JP2013125836A - サファイア基板のエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトリソプロセスにより、サファイア基板の表面にレジスト膜によるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターンが形成されたサファイア基板に対してドライエッチング処理を行い、サファイア基板の表面に複数の半球形状の凸部を形成するエッチング処理工程とを行い、エッチング処理工程では、エッチング処理の選択比がそれぞれ異なる少なくとも3段階以上の処理に分けて、選択比が低くなる順序にてそれぞれの処理を行い、マスクパターン形成工程とエッチング処理工程との間には、マスクパターンに対する軟化処理を行うことなく、サファイア基板のエッチングを行う。
【選択図】図3
Description
本発明の実施の形態1に係るサファイア基板のエッチング方法を実施するために用いられるプラズマ処理装置の一例としてICP(誘導結合プラズマ)型のドライエッチング装置1の構成図を図1に示す。
次に、本発明の実施の形態2に係るサファイア基板のエッチング方法について説明する。本実施の形態2のドライエッチング処理では、互いに選択比が異なる3段階のエッチング処理(第1〜第3エッチング処理)を実施する点において、上述の実施の形態1のドライエッチング処理と共通しているが、第2エッチング処理において、選択比が低下する方向に連続的に変化させている点にて実施の形態1と相違する。以下、この相違点について説明する。
2 サファイア基板
3 チャンバ
3a ガス導入口
3b 排気口
4 天板
5 ICPコイル
6 第1の高周波電源部
7 ガス供給部
8 圧力制御部
9 トレイ
9a 基板収容孔
9b 基板支持部
10 基板ステージ
11 ステージ上部
12 金属ブロック
13 絶縁体
14 トレイ支持部
15 基板保持部
16 ESC電極
17 冷却ガス供給口
18 冷却ガス供給路
19 冷媒流路
20 ESC駆動電源部
21 冷却ガス供給部
22 第2の高周波電源部
23 冷却ユニット
31 マスクパターン(レジスト膜)
32 突起(凸部)
70 制御部
Claims (4)
- サファイア基板に対してドライエッチング処理を行い、サファイア基板の表面に複数の半球形状の凸部を形成する方法であって、
エッチング処理を選択比がそれぞれ異なる少なくとも3段階以上の処理に分けて、選択比が低くなる順序にてそれぞれの処理を行う、サファイア基板のエッチング方法。 - エッチング処理において、複数の円柱形状のマスクパターンが表面に配置されたサファイア基板に対して、少なくとも3段階以上の処理を行う、請求項1に記載のサファイア基板のエッチング方法。
- フォトリソプロセスにより、サファイア基板の表面にレジスト膜によるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
マスクパターンが形成されたサファイア基板に対してドライエッチング処理を行い、サファイア基板の表面に複数の半球形状の凸部を形成するエッチング処理工程と、を備え、
エッチング処理工程では、エッチング処理の選択比がそれぞれ異なる少なくとも3段階以上の処理に分けて、選択比が低くなる順序にてそれぞれの処理を行い、
マスクパターン形成工程とエッチング処理工程との間には、マスクパターンに対する軟化処理を行わない、サファイア基板のエッチング方法。 - マスクパターン形成工程において、複数の円柱形状のマスクパターンを形成し、
エッチング処理工程において、複数の円柱形状のマスクパターンが表面に配置されたサファイア基板に対して、少なくとも3段階以上の処理を行う、請求項3に記載のサファイア基板のエッチング方法。
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