JP2013127519A - 光変調装置、及び、光変調装置における制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光変調装置200において、ドライバ201が、データ信号に従った駆動信号を変調部203に印加し、変調部203が、LD202から入力される光を駆動信号によって変調し、バイアス制御部208が、同期検波部207での検波結果に従って、f0成分を0(ゼロ)に近づけるようにバイアス電圧値を算出し、算出した電圧値を有するバイアス電圧を変調部203に供給する。バイアス制御部208は、ABC制御の最中にデータ信号が予め定めた状態と異なる状態にあるときはABC制御を中断し、ABC制御の中断の後に、ABC制御の中断前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いてABC制御を再開する。
【選択図】図2
Description
[光変調装置200の構成]
図2は、実施の形態1に係る光変調装置200の構成例を示すブロック図である。光変調装置200は、ドライバ(駆動回路)201と、LD202と、変調部203と、PD(Photo Diode)204と、BPF(Band Pass Filter)205と、発振器206と、同期検波部207と、バイアス制御部208とを有する。
バイアス制御部208は、ABC制御の最中にデータ信号が異常な状態にあるときはABC制御を中断する。
以上のように本実施の形態によれば、光変調装置200において、バイアス制御部208が、データ信号が異常な状態にあるときにABC制御を中断するとともにバイアス電圧値を固定する一方で、データ信号が正常な状態に戻ったときに、その固定したバイアス電圧値を初期値として用いてABC制御を再開することにより、ABC制御を安定させる。
実施の形態2に係る光変調装置は、ABC制御の最中にデータ信号が異常な状態にあるときはABC制御を中断し、ABC制御の中断の後にデータ信号が正常な状態に戻ったときは、ABC制御の中断の前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いてABC制御を再開する点において実施の形態1に係る光変調装置と同一である。一方で、実施の形態2に係る光変調装置は、逐次求めるバイアス電圧値をメモリに記憶し、ABC制御の中断の後にデータ信号が正常な状態に戻ったときは、データ信号が異常な状態になる直前に記憶したバイアス電圧値を初期値として用いてABC制御を再開する点において実施の形態1に係る光変調装置と異なる。
図3は、実施の形態2に係る光変調装置300の構成例を示すブロック図である。図3において、光変調装置300は、バイアス制御部301と、メモリ302とを有する。
バイアス制御部301は、データ信号が正常な状態にあるとき、逐次求めたバイアス電圧値をメモリ302に書き込んで記憶する。このときバイアス制御部301は、逐次求めたバイアス電圧値を順にメモリ302に記憶してもよく、また、最新のバイアス電圧値でメモリ302を逐次更新してもよい。つまり、メモリ302には、データ信号が正常な状態にあるときの最新のバイアス電圧値が記憶されていればよい。
図4は、実施の形態2におけるバイアス制御の説明に供するフローチャートである。
以上のように本実施の形態によれば、光変調装置300において、バイアス制御部301が、データ信号が異常な状態にあるときにABC制御を中断する一方で、データ信号が正常な状態に戻ったときに、データ信号が異常な状態になる直前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いてABC制御を再開する。
実施の形態3に係る光変調装置は、駆動信号の振幅制御を行う点において実施の形態1に係る光変調装置と異なる。
図5は、実施の形態3に係る光変調装置500の構成例を示すブロック図である。図5において、光変調装置500は、振幅制御部501を有する。
振幅制御部501には、同期検波部207から検波結果が入力される。振幅制御部501は、同期検波部207から入力される検波結果に従って、f0成分を0(ゼロ)に近づけるように振幅値を算出し、算出した振幅値に応じてドライバ201の増幅率を変化させて駆動信号の振幅を制御する。振幅制御部501は、このようにして逐次算出する振幅値に従って駆動信号の振幅を逐次変化させる振幅制御を行う。
以上のように本実施の形態によれば、光変調装置500において、振幅制御部501が、データ信号が異常な状態にあるときに振幅制御を中断する一方で、データ信号が正常な状態に戻ったときは、振幅制御の中断の前に算出した振幅値を初期値として用いて振幅制御を再開する。
実施の形態4に係る光変調装置は、QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)変調方式による変調処理を行う点において実施の形態1に係る光変調装置と異なる。
図6は、実施の形態4に係る光変調装置600の構成例を示すブロック図である。図6において、光変調装置600は、変調部601と、ドライバ602(駆動回路)と、モニタ部603と、BPF604と、発振器605と、同期検波部606と、バイアス制御部607とを有する。
バイアス制御部607は、ABC制御の最中にデータ信号が異常な状態にあるときはABC制御を中断する。
以上のように本実施の形態によれば、光変調装置600において、バイアス制御部607が、データ信号が異常な状態にあるときにABC制御を中断する一方で、データ信号が正常な状態に戻ったときは、ABC制御の中断の前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いてABC制御を再開する。
実施の形態5に係る光変調装置は、複数のデータを多重してデータ信号を生成する多重化データ生成部を有する点において実施の形態1に係る光変調装置と異なる。
図7は、実施の形態5に係る光変調装置700の構成例を示すブロック図である。図7において、光変調装置700は、多重化データ生成部701を有する。また、多重化データ生成部701は、異常検出部702を有する。
図8は、実施の形態5における多重化データ生成部701の構成例1を示すブロック図である。構成例1に示す多重化データ生成部701は、DDR801−1〜801−Nと、バッファ802−1〜802−Nと、遅延器803−1〜803−Nと、多重化部804と、DDR805と、バッファ806と、デスキュー制御部807と、バッファ初期化部808とを有する。構成例1は、“Serdes Framer Interface Level 5 (SFI-5):Implementation Agreement for 40Gb/s Interface for Physical Layer Devices., OIF-SFI5-01.02, January 29, 2002”(以下「SFI−5」と称する)に準拠したものである。
図9は、実施の形態5における多重化データ生成部701の構成例2を示すブロック図である。構成例2に示す多重化データ生成部701は、MLD(Multi Lane Distribution)インタフェース901と、誤り訂正符号化器902と、多重化部903とを有する。構成例2は、“Multisource Agreement for 100G Long-Haul DWDM Transmission Module-Electromechanical, IA # OIF-MSA-100GLH-EM-01.0, June 8, 2010”(以下「MSA―100GLH」と称する)の送信部に適用可能なものである。
以上のように本実施の形態によれば、光変調装置700において、ABC制御の中断の後にデータ信号が正常な状態に戻ったときに、多重化データ生成部701を初期化する。
201 ドライバ
203 変調部
208,301,607 バイアス制御部
302 メモリ
501 振幅制御部
701 多重化データ生成部
702 異常検出部
807 デスキュー制御部
808 バッファ初期化部
901 MLDインタフェース
Claims (10)
- 入力される光を駆動信号によって変調して光信号を出力する変調部と、
データ信号に従った前記駆動信号を前記変調部に印加する駆動部と、
逐次算出するバイアス電圧値に従って、前記駆動信号のバイアス電圧の動作点を前記変調部の変調曲線における光強度が減少する方向に合わせるバイアス制御を行い、
前記バイアス制御の最中に前記データ信号が予め定めた状態と異なる状態にあるときは前記バイアス制御を中断し、前記中断の後に前記中断の前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いて前記バイアス制御を再開する第1バイアス制御部と、
を具備する光変調装置。 - 前記第1バイアス制御は、前記動作点を前記変調曲線における前記光強度が最小になる点に合わせるバイアス制御を行う、
請求項1に記載の光変調装置。 - 前記第1バイアス制御は、前記動作点を前記変調曲線における前記光強度が最大になる点と最小になる点との中間点に合わせるバイアス制御を行う、
請求項1に記載の光変調装置。 - 前記第1バイアス制御部は、連続して前記駆動部に入力される前記データ信号が中断しているとき、前記データ信号の振幅が所定の範囲外にあるとき、前記データ信号の周波数が所定の範囲外にあるとき、前記データ信号に閾値以上の大きさのノイズが含まれているとき、複数のデータが多重されて生成される前記データ信号において前記複数のデータの一部が欠落しているとき、前記複数のデータ間における位相差が閾値以上にあるとき、前記複数のデータにおけるマーク率が所定の範囲外にあるとき、前記複数のデータのいずれかの振幅が所定の範囲外にあるとき、前記複数のデータのいずれかの周波数が所定の範囲外にあるとき、または、前記複数のデータのいずれかに閾値以上の大きさのノイズが含まれているときに、前記予め定めた状態と異なる状態であることを示すアラーム信号が入力され、前記アラーム信号に従って前記バイアス制御を中断する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調装置。 - 前記第1バイアス制御部は、
前記予め定めた状態と異なる状態にあるときに前記バイアス制御を中断するとともにバイアス電圧値を固定し、
前記中断の後に、前記固定したバイアス電圧値を初期値として用いて前記バイアス制御を再開する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調装置。 - 前記第1バイアス制御部は、
前記逐次求めるバイアス電圧値をメモリに記憶し、
前記中断の後に、前記メモリに記憶された最新のバイアス電圧値を初期値として用いて前記バイアス制御を再開する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調装置。 - 複数のデータを多重して前記データ信号を生成する生成部と、
前記中断の後に前記生成部を初期化する初期化部と、
をさらに具備する請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光変調装置。 - 逐次算出する振幅値に従って前記駆動信号の振幅を逐次変化させる振幅制御を行うとともに、
前記振幅制御の最中に前記データ信号が前記予め定めた状態と異なる状態にあるときは前記振幅制御を中断し、前記中断の後に前記中断の前に算出した振幅値を初期値として用いて前記振幅制御を再開する振幅制御部、
をさらに具備する請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光変調装置。 - 前記変調部は、I成分の光信号を出力するIアーム及びQ成分の光信号を出力するQアームを有し、
逐次算出するバイアス電圧値に従って、前記I成分の光信号と前記Q成分の光信号との位相差がπ/2となるように前記変調部に印加するバイアス電圧を逐次制御するπ/2バイアス制御を行い、
前記π/2バイアス制御の最中に前記データ信号が前記予め定めた状態と異なる状態にあるときは前記π/2バイアス制御を中断し、前記中断の後に前記中断の前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いて前記π/2バイアス制御を再開する第2バイアス制御部、をさらに具備する、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の光変調装置。 - 入力される光を駆動信号によって変調して光信号を出力する変調部と、データ信号に従った前記駆動信号を前記変調部に印加する駆動部と、を備える光変調装置における制御方法であって、
逐次算出するバイアス電圧値に従って、前記駆動信号のバイアス電圧の動作点を前記変調部の変調曲線における光強度が減少する方向に合わせるバイアス制御を行い、
前記バイアス制御の最中に前記データ信号が予め定めた状態と異なる状態にあるときは前記バイアス制御を中断し、
前記中断の後に前記中断の前に算出したバイアス電圧値を初期値として用いて前記バイアス制御を再開する、
制御方法。
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