JP2013153195A - 発光素子パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子のパッケージを提供する。
【解決手段】発光素子(312)と、相互に離れて備えられ、その各々が発光素子と電気的に連結されるように発光素子に付着されるものであって、発光素子に電圧を印加して発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極(316A,316B)と、を備える発光素子。
【選択図】図6
【解決手段】発光素子(312)と、相互に離れて備えられ、その各々が発光素子と電気的に連結されるように発光素子に付着されるものであって、発光素子に電圧を印加して発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極(316A,316B)と、を備える発光素子。
【選択図】図6
Description
本発明は、発光素子パッケージに係り、詳細には、ヒートシンクの機能を伴う電極を備えることによって、小型化を具現しうる発光素子パッケージに関する。
発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)またはレーザーダイオード(LD:Laser Diode)などの発光素子をパッケージングするために、従来はワイヤーボンディングが主に使われた。
図1は、ワイヤーボンディングを用いて製作された従来の発光素子パッケージの部分断面図である。図1を参照すれば、発光素子12は、その下部に備えられて、前記発光素子12から発生する熱を放熱させるヒートシンク14に付着される。そして、前記発光素子12の上面は、金(Au)からなるボンディングワイヤー18によってパッケージハウジング10に備えられた電極16に連結される。しかし、前記のような発光素子パッケージは、ワイヤーボンディング工程のために、小型化の具現が難しいという短所がある。最近では、発光素子とサブマウントを直接連結するフリップチップボンディングが脚光を浴びている。しかし、ワイヤーボンディング工程は依然として適用されている。
本発明は、ヒートシンクの機能を伴う電極を備えることによって、小型化を具現しうる改善された構造の発光素子パッケージを提供するところにその目的がある。
前記目的を達成するために、本発明の第1の構成である発光素子パッケージは、発光素子と、前記発光素子と電気的に連結されるように前記発光素子に付着されるサブマウントと、相互に離れて備えられ、その各々が前記サブマウントに付着されるものであって、前記発光素子に電圧を印加して前記発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極と、前記サブマウントと第1電極、及び前記サブマウントと第2電極を、各々電気的に連結させるボンディングワイヤーと、を備える。
前記発光素子とサブマウントは、ボンディングメタルまたは導電性接着剤によって接着されることが望ましい。ここで、前記ボンディングメタルは、ソルダ、金(Au)または銅(Cu)であることが望ましい。
そして、前記サブマウントと第1電極、及び前記サブマウントと第2電極は、各々熱伝導性物質によって接着されることが望ましい。
前記サブマウントに付着される前記第1及び第2電極の表面には、各々銀(Ag)またはアルミニウム(Al)からなる反射層がコーティングされうる。
前記第1及び第2電極は、耐熱性絶縁物質からなるパッケージハウジングによって支持されることが望ましい。
本発明の第2の構成である発光素子パッケージは、発光素子と、前記発光素子と電気的に連結されるように前記発光素子に付着されるサブマウントと、相互に離れて備えられ、その各々が前記サブマウントと電気的に連結されるように前記サブマウントに付着されるものであって、前記発光素子に電圧を印加して前記発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極と、を備える。
前記サブマウントには、前記第1及び第2電極に各々対応する少なくとも1つの第1及び第2ビアホールが形成されており、前記第1及び第2ビアホールの内部には、熱伝導性の導電性物質からなる第1及び第2充填材が備えられうる。
ここで、前記第1及び第2充填材は、純金属または合金からなることができる。
本発明の第3の構成である発光素子パッケージは、発光素子と、相互に離れて備えられ、その各々が前記発光素子と電気的に連結されるように前記発光素子に付着されるものであって、前記発光素子に電圧を印加して前記発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極と、を備える。
本発明によれば、発光素子に電圧を印加すると同時に、発光素子から発生した熱を放熱させる役割も行う2個の電極を備えることによって、発光素子パッケージを小型化し、また簡単な工程で発光素子パッケージを製作しうる。そして、発光素子を2つの電極に直接付着すれば、さらに小型化された発光素子パッケージを製作しうる。
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。図面において同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
図2は、本発明の第1実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す断面図である。
図2を参照すれば、本発明の第1実施形態による発光素子パッケージは、発光素子112と、前記発光素子112の下部に備えられるサブマウント120と、前記サブマウント120の下部に備えられる第1及び第2電極116a、116bと、前記第1及び第2電極116a、116bを各々前記サブマウント120に電気的に連結するボンディングワイヤー118a、118bを備える。
前記発光素子112は、発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)のような半導体素子になりうる。ここで、前記発光素子112は、光を発光素子の上面から出射させることが望ましい。 前記発光素子112は、フリップチップボンディングによってサブマウント120に付着される。具体的に、前記発光素子112に備えられた電極(図示せず)が各々ボンディングメタル122a、122bによってサブマウント120と電気的に連結されるように接着される。ここで、前記ボンディングメタル122a、122bは、Au−Sn合金、Sn−Ag合金からなるソルダまたはAu、Cuなどの金属であり得る。一方、前記発光素子112は、導電性接着剤によってサブマウント120に接着されうる。
前記サブマウント120は、第1及び第2電極116a、116bに付着される。前記第1及び第2電極116a、116bは、相互に離れて備えられ、前記発光素子112に電圧を印加すると同時に、前記発光素子112から発生する熱を放熱させる役割を果たす。ここで、前記第1及び第2電極116a、116bは、各々サブマウント120と熱伝導性物質124a、124bによって接着されうる。
前記第1及び第2電極116a、116bは、各々ボンディングワイヤー118a、118bによってサブマウント120と電気的に連結される。ここで、前記ボンディングワイヤー118a、118bは、Auのような電気伝導性に優れた物質からなりうる。一方、前記サブマウント120上には、第1及び第2電極116a、116bがボンディングワイヤー118a、118bを通じて発光素子112に電気的に連結されるように配線層がパターニングされている。
前記サブマウント120が付着される第1及び第2電極116a、116bの表面には、各々発光素子112に発生した光を反射させて発光素子112の上部に向かわせる反射層130a、130bがコーティングされることが望ましい。ここで、前記反射層130a、130bは、AgまたはAlからなりうる。
前記第1及び第2電極116a、116bは、パッケージハウジング110によって支持される。ここで、前記パッケージハウジング110は、高温で安定した物質やセラミックのような耐熱性絶縁物質からなることが望ましい。一方、前記パッケージハウジング110は、前記第1及び第2電極116a、116b間にも備えられて、前記第1電極116aと第2電極116bとの間を電気的に絶縁させる。
このように、本実施形態では、発光素子112に電圧を印加する第1及び第2電極116a、116bが、前記発光素子112から発生する熱を放熱させる機能も共に担えるようにすることによって、パッケージを小型化させうる。
図3は、本発明の第2実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す断面図である。そして、図4は、図3に示されたサブマウントの平面を示す図面である。
図3及び図4を参照すれば、本発明の第2実施形態による発光素子パッケージは、発光素子212と、前記発光素子212の下部に備えられるサブマウント220と、前記サブマウント220の下部に備えられる第1及び第2電極216a、216bを備える。
ここで、前記発光素子212は、前述したように、発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)のような半導体素子になりうる。そして、このような発光素子212は、フリップチップボンディングによってサブマウント220に付着される。
前記サブマウント220には、第1及び第2ビアホール227a、227bが貫通して形成されている。ここで、前記第1及び第2ビアホール227a、227bは、前記第1及び第2電極216a、216bに各々対応するように形成される。そして、前記第1及び第2ビアホール227a、227bの内部には、各々高い熱伝導性を有する導電性物質からなる第1及び第2充填材225a、225bが備えられている。ここで、前記第1及び第2充填材225a、225bは、純金属または合金からなりうる。
そして、前記発光素子212とサブマウント220を電気的に連結するように接着させるために前記第1及び第2充填材225a、225bと発光素子212との間には、各々ボンディングメタル222a、222bが介在されている。ここで、前記ボンディングメタル222a、222bは、Au−Sn合金、Sn−Ag合金からなるソルダまたはAu、Cuのような金属であり得る。一方、前記第1及び第2充填材225a、225bと発光素子212との間には、導電性接着剤が介在されることもある。
前記サブマウント220は、第1及び第2電極216a、216bに付着される。前記第1及び第2電極216a、216bは相互離れて備えられ、前記サブマウント220を通じて前記発光素子212に電圧を印加すると同時に、前記発光素子212から発生する熱を放熱させる役割を果たす。このために前記第1充填材225aと第1電極216aとの間、及び第2充填材225bと第2電極216bとの間には、各々ボンディングメタル224a、224bが介在されている。ここで、前記ボンディングメタル224a、224bは、Au−Sn合金、Sn−Ag合金からなるソルダまたはAu、Cuのような金属であり得る。一方、前記第1充填材225aと第1電極216aとの間及び第2充填材225bと第2電極216bとの間には、導電性接着剤が介在されることもある。ここで、前記サブマウント220の上面及び下面に備えられる接合物質が同じ材質からなる場合には、一回の工程で発光素子212、サブマウント220、第1及び第2電極216a、216bを接着させうる。
前記サブマウント220が付着される第1及び第2電極216a、216bの表面には、各々発光素子212に発生した光を反射させて発光素子212の上部に向かわせる反射層230a、230bがコーティングされることが望ましい。ここで、前記反射層230a、230bは、AgまたはAlからなりうる。
前記第1及び第2電極216a、216bは、パッケージハウジング210によって支持される。ここで、前記パッケージハウジング210は、高温で安定した物質やセラミックのような耐熱性絶縁物質からなることが望ましい。一方、前記パッケージハウジング210は、前記第1及び第2電極216a、216b間にも備えられて前記第1電極216aと第2電極216bとの間を電気的に絶縁させる。
本実施形態のようにサブマウント220にビアホール227a、227bを形成し、その内部に充填材225a、225bを用意すれば、前述した実施形態のようなワイヤーボンディング工程は不要なので、簡単な工程で発光素子パッケージを製作できるようになる。
一方、以上では図4に示されたように、サブマウント220に四角形の断面形状を有する第1及び第2ビアホール227a、227bが各々1つずつ形成された場合が示されているが、本実施形態は、これに限定されず、ビアホールの数及び形状を多様に変更させうる。したがって、図5に示されたように、サブマウント220には、円形の断面形状を有する第1及び第2ビアホール227’a、227’bが各々複数個形成されうる。この際、前記第1及び第2ビアホール227’a、227’bの内部には、各々高い熱伝導性を有する導電性物質からなる第1及び第2充填材225’a、225’bが備えられる。
図6は、本発明の第3実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す断面図である。
図6を参照すれば、本発明の第3実施形態による発光素子パッケージは、発光素子312と、前記発光素子312の下部に備えられて、前記発光素子312が付着される第1及び第2電極316a、316bを備える。
ここで、前記発光素子312は、前述したように、発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)などの半導体素子になりうる。そして、このような発光素子312は、フリップチップボンディングによって前記第1及び第2電極316a、316bに付着される。
前記第1及び第2電極316a、316bは、相互に離れて備えられ、前記発光素子312に電圧を印加すると同時に、前記発光素子312から発生する熱を放熱させる役割を果たす。このために前記発光素子312と第1電極316aとの間、及び発光素子312と第2電極316bとの間には、各々ボンディングメタル335a、335bが介在されている。ここで、前記ボンディングメタル335a、335bは、Au−Sn合金、Sn−Ag合金からなるソルダまたはAu、Cuのような金属でありうる。一方、前記発光素子312は、導電性接着剤によって前記第1及び第2電極316a、316bに接着されうる。
前記発光素子312が付着される第1及び第2電極316a、316bの表面には各々発光素子312に発生した光を反射させて発光素子312の上部に向かわせる反射層330a、330bがコーティングされることが望ましい。ここで、前記反射層330a、330bは、AgまたはAlからなりうる。
前記第1及び第2電極316a、316bは、パッケージハウジング310によって支持される。ここで、前記パッケージハウジング310は、高温で安定した物質やセラミックのような耐熱性絶縁物質からなることが望ましい。一方、前記パッケージハウジング310は、前記第1及び第2電極316a、316b間にも備えられて、前記第1電極316aと第2電極316bとの間を電気的に絶縁させる。
前述したように、本実施形態では、前述した実施形態でのサブマウントを除去し、発光素子312を直接第1及び第2電極316a、316bに付着することによって、簡単な工程で発光素子パッケージを製作し、また発光素子パッケージをさらに小型化させうる。
前述したように本発明による望ましい実施形態を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により決まらねばならない。
本発明は、発光ダイオードまたはレーザーダイオードのような発光素子のパッケージに関する技術分野に好適に適用しうる。
310 パッケージハウジング、
312 発光素子、
316a、316b 第1及び第2電極、
330a、330b 反射層、
335a、335b ボンディングメタル。
312 発光素子、
316a、316b 第1及び第2電極、
330a、330b 反射層、
335a、335b ボンディングメタル。
前記目的を達成するために、本発明の発光素子パッケージは、発光素子と、前記発光素子と電気的に連結されるように前記発光素子に付着されるサブマウントと、前記サブマウントの下に位置し、電気的絶縁性を有する耐熱性部材からなるパッケージハウジングと、相互に離れて備えられ、前記パッケージハウジングを貫通するように形成され、その各々が前記サブマウントに付着されるものであって、前記発光素子に電圧を印加して前記発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極と、前記サブマウントに付着される前記第1及び第2電極の表面に各々コーティングされる反射層と、を備え、前記第1及び第2電極は前記パッケージハウジングの上面と垂直な方向に形成され、前記パッケージハウジングの下面に沿って各々別の方向に引き出される部分を有し、前記第1及び第2電極は前記発光素子と垂直な方向に重畳される第1領域と前記発光素子と垂直な方向に重畳されない第2領域を有し、前記第1及び第2領域はパッケージハウジングの上面と下面を貫通して形成されることを特徴とする。
前記発光素子と前記サブマウントとは、ボンディングメタルまたは導電性接着剤によって接着されることを特徴とする。
前記サブマウントには、前記第1及び第2電極に各々対応する少なくとも1つの第1及び第2ビアホールが形成されており、前記第1及び第2ビアホール内には熱伝導性の導電性物質からなる第1及び第2充填材が備えられることを特徴とする。
前記第1及び第2充填材は、純金属または合金からなることを特徴とする。
前記第1及び第2充填材と前記発光素子との間には、各々ボンディングメタルまたは導電性接着剤が介在されることを特徴とする。
前記第1充填材と前記第1電極との間、及び前記第2充填材と前記第2電極との間は、ボンディングメタルまたは導電性接着剤が介在されることを特徴とする。
前記サブマウントと前記第1電極及び前記サブマウントと前記第2電極を各々電気的に連結させるボンディングワイヤーをさらに含むことを特徴とする。
Claims (1)
- 発光素子と、
前記発光素子と電気的に連結されるように前記発光素子に付着されるサブマウントと、
相互に離れて備えられ、その各々が前記サブマウントに付着されるものであって、前記発光素子に電圧を印加して前記発光素子から発生する熱を放熱させる第1及び第2電極と、
前記サブマウントと第1電極、及び前記サブマウントと第2電極を各々電気的に連結させるボンディングワイヤーと、を備えることを特徴とする発光素子パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040101653A KR100867515B1 (ko) | 2004-12-06 | 2004-12-06 | 발광소자 패키지 |
KR10-2004-0101653 | 2004-12-06 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005339493A Division JP2006165542A (ja) | 2004-12-06 | 2005-11-24 | 発光素子パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013153195A true JP2013153195A (ja) | 2013-08-08 |
Family
ID=36573184
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005339493A Pending JP2006165542A (ja) | 2004-12-06 | 2005-11-24 | 発光素子パッケージ |
JP2013058713A Pending JP2013153195A (ja) | 2004-12-06 | 2013-03-21 | 発光素子パッケージ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005339493A Pending JP2006165542A (ja) | 2004-12-06 | 2005-11-24 | 発光素子パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8124998B2 (ja) |
JP (2) | JP2006165542A (ja) |
KR (1) | KR100867515B1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100867515B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2008-11-07 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 패키지 |
US20070145386A1 (en) * | 2004-12-08 | 2007-06-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
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-
2004
- 2004-12-06 KR KR1020040101653A patent/KR100867515B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-09-14 US US11/225,090 patent/US8124998B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-24 JP JP2005339493A patent/JP2006165542A/ja active Pending
-
2013
- 2013-03-21 JP JP2013058713A patent/JP2013153195A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060118800A1 (en) | 2006-06-08 |
US8124998B2 (en) | 2012-02-28 |
KR20060062716A (ko) | 2006-06-12 |
JP2006165542A (ja) | 2006-06-22 |
KR100867515B1 (ko) | 2008-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140428 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140708 |