KR101354926B1 - 발광 소자용 서브 마운트 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR101354926B1 KR1020130009221A KR20130009221A KR101354926B1 KR 101354926 B1 KR101354926 B1 KR 101354926B1 KR 1020130009221 A KR1020130009221 A KR 1020130009221A KR 20130009221 A KR20130009221 A KR 20130009221A KR 101354926 B1 KR101354926 B1 KR 101354926B1
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Abstract

본 발명의 일 실시예와 관련된 발광 소자용 서브 마운트는 홀(hole)을 포함하는 실리콘 기판과, 실리콘 기판의 상부에 형성되는 절연층과, 절연층의 상부에 형성되는 전극 패드 및 실리콘 기판의 홀(hole)에 충진되는 방열체를 포함한다.

Description

발광 소자용 서브 마운트 및 그 제조 방법{SUBMOUNT AND MANUFACTURING METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE}
발광 소자를 부착할 수 있는 서브 마운트 및 서브 마운트를 제조 하는 기술에 관한 것이다.
발광 소자용 서브 마운트에 관한 기술은 '한국등록특허번호 : 10-0598357, 출원인 : 엘지전자 주식회사, 발명 명칭 : 발광소자용 서브마운트 기판'에 개시되어 있다.
위 발명에 기재된 발광 소자용 서브 마운트는 열이 효율적으로 방출되지 못하고, 열변화에 의한 열팽창의 차이에 발광 소자의 특성이 변화하는 문제점이 있다.
방열체 및 방지체를 포함하는 발광 소자용 서브 마운트를 제공함으로써, 방열이 우수하면서도 발광 소자의 특성 변화를 최소화할 수 있도록 하는 기술을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예와 관련된 발광 소자용 서브 마운트는 홀(hole)을 포함하는 실리콘 기판과, 실리콘 기판의 상부에 형성되는 절연층과, 절연층의 상부에 형성되는 전극 패드 및 실리콘 기판의 홀(hole)에 충진되고, 고열전도성 물질인 방열체를 포함한다.
발광 소자용 서브 마운트는 절연층 및 전극 패드는 각각 홀(hole)을 더 포함하고, 방열체는 절연층의 홀(hole) 및 전극 패드의 홀(hole)에 충진될 수 있다.
실리콘 기판의 홀(hole)은 전극 패드 방향에 형성된 홀(hole)의 폭이 전극 패드 반대 방향에 형성된 홀(hole)의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
절연층의 홀(hole), 전극 패드의 홀(hole) 및 실리콘 기판의 홀(hole)은 동일선상에 형성될 수 있다.
절연층의 홀(hole) 및 전극 패드의 홀(hole)의 폭은 실리콘 기판의 홀(hole)의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
방열체는 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
발광 소자용 서브 마운트는 방열체의 상부에 형성되고, 방열체와 열팽창계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 발광 소자용 서브 마운트 제조 방법은 실리콘 기판의 상부에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층의 상부에 형성된 전극 패드를 형성하는 단계와, 실리콘 기판에 홀(hole)을 형성하는 단계 및 홀(hole)에 고열전도성 물질인 방열체를 충진하는 단계를 포함한다.
홀(hole)을 형성하는 단계는 전극 패드 방향에 형성된 홀(hole)의 폭이 전극 패드 반대 방향에 형성된 홀(hole)의 폭보다 작게 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
홀(hole)을 형성하는 단계는 실리콘 기판에 홀(hole), 절연층의 홀(hole) 및 전극 패드의 홀(hole)을 형성하는 단계를 포함하고, 방열체를 충진하는 단계는 실리콘 기판에 홀(hole), 절연층의 홀(hole) 및 전극 패드의 홀(hole)에 고열전도성 물질인 방열체를 충진하는 단계를 포함할 수 있다.
홀(hole)을 형성하는 단계는 절연층의 홀(hole) 및 전극 패드의 홀(hole)의 폭을 실리콘 기판의 홀(hole)의 폭보다 작게 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
홀(hole)을 형성하는 단계는 절연층의 홀(hole), 전극 패드의 홀(hole) 및 실리콘 기판의 홀(hole)은 동일선상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
발광 소자용 서브 마운트 제조 방법은 방열체를 충진하는 단계 이후에, 방열체의 상부에 방열체와 열팽창계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
개시된 발명에 따르면, 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
또한, 방열체와 열팽창 계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 형성함으로써, 발광 소자와 다른 구성들과의 열팽창 계수 차이에 의해 발생할 수 있는 발광 소자의 특성 변화를 최소화하여 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 서브 마운트의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 서브 마운트의 단면도이다.
본 실시예에서 실리콘 기판(110) 위에 형성되는 절연층(120), 전극 패드(130), 반사막(reflector)(150)의 모양은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 서브 마운트는 수평(lateral) 방식, 수직(vertical) 방식 및 플립 칩(flip chip) 방식(type) 등과 같이 다양한 방식의 발광 소자에 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 발광 소자용 서브 마운트(100)는 실리콘 기판(110), 절연층(120), 전극 패드(130), 방열체(140) 및 반사막(reflector)(150)을 포함한다.
실리콘 기판(110)은 방열체(140)가 충진될 수 있는 홀(hole)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 실리콘 기판(110)의 홀(hole)은 동일한 폭으로 형성될 수 있다. 또 다른 예를 들면, 실리콘 기판의 홀(hole)은 전극패드(130) 방향에 형성된 홀(hole)의 폭이 전극 패드(130) 반대 방향에 형성된 홀(hole)의 폭보다 작게 형성될 수 있다. 도 1을 기준으로 설명하면, 위쪽에 형성된 홀(hole)의 폭이 아래쪽에 형성된 홀(hole)의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
절연층(120)은 실리콘 기판(110)의 상부 및/또는 하부에 형성될 수 있다.
전극 패드(130)는 절연층(120)의 상부에 형성될 수 있다.
방열체(140)는 실리콘 기판(110)의 홀(hole)에 충진될 수 있다. 방열체(140)는 고열전도성 물질일 수 있다. 예를 들면, 방열체(140)는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
반사막(reflector)(150)은 전극 패드(130)의 상부에 형성될 수 있다.
발광 소자(160)는 금속 패드(130)에 형성될 수 있으며, 실리콘 기판(110)의 홀(hole)과 일직선상에 형성될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 발광 소자(160)와 전극 패드(130)를 전기적으로 연결할 수 있는 구조가 더 포함될 수 있다.
발광 소자(160)는 전기를 빛으로 변환할 수 있는 소자를 의미한다. 예를 들면, 통신용 발광 소자로는 발광 다이오드, 반도체 레이저, 고체 레이저 등이 있다.
발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
도 2는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 발광 소자용 서브 마운트(200)는 실리콘 기판(210), 절연층(220), 전극 패드(230), 방열체(240), 반사막(reflector)(250) 및 방지체(270)를 포함한다. 발광 소자(260)은 방열체(240)의 상부에 형성되거나, 방지체(270)가 형성된 경우에는 방지체(270)의 상부에 형성될 수 있다.
실리콘 기판(210)은 방열체(240)가 충진될 수 있는 홀(hole)을 포함할 수 있다.
절연층(220)은 실리콘 기판(210)의 상부 및/또는 하부에 형성될 수 있다. 절연층(220)은 홀(hole)을 포함할 수 있다.
전극 패드(230)는 절연층(220)의 상부에 형성될 수 있다. 전극 패드(230)는 홀(hole)을 포함할 수 있다.
실리콘 기판(210), 절연층(220)의 홀(hole) 및 전극 패드(230)의 홀(hole) 및 의 홀(hole)은 동일선상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 절연층(220)의 홀(hole), 전극 패드(230)의 홀(hole) 및 실리콘 기판(210)의 홀(hole)의 폭은 모두 동일하게 형성될 수 있다. 또 다른 예를 들면, 절연층(220)의 홀(hole) 및 전극 패드(230)의 홀(hole)의 폭은 실리콘 기판(210)의 홀(hole)의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
방열체(240)는 실리콘 기판(210)의 홀(hole), 절연층(220)의 홀(hole) 및 전극 패드(230)의 홀(hole)에 충진될 수 있다. 방열체(240)는 고열전도성 물질일 수 있다. 예를 들면, 방열체(240)는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
반사막(reflector)(250)은 전극 패드(230)의 상부에 형성될 수 있다.
발광 소자(260)는 방지체(270)를 형성하지 않은 경우, 방열체(240)의 상부에 형성될 수 있다.
발광 소자(260)는 전기를 빛으로 변환할 수 있는 소자를 의미한다. 예를 들면, 통신용 발광 소자로는 발광 다이오드, 반도체 레이저, 고체 레이저 등이 있다.
발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
방지체(270)는 방열체(240)의 상부에 형성될 수 있다. 방지체(270)는 방열체(240)와 열팽창계수가 동일 또는 유사한 물질일 수 있다. 이 경우, 발광 소자(260)는 방지체(270)의 상부에 형성될 수 있다.
발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
또한, 발광 소자용 서브 마운트는 방열체와 열팽창 계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 형성함으로써, 발광 소자와 다른 구성들과의 열팽창 계수 차이에 의해 발생할 수 있는 발광 소자의 특성 변화를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a를 참조하면, 발광 소자용 서브 마운트는 실리콘 기판(300), 절연층(310), 전극 패드(320) 및 반사막(reflector)(330)을 포함할 수 있다.
실리콘 기판(300)에 불순물을 확산하고, 식각 마스크를 증착시킨다. 실리콘 기판(300)을 식각하여 발광 소자를 장착할 수 있는 부분을 형성한다. 식각 마스크를 제거한 후, 절연층(310)을 실리콘 기판(300)의 상부 및/또는 하부에 형성(증착)한다. 그 다음, 전극 패드(320)를 절연층(310)의 상부에 형성(증착)한다. 그 다음, 반사막(reflector)(330)을 전극 패드(320)의 상부 중 발광 소자가 형성된 부분을 제외한 부분에만 형성한다. 반사막(330)은 필수적으로 형성해야하는 것은 아니며, 제조 업자 등에 의해서 선택적으로 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 실리콘 기판(300), 절연층(310) 및 전극 패드(320)에 폭이 동일한 홀(hole)(340)을 형성한다.
도 3c를 참조하면, 형성된 홀(hole)(340)에 고열전도성 물질인 방열체(350)를 충진시킨다. 예를 들면, 방열체(350)는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
도 3d를 참조하면, 방열체(350)의 상부에 발광 소자를 접착(bonding)시킨다.
이와 같은 제조 공정을 통해, 실리콘 기판(300), 절연층(310) 및 전극 패드(320)에 폭이 동일한 홀(hole)(340)이 형성되고, 홀(hole)에 방열체를 충진된 서브 마운트를 제조할 수 있다.
이와 같은 발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
본 실시예에서 설명하지 않은 공지된 제작 공정 또는 필수 제작 공정이 본 실시예에 더 적용될 수 있는 것은 자명한 것이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a를 참조하면, 발광 소자용 서브 마운트는 실리콘 기판(400), 절연층(410), 전극 패드(420) 및 반사막(reflector)(430)을 포함할 수 있다.
실리콘 기판(400)에 불순물을 확산하고, 식각 마스크를 증착시킨다. 실리콘 기판(400)을 식각하여 발광 소자를 장착할 수 있는 부분을 형성한다. 식각 마스크를 제거한 후, 절연층(410)을 실리콘 기판(400)의 상부 및/또는 하부에 형성(증착)한다. 그 다음, 전극 패드(420)를 절연층(410)의 상부에 형성(증착)한다. 그 다음, 반사막(reflector)(430)을 전극 패드(420)의 상부 중 발광 소자가 형성된 부분을 제외한 부분에만 형성한다.
도 4b를 참조하면, 절연층(410) 및 전극 패드(420)의 홀(hole)(440)의 폭을 실리콘 기판(400)의 홀(hole)(450)의 폭보다 작게 형성한다.
도 4c를 참조하면, 형성된 홀(hole)(440, 450)에 고열전도성 물질인 방열체(460)를 충진시킨다. 예를 들면, 방열체(350)는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
도 4d를 참조하면, 방열체(460)의 상부에 방지체(470)를 형성한다. 방지체는 방열체(460)와 열팽창계수가 동일 또는 유사한 물질이다. 방지체(470)의 상부에 발광 소자(480)를 접착(bonding)시킨다. 발광 소자(480)를 상기 방지체(470)의 상부에 결합할 수 있다.
또 다른 예를 들면, 방지체(470)를 발광 소자(480)에 접착시킨 후, 방지체(470)를 방지체(470)의 상부에 접착시킬 수 있다.
이와 같은 제조 공정을 통해, 절연층(410) 및 전극 패드(420)의 홀(hole)(440)의 폭이 실리콘 기판(400)의 홀(hole)(450)의 폭보다 작게 형성되고, 홀(hole)(440, 450)에 방열체를 충진된 서브 마운트를 제조할 수 있다.
이와 같은 발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
또한, 방열체와 열팽창 계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 더 형성함으로써, 발광 소자와 다른 구성들과의 열팽창 계수 차이에 의해 발생할 수 있는 발광 소자의 특성 변화를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a를 참조하면, 발광 소자용 서브 마운트는 실리콘 기판(500), 절연층(510), 전극 패드(520) 및 반사막(reflector)(530)을 포함할 수 있다.
실리콘 기판(500)에 불순물을 확산하고, 식각 마스크를 증착시킨다. 실리콘 기판(500)을 식각하여 발광 소자를 장착할 수 있는 부분을 형성한다. 식각 마스크를 제거한 후, 절연층(510)을 실리콘 기판(500)의 상부 및/또는 하부에 형성(증착)한다. 그 다음, 전극 패드(520)를 절연층(510)의 상부에 형성(증착)한다. 그 다음, 반사막(reflector)(530)을 전극 패드(520)의 상부 중 발광 소자가 형성된 부분을 제외한 부분에만 형성한다. 반사막(530)은 필수적으로 형성해야하는 것은 아니며, 제조 업자 등에 의해서 선택적으로 형성될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 실리콘 기판(500)에 홀(hole)(540)을 형성한다.
도 5c를 참조하면, 형성된 홀(hole)(540)에 고열전도성 물질인 방열체(550)를 충진시킨다. 예를 들면, 방열체(550)는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
도 5d를 참조하면, 전극 패드(520)의 상부에 발광 소자(560)를 접착(bonding)시킨다. 발광 소자(560)는 실리콘 기판(500)의 홀(540)과 일직선상에 접착될 수 있다.
이와 같은 제조 공정을 통해, 실리콘 기판(300)에만 홀(hole)(340)이 형성되고, 홀(hole)에 방열체를 충진된 서브 마운트를 제조할 수 있다.
이와 같은 발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 또 다른 일 실시예와 관련된 서브 마운트를 제조하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a를 참조하면, 발광 소자용 서브 마운트는 실리콘 기판(600), 절연층(610), 전극 패드(620) 및 반사막(reflector)(630)을 포함할 수 있다.
실리콘 기판(600)에 불순물을 확산하고, 식각 마스크를 증착시킨다. 실리콘 기판(600)을 식각하여 발광 소자를 장착할 수 있는 부분을 형성한다. 식각 마스크를 제거한 후, 절연층(610)을 실리콘 기판(600)의 상부 및/또는 하부에 형성(증착)한다. 그 다음, 전극 패드(620)를 절연층(610)의 상부에 형성(증착)한다. 그 다음, 반사막(reflector)(630)을 전극 패드(620)의 상부 중 발광 소자가 형성된 부분을 제외한 부분에만 형성한다.
도 6b를 참조하면, 실리콘 기판(600)의 홀(hole)(640)을 전극 패드(620) 방향에 형성된 홀(hole)(650)의 폭이 전극 패드(620) 반대 방향에 형성된 홀(hole)(660)의 폭보다 작게 형성한다.
도 6c를 참조하면, 형성된 홀(hole)(640)에 고열전도성 물질인 방열체(670)를 충진시킨다. 예를 들면, 방열체(670)는 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 실리콘보다 열전도도가 큰 물질일 수 있다.
도 6d를 참조하면, 전극 패드(620)의 상부에 발광 소자(680)를 접착(bonding)시킨다. 발광 소자(680)는 실리콘 기판(600)의 홀(640)과 일직선상에 접착될 수 있다.
이와 같은 제조 공정을 통해, 실리콘 기판(600)의 홀(hole)(640)을 전극 패드(620) 방향에 형성된 홀(hole)(650)의 폭이 전극 패드(620) 반대 방향에 형성된 홀(hole)(660)의 폭보다 작게 형성되고, 홀(hole)(640)에 방열체를 충진된 서브 마운트를 제조할 수 있다.
이와 같은 발광 소자용 서브 마운트는 열을 방출할 수 있는 방열체를 실리콘 기판에 형성함으로써, 발광 소자에서 발생할 수 있는 열을 더욱 효율적으로 외부로 방출할 수 있다.
설명된 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
또한, 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 서브 마운트
110 : 실리콘 기판
120 : 절연층
130 : 전극 패드
140 : 방열체
150 : 반사막
160 : 발광 소자

Claims (13)

  1. 홀(hole)을 포함하는 실리콘 기판;
    상기 실리콘 기판의 상부에 형성되는 절연층;
    상기 절연층의 상부에 형성되는 전극 패드; 및
    상기 실리콘 기판의 홀(hole)에 충진되는 방열체;를 포함하되,
    상기 절연층 및 상기 전극 패드는 각각 홀(hole)을 더 포함하고,
    상기 방열체는 상기 절연층의 홀(hole) 및 상기 전극 패드의 홀(hole)에 충진되는 발광 소자용 서브 마운트.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판의 홀(hole)은
    상기 전극 패드 방향에 형성된 홀(hole)의 폭이 상기 전극 패드 반대 방향에 형성된 홀(hole)의 폭보다 작게 형성되는 발광 소자용 서브 마운트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층의 홀(hole), 상기 전극 패드의 홀(hole) 및 상기 실리콘 기판의 홀(hole)은 동일선상에 형성되는 발광 소자용 서브 마운트.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연층의 홀(hole) 및 상기 전극 패드의 홀(hole)의 폭은 상기 실리콘 기판의 홀(hole)의 폭보다 작게 형성되는 발광 소자용 서브 마운트.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열체는,
    상기 실리콘보다 열전도도가 큰 물질인 발광 소자용 서브 마운트.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열체의 상부에 형성되고, 방열체와 열팽창계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 더 포함하는 발광 소자용 서브 마운트.
  8. 실리콘 기판의 상부에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층의 상부에 형성된 전극 패드를 형성하는 단계;
    상기 실리콘 기판에 홀(hole)을 형성하는 단계; 및
    상기 홀(hole)에 고열전도성 물질인 방열체를 충진하는 단계를 포함하되,
    상기 홀(hole)을 형성하는 단계는,
    상기 전극 패드 방향에 형성된 홀(hole)의 폭이 상기 전극 패드 반대 방향에 형성된 홀(hole)의 폭보다 작게 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자용 서브 마운트 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 홀(hole)을 형성하는 단계는,
    상기 실리콘 기판에 홀(hole), 상기 절연층의 홀(hole) 및 상기 전극 패드의 홀(hole)을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 방열체를 충진하는 단계는,
    상기 실리콘 기판에 홀(hole), 상기 절연층의 홀(hole) 및 상기 전극 패드의 홀(hole)에 고열전도성 물질인 방열체를 충진하는 단계를 포함하는 발광 소자용 서브 마운트 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 홀(hole)을 형성하는 단계는,
    상기 절연층의 홀(hole) 및 상기 전극 패드의 홀(hole)의 폭을 상기 실리콘 기판의 홀(hole)의 폭보다 작게 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자용 서브 마운트 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 홀(hole)을 형성하는 단계는,
    상기 절연층의 홀(hole), 상기 전극 패드의 홀(hole) 및 상기 실리콘 기판의 홀(hole)은 동일선상에 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자용 서브 마운트 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 방열체를 충진하는 단계 이후에, 상기 방열체의 상부에 방열체와 열팽창계수가 동일 또는 유사한 물질인 방지체를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자용 서브 마운트 제조 방법.
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