JP5855479B2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 40
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 19
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 15
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 14
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N hydrogen bromide Substances Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供することにある。
本開示におけるプラズマエッチング装置の一態様は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板を収容する真空槽と、前記真空槽に形成された開口を封止する誘電窓と、前記真空槽の外側で前記誘電窓と互いに向い合うように配置された誘導アンテナ、および、前記誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源を備え、前記誘電窓を介して前記真空槽内に伝播される高周波によって三塩化ホウ素を含むガスからプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記誘電窓と前記誘導アンテナとの間に配置され、高周波電力の供給される容量電極と、を備え、前記容量電極への前記高周波電力の供給によって、前記プラズマ中の粒子を前記誘電窓に引き込むプラズマエッチング装置であって、前記誘電窓における前記真空槽内部側の表面が、樹脂、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び酸化イットリウムの少なくとも1つからなることを要旨とする。
また、誘導結合型プラズマを利用した装置によってエッチングが行われるため、高周波電力の周波数やパワーの制御が行いやすく、サファイア基板のエッチングを高精度に行うことが可能となる。
さらに、プラズマエッチング装置が、誘電窓と誘導アンテナとの間に配置され、高周波電力の供給される容量電極を備えているため、誘電窓へのエッチング生成物の付着を抑制することができる。そして、サファイア基板のエッチング中にプラズマ中の粒子が誘電窓の表面に引き込まれるため、誘電窓の表面が樹脂から形成されている場合には、誘電窓の表面から樹脂がはじき出され、その後、こうした粒子の一部がレジストマスク上に堆積することによって、レジストマスク上に樹脂が供給される。したがって、レジストマスクの酸化が抑制される結果、レジストマスクのエッチングレートを低下させることが可能になる。すなわち、エッチングにおけるサファイア基板の選択比をさらに高めることが可能となる。
本開示におけるプラズマエッチング装置の一態様は、前記誘電窓における前記真空槽内部側の表面が、前記樹脂であるポリイミドからなることを要旨とする。
誘電窓は、その直下にてプラズマが生成されるため、プラズマに曝されることによって高温となる場合がある。この点、本開示におけるプラズマエッチング装置の一態様によれば、塩素に対する化学的な耐性を有する樹脂のうちで耐熱性に優れたポリイミドにより誘電窓の表面が形成されるため、他の樹脂と比べて誘電窓表面の熱的な劣化を抑えることが可能である。
以下、本開示におけるプラズマエッチング装置の第1実施形態について図1,図2を参照して説明する。まず、プラズマエッチング装置の全体構成について、図1を参照して説明する。なお、本実施形態のプラズマエッチング装置は、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を用いて、発光ダイオードの製造工程におけるサファイア基板のエッチングを行うエッチング装置を想定している。
このように構成されるプラズマエッチング装置において、アンテナ用高周波電源RF2から誘導アンテナ17に高周波電力が供給されると、誘電窓11を介して真空槽10内に高周波エネルギーが伝播されることにより、三塩化ホウ素ガスからプラズマが生成される。次いで、バイアス用高周波電源RF1からステージ12に高周波電力が供給されると、真空槽10内に生成されたプラズマ中のエッチャントがサファイア基板Sに向けて引き込まれる。これによって、サファイア基板Sがレジストマスクの形状に応じた所望の形状にエッチングされる。この際、アンテナ用高周波電源RF2からは容量電極18にも高周波電力が供給されるため、容量電極18とプラズマとが容量結合される結果、プラズマ中の荷電粒子が被覆部11bに引き込まれる。そして、こうした荷電粒子の衝突により、誘電窓11へのエッチング生成物の付着が抑制される。
以下、上記第1実施形態の実施例を詳細に説明する。
まず、直径が4インチのサファイア基板の表面に厚さが1μmのレジストマスクを形成してエッチング用のサファイア基板を作成した。次いで、ポリイミドからなる被覆部を有する直径が12インチの誘電窓を備えた真空槽内のトレイに5枚のサファイア基板を載置し、三塩化ホウ素ガスから生成したプラズマによって、サファイア基板のエッチングを行った。その後、レジストマスクの厚さとサファイア基板のレジストマスクで覆われていない部分の厚さとを走査型電子顕微鏡を用いて測定して、レジストマスクのエッチングレート(nm/min)とサファイア基板のエッチングレート(nm/min)を算出した。そして、レジストマスクのエッチングレートに対するサファイア基板のエッチングレートの比([サファイア基板のエッチングレート]/[レジストマスクのエッチングレート])である実施例1の選択比を求めた。なお、サファイア基板のエッチングは、以下の条件にて行われた。
・アンテナ用高周波電源の出力 500〜3000W
・バイアス用高周波電源の出力 50〜2000W
・真空槽内の圧力 0.1〜2Pa
また、被覆部を有さず石英のみからなる誘電窓を備えた真空槽内のトレイにエッチング用のサファイア基板を載置し、その他の条件を実施例1と同じくして、比較例1の選択比を求めた。
(1)サファイア基板Sのエッチング時に生成される酸化剤の一部が、誘電窓11の表面を構成する被覆部11bとの反応によって消費されるため、レジストマスク30に供給される酸化剤の量が先の消費量分だけ抑えられるようになる。したがって、レジストマスク30の酸化が抑制される結果、レジストマスク30のエッチングレートを低下させることが可能になる。すなわち、エッチングにおけるサファイア基板Sの選択比を高めることが可能となり、ひいては、レジストパターンを厚く形成することやメタルマスクを形成することが不要となる結果、エッチング工程が簡素化される。
(3)容量電極18に供給される高周波電力によりプラズマ中の粒子が誘電窓11の表面に引き込まれる結果、誘電窓11の表面からレジストマスク30上にポリイミドが供給されることになる。こうしたポリイミドの供給によりレジストマスク30の酸化が抑制されるため、レジストマスク30のエッチングレートをさらに低下させることが可能になる。すなわち、エッチングにおけるサファイア基板Sの選択比をさらに高めることが可能となる。
[第2実施形態]
以下、本開示におけるプラズマエッチング装置を具体化した第2実施形態について、図3を参照して説明する。なお、本実施形態は、上記第1実施形態と比較して、誘電窓における真空槽内部側の表面の材料が異なっている。そのため、以下では、こうした相違点を中心に説明する。
以下、上記第2実施形態の実施例を詳細に説明する。
まず、直径が4インチのサファイア基板の表面に厚さが1μmのレジストマスクを形成してエッチング用のサファイア基板を作成した。次いで、窒化ホウ素からなる被覆部を有する直径が12インチの誘電窓を備えた真空槽内のトレイに5枚のサファイア基板を載置し、三塩化ホウ素ガスから生成したプラズマによって、サファイア基板のエッチングを行った。その後、レジストマスクの厚さとサファイア基板のレジストマスクで覆われていない部分の厚さとを走査型電子顕微鏡を用いて測定して、レジストマスクのエッチングレート(nm/min)とサファイア基板のエッチングレート(nm/min)を算出した。そして、レジストマスクのエッチングレートに対するサファイア基板のエッチングレートの比([サファイア基板のエッチングレート]/[レジストマスクのエッチングレート])である実施例2の選択比を求めた。なお、サファイア基板のエッチングは、以下の条件にて行われた。
・アンテナ用高周波電源の出力 500〜3000W
・バイアス用高周波電源の出力 50〜2000W
・真空槽内の圧力 0.1〜2Pa
また、窒化アルミニウムからなる被覆部を有する誘電窓を備えた真空槽内のトレイにエッチング用のサファイア基板を載置し、その他の条件を実施例2と同じくして、実施例3の選択比を求めた。
(4)誘電窓21における真空槽10内部側の表面が、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び酸化イットリウムのいずれか1つから形成されるため、誘電窓21の表面が石英から形成される場合と比べて、誘電窓21の表面から酸素が放出され難くなる。したがって、レジストマスク30の酸化が抑制されるため、レジストマスク30のエッチングレートを低下させることができるようになる。すなわち、エッチングにおけるサファイア基板Sの選択比を高めることが可能となり、ひいては、レジストパターンを厚く形成することやメタルマスクを形成することが不要となる結果、エッチング工程が簡素化される。
・被覆部11b,21bが、樹脂、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化イットリウムのいずれか1つの材料から形成される構成であれば、基材11a,21aは、石英に限られず、プラズマから与えられる熱によって変形しない程度の熱的な耐性を有するような無機材料から形成されてもよい。このように、誘電窓11,21が基材11a,21aと被覆部11b、21bとから構成されれば、上記(1)または(4)の効果を得つつ、基材11a,21aの材料を加工性や形状の安定性の観点から適宜選択することが可能となる。そのため、誘電窓としての所望の物理的な特性を得ることができるようになる。
Claims (7)
- レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板を収容する真空槽と、
前記真空槽に形成された開口を封止する誘電窓と、
前記真空槽の外側で前記誘電窓と互いに向い合うように配置された誘導アンテナ、および、前記誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源を備え、前記誘電窓を介して前記真空槽内に伝播される高周波によって三塩化ホウ素を含むガスからプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記誘電窓と前記誘導アンテナとの間に配置され、高周波電力の供給される容量電極と、
を備え、前記容量電極への前記高周波電力の供給によって、前記プラズマ中の粒子を前記誘電窓に引き込むプラズマエッチング装置であって、
前記誘電窓における前記真空槽内部側の表面が、樹脂、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び酸化イットリウムの少なくとも1つからなる
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記誘電窓における前記真空槽内部側の表面が、前記樹脂からなる
請求項1に記載のプラズマエッチング装置。 - 前記誘電窓における前記真空槽内部側の表面が、前記樹脂であるポリイミドからなる
請求項2に記載のプラズマエッチング装置。 - 前記誘電窓が、
基材と、
該誘電窓における前記真空槽内部側の表面を構成して前記基材の表面を被覆する被覆部とを有する
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。 - 前記誘電窓が、
基材と、
該誘電窓における前記真空槽内部側の表面を構成して前記基材の表面を被覆する被覆部
とを有し、
前記基材が窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び酸化イットリウムのいずれか1つからなる
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。 - 前記誘電窓が、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び酸化イットリウムのいずれか1つから一体形成されたものである
請求項1に記載のプラズマエッチング装置。 - 前記誘導アンテナと前記容量電極とには、高周波電力が同時に供給される
請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018331A JP5855479B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018331A JP5855479B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157528A JP2013157528A (ja) | 2013-08-15 |
JP5855479B2 true JP5855479B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=49052416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012018331A Active JP5855479B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5855479B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA3031603A1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-25 | Toa Eiyo Ltd. | Therapeutic agent for glaucoma |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201118977A (en) * | 2009-03-26 | 2011-06-01 | Panasonic Corp | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP5351877B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2013-11-27 | パナソニック株式会社 | 基板のプラズマ処理方法 |
JP5623323B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-11-12 | パナソニック株式会社 | 基板のプラズマ処理方法 |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012018331A patent/JP5855479B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013157528A (ja) | 2013-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141128 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
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