JP2013179206A - 2軸駆動機構及びダイボンダ - Google Patents
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Abstract
本発明は、簡単な構成でY(水平)軸による振動を低減できる、又は、昇降軸の高速化を実現できる、Z軸を含む2軸駆動機構及びそれを用いたダイボンダを提供することにある。
【解決手段】
本発明は、処理部と、前記処理部を第1のリニアガイドに沿って昇降する第1の可動部と第1の固定部とを備える第1のリニアモータと、前記処理部を前記昇降する方向とは垂直な水平方向に移動させる第2の可動部と第2の固定部とを備える第2のリニアモータと、前記第1の固定部を固定する支持体と、前記支持体と前記第2の固定部と間に設けられ、前記第2の固定部を自由に移動させる第2のリニアガイドと、前記支持体に対する前記第1の可動部の前記水平方向の位置を検出するリニアセンサの出力に基づいて、前記第1の可動部の前記水平方向の位置を制御する制御部と、を有する。
【選択図】図2
Description
一般的に装置を高速化すると、高速移動物体による振動が大きくなり、この振動によって装置が目的とする精度を得るのが困難になる。
本発明は、処理部と、前記処理部を第1のリニアガイドに沿って昇降する第1の可動部と第1の固定部とを備える第1のリニアモータと、前記処理部を前記昇降する方向とは垂直な水平方向に移動させる第2の可動部と第2の固定部とを備える第2のリニアモータと、前記第1の固定部を固定する支持体と、前記支持体と前記第2の固定部と間に設けられ、前記第2の固定部を自由に移動させる第2のリニアガイドと、前記支持体に対する前記第1の可動部の前記水平方向の位置を検出するリニアセンサと、前記リニアセンサの出力に基づいて、前記第1の可動部の前記水平方向の位置を制御する制御部と、を有することを第1の特徴とする。
さらに、本発明は、前記第1の可動部は、前記第2可動部と対して垂直に設けられ、前記第2のリニアガイドと前記第3のリニアガイドとは互いに平行に設けられたことを第3の特徴とする。
さらに、本発明は、前記第1の可動部は前記第2可動部と対して平行に設けられ、前記第1の固定部も前記第2固定部に対し平行に設けられたことを第5の特徴とする。
さらに、本発明は、前記第1の可動部に前記昇降する方向にN極、S極交互に複数組設けられた電磁石は、前記水平方向の所定に領域に設けられている
ことを第7の特徴とする。
さらに、本発明は、前記処理部はダイをウェハからピックアップし基板にボンディングするボンディングヘッド又は前記基板にダイ接着剤を塗布するニードルであることを第9の特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態であるダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダは大別してウェハ供給部1と、ワーク供給・搬送部2と、ダイボンディング部3と、これらの状態を監視し、制御する制御部7とを有する。
ダイボンディング部3はプリフォーム部(ダイペースト塗布装置)31とボンディングヘッド部32とを有する。プリフォーム部31はフレームフィーダ22により搬送されてきたワーク、例えばリードフレームにニードルでダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部32は、ピックアップ装置12からダイをピックアップして上昇し、ダイをフレームフィーダ22上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部32はボンディングポイントでダイを下降させ、ダイ接着剤が塗布されたワーク上にダイをボンディングする。
また、Y駆動軸40は、前記配列方向に少なくとも1組のN極とS極の電磁石を有し、逆コの字状の凹部に挿入され凹部内を移動するY軸可動部41と、Y軸可動部41を支持する連結部61に固定され、連結部と下部の支持体62cとの間に設けられたY軸リニアガイド43を備えるY軸ガイド部44と、Y軸ガイド部、即ち後述するボンディングヘッド35のY方向の位置を検出するリニアスセンサ71と、を有する。
Y駆動軸40の負荷は、Y軸可動部41と一体となって移動する可動一体部である。可動一体部は、図2において、Y軸可動部41と、連結部61と、Y軸ガイド部44と、Z軸可動部51と、Z軸リニアガイド53、ボンディングヘッド35及び回転駆動部80(図3参照)である。
αf×Mf=αm×Mm (1)
図1に示すように、Y軸固定部42、即ち固定一体部をY駆動軸40略全域に亘って設けているので、固定一体部の質量Mfは、可動一体部の質量Mmに比べて大きな値になる。それ故、可動一体部と固定一体部は互いに反対方向に移動するが、可動一体部の移動量が大きくなり、ボンディングヘッド35は、所定方向に移動できる。例えば、Mf/Mm=10ならば、図4では、ボンディングヘッド35が右方向に10進み、固定一体部側が1反対方向に進む。従って、ボンディングヘッド35は、支持体62に対して9右方向に移動できる。目的位置への移動制御は、リニアセンサ71の出力に基づいて、位置制御又は速度制御などで行なうことができる。この制御は、本実施形態では制御部7で行う。
その他の点は第1の実施形態60Aと同じである。
3:ダイボンディング部 7:制御部
10:ダイボンダ 31:プリフォーム部
32:ボンディングヘッド部 35:ボンディングヘッド
40:Y駆動軸 41:Y軸可動部
42:Y軸固定部 43:Y軸リニアガイド
44:Y軸ガイド部 45:Y軸可動部固定部
46:リニアガイド 47、47d、47u:固定磁石部
48:Y軸固定部リニアガイド 50:Z駆動軸
51:Z軸可動部 52:Z軸固定部
53:Z軸リニアガイド 57、57h、57m:固定磁石部
60、60A、60B:ZY駆動軸 61:連結部
62、62a、62b、62c、62d:支持体
70:X駆動軸 71:リニアセンサ
80:回転駆動部
Claims (11)
- 処理部と、
前記処理部を第1のリニアガイドに沿って昇降する第1の可動部と第1の固定部とを備える第1のリニアモータと、前記処理部を前記昇降する方向とは垂直な水平方向に移動させる第2の可動部と第2の固定部とを備える第2のリニアモータと、
前記第1の固定部を固定する支持体と、
前記支持体と前記第2の固定部と間に設けられ、前記第2の固定部を自由に移動させる第2のリニアガイドと、
前記支持体に対する前記第1の可動部の前記水平方向の位置を検出するリニアセンサと、
前記リニアセンサの出力に基づいて、前記第1の可動部の前記水平方向の位置を制御する制御部と、
を有することを特徴とする2軸駆動機構。 - 前記第1の可動部と前記第2の可動部とを、前記第1のリニアガイドを介して直接的又は間接的に連結する連結部と、前記第1の可動部、前記第2の可動部及び前記連結部を一体となって前記水平方向に移動させる第3のリニアガイドと、を有することを特徴とする請求項1に記載の2軸駆動機構。
- 前記第1の可動部は、前記第2の可動部と対して垂直に設けられ、前記第2のリニアガイドと前記第3のリニアガイドとは互いに平行に設けられたことを特徴とする請求項2に記載の2軸駆動機構。
- 前記第2のリニアガイドと前記第3のリニアガイドと同一であることを特徴とする請求項3に記載の2軸駆動機構。
- 前記第1の可動部は前記第2の可動部と対して平行に設けられ、前記第1の固定部も前記第2固定部に対し平行に設けられたことを特徴とする請求項2に記載の2軸駆動機構。
- 前記第2のリニアガイドを固定する前記支持体と前記連結部との間に第4のリニアガイドを設けたことを特徴とする請求項5に記載の2軸駆動機構。
- 前記第1の可動部に前記昇降する方向にN極、S極交互に複数組設けられた磁石は、前記水平方向の所定に領域に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の2軸駆動機構。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の2軸駆動機構を備え、前記処理部によって基板に処理することを特徴とするダイボンダ。
- 前記処理部はダイをウェハからピックアップし前記基板にボンディングするボンディングヘッドであることを特徴とする請求項8に記載のダイボンダ。
- 請求項7に記載の前記所定に領域は、前記ピックアップする領域及び前記ボンディングする領域であることを特徴とする請求項9に記載のダイボンダ。
- 前記処理部は、前記基板にダイ接着剤を塗布するニードルであることを特徴とする請求項8に記載のダイボンダ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021022705A (ja) * | 2019-07-30 | 2021-02-18 | キヤノンマシナリー株式会社 | 駆動装置、ダイボンダ、及びボンディング方法 |
JP2021027126A (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-22 | キヤノンマシナリー株式会社 | 駆動装置、ダイボンダ、ボンディング方法、及び半導体素子製造方法 |
KR20220020784A (ko) | 2020-08-12 | 2022-02-21 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6276545B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2018-02-07 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ |
US11557954B2 (en) * | 2017-10-27 | 2023-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Transport system, processing system, and article manufacturing method |
CN114639620B (zh) * | 2022-02-28 | 2024-09-10 | 马丁科瑞半导体技术(南京)有限公司 | 一种提高固晶机贴装芯片位置精度的设备及其方法 |
CN115623697B (zh) * | 2022-12-06 | 2023-04-07 | 常州铭赛机器人科技股份有限公司 | 芯片贴装机构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0951007A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンド装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006324598A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Shinkawa Ltd | チップボンディング装置 |
JP2009105352A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-14 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 作業装置及び部品実装装置 |
JP2010129913A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
JP2011233578A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 反動吸収装置及び半導体組立装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08257864A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 送り軸機構 |
CN1164372C (zh) * | 1995-07-24 | 2004-09-01 | 松下电器产业株式会社 | 电子电路板用结合剂涂敷方法 |
JP3149782B2 (ja) * | 1996-05-07 | 2001-03-26 | 松下電器産業株式会社 | ダイボンディング装置およびダイボンディング方法 |
JP2981999B1 (ja) * | 1998-06-16 | 1999-11-22 | 株式会社新川 | 半導体製造装置におけるモータ駆動装置及びxyテーブル |
EP1003212A3 (en) * | 1998-11-18 | 2003-11-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of and apparatus for bonding light-emitting element |
JP4136363B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置及びそれを用いた露光装置 |
TWI307526B (en) * | 2002-08-06 | 2009-03-11 | Nikon Corp | Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device |
JP2004071818A (ja) | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Nikon Corp | 支持装置およびステージ装置並びに露光装置 |
JP4309680B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2009-08-05 | キヤノンマシナリー株式会社 | 反力減衰駆動装置 |
JP4485550B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2010-06-23 | 住友重機械工業株式会社 | 反力処理装置 |
US20090201484A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-08-13 | Nikon Corporation | Utilities supply member connection apparatus, stage apparatus, projection optical system support apparatus and exposure apparatus |
KR100844346B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2008-07-08 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 본딩 장비의 제어방법 |
TWI377662B (en) * | 2008-12-24 | 2012-11-21 | Powertech Technology Inc | Multiple flip-chip package |
JP5375133B2 (ja) | 2009-01-28 | 2013-12-25 | パナソニック株式会社 | 部品実装装置 |
US8544317B2 (en) * | 2009-10-09 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus with simultaneously movable stages |
JP2013026267A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 2軸駆動機構及びダイボンダ並びにダイボンダの運転方法 |
JP2013026268A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 2軸駆動機構及びダイボンダ |
JP5997448B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2016-09-28 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
-
2012
- 2012-02-29 JP JP2012042896A patent/JP5941705B2/ja active Active
- 2012-08-08 TW TW101128588A patent/TWI508209B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-16 US US13/587,101 patent/US9324679B2/en active Active
- 2012-08-16 CN CN201210292617.6A patent/CN103295932B/zh active Active
- 2012-08-17 KR KR1020120089974A patent/KR101467632B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0951007A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | ダイボンド装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006324598A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Shinkawa Ltd | チップボンディング装置 |
JP2009105352A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-14 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 作業装置及び部品実装装置 |
JP2010129913A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
JP2011233578A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 反動吸収装置及び半導体組立装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021022705A (ja) * | 2019-07-30 | 2021-02-18 | キヤノンマシナリー株式会社 | 駆動装置、ダイボンダ、及びボンディング方法 |
JP7454925B2 (ja) | 2019-07-30 | 2024-03-25 | キヤノンマシナリー株式会社 | 駆動装置、ダイボンダ、及びボンディング方法 |
JP2021027126A (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-22 | キヤノンマシナリー株式会社 | 駆動装置、ダイボンダ、ボンディング方法、及び半導体素子製造方法 |
JP7398896B2 (ja) | 2019-08-02 | 2023-12-15 | キヤノンマシナリー株式会社 | 駆動装置、ダイボンダ、ボンディング方法、及び半導体素子製造方法 |
KR20220020784A (ko) | 2020-08-12 | 2022-02-21 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US12068275B2 (en) | 2020-08-12 | 2024-08-20 | Fasford Technology Co., Ltd. | Die bonding apparatus and manufacturing method for semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103295932B (zh) | 2016-03-23 |
JP5941705B2 (ja) | 2016-06-29 |
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US20130221764A1 (en) | 2013-08-29 |
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