上記した「前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを積層する工程」と「封着層を形成する工程」とは、この順に行なわれる。
上記した数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含む意味で使用され、以下本明細書においても「〜」を同様の意味を持って使用される。
Bi2O3はガラスの網目を形成する成分である。Bi2O3の含有量が70質量%未満であると低融点ガラスの軟化点が高くなり、低温での封着が困難になる。Bi2O3の含有量が90質量%を超えるとガラス化しにくくなると共に、熱膨張係数が高くなりすぎる傾向がある。
SnOはガラスを低融点化させるための成分である。SnOの含有量が20モル%未満であると、ガラスの粘性が高くなって封着温度が高くなりすぎ、68モル%を超えるとガラス化しなくなる。
低膨張充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、石英固溶体、ソーダライムガラス、及び硼珪酸ガラスからなる群より選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましい。リン酸ジルコニウム系化合物としては、(ZrO)2P2O7、NaZr2(PO4)3、KZr2(PO4)3、Ca0.5Zr2(PO4)3、NbZr(PO4)3、Zr2(WO3)(PO4)2、及びこれらの複合化合物が挙げられる。低膨張充填材とは封着ガラスより低い熱膨張係数を有するものである。
σ=α・ΔT・E/(1−ν) …(1)
即ち、図2(b)に示すように、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3とを、それらの表面2a、3a同士が対向するように、封着材料層9を介して積層する。第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間には、封着材料層9の厚さに基づいて間隙が形成される。
まず、Bi2O3 83質量%、B2O3 5質量%、ZnO 11質量%、Al2O3 1質量%の組成を有し、平均粒径が1.0μmのビスマス系ガラスフリット(軟化点:410℃)と、低膨張充填材としてコージェライト粉末と、Fe2O3−Al2O3−MnO−CuO組成を有するレーザ吸収材粉末とを用意した。平均粒径は、レーザ回折・散乱法を用いる島津製作所社製、レーザ回折式粒度分布測定装置(商品名:SALD2100)で測定した。
なお、封着材料層の熱膨張係数α11は、上記封着材料ペーストを封着ガラスの転移点マイナス10℃から転移点マイナス50℃の温度範囲内(実施例1では300℃)で2時間焼成して溶剤とバインダ成分を除去し、封着ガラスの軟化点プラス30℃から結晶化点マイナス30℃の温度範囲内(実施例1では480℃)で10分焼結して得られた焼結体を研磨し、長さ20mm、直径5mmの丸棒を作製し、熱機械分析装置(リガク社製、装置名:TMA8310)にて測定した50〜250℃の温度範囲における平均線膨張係数値を示している。本明細書において、転移点は示差熱分析(DTA)の第1変曲点の温度で、軟化点は示差熱分析(DTA)の第4変曲点の温度で、結晶化点は示差熱分析(DTA)の結晶化起因の発熱がピークとなる温度で定義されるものである。
表1に示す粒子形状を有する無機充填材(実施例2においてはレーザ吸収材及び低膨張充填材を含む無機充填材、実施例3〜5においては、レーザ吸収材のみからなる無機充填材)を、表1に示す割合で実施例1と同組成のビスマス系ガラスフリットと混合して封着用ガラス材料を作製し、次いで実施例1と同様にビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製した。これら封着材料ペーストを用いて、実施例1と同様にして第2のガラス基板の封止領域に封着材料層を形成した。封着用ガラス材料内の無機充填材の表面積、封着材料層の熱膨張係数α11、ガラス基板の熱膨張係数α2との差、封着材料層の膜厚は、表1に示す通りである。
表2に示す粒子形状を有する無機充填材(レーザ吸収材及び低膨張充填材、またはレーザ吸収材のみ)を、表2に示す割合で実施例1と同組成のビスマス系ガラスフリットと混合して封着用ガラス材料を作製し、次いで実施例1と同様にビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製した。これら封着材料ペーストを用いて、実施例1と同様にして第2のガラス基板の封止領域に封着材料層を形成した。なお、比較例1、3〜5では、実施例1と同様な無アルカリガラスからなる第2のガラス基板を用いた。比較例2では、熱膨張係数α2(50〜250℃)が5×10−7/℃の石英ガラスからなる第2のガラス基板を用いた。封着用ガラス材料内の無機充填材の表面積、封着材料層の熱膨張係数α11、ガラス基板の熱膨張係数α2との差、封着材料層の膜厚は、表1に示す通りである。
この実施例では、封着ガラスのガラス成分のZnOの一部をBaOに置換し、Bi2O3 79.3質量%、B2O3 7.1質量%、ZnO 7.6質量%、BaO 5.6質量%、Al2O3 0.4質量%のビスマス系ガラスフリット(軟化点:430℃)を用いた。その他の条件は、実施例1と同様に素子領域をガラスパッケージで封止した電子デバイスを前述の特性評価に供した。その結果、外観に剥がれやクラックはなく気密性も優れていることを確認した。また、このガラスフリットは、上記置換により、結晶化ポテンシャルが下がり、レーザ封着時のガラスの流動性が向上し、レーザ加工温度を低下できるので、残留応力の低減効果も期待できる。
この実施例では、封着ガラスのガラス成分にAl2O3およびSiO2を微量添加し、Bi2O3 81.8質量%、B2O3 6.0質量%、ZnO 10.6質量%、SiO2 0.7質量%、Al2O3 0.9質量%の組成のビスマス系ガラスフリット(軟化点:430℃)を用いた。その他の条件は実施例1と同様に素子領域をガラスパッケージで封止した電子デバイスを前述の特性評価に供した。その結果、外観に剥がれやクラックはなく気密性も優れていることを確認した。また、このガラスフリットはAl2O3およびSiO2を微量添加することにより、結晶化ポテンシャルが下がり、レーザ封着時のガラスの流動性が向上し、レーザ加工温度を低下できるので、残留応力の低減効果も期待できる。
この実施例は、レーザ吸収材をFe2O3−Al2O3−MnO−Co2O3−SiO2組成を有するものに変更した以外は、実施例7と同様に素子領域をガラスパッケージで封止した電子デバイスを前述の特性評価に供した。その結果、外観に剥がれやクラックはなく気密性も優れていることを確認した。
本明細書において、第一のガラス基板および第二のガラス基板という表現を用いて本発明の電子デバイスの構成及び電子デバイスの製造方法について説明したが、これらの説明において、第一のガラス基板を第二のガラス基板に、また第二のガラス基板を第一のガラス基板に置き換えてもよく、本発明は同様である。上記実施例では、ガラス基板に一つの封止領域を備えたもので説明したが、ガラス基板に封止領域を複数形成したものにも適用できる。例えば、ガラス基板上に封止領域が3行3列に、合計九つ配置されたものである。このような場合には、一枚のガラス基板で九つの電子デバイスを形成することができる。
なお、2010年12月27日に出願された日本特許出願2010−291040号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
Claims (12)
- 封止領域を備える表面を有するガラス基板と、
前記ガラス基板の前記封止領域上に形成され、厚さが7μm未満であると共に、封着ガラスと、レーザ吸収材を含む無機充填材とを含有する封着用ガラス材料を焼成した材料からなる封着材料層とを具備する封着材料層付きガラス部材であって、
前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記無機充填材を2〜44体積%の範囲で含有し、かつ前記封着用ガラス材料における、前記無機充填材の比表面積、前記無機充填材の比重、及び前記無機充填材の含有量の積により求められる前記無機充填材の表面積が6m2/cm3を超えて14m2/cm3未満の範囲であり、
前記封着材料層の材料の熱膨張係数α11と前記ガラス基板の熱膨張係数α2との差が15〜70(×10−7/℃)の範囲であることを特徴とする封着材料層付きガラス部材。 - 前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記レーザ吸収材を2〜40体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項1記載の封着材料層付きガラス部材。
- 前記無機充填材は、さらに低膨張充填材を含み、かつ前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記低膨張充填材を0.1〜40体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項1又は2記載の封着材料層付きガラス部材。
- 前記レーザ吸収材は、Fe、Cr、Mn、Co、Ni、及びCuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、又は前記金属を含む化合物の少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材。
- 前記低膨張充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、石英固溶体、ソーダライムガラス、及び硼珪酸ガラスからなる群より選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材。
- 前記ガラス基板は無アルカリガラス又はソーダライムガラスからなり、かつ前記封着ガラスはビスマス系ガラス又は錫−リン酸系ガラスからなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材。
- 第1の封止領域を備える第1の表面を有する第1のガラス基板と、
前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域を備える第2の表面を有し、前記第2の表面が前記第1の表面と対向するように配置された第2のガラス基板と、
前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間に設けられた電子素子部と、
前記電子素子部を封止するように、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域と前記第2のガラス基板の前記第2の封止領域との間に形成され、厚さが7μm未満であると共に、封着ガラスとレーザ吸収材を含む無機充填材とを含有する封着用ガラス材料を溶融及び固化させた材料からなる封着層とを具備し、
前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記無機充填材を2〜44体積%の範囲で含有し、かつ前記封着用ガラス材料における、前記無機充填材の比表面積、前記無機充填材の比重、及び前記無機充填材の含有量の積により求められる前記無機充填材の表面積が6m2/cm3を超えて14m2/cm3未満の範囲であり、
前記封着層の材料の熱膨張係数α12と前記第1のガラス基板及び前記第2のガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板の熱膨張係数α2との差が15〜70(×10−7/℃)の範囲であることを特徴とする電子デバイス。 - 前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記レーザ吸収材を2〜40体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項7記載の電子デバイス。
- 前記無機充填材は、さらに低膨張充填材を含み、かつ前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記低膨張充填材を0.1〜40体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項7又は8記載の電子デバイス。
- 第1の封止領域を備える第1の表面を有する第1のガラス基板を用意する工程と、前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域と、前記第2の封止領域上に形成され、厚さが7μm未満であると共に、封着ガラスとレーザ吸収材を含む無機充填材とを含有する封着用ガラス材料を焼成した材料からなる封着材料層とを備える第2の表面を有する第2のガラス基板を用意する工程と、
前記第1の表面と前記第2の表面とを対向させつつ、前記封着材料層を介して前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを積層する工程と、
前記第1のガラス基板又は前記第2のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射し、前記封着材料層を溶融及び固化させて、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間に設けられた電子素子部を封止する封着層を形成する工程とを具備し、
前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記無機充填材を2〜44体積%の範囲で含有し、かつ前記封着用ガラス材料における、前記無機充填材の比表面積、前記無機充填材の比重、及び前記無機充填材の含有量の積により求められる前記無機充填材の表面積が6m2/cm3を超えて14m2/cm3未満の範囲であり、
前記封着材料層の材料の熱膨張係数α11と前記第1のガラス基板及び前記第2のガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板の熱膨張係数α2との差が15〜70(×10−7/℃)の範囲であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記レーザ吸収材を2〜40体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項10記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記無機充填材は、さらに低膨張充填材を含み、かつ前記封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと前記無機充填材との合計量に対して、前記低膨張充填材を0.1〜40体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項10又は11記載の電子デバイスの製造方法。
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