JP2013128104A - 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】活性層に接するｎ型クラッド層の表面の平坦性が向上された半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層３１、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層３２、及びｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層３３がこの順に積層されたｎ型クラッド層３０と、ｎ型クラッド層３０の第３の窒化物半導体層３３上に配置された活性層４０と、活性層４０上に配置されたｐ型クラッド層５０とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が積層された構造の半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。

紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどの半導体発光装置に、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が積層された構造が採用されている。発光装置の発光効率を向上させることが望まれており、そのために、活性層に接するクラッド層の構造について種々の検討が行われている（例えば特許文献１参照。）。

特許第２７３５０５７号公報

上記構造の半導体発光装置において、ｎ型クラッド層の平坦性が悪化した場合に、ｎ型クラッド層上に形成される活性層の成長時に結晶欠陥が発生しやすい。結晶欠陥の発生によって活性層での発光効率が低下し、また、活性層の井戸層及びバリア層を薄くできないためにしきい値電圧Ｖｆを低くできないという問題があった。

上記問題点に鑑み、本発明は、活性層に接するｎ型クラッド層の表面の平坦性が向上された半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、（イ）ｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層、及びｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層がこの順に積層されたｎ型クラッド層と、（ロ）ｎ型クラッド層の第３の窒化物半導体層上に配置された活性層と、（ハ）活性層上に配置されたｐ型クラッド層とを備える半導体発光装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、（イ）第１の成長温度で窒化物半導体からなるｎ型層を形成するステップと、（ロ）第１の成長温度より低い第２の成長温度で、ｎ型層上にｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層を形成するステップと、（ハ）第２の成長温度以下の第３の成長温度で、第１の窒化物半導体層上にＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層を形成するステップと、（ニ）第３の成長温度以下の第４の成長温度で、第２の窒化物半導体層上にｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層を形成するステップと、（ホ）第４の成長温度より低い第５の成長温度で、第３の窒化物半導体層上に活性層を形成するステップと、（ヘ）活性層上にｐ型クラッド層を形成するステップとを含む半導体発光装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、活性層に接するｎ型クラッド層の表面の平坦性が向上された半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供できる。

本発明の実施形態に係る半導体発光装置の構成を示す模式的な断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体発光装置と比較例の半導体発光装置の特性を示す表である。 本発明の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するためのグラフである

図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置１は、図１に示すように、ｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層３１、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層３２、及びｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層３３がこの順に積層されたｎ型クラッド層３０と、ｎ型クラッド層３０の第３の窒化物半導体層３３上に配置された活性層４０と、活性層４０上に配置されたｐ型クラッド層５０とを備える。

更に、図１に示した半導体発光装置１は、基板１０上にバッファ層１１とｎ型窒化物半導体からなるｎ型層２０が積層され、ｎ型層２０上にｎ型クラッド層３０、活性層４０及びｐ型クラッド層５０がこの順に積層された構造である。ｎ型層２０、ｎ型クラッド層３０、活性層４０及びｐ型クラッド層５０は、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等を用いて、エピタキシャル成長により形成される。

基板１０には、例えばサファイア基板、炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）基板などを採用可能である。

バッファ層１１は、例えば、Ａｌ_xＭ_yＧａ_1-x-yＮ（Ｍはインジウム（Ｉｎ）又はボロン（Ｂ）、０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ＝１）からなる第１のサブレイヤーと、ＡｌaＭbＧａ1-a-bＮ（ＭはＩｎ又はＢ、０≦ａ＜１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１、ａ＜ｘ）からなる第２のサブレイヤーとを交互に積層した多層構造を採用可能である。例えば、第１のサブレイヤーは膜厚０．５〜５ｎｍ程度の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜、第２のサブレイヤーは膜厚０．５〜２００ｎｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜である。なお、基板１０とバッファ層１１との積層体を基板として扱ってもよい。

ｎ型層２０は、Ｉｎ_αＡｌ_βＧａ_1-α-βＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、０≦α＋β≦１）で表され、Ｓｉなどのｎ型ドーパントがドープされた窒化物半導体からなる。ｎ型層２０は、ＧａＮ或いはＡｌＧａＮなどからなり、膜厚は例えば４μｍ程度である。

ｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層３３は、Ｓｉなどのｎ型ドーパントがドープされたＧａＮ膜である。ＩｎＡｌＧａＮ膜は、ＧａＮ膜よりも平坦性が悪いことが知られている。従って、例えばＩｎＡｌＧａＮからなる窒化物半導体層がｎ型クラッド層３０として活性層４０に接する場合に比べて、半導体発光装置１においては活性層４０を平坦な膜上に成長させることができる。

第３の窒化物半導体層３３は、膜厚が厚いほど平坦性が向上する。しかし、第３の窒化物半導体層３３の膜厚が厚すぎると、ｎ型クラッド層３０全体の平均と活性層４０との格子定数差が大きくなるため、輝度が低下する。このため、第３の窒化物半導体層３３の膜厚は５ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは５〜５０ｎｍである。

ｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層３３の下にＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層３２を配置することにより、第２の窒化物半導体層３２は活性層４０とｎ型層２０との間で、格子定数差などを吸収するバッファ層として機能する。具体的には、ｎ型クラッド層３０全体の平均の格子定数や熱膨張係数を、活性層４０とｎ型層２０の中間の値にすることにより、第２の窒化物半導体層３２がバッファ層として機能する。バッファ層として機能させるために、第２の窒化物半導体層３２の膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍとする。

ただし、第２の窒化物半導体層３２において平坦性が低下する。第２の窒化物半導体層３２での平坦性低下を抑制するために、第２の窒化物半導体層３２のｎ型不純物のドープ量を少なくすることや、ノンドープとすることが有効である。ここで、ノンドープとは、不純物が意図的に添加されないことを意味する。第２の窒化物半導体層３２の膜厚が１００ｎｍ以下であれば、ノンドープでもしきい値電圧Ｖｆの顕著な上昇はみられない。更に、膜厚が５０ｎｍ以下でノンドープとしても、しきい値電圧Ｖｆ上昇はほとんどみられない。

また、ＩｎＡｌＧａＮ層の組成は平坦性に大きく影響する。良好な平坦性を得るためには、Ｉｎ組成比は０．１以下が好ましく、更に好ましくは０．０５以下である。同様に、Ａｌ組成比は０．１以下が好ましい。

第２の窒化物半導体層３２の下にｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層３１を配置することにより、ｎ型クラッド層３０表面の平坦性は更に改善される。第１の窒化物半導体層３１の膜厚が厚いほど平坦性が改善される傾向がある。しかし、第３の窒化物半導体層３３の場合と同様に、第１の窒化物半導体層３１の膜厚が厚すぎるとｎ型クラッド層３０全体の平均と活性層４０との格子定数差が大きくなり、輝度が低下する。しかしながら、第３の窒化物半導体層３３よりも活性層４０からの距離が長いため、第１の窒化物半導体層３１を比較的厚くしても輝度の低下は少ない。このため、第３の窒化物半導体層３３の膜厚は５ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。

図示を省略したが、ｎ型クラッド層３０にはｎ側電極が接続されており、半導体発光装置１の外部の負電源から電子がｎ側電極に供給される。これにより、ｎ型クラッド層３０から活性層４０に電子が供給される。

ｐ型クラッド層５０は、例えばｐ型ドーパントがドープされた膜厚２００ｎｍ程度のＧａＮ膜と膜厚２０ｎｍ程度のＡｌＧａＮ膜の積層体である。ｐ型ドーパントは、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）等である。

図示を省略したが、ｐ型クラッド層５０にはｐ側電極が接続されており、半導体発光装置１の外部の正電源から正孔（ホール）がｐ側電極に供給される。これにより、ｐ型クラッド層５０から活性層４０に正孔が供給される。

活性層４０は、例えば組成比率の異なるＡｌＩｎＧａＮ膜とＡｌＩｎＧａＮ膜を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ)構造を有する。活性層４０を構成するＡｌＩｎＧａＮ膜の膜厚は、それぞれ数μｍ〜数十μｍ程度である。ｎ型クラッド層３０から供給された電子とｐ型クラッド層５０から供給された正孔とが活性層４０で再結合して光を発生する。

以上に説明したように、第１の実施形態に係る半導体発光装置１では、ｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層３１、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層３２、及びｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層３３を積層することにより、ｎ型クラッド層３０の平坦性を向上することができる。その結果、図１に示した半導体発光装置１によれば、活性層４０成長時における結晶欠陥の発生が減少し、そのため活性層４０での発光効率の低下が抑制される。更に、活性層４０の井戸層とバリア層の厚みを薄くできるため、しきい値電圧Ｖｆが低下する。

また、ｎ型クラッド層３０の平坦性が悪いと、活性層４０の面内が均一に発光しないという問題や、局所的に電流が集中して信頼性が低下するという問題が生じる。図１に示した半導体発光装置１では、平坦性のよいｎ型クラッド層３０上に活性層４０が成長させられるため、面内で均一な発光が得られ、且つ信頼性の低下が抑制される。

ｎ型クラッド層３０がＧａＮからなる比較例１の半導体発光装置と、ｎ型クラッド層３０がＧａＮからなる窒化物半導体層とＡｌＧａＮからなる窒化物半導体層がこの順に積層された構造である比較例２の半導体発光装置と、実施形態に係る半導体発光装置１との特性を比較した結果を図２（ａ）に示す。なお、図２（ａ）に示した半導体発光装置１の実施例は、第１の窒化物半導体層３１及び第３の窒化物半導体層３３がｎ型ＧａＮ、第２の窒化物半導体層３２がＡｌＧａＮである。図２（ａ）は２０ｍＡの電流を流した時の明るさとしきい値電圧Ｖｆを示している。ここで、「明るさ」は、半導体発光装置の光出力（任意単位：a.u.）を示す値である。図２（ａ）に示すように、図１に示した半導体発光装置１は、比較例１、２に比べてしきい値電圧Ｖｆが増大することなく、明るさが向上している。これは、半導体発光装置１ではｎ型クラッド層３０の平坦性が向上したために活性層４０成長時における結晶欠陥の発生が抑制された結果、活性層４０の井戸層とバリア層を厚くする必要がなく、且つ、発光効率が向上したためである。

なお、シリコン基板は、サファイア基板やＳｉＣ基板などに比べて窒化物半導体膜との格子定数差が大きく、熱膨張係数も異なる。このため、シリコン基板を使用した場合は、ｎ型クラッド層３０の下側の層の平坦性がサファイア基板を用いた場合よりも悪くなる。したがって、基板１０にシリコン基板を使用した場合に、ｎ型クラッド層３０の平坦性が向上される半導体発光装置１の効果がより大きい。

図３を参照して、図１に示した半導体発光装置１の製造方法の例を説明する。なお、以下に述べる半導体発光装置１の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。

図３は、バッファ層１１、ｎ型層２０、ｎ型クラッド層３０、活性層４０及びｐ型クラッド層５０の成長温度を示すグラフである。図３において、期間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、バッファ層１１、ｎ型層２０、ｎ型クラッド層３０、活性層４０及びｐ型クラッド層５０の成長期間をそれぞれ示す。また、期間Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は、第１の窒化物半導体層３１、第２の窒化物半導体層３２、第３の窒化物半導体層３３の成長期間をそれぞれ示す。期間Ｄ１、Ｄ２は、活性層４０のバリア層と井戸層の成長期間を示す。

先ず、シリコン基板である基板１０上にバッファ層１１を形成する。バッファ層１１の成長温度Ｔ１１は、例えば１０５０℃である。そして、バッファ層１１上に、図３に示す成長温度Ｔ２０でｎ型層２０を形成する。成長温度Ｔ２０は、例えば１０００℃である。

その後、成長温度Ｔ３１で、ｎ型層２０上に膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の第１の窒化物半導体層３１を形成する。成長温度Ｔ３１は、例えば８５０℃である。次いで、成長温度Ｔ３２で、膜厚２５ｎｍ程度のノンドープのＡｌＧａＮ層を第２の窒化物半導体層３２として第１の窒化物半導体層３１上に形成する。成長温度Ｔ３２は、例えば８５０℃である。

第１の窒化物半導体層３１の成長温度Ｔ３１は、ｎ型層２０の成長温度Ｔ２０よりも低く、第２の窒化物半導体層３２の成長温度Ｔ３２と同等又はそれ以上に設定される。第１の窒化物半導体層３１の成長温度Ｔ３１と第２の窒化物半導体層３２の成長温度Ｔ３２の温度差を小さくすることにより、第１の窒化物半導体層３１の成膜工程と第２の窒化物半導体層３２の成膜工程との間の成長停止時間が短くなる。これにより、成長停止の間に平坦性が悪化することを抑制できる。このため、成長温度Ｔ３１と成長温度Ｔ３２が同一温度であることが最も好ましいが、一般的にＩｎＡｌＧａＮ膜の成長温度はＧａＮ膜よりも低いため、第１の窒化物半導体層３１の結晶性の観点から、成長温度Ｔ３２＜成長温度Ｔ３１＜成長温度Ｔ２０としてもよい。また、第１の窒化物半導体層３１を成長させる際に、ｎ型層２０の成長温度Ｔ２０から第２の窒化物半導体層３２の成長温度Ｔ３２まで連続的に変化させることも有効である。つまり、図３に破線Ｌ１で示したように成長温度を変化させながら、第１の窒化物半導体層３１を成長させてもよい。

成長温度Ｔ３３で、第２の窒化物半導体層３２上に膜厚５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の第３の窒化物半導体層３３を形成する。成長温度Ｔ３３は、例えば８５０℃である。そして、第３の窒化物半導体層３３上に活性層４０を形成する。例えば、活性層４０のバリア層の成長温度Ｔ４１は８２０℃程度、井戸層の成長温度Ｔ４２は７２０℃程度に設定される。

なお、第３の窒化物半導体層３３の成長温度Ｔ３３が高いほど、第３の窒化物半導体層３３の平坦性はよい。しかし、活性層４０若しくは第２の窒化物半導体層３２の成長温度との差が大きいと、製造工程中において成長温度に調整されるまでの時間が長くなり、成長停止時間が増大する。成長停止時に平坦性が悪化する現象があるため、第３の窒化物半導体層３３の成長温度Ｔ３３は、活性層４０の成長温度及び第２の窒化物半導体層３２の成長温度にできるだけ近いことが好ましく、同一温度であることがより好ましい。ただし、バリア層の成長温度Ｔ４１と第３の窒化物半導体層３３の成長温度Ｔ３３を同一にすることは可能であるが、井戸層の成長温度Ｔ４２と成長温度Ｔ３３を同一にすることは、一般には困難である。

なお、第３の窒化物半導体層３３を成長させる際に、第２の窒化物半導体層３２の成長温度Ｔ３２から成長温度Ｔ４１まで連続的に温度を変化させてもよい。つまり、図３に破線Ｌ２で示したように成長温度を変化させながら、第３の窒化物半導体層３３を成長させてもよい。

成長温度Ｔ５０で、活性層４０上にｐ型クラッド層５０を形成する。例えば、膜厚２００ｎｍのｐ型ＧａＮ層と膜厚２０ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮ層からなるｐ型クラッド層５０を、１０００℃で形成する。これにより、図１に示した半導体発光装置１が完成する。

なお、半導体発光装置１では一般的な原料ガスを使用可能であり、例えばアンモニア（ＮＨ₃)ガス、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＴＭＩガスなどが使用される。

また、ｎ型クラッド層３０を形成時の成膜圧力を活性層４０を形成時の成膜圧力より大きくすることで、ｎ型クラッド層３０の結晶品質を向上させることができる。具体的には、活性層４０の成膜圧力は４００Ｔｏｒｒ程度であり、ｎ型クラッド層３０の成膜圧力は６００Ｔｏｒｒ若しくは７６０Ｔｏｒｒ程度である。

更に、上記製造方法の例では第２の窒化物半導体層３２がＡｌＧａＮ膜である例を示したが、第２の窒化物半導体層３２をＩｎＧａＮ膜とすることによっても、上述した効果と同様の効果を有する。

図２（ｂ）は、ｎ型クラッド層３０がＧａＮからなる比較例１の半導体発光装置と、ｎ型クラッド層３０がＧａＮからなる窒化物半導体層とＩｎＧａＮからなる窒化物半導体層がこの順に積層された構造である比較例２の半導体発光装置と、実施形態に係る半導体発光装置１において第２の窒化物半導体層３２をＩｎＧａＮとした場合の特性を比較した結果を示す。なお、図２（ｂ）に示した半導体発光装置１の実施例は、第１の窒化物半導体層３１及び第３の窒化物半導体層３３がｎ型ＧａＮからなり、第２の窒化物半導体層３２がＩｎＧａＮからなる。図２（ｂ）も図２（ａ）の場合と同様に、２０ｍＡの電流を流した時の明るさとしきい値電圧Ｖｆを示している。図２（ｂ）に示すように、図１に示した半導体発光装置１は、比較例１、２に比べてしきい値電圧Ｖｆが増大することなく、明るさが向上している。

（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

既に述べた実施形態の説明においては、基板１０上にｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０をこの順に積層する場合を例示的に示したが、完成した半導体発光装置１において、ｐ型クラッド層５０、活性層４０、ｎ型クラッド層３０の順に基板上に配置されていてもよい。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

１…半導体発光装置
１０…基板
１１…バッファ層
２０…ｎ型層
３０…ｎ型クラッド層
３１…第１の窒化物半導体層
３２…第２の窒化物半導体層
３３…第３の窒化物半導体層
４０…活性層
５０…ｐ型クラッド層

Claims (13)

1. ｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層、及びｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層がこの順に積層されたｎ型クラッド層と、
   前記ｎ型クラッド層の前記第３の窒化物半導体層上に配置された活性層と、
   前記活性層上に配置されたｐ型クラッド層と
   を備えることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記第２の窒化物半導体層がＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記第２の窒化物半導体層がＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
4. 前記第２の窒化物半導体層が、膜厚が１００ｎｍ以下のノンドープの窒化物半導体層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
5. シリコン基板上に前記ｎ型クラッド層、前記活性層、前記ｐ型クラッド層が配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
6. 第１の成長温度で窒化物半導体からなるｎ型層を形成するステップと、
   前記第１の成長温度より低い第２の成長温度で、前記ｎ型層上にｎ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層を形成するステップと、
   前記第２の成長温度以下の第３の成長温度で、前記第１の窒化物半導体層上にＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０＜Ｘ＋Ｙ＜１）からなる第２の窒化物半導体層を形成するステップと、
   前記第３の成長温度以下の第４の成長温度で、前記第２の窒化物半導体層上にｎ型ＧａＮからなる第３の窒化物半導体層を形成するステップと、
   前記第４の成長温度より低い第５の成長温度で、前記第３の窒化物半導体層上に活性層を形成するステップと、
   前記活性層上にｐ型クラッド層を形成するステップと
   を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
7. 前記第２の成長温度と前記第３の成長温度が等しいことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。
8. 前記第３の成長温度と前記第４の成長温度が等しいことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体発光装置の製造方法。
9. 前記第２の窒化物半導体層がＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
10. 前記第２の窒化物半導体層がＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
11. 前記第２の窒化物半導体層が、膜厚が１００ｎｍ以下のノンドープの窒化物半導体層であることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
12. シリコン基板上に前記ｎ型クラッド層、前記活性層、前記ｐ型クラッド層を形成することを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。
13. 前記第１の窒化物半導体層、前記第２の窒化物半導体層及び前記第３の窒化物半導体層のいずれかを、前記活性層よりも低い成膜圧力で形成することを特徴とする請求項６乃至１２のいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造方法。

Images