JP2013132690A - 炭素鋼用フラックス入り溶接ワイヤ及びアーク溶接方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外皮が炭素鋼からなり、ワイヤ全質量あたり、C:0.02〜0.15質量%、Si:0.30〜1.50質量%、Mn:0.70〜2.30質量%、S:0.010〜0.100質量%、Ti:0.01〜0.18質量%を含有すると共に、P:0.030質量%以下、Cr:0.15質量%以下に規制され、フラックス率が10.0〜30.0質量%で、フラックス中のS含有量が0.030〜0.600質量%であり、フラックス中のS含有量[Sf]と、外皮中のS含有量[Sh]との関係が[Sf]>([Sh]+0.010)であるフラックス入り溶接ワイヤを使用し、ピーク電流が340〜540A、ピーク電流期間が0.7〜2.5msのパルス電流を溶接電流として、純Arシールドガスでアーク溶接する。
【選択図】なし
Description
本発明においては、ワイヤ成分を特定の範囲にしているため、溶融池の粘性と表面張力が低下し、溶融池表面に通常と逆の(アークを追いかける)対流を生じる。これにより、溶融池表面に浮上している酸化皮膜をクレータ部まで集める効果が発現し、ビード外観が向上する。
このフラックス入り溶接ワイヤでは、フラックス中のS含有量を0.060〜0.350質量%としてもよい。
本発明においては、シールドガスを純Arガスとしているため、スラグの発生が抑制される。また、Sが添加されたフラックスを使用しているため、ビード表面の酸化皮膜がクレータ部に集約し、ビード外観が向上する。このフラックス入り溶接ワイヤと純Arシールドガスとの組み合わせにより、フラックスにグラファイトを添加しなくても安定した溶接が可能となる。更に、パルス電流の溶接を適用すると、従来のソリッドワイヤよりもスパッタ発生量が低減し、作業環境が改善される。
先ず、本発明の第1の実施形態に係るフラックス入り溶接ワイヤについて説明する。本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤは、純Arをシールドガスとしたアーク溶接に使用されるものであり、炭素鋼外皮内にフラックスが充填された構成となっている。そして、本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤでは、外皮及びフラックスからなるワイヤ全体で、C、Si、Mn、S及びTiを特定量含有すると共に、P及びCrの含有量を特定量以下に規制している。
Cは、溶接金属の強度に影響を及ぼすため、一般炭素鋼に適したある程度の量が含有されている必要がある。具体的には、ワイヤ全質量あたり、C含有量が0.02質量%未満の場合、十分な強度が確保できない。一方、C含有量が0.15質量%を超えると、純Arガスをシールドガスに使用しても、スパッタが多発する。よって、C含有量は、ワイヤ全質量あたり0.02〜0.15質量%とする。なお、本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤにおいては、積極的にC源を添加する必要はなく、外皮を構成する鋼板や、フェロシリコン及びフェロマンガンなどのフラックス中に含まれているCを調整することで、前述した範囲にすることが可能である。
本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤは、純Arシールドガスを使用したアーク溶接に使用されるため、脱酸素剤としてSiを添加する必要はない。しかし、炭素鋼に適した強度確保及びビード止端のなじみ改善の観点から、Siはある程度添加する必要がある。具体的には、ワイヤ全質量あたり、Si含有量が0.30質量%未満の場合、ビードのなじみ改善効果が得られない。一方、Si含有量が1.50質量%を超えると、溶接部の硬度などが高くなりすぎて、健全性が損なわれる。
本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤは、純Arシールドガスを使用したアーク溶接に使用されるため、脱酸素剤としてMnを添加する必要はないが、強度確保の観点から、Mnを添加する。ただし、Mn含有量が、ワイヤ全質量あたり0.70質量%未満の場合、溶接金属が脆化するため、溶接部の健全性が損なわれる。一方、Mn含有量が2.30質量%を超えると、粘性が上がりすぎてしまい、後述するSの添加による効果が低下する。
Sは、本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤにおいて、重要な元素である。具体的には、Sには、溶融池の粘性及び表面張力を低下させて溶融池の対流を変化させ、アークを追いかけるような前向きの流れを表層に作り出し、表面の酸化皮膜をクレータ部まで集める効果がある。ただし、S含有量がワイヤ全質量あたり0.010質量%未満の場合、この効果が発現しない。一方、Sを過剰に添加すると、具体的には、S含有量が0.100質量%を超えると、高温割れの危険性が高まり、他の元素調整によっても高温割れを防止できなくなる。
Tiは、表面張力及び粘性を上昇させる作用があるが、特定量添加すると、溶滴のふらつきが減少してアークが安定する。具体的には、Ti含有量が、ワイヤ全質量あたり0.01質量%未満の場合この効果が発現せず、また、0.18質量%を超えて過剰に添加すると割れが発生したり、逆にアークが不安定になったりする。よって、Ti含有量は、ワイヤ全質量あたり0.01〜0.18質量%とする。なお、Ti含有量は0.02〜0.09質量%であることが好ましく、これにより、アークの安定性を更に向上させることができる。
Pは、耐高温割れ性を劣化させるため、極力低下させることが好ましく、あえて添加する必要はない。そこで、本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤにおいては、工業的生産性の観点から、P含有量を、ワイヤ全質量あたり0.030質量%以下に規制する。
Crは、Tiと同様に、表面張力と粘性を上げる作用があるため、ワイヤにCrが含有されていると、Sの添加効果が低減する虞がある。従って、Crは積極的に添加する必要はなく、本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤにおいては、Cr含有量を、ワイヤ全質量あたり0.15質量%以下に規制する。
本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤの成分組成における残部は、Fe及び不可避的不純物である。なお、本実施形態のフラックス入り溶接ワイヤは、前述した各成分に加えて、通常のフラックス入り溶接ワイヤに含まれる脱酸素剤及び弗化物などを含有していてもよい。
フラックス率が特定の範囲内にないと、前述したフラックスと外皮の溶融時期をずらして、溶滴を安定移行させる機構がうまく働かず、アーク不安定やスパッタ増加に繋がる。具体的には、フラックス率が10.0質量%に満たないと、ワイヤ断面積に占める外皮の断面積が多く、フラックスよりも後に溶ける外皮の量が多くなるため、溶滴が大きくなってスパッタが増加する。一方、フラックス率が30.0質量%を超えると、外皮の断面積が少なくなるため、外皮の電気抵抗が高くなり、溶融しやすくなる。その結果、フラックスと外皮の溶融時期をずらす効果が薄れ、溶滴移行が不安定になる。よって、フラックス率は10.0〜30.0質量%とする。
次に、本発明の第2の実施形態に係るアーク溶接方法について説明する。本実施形態のアーク溶接方法においては、前述した第1の実施形態のフラックス入り溶接ワイヤを使用し、純Arシールドガスで、炭素鋼をアーク溶接する。その際、ピーク電流が340〜540A、ピーク電流期間が0.7〜2.5ms(ミリ秒)のパルス電流を溶接電流とする。
先ず、本発明の第1の実施形態に対応する第1実施例として、ワイヤ組成及びシールドガスを変えて、炭素鋼をアーク溶接し、ビード外観及びスパッタ量について評価した。その際、母材には、炭素鋼であるSS400を黒皮をグラインダ除去して使用し、溶接条件は、ビードオン、突き出し長さ(Ext)15mm、溶接速度:60cm/min、ワイヤ供給速度:10m/min、ガス流量:25L/minとした。
図1(a)及び(b)はビード外観の評価基準を示す図である。ビード外観の評価は、図1(a)に示すように酸化皮膜4又はスラグが溶接ビード1の定常部(金属地肌3)に3箇所以上点在していた場合は×、図1(b)に示すように酸化皮膜4やスラグがない場合又は終端に集まっていた場合を○とした。なお、クレータ部2の酸化皮膜4は、ビード外観に影響することがないため、評価対象から除外した。
次に、本発明の第2の実施形態に対応する第2実施例として、本発明の範囲内で作製したフラックス入り溶接ワイヤを使用し、パルス条件を変えて、純Arシールドガスで炭素鋼をアーク溶接し、スパッタ量について評価した。その際、母材には、炭素鋼であるSS400を黒皮をグラインダ除去して使用し、ワイヤは全て表1に示すNo.3のフラックス入り溶接ワイヤを使用した。また、溶接条件は、ビードオン、突き出し長さ(Ext)15mm、溶接速度:60cm/min、ガス流量:25L/minとし、パルスピーク電流は320〜550A、ピーク期間は0.6〜2.6msの範囲とした。
スパッタ量の評価は、前述した第1実施例と同様に、0.6g/min以下の場合を○、0.6g/minを超えた場合を×とした。その結果を、下記表5,6に示す。また、図2は横軸にピーク時間、縦軸にピーク電流をとって、パルス条件とスパッタ量との関係を示す図である。
2 クレータ部
3 金属地肌
4 酸化皮膜
Claims (3)
- 炭素鋼外皮内にフラックスが充填された炭素鋼溶接用フラックス入り溶接ワイヤであって、
ワイヤ全質量あたり、
C:0.02〜0.15質量%、
Si:0.30〜1.50質量%、
Mn:0.70〜2.30質量%、
S:0.010〜0.100質量%、
Ti:0.01〜0.18質量%、
を含有すると共に、
P:0.030%質量以下、
Cr:0.15%質量以下、
に規制され、
フラックス率が10.0〜30.0質量%であり、
前記フラックス中のS含有量が0.030〜0.600質量%であり、
フラックス中のS含有量(質量%)を[Sf]、外皮中のS含有量(質量%)を[Sh]としたとき、[Sf]>([Sh]+0.010)であり、
純Arをシールドガスとしたアーク溶接に使用されるフラックス入り溶接ワイヤ。 - フラックス中のS含有量が0.060〜0.350質量%であることを特徴とする請求項1に記載のフラックス入り溶接ワイヤ。
- 外皮が炭素鋼からなり、ワイヤ全質量あたり、C:0.02〜0.15質量%、Si:0.30〜1.50質量%、Mn:0.70〜2.30質量%、S:0.010〜0.100質量%、Ti:0.01〜0.18質量%を含有すると共に、P:0.030質量%以下、Cr:0.15質量%以下に規制され、フラックス率が10.0〜30.0質量%で、前記フラックス中のS含有量が0.030〜0.600質量%であり、フラックス中のS含有量(質量%)を[Sf]、外皮中のS含有量(質量%)を[Sh]としたとき、[Sf]>([Sh]+0.010)であるフラックス入り溶接ワイヤを使用し、
純Arガスをシールドガスとし、ピーク電流が340〜540A、ピーク電流期間が0.7〜2.5msのパルス電流を溶接電流として、炭素鋼をアーク溶接するアーク溶接方法。
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