JP2013135078A - ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板を有するダイオードであって、半導体基板は、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されたp型のアノード領域と、前記上面に露出する範囲に形成されており、アノード領域と繋がっており、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域と、半導体基板の端部とディープ領域との間の外周領域と、アノード領域及びディープ領域の下側、及び、外周領域内に広がるn型のカソード領域を有する。前記上面に露出する範囲において、アノード領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い。
【選択図】図1
Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:半導体基板
20:アノード領域
22:カソード領域
24:ディープ領域
24a:内周側ディープ領域
24b:外周側ディープ領域
24d:第1領域
24e:第2領域
26:FLR
28:外周領域
40:層間絶縁膜
42:アノード電極
42a:端部
44:FLR電極
46:カソード電極
50:マスク
Claims (3)
- 半導体基板を有するダイオードであって、
半導体基板は、
半導体基板の上面に露出する範囲に形成されたp型のアノード領域と、
前記上面に露出する範囲に形成されており、アノード領域と繋がっており、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域と、
アノード領域及びディープ領域の下側、及び、半導体基板の端部とディープ領域との間の外周領域内に広がるn型のカソード領域、
を有しており、
前記上面に露出する範囲において、アノード領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い、
ダイオード。 - ディープ領域はアノード領から外周領域側に向かうに従って深くなる第1領域と、第1領域よりも外周領域側に位置しており、外周領域側に向かうに従って浅くなる第2領域を有しており、第1領域の深さの変化率が第2領域の深さの変化率よりも小さいダイオード。
- 前記上面には、アノード領域及びアノード領域に近い側のディープ領域と接しており、外周領域に近い側のディープ領域と接していないアノード電極が形成されている請求項1または2のダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011284375A JP2013135078A (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011284375A JP2013135078A (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | ダイオード |
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- 2011-12-26 JP JP2011284375A patent/JP2013135078A/ja active Pending
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