JP2013149804A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハWの第1主面側に形成する素子の素子形成深さより深い深さ領域に、結晶構造が破壊された構造を有する改質層を形成する改質層形成工程S30と、改質層が所定の厚さとなるように、第2主面側から半導体ウェーハWを研削する研削工程S40と、第2主面における改質層の表面に電極層を形成する電極層形成工程S50と、半導体ウェーハWを半導体チップとなる領域ごとに分割するダイシング工程S60とをこの順序で含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】図2
Description
1.実施形態1に係る半導体装置100の構成
まず、実施形態1に係る半導体装置100の構成を説明する。
図1は、実施形態1に係る半導体装置100を説明するために示す図である。
次に、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明する。
図2は、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するために示すフローチャートである。図3及び図4は、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図3(a)〜図3(d)は各工程図であり、図4(a)〜図4(c)は各工程図である。
まず、図3(a)に示すように、n+型半導体層112と、n+型半導体層112の表面にエピタキシャル法により形成されたn−型半導体層114とがこの順序で積層された半導体層110を有する半導体ウェーハWを準備する。
次に、図3(b)及び図3(c)に示すように、半導体ウェーハWの第1主面側に素子120を形成する。具体的には、半導体ウェーハWの第1主面側に、マスクMを形成し、所定の領域を開口した上で、当該開口に向かってイオン注入法やデポジション法などの方法を用いてp型不純物(例えばボロン)を導入してp型不純物導入領域120’を形成する。その後、半導体ウェーハWに熱処理(例えば1000℃)を施してp型不純物を拡散させることにより素子120を形成する。
次に、図3(d)に示すように、半導体ウェーハWの第1主面側に形成する素子120の素子形成深さより深い深さ領域の一部に、結晶構造が破壊された構造を有する改質層130を形成する。具体的には、半導体ウェーハWの第1主面側からレーザ光照射装置によって照射したレーザ光を微小スポットに集光して結晶構造を破壊することによって改質層130を形成する。改質層形成工程S30においては、レーザ光を2次元的にスキャンする。形成された改質層130の厚さは、0.1μm〜30μmである。照射したレーザ光は、波長が266nm〜355nmである紫外線レーザである。レーザ光のスキャン速度は、例えば10〜100mm/秒である。レーザ光の加工出力は、3W以下で、例えば2.2Wである。
次に、図4(a)に示すように、改質層130が所定の厚さとなるように、第2主面側から半導体ウェーハWを研削する。具体的には、半導体ウェーハWをグラインダ装置に設置し、半導体ウェーハWの第1主面側をチャックテーブルに真空吸着した後、第2主面側からドライポリッシュ法を用いて半導体ウェーハWを研削する。なお、ドライポリッシュ法に代えて、CMP法やケミカルエッチング法を用いて研削工程S40を実施してもよい。
次に、図4(b)に示すように、第2主面における改質層130の表面に電極層140を形成する。具体的には、改質層130の表面を洗浄した後、改質層130の表面上に、例えばスパッタリングなどの物理気相成長法(PVD)により、電極層140の材料であるニッケルを堆積させる。次に、真空中において800℃で10分間の熱処理を行うことで改質層130と堆積させたニッケルとをシリサイド化して電極層140を形成する。
次に、図4(c)に示すように、半導体層110の第1主面側に、保護絶縁層170、バリアメタル層150及びアノード電極層160を形成する。
次に、ダイシングにより、半導体ウェーハWを半導体チップとなる領域ごとに分割して、実施形態1に係る半導体装置100を製造することができる(図4(c)参照。)。
次に、実施形態1に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法の効果を説明する。
図5は、実施形態2における改質層形成工程S30を説明するために示す図である。
図6は、実施形態3における改質層形成工程S30を説明するために示す図である。
図7は、実施形態4における改質層形成工程S30を説明するために示す図である。
図8は、実施形態5における改質層形成工程S30を説明するために示す図である。
図9は、実施形態6における改質層形成工程S30を説明するために示す図である。
図10は、実施形態7における半導体装置200を説明するために示す図である。
Claims (10)
- 半導体ウェーハの第1主面側に形成する素子の素子形成深さより深い深さ領域に、結晶構造が破壊された構造を有する改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層が所定の厚さとなるように、前記第1主面側とは反対側の第2主面側から前記半導体ウェーハを研削する研削工程と、
前記第2主面における前記改質層の表面に電極層を形成する電極層形成工程と、
前記半導体ウェーハを半導体チップとなる領域ごとに分割するダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェーハは、SiCウェーハであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程においては、前記半導体ウェーハの前記第1主面側又は前記第2主面側からレーザ光を照射することによって前記改質層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程においては、紫外線レーザ光を照射することによって前記改質層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程においては、前記半導体ウェーハの前記第2主面側から不純物をイオン注入することによって前記改質層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程の前に、前記半導体ウェーハの第1主面側に素子を形成する素子形成工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程と前記研削工程との間に、前記半導体ウェーハの第1主面側に素子を形成する素子形成工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程においては、前記素子形成深さより深い深さ領域の一部に前記改質層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記改質層形成工程においては、前記素子形成深さより深い深さ領域の全部に前記改質層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェーハを半導体チップとなる領域ごとに分割して形成されている半導体装置であって、
半導体層と、
前記半導体層の第1主面側に形成されている素子と、
前記半導体層の第2主面側に形成され、結晶構造が破壊された構造を有する改質層と、
前記第2主面における前記改質層の表面に形成されている電極層とを備えることを特徴とする半導体装置。
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