JP5351877B2 - 基板のプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の一例としてICP(誘導結合プラズマ)型のドライエッチング装置1の構成図を図1に示す。
まず、サファイア基板2の表面に、レジスト膜を配置して、形成されるべき凹凸構造に応じたマスクパターンを形成する(マスク形成工程)。このマスク形成工程では、フォトリソグラフィー技術を用いて実施することができる。
次に、トレイ15のそれぞれの基板収容孔19内に、マスクパターンが形成された基板2の縁部が基板支持部21により支持された状態にて、それぞれの基板2を収容させる。なお、トレイ本体15aの上面15bには、上面15bの全体を覆うように有機樹脂カバー40が予め配置されている。
次に、ドライエッチング装置1において、ゲートバルブを開放状態とさせて、ゲートバルブを通じてそれぞれの基板2を収容した状態のトレイ15をチャンバ3内に搬入する。
次に、エッチング処理を実施する。具体的には、ガス供給部12からチャンバ3内にエッチング処理用のガス(BCl3を主体とするガス)が供給されるとともに、真空ポンプ13によりチャンバ3内は所定圧力に維持される。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。これによりチャンバ3内にプラズマが発生する。
その後、第1の高周波電源部7によるICPコイル5への高周波電圧の印加を停止するとともに、ESC駆動電源部によるESC電極への直流電圧の印加を停止する。必要に応じて、残留静電吸着力の除電処理などを実施した後、チャンバ3内からそれぞれの基板2をトレイ15とともに搬出するトレイ搬出処理を実施する。このトレイ15の搬出の際には、トレイ15の基板支持部21と基板2の縁部の下面とが接触して、それぞれの基板2がトレイ15により支持された状態にて押し上げられ、トレイ15に夫々の基板2が支持された状態にて、トレイ15が搬出される。
2 基板
3 チャンバ
4 天板
5 ICPコイル
7 第1の高周波電源部
9 基板ステージ
12 ガス供給部
13 真空ポンプ
15 トレイ
15a トレイ本体
19 基板収容孔
21 基板支持部
23 ステージ
28 トレイ支持部
29 基板保持部
30 ガイドリング
31 保持面
40、50 有機樹脂カバー
56 第2の高周波電源部
S 離間寸法
Claims (6)
- サファイア基板の表面にレジスト膜を配置してマスクパターンを形成するマスク形成工程と、
トレイが有する複数の基板収容部にサファイア基板が収容された状態にて、それぞれのサファイア基板に対して、BCl3が主体のガスを用いてプラズマ処理を行い、それぞれのサファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程とを備え、
プラズマ処理工程において、トレイ表面に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、基板のプラズマ処理方法。 - 複数の基板収容部の周囲におけるトレイ表面全体に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、請求項1に記載の基板のプラズマ処理方法。
- トレイ表面において複数の基板収容部の縁部より離間した位置に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、請求項1に記載の基板のプラズマ処理方法。
- トレイ表面に有機材料を塗布することにより、有機材料を配置する、請求項1から3のいずれか1つに記載の基板のプラズマ処理方法。
- 有機材料により形成されたカバー部材をトレイ表面に脱着可能に配置することにより、有機材料を配置する、請求項1から3のいずれか1つに記載の基板のプラズマ処理方法。
- トレイ表面に対するカバー部材の配置を位置決めするための係合部が、カバー部材およびトレイ表面に形成されている、請求項5に記載の基板のプラズマ処理方法。
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