JP2013161976A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013161976A5 JP2013161976A5 JP2012023333A JP2012023333A JP2013161976A5 JP 2013161976 A5 JP2013161976 A5 JP 2013161976A5 JP 2012023333 A JP2012023333 A JP 2012023333A JP 2012023333 A JP2012023333 A JP 2012023333A JP 2013161976 A5 JP2013161976 A5 JP 2013161976A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser
- condensing means
- processing method
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることが好ましい。
本発明に係る基板加工方法は、結晶基板を加工する基板加工方法であって、レーザ光源からのレーザ光を基板の表面に向けて照射し、前記基板内部にレーザ光を集光するレーザ集光手段を基板上に非接触に配置する位置決め工程と、前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に改質層を形成する工程とを有し、前記レーザ集光手段は、レーザ光を光軸に軸対称に集光するとともに、前記基板内部において、前記レーザ集光手段の外周部に入射した光が、前記レーザ集光手段の内周部に入射した光より、前記レーザ集光手段側で集光するように構成されているものである。
〔照射例１〕
基板内部加工装置１００において、ｘ軸、ｙ軸方向にそれぞれ最大速度２００ｍｍ／ｓで移動可能なｘｙステージ１１０上に、大きさ５０×５０ｍｍ、厚み０．７ｍｍ、表面が鏡面仕上げ加工された単結晶シリコンからなる基板１０を載置固定した。
基板内部加工装置１００において、ｘ軸、ｙ軸方向にそれぞれ最大速度２００ｍｍ／ｓで移動可能なｘｙステージ１１０上に、大きさ５０×５０ｍｍ、厚み０．７ｍｍ、表面が鏡面仕上げ加工された単結晶シリコンからなる基板１０を載置固定した。
この基板１０を直線状の照射方向に直角に劈開を行い、断面を観察した。この結果、図１５に示すように、基板１０鏡面仕上げ側表面から０．３ｍｍの深さにそれぞれ加工領域の長さが７０μｍのほぼ同じ加工痕を確認した。なお、図中の左側及び右側の加工痕は、それぞれ補正環２１０を０．０ｍｍ及び０．３ｍｍを設定したときに対応している。なお、この加工跡は、前述した周期的構造に相当するものである。
Claims (3)
- 前記基板の表面は、鏡面仕上げであることを特徴とする請求項１記載の基板加工装置。
- 結晶基板を加工する基板加工方法であって、
レーザ光源からのレーザ光を基板の表面に向けて照射し、前記基板内部にレーザ光を集光するレーザ集光手段を基板上に非接触に配置する位置決め工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に改質層を形成する工程とを有し、
前記レーザ集光手段は、レーザ光を光軸に軸対称に集光するとともに、前記基板内部において、前記レーザ集光手段の外周部に入射した光が、前記レーザ集光手段の内周部に入射した光より、前記レーザ集光手段側で集光するように構成されていることを特徴とする基板加工方法。 - 前記改質層は、前記基板の表面と平行に形成されることを特徴とする請求項１０記載の基板加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012023333A JP5995045B2 (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 基板加工方法及び基板加工装置 |
| PCT/JP2013/052322 WO2013118645A1 (ja) | 2012-02-06 | 2013-02-01 | 基板加工方法及び基板加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012023333A JP5995045B2 (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 基板加工方法及び基板加工装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016157819A Division JP6202694B2 (ja) | 2016-08-10 | 2016-08-10 | 基板加工方法及び基板加工装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013161976A JP2013161976A (ja) | 2013-08-19 |
| JP2013161976A5 true JP2013161976A5 (ja) | 2014-11-13 |
| JP5995045B2 JP5995045B2 (ja) | 2016-09-21 |
Family
ID=48947409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012023333A Active JP5995045B2 (ja) | 2012-02-06 | 2012-02-06 | 基板加工方法及び基板加工装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5995045B2 (ja) |
| WO (1) | WO2013118645A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015123466A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 信越ポリマー株式会社 | 基板加工装置及び基板加工方法 |
| JP2015123465A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 信越ポリマー株式会社 | 基板加工装置及び基板加工方法 |
| DE102015000449A1 (de) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung |
| JP6381110B2 (ja) * | 2014-04-16 | 2018-08-29 | 信越ポリマー株式会社 | 基板加工方法及び基板 |
| CN107000125B (zh) | 2014-11-27 | 2022-08-12 | 西尔特克特拉有限责任公司 | 基于激光器的分离方法 |
| SG11201704275UA (en) * | 2014-11-27 | 2017-06-29 | Siltectra Gmbh | Splitting of a solid using conversion of material |
| JP7017728B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2022-02-09 | 国立大学法人埼玉大学 | 結晶基板および結晶基板加工方法 |
| JP2020141009A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 基板材料およびレーザ加工方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4954653B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP2009200383A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 基板分割方法、及び表示装置の製造方法 |
| JP5645000B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-12-24 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板加工方法 |
| JP5770436B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2015-08-26 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置およびレーザー加工方法 |
-
2012
- 2012-02-06 JP JP2012023333A patent/JP5995045B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-01 WO PCT/JP2013/052322 patent/WO2013118645A1/ja active Application Filing
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013161976A5 (ja) | ||
| JP2013161820A5 (ja) | ||
| SG10201402092YA (en) | Laser processing method | |
| JP6901470B2 (ja) | 粉末床レーザー溶融による積層造形システム及び積層造形プロセス | |
| JP2006114627A5 (ja) | ||
| TWI627009B (zh) | 雷射加工裝置、及雷射加工方法 | |
| TWI706821B (zh) | 雷射加工裝置 | |
| KR20150138827A (ko) | 칩 제조 방법 | |
| JP5995045B2 (ja) | 基板加工方法及び基板加工装置 | |
| JP2006167804A5 (ja) | ||
| TW201109113A (en) | Laser machining method | |
| JP2015123466A (ja) | 基板加工装置及び基板加工方法 | |
| JP2011110598A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
| JP2013130856A5 (ja) | ||
| TW201635358A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| JP6083284B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2006332556A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP2010201479A (ja) | レーザ光加工装置及びレーザ光加工方法 | |
| JP2018186163A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| TW201625374A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| KR101401486B1 (ko) | 레이저 가공방법 | |
| JP5940896B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
| JP2011056529A (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2019102468A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| KR101243269B1 (ko) | 레이저 가공 시스템 및 이를 이용한 레이저 가공 방법 |