JP2013128012A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタのソース領域ソース領域を取り囲んで環状のフローティングゲートを配置し、ソース領域は内側に、ドレイン領域は外側になるように環状に形成する。環状にメモリトランジスタを形成することで、従来の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタよりも、W長を長くでき、ホットキャリアの源となる電流量、及び、ホットキャリアの発生しやすいドレイン端領域を大きくできる。ホットキャリアの発生数を増やすことで、書き込み特性を向上させることが可能になる。また、本発明で製造する不揮発性半導体記憶装置の構造は、従来の不揮発性半導体記憶装置の製造方法で製造できるので、製造工程を増やさずに書き込み特性を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
・パッケージの状態でトリミングを行い出荷可能なので、短納期対応が可能である。
・パッケージ組み立て時に生じるパッケージシフトも含めたトリミングができるので高精度化が可能である。
・メモリを制御する為の周辺回路の縮小化。
・低電圧動作化。
・既存の製造工程の活用。
要求特性の一つとして、メモリの周辺回路の縮小化がある。メモリによってトリミング可能なブリーダー抵抗回路には、書き込み、読み出し等、トリミング用のメモリを制御する為の周辺回路が必要となる。通常、このメモリを制御する為の周辺回路面積の方が、全メモリセルの面積よりも大きくなってしまっている。従って、周辺回路の縮小化が求められている。
ホットキャリアを用いて情報の書き込みを行う従来の不揮発性半導体記憶装置である不揮発性EPROMの構造と書き込み動作の原理を、図7および図8を用いて説明する。図7は概略構成を示す平面図であり、図8(a)、図8(b)、および図8(c)は、それぞれ図7のF−F’線、G−G’線、およびH−H’線で切断した断面図である。P型半導体基板上に形成したNチャネル型不揮発性EPROMを例に説明する。
そこで、本発明は、製造工程を複雑にすることなく、書き込み特性が向上された不揮発性半導体記憶装置を提供することを課題とする。
不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタのソース領域を取り囲んで環状のフローティングゲートを配置し、ソース領域は内側に、ドレイン領域は外側になるように環状に形成する。環状にメモリトランジスタを形成することで、従来の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタよりも、W長を長くできる。ホットキャリアの発生の元となる電流量、及び、ホットキャリアの発生しやすいドレイン端領域を大きくできることで、ホットキャリアの絶対数を増やし、書き込み特性を向上することが可能になる。また、本発明による不揮発性半導体記憶装置の構造は、従来の不揮発性半導体記憶装置の製造方法で製造できるので、製造工程を増やさずに書き込み特性を向上することができる。
本実施の形態では、図1、及び、図2(a)、図2(b)に示すように、ソース領域6を取り囲んで環状のフローティングゲート9を配置し、フローティングゲート9に対して、ソース領域6は内側に、ドレイン領域7は外側になるように環状に配置されている。
また、本実施の形態では、四角い環状にメモリトランジスタを形成したが、円状や、四角形以上の多角形の環状に形成しても同様の効果が得られる。
上記フローティングゲート9の一部を突起状に形成することで、第一の実施形態、及び、第二の実施形態よりも、ドレイン端に電界集中しやすい角を増やすことができ、ホットキャリアの絶対量を増やすことができ、書き込み特性を向上させることが可能となる。
この効果は、第二のドレイン領域12に限らず、第一のドレイン領域7でも同様の効果が得られるので、第一のドレイン端の形状に角を含ませる場合にも、同様の効果が得られる。
また、本実施の形態では、環状構造は四角であり、その内外にメモリトランジスタを形成したが、円状や、四角形以上の多角形の環状構造に形成しても同様の効果が得られる。
以上が、本実施の形態で製造する不揮発性半導体記憶装置の構造である。
本発明によれば、不揮発性半導体記憶装置において、メモリトランジスタのソース領域を取り囲んで環状のフローティングゲートを配置し、ソース領域は内側に、ドレイン領域は外側になるように環状に形成している。
上記効果により、製造工程を複雑にすることなく、書き込み特性の向上可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
2 コントロールゲート領域
3 P型半導体基板
4 P型ウェル
5 素子分離領域
6 ソース領域
7 ドレイン領域
8 ゲート酸化膜
9 フローティングゲート
10 N型不純物層
11 高濃度N型不純物層
12 第二のドレイン領域
24 突起状フローティングゲート
31 第1のアクティブ領域
32 第2のアクティブ領域
41 環状構造
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一主面に沿って形成された第1導電型のウェル領域と、
前記ウェル領域内に設けられ、前記半導体基板表面に形成された素子分離領域により互いに分離されている第1のアクティブ領域および第2のアクティブ領域と、
前記第2のアクティブ領域の前記半導体基板表面近傍に設けられた第1の第2導電型不純物拡散層と、
前記第1のアクティブ領域の前記半導体基板表面に設けられた第1のゲート絶縁膜および前記第2のアクティブ領域の前記半導体基板表面に設けられた第2のゲート絶縁膜を介して前記第1のアクティブ領域から前記第2のアクティブ領域にかけて設けられた、前記第1のアクティブ領域において環状構造を有するフローティングゲートと、
前記第1のアクティブ領域の前記半導体基板表面近傍であって、前記環状構造の内側となる位置に配置されたソース領域と、外側となる位置に配置されたドレイン領域と、
を有する不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ソース領域、前記環状構造、および前記ドレイン領域が四角形の環状に配置された請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記ソース領域、前記環状構造、および前記ドレイン領域が同心円の環状に配置された請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記ソース領域、前記環状構造、および前記ドレイン領域が五角形以上の多角形の環状に配置された請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記フローティングゲートが有する前記環状構造は複数である請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記環状構造は前記ソース領域が位置する内側に櫛状の突起を有している請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
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---|---|---|---|---|
JPH06291290A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH07183410A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH11340468A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2005522884A (ja) * | 2002-04-15 | 2005-07-28 | エスティマイクロエレクトロニクス エスエー | 半導体メモリ・デバイス |
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JPH06291290A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH07183410A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH11340468A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
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