JP2012129342A - 基板のプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】トレイに収容された状態で搬送が行われる複数のサファイア基板に対してプラズマ処理を行う方法において、高い選択比を得て、プラズマ処理条件の最適化を図る。
【解決手段】トレイが有する複数の基板収容部にサファイア基板が収容された状態にて、それぞれのサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスを用いてプラズマ処理を行い、それぞれのサファイア基板の表面に凹凸構造を形成するプラズマ処理工程において、トレイ表面に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う。これにより、プラズマ処理中にサファイア基板から発生するＯやＣｌと有機材料から発生する有機成分とを反応させて、プロセス雰囲気中の有機成分の比率を高くして、高い選択比を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、トレイに収容された状態で搬送が行われる複数の基板に対して、プラズマ処理を行う方法に関する。

ＬＥＤデバイスの製造工程において、デバイスからの光の外部取出し効率を向上させるために、サファイア基板の表面に凹凸構造を形成する工程としてエッチング処理（プラズマ処理）が行われている。このようなエッチング処理では、複数の基板がトレイに収容された状態にて取り扱われる（例えば、特許文献１参照）。

具体的には、トレイには複数の基板収容孔が形成されており、基板収容孔の内壁から突出された基板支持部にサファイア基板の縁部が支持されることで、複数の基板がトレイに収容されるように構成されている。プラズマ処理装置のチャンバ内には基板ステージが配置されており、基板ステージの上面には、トレイ支持部と、このトレイ支持部から上向きに突出する複数の基板保持部とが設けられている。

エッチング処理を行う際には、予めサファイア基板の表面に形成される凹凸構造に応じたレジスト膜を配置してマスクパターンを形成し、それぞれの基板がトレイに収容された状態でチャンバ内に搬入してトレイ支持部上にトレイを載置することで、複数の基板を基板保持部上に載置するとともに、基板の縁部を基板支持部から離間した状態とする。このような状態にて、基板保持部に内蔵されたＥＳＣ（静電チャック）によりそれぞれの基板を静電吸着して、基板保持部に保持させた状態にて、基板に対するエッチング処理が行われる。このエッチング処理により基板の表面においてマスクに覆われていない部分が除去されて、所望の凹凸構造が形成される。エッチング処理が完了すると、ＥＳＣによる吸着保持を解除して、トレイ支持部からトレイを持ち上げるとともに、基板支持部により基板の縁部を再び支持した状態にて、複数の基板をチャンバ内から搬出する。

レジスト膜を配置してエッチング処理を行うことにより基板の表面に凹凸構造を形成するような処理方法では、（基板のエッチング速度／レジスト膜のエッチング速度）にて表される選択比（ＰＲ選択比）を好適な範囲にて高く設定することが望ましい。このような選択比を好適な範囲に設定するためにプロセス条件を最適化するような様々な提案が成されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−１０９７７１号公報 特開２００８−２９４１５６号公報

このようなサファイア基板はＡｌ_２Ｏ_３の結晶構造を有しており、還元性を有するＢＣｌ_３が主体のガスを用いてエッチング処理が行われる。しかしながら、エッチング処理中において、サファイア基板から発生するＯとＣｌにより、サファイア基板の表面に配置されたレジスト膜がエッチングされて、プロセス条件の最適化を図っても１を超えるような高い選択比を得ることができないという問題がある。

従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、トレイに収容された状態で搬送が行われる複数のサファイア基板に対してプラズマ処理を行う方法において、高い選択比を得て、プラズマ処理条件の最適化を図ることができる基板のプラズマ処理方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。

本発明の第１態様によれば、サファイア基板の表面にレジスト膜を配置してマスクパターンを形成するマスク形成工程と、トレイが有する複数の基板収容部にサファイア基板が収容された状態にて、それぞれのサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスを用いてプラズマ処理を行い、それぞれのサファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程とを備え、プラズマ処理工程において、トレイ表面に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、基板のプラズマ処理方法を提供する。

本発明の第２態様によれば、複数の基板収容部の周囲におけるトレイ表面全体に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、第１態様に記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。

本発明の第３態様によれば、トレイ表面において複数の基板収容部の縁部より離間した位置に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、第１態様に記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。

本発明の第４態様によれば、トレイ表面に有機材料を塗布することにより、有機材料を配置する、第１から第３態様のいずれか１つに記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。

本発明の第５態様によれば、有機材料により形成されたカバー部材をトレイ表面に脱着可能に配置することにより、有機材料を配置する、第１から第３態様のいずれか１つに記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。

本発明の第６態様によれば、トレイ表面に対するカバー部材の配置を位置決めするための係合部が、カバー部材およびトレイ表面に形成されている、第５態様に記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。

本発明によれば、トレイ表面に有機材料が配置されているため、プラズマ処理において有機材料から発生する有機成分により、プロセス雰囲気中の有機成分の比率を高くすることができる。そのため、サファイア基板から発生するＯやＣｌとプロセス雰囲気中の有機成分とを積極的に反応させることができる。また、有機成分自体のサファイア基板上へのデポジションの効果により、サファイア基板の表面においてＯやＣｌと有機成分との反応をさらに促進させることができる。したがって、サファイア基板に対するプラズマ処理において、高い選択比を得ることができ、プラズマ処理条件の最適化を図ることができる。

本発明の一の実施形態にかかるドライエッチング装置の構成図 トレイ、基板および基板ステージの斜視図 有機樹脂カバーが配置された状態のトレイの上面図 本発明の変形例にかかる有機樹脂カバーおよびトレイの斜視図 変形例にかかる有機樹脂カバーが配置された状態のトレイの斜視図 図４のトレイの断面図 本発明の別の変形例にかかる有機樹脂カバーおよびトレイの斜視図（部分図）

以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施形態）
本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の一例としてＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型のドライエッチング装置１の構成図を図１に示す。

ドライエッチング装置１は、基板２にプラズマ処理を行う処理室をその内部に構成するチャンバ（真空容器）３を備える。チャンバ３の上端開口は石英等の誘電体により形成された天板４により密閉状態で閉鎖されている。天板４上にはＩＣＰコイル５が配置されており、ＩＣＰコイル５にはマッチング回路を含む第１の高周波電源部７が電気的に接続されている。天板４と対向するチャンバ３内の底部側には、バイアス電圧が印加される下部電極としての機能及び基板２の保持台としての機能を有する基板ステージ９が配置されている。チャンバ３には、例えばロードドック室（図示せず）と連通する開閉可能な搬入出用のゲートバルブ（図示せず）が設けられており、開放状態のゲートバルブを通して基板２の搬入・搬出動作が行われる。また、チャンバ３に設けられたエッチング用のガス導入口３ａには、ガス供給部１２が接続されており、例えば、ＢＣｌ_３が主体のガスが、ガス導入口３ａから所望の流量にて供給可能とされている。さらに、チャンバ３に設けられた排気口３ｂには、真空ポンプ１３が接続されている。

次に、本実施形態のドライエッチング装置１にて取り扱われる基板２を保持するトレイ１５について、図２の斜視図を用いて説明する。

トレイ１５は薄板円板状のトレイ本体１５ａを備える。トレイ１５の材質としては、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ジルコニア（ＺｒＯ）、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等のセラミクス材や、アルマイトで被覆したアルミニウム、表面にセラミクスを溶射したアルミニウム、樹脂材料で被覆したアルミニウム等の金属がある。Ｃｌ系プロセスの場合にはアルミナ、イットリア、炭化シリコン、窒化アルミニウム等、Ｆ系プロセスの場合には石英、水晶、イットリア、炭化シリコン、アルマイトを容射したアルミニウム等を採用することが考えられる。なお、本実施形態では、炭化シリコンを主材料として形成されたトレイ１５が用いられる。

トレイ本体１５ａには、上面１５ｂから下面１５ｃまで厚み方向に貫通する４個の基板収容孔１９（基板収容部の一例）が設けられている。基板収容孔１９は、上面１５ｂ及び下面１５ｃから見てトレイ本体１５ａの中心に対して等角度間隔で配置されている。それぞれの基板収容孔１９の内壁には、孔中心に向けて突出する基板支持部２１が設けられている。本実施形態では、基板支持部２１は内壁の全周に設けられており、平面視で円環状である。

それぞれの基板収容孔１９にはそれぞれ１枚の基板２が収容される。基板収容孔１９に収容された基板２は、その外周縁部２ａの下面部分が基板支持部２１の上面に支持される。また、基板収容孔１９はトレイ本体１５ａを厚み方向に貫通するように形成されているので、トレイ本体１５ａの下面側から見ると、基板収容孔１９により基板２の下面が露出した状態とされている。

トレイ本体１５ａには、外周縁を部分的に切り欠いたノッチ１５ｅが形成されており、搬送時などでトレイ１５を取り扱う際に、センサ等を用いてトレイ１５の向きを容易に確認できる。

次に、図１および図２を参照して、基板ステージ９について説明する。

図１に示すように、基板ステージ９は、セラミクス等の誘電体部材により形成されたステージ２３と、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により形成され、バイアス電圧が印加される下部電極として機能する金属ブロック（図示せず）と、ステージ２３と金属ブロックとを覆う金属製のシールド２７とを備える。

図１および図２に示すように、ステージ２３は円板状に形成されており、ステージ２３の上端面は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持部２８となっている。また、トレイ１５のそれぞれの基板収容孔１９と対応する短円柱状の４個の基板保持部２９がトレイ支持部２８から上向きに突出している。さらにステージ２３上には、トレイ支持部２８を囲むように配置され、ステージ２３から上向きに突出して形成された環状のガイドリング３０が配置されている。このガイドリング３０は、ステージ２３において、トレイ１５の配置位置を案内する役目を担っている。

また、図１に示すように、ステージ２３に設けられた個々の基板保持部２９の保持面３１付近にはＥＳＣ電極（静電吸着用電極、図示せず）が内蔵されている。これらのＥＳＣ電極は電気的に互いに絶縁されており、直流電源を内蔵するＥＳＣ駆動電源部（図示せず）から静電吸着用の直流電圧が印加される。

基板ステージ９にて下部電極として機能する金属ブロックには、バイアス電圧としての高周波を印加する第２の高周波電源部５６が電気的に接続されており、第２の高周波電源部５６はマッチング回路を備えている。

ここで、トレイ１５、基板２、および基板保持部２９等の関係について説明する。トレイ１５の下面１５ｃがトレイ支持部２８上に配置された状態では、基板保持部２９の保持面３１により基板２が押し上げられ、トレイ１５の基板支持部２１から基板２が浮き上がった状態となる。言い換えれば、基板収容孔１９に基板２を収容しているトレイ１５をステージ上部２３上に配置すると、基板収容孔１９に収容された基板２は基板支持部２１の上面２１ａから浮き上がり、基板２の縁部２ａと基板支持部２１の上面２１ａとが互いに離間した状態にて、基板２の下面が基板保持部２９の保持面３１上に配置される。

また、図示しないが、それぞれの基板保持部２９の保持面３１には冷却ガス供給口が設けられており、プラズマ処理中において、基板保持部２９の保持面３１と基板２との間に冷却ガス（例えば、Ｈｅ（ヘリウム））が供給されることで基板２の冷却が行われる。

また、ドライエッチング装置１には、上述したそれぞれの構成部の動作を互いに関連づけながら統括的に制御する制御装置（図示せず）が備えられており、例えば、各種センサ等により検出された情報に基づいて、予め設定されたプログラムにしたがって各構成部の動作が制御され、ドライエッチング処理が行われる。

また、図１〜図３に示すように、本実施形態のドライエッチング装置１では、トレイ１５の上面１５ｂにおける４個の基板収容孔１９の縁部を含む上面全体に、有機材料で形成された膜として、例えば有機樹脂であるポリイミドで形成された有機樹脂カバー４０（カバー部材の一例）が配置されている。すなわち、有機樹脂カバー４０においては、それぞれの基板収容孔１９の位置に応じた開口孔が形成されており、トレイ１５の上面１５ｂに配置することで、それぞれの基板収容孔１９内に配置された基板２の上面部を露出させながら、トレイ本体１５ａの上面１５ｂ全体を覆うことができる。これにより、トレイ１５が基板ステージ９のトレイ支持部２８上に載置された状態では、トレイ１５の上面１５ｂ全体（それぞれの基板収容孔１９を除く）が、有機樹脂カバー４０により覆われた状態とされる。

また、本実施形態のドライエッチング装置１では、基板２として例えばサファイア基板が取り扱われ、エッチング処理（プラズマ処理）として、サファイア基板２の表面に微小な凹凸構造を形成する加工（ＰＳＳ：Paterned Sapphire Substrate）が行われる。なお、このように基板２の表面に微小な凹凸構造を形成する加工を基板表面の粗面化加工と言うこともできる。また、このＰＳＳ加工では、ＢＣｌ_３を主体するガスを用いてエッチング処理が行われる。

次に、上述したような構成を有するドライエッチング装置１を用いて、複数のサファイア基板２に対してエッチング処理を行い、ＰＳＳ加工を実施する方法について説明する。

（マスクパターン形成工程）
まず、サファイア基板２の表面に、レジスト膜を配置して、形成されるべき凹凸構造に応じたマスクパターンを形成する（マスク形成工程）。このマスク形成工程では、フォトリソグラフィー技術を用いて実施することができる。

（トレイへの基板の収納）
次に、トレイ１５のそれぞれの基板収容孔１９内に、マスクパターンが形成された基板２の縁部が基板支持部２１により支持された状態にて、それぞれの基板２を収容させる。なお、トレイ本体１５ａの上面１５ｂには、上面１５ｂの全体を覆うように有機樹脂カバー４０が予め配置されている。

（トレイ搬入処理）
次に、ドライエッチング装置１において、ゲートバルブを開放状態とさせて、ゲートバルブを通じてそれぞれの基板２を収容した状態のトレイ１５をチャンバ３内に搬入する。

チャンバ３内において、ステージ２３のトレイ支持部２８によってトレイ１５を支持させると、基板保持部２９の上端面である保持面３１に基板２の下面が載置された状態となる。このとき、それぞれの基板２の縁部が基板支持部２１の上面から持ち上げられて、トレイ１５と基板２とが互いに離間した状態となる。なお、トレイ１５は、ガイドリング３０によりその配置位置が位置決めされるため、それぞれの基板２は基板保持部２９に対して高い位置決め精度で配置される。

その後、それぞれの基板保持部２９に内蔵されたＥＳＣ電極に対して直流電圧が印加される。

（エッチング処理）
次に、エッチング処理を実施する。具体的には、ガス供給部１２からチャンバ３内にエッチング処理用のガス（ＢＣｌ_３を主体とするガス）が供給されるとともに、真空ポンプ１３によりチャンバ３内は所定圧力に維持される。続いて、第１の高周波電源部７からＩＣＰコイル５に高周波電圧を印加する。これによりチャンバ３内にプラズマが発生する。

また、チャンバ３内にプラズマが発生することにより基板２と基板保持部２９との間に静電吸着力が発生し、それぞれの基板保持部２９の保持面３１に基板２が静電吸着される。基板２の下面はトレイ１５を介することなく保持面３１上に直接配置されている。したがって、基板２は保持面３１に対して高い密着度で保持される。その後、それぞれの基板保持部２９の保持面３１と基板２の下面との間に存在する空間内に、冷却ガスが供給され、この空間に冷却ガスが充填される。冷却ガスが十分に充填された状態（所定の圧力に保たれた状態）にて、第２の高周波電源部５６により基板ステージ９の金属ブロックにバイアス電圧を印加し、チャンバ３内で発生したプラズマを基板ステージ９側へ引き寄せる。これにより、基板２に対するエッチング処理が行われて、基板２の表面に対するＰＳＳ加工が実施される。１枚のトレイ１５で４枚の基板２を基板ステージ９上に載置できるので、このＰＳＳ加工をバッチ処理として実施できる。

サファイア基板２はＡｌ_２Ｏ_３の結晶構造を有しており、還元性を有するＢＣｌ_３を主体とするガスでエッチング処理が行われると、サファイア基板２から発生するＯとＣｌにより、サファイア基板２のマスクパターンを形成するレジスト膜もエッチングされることになり、（基板のエッチング速度／レジスト膜のエッチング速度）にて表される選択比（ＰＲ選択比）が低下する。

しかしながら、本実施形態では、トレイ本体１５ａの上面１５ｂ全体を覆うように有機樹脂カバー４０を配置しているため（図３参照）、サファイア基板２に対するエッチング処理が行われると、有機樹脂カバー４０から発生する有機成分により、プロセス雰囲気中の有機成分の比率を高くすることができる。そのため、サファイア基板２から発生するＯやＣｌとこの有機成分とを積極的に反応させることができる。さらにこのような有機成分自体がサファイア基板２上にデポジションすることにより、サファイア基板２の表面においてもＯやＣｌとこの有機成分とを積極的に反応させることができる。よって、エッチング処理におけるプロセス条件を最適化して、１を超えるような高い選択比を実現することができる。

例えば、直径２００ｍｍのサファイア基板（ウェハ）を対象とするドライエッチング装置を用いて、エッチング条件として、ＢＣｌ_３ガスの供給量：２００ｓｃｃｍ、処理圧力：０．６Ｐａ、ＩＣＰコイルへの印加電力：６００Ｗ、下部電極への印加電力：６００Ｗ、基板温度：８０℃にて、有機樹脂カバー４０を配置せずにエッチング処理を実施した場合では、サファイアレート：１２０ｎｍ／ｍｉｎ、ＰＲ選択比：０．７であった。これに対して、本実施形態のように、有機樹脂カバー４０を配置した場合には、同じエッチング条件にて、サファイアレート：１００ｎｍ／ｍｉｎ、ＰＲ選択比：１．５を得ることができた。

このように、有機樹脂カバー４０を配置した状態にて、サファイア基板２に対するエッチング処理を行うことにより、高い選択比を実現することができる。

その後、エッチング処理を実施して所定の処理時間経過すると、第２の高周波電源部５６による基板ステージ９の金属ブロック２４へのバイアス電圧の印加を停止するとともに、エッチング処理用のガスの供給を停止して、基板２に対するエッチング処理が完了する。

（トレイ搬出処理）
その後、第１の高周波電源部７によるＩＣＰコイル５への高周波電圧の印加を停止するとともに、ＥＳＣ駆動電源部によるＥＳＣ電極への直流電圧の印加を停止する。必要に応じて、残留静電吸着力の除電処理などを実施した後、チャンバ３内からそれぞれの基板２をトレイ１５とともに搬出するトレイ搬出処理を実施する。このトレイ１５の搬出の際には、トレイ１５の基板支持部２１と基板２の縁部の下面とが接触して、それぞれの基板２がトレイ１５により支持された状態にて押し上げられ、トレイ１５に夫々の基板２が支持された状態にて、トレイ１５が搬出される。

このように本実施形態によれば、トレイ本体１５ａの上面１５ｂ全体を覆うように有機樹脂カバー４０が配置された状態にて、ＢＣｌ_３を主体としたガスを用いて、サファイア基板２に対するエッチング処理が行われるため、エッチング処理において有機樹脂カバー４０から発生する有機成分により、プロセス雰囲気中の有機成分の比率を高くすることができる。そのため、サファイア基板２から発生するＯやＣｌとプロセス雰囲気中の有機成分とを積極的に反応させることができる。また、このような有機成分自体のサファイア基板２上へのデポジションの効果により、サファイア基板の表面においてＯやＣｌと有機成分との反応をさらに促進させることができる。したがって、サファイア基板に対して凹凸構造を形成するエッチング処理において、高い選択比を得ることができ、プラズマ処理条件の最適化を図ることができる。

また、トレイ１５の上面１５ｂが有機樹脂カバー４０により覆われていることにより、トレイ１５の上面１５ｂ、特に基板収容孔１９の周縁部の消耗を抑制することもできる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。

上述の説明では、トレイ本体１５ａの上面１５ｂ全体を覆うように有機樹脂カバー４０が配置される場合を例としたが、このような場合に代えて、図４および図５に示すように、トレイ本体１５ａの上面１５ｂにおいて、それぞれの基板収容孔１９の周縁部から離間した位置を覆うよう有機樹脂カバー５０を用いても良い。すなわち、有機樹脂カバー５０はトレイ本体１５ａ上に配置された状態にて、それぞれの基板収容孔１９の周縁部が有機樹脂カバー５０に覆われることなく露出された状態となっている。

有機物（有機樹脂カバー）とサファイア基板２とが近すぎるような場合には、基板２の周縁部において選択比が中央部に比べて大きくなりすぎることが懸念される。このような場合にあっては、基板２の周縁部と中央部とに形成される凹凸形状にバラツキが生じる可能性がある。図４および図５に示す変形例のように、それぞれの基板収容孔１９の周縁部から離間した位置を覆うように有機樹脂カバー５０が形成されていることにより、サファイア基板２と有機物とが近づきすぎないような距離を確保することができ、基板２の周縁部と中央部とにおける選択比のバラツキを低減することができる。また、図６に示すように、それぞれの基板収容孔１９の周縁部と有機樹脂カバー５０との間の離間寸法Ｓとしては、例えば１ｍｍ〜５ｍｍの範囲で設定することができる。

なお、このような有機樹脂カバー４０、５０は、トレイ本体１５ａの上面１５ｂ全体を実質的に覆うように形成される場合に限られず、トレイ本体１５ａの上面１５ｂの一部を覆うような場合であっても良い。ただし、より高い選択比を得るためには、有機樹脂カバー５０が配置される面積を大きく確保することが望ましい。

また、このような有機樹脂カバー４０、５０は、脱着可能にトレイ１５の上面に配置させることで、エッチング処理の繰り返し実施に伴って浸食された場合に、容易に交換することができる。

また、図７に示すように、トレイ本体１５ａの縁部に複数の凸部１５ｄを形成するとともに、有機樹脂カバー５０においてこれらの凸部１５ｄと係合可能な凹部５１を形成することで、有機樹脂カバー５０を配置する際に、位置決めを容易に行うことができる。なお、このような凸部１５ｄおよび凹部５１の係合構造は一例であって、互いに係合可能な構造であれば、その他様々な構造を採用することができる。

また、トレイ１５の上面に有機材料を配置する方法としては、このように有機樹脂カバーを配置する方法の他に、有機材料により形成されたシートをトレイ１５の上面に貼り付ける方法、その他、トレイ１５の上面に有機材料を塗布する方法、成膜して形成する方法などを採用することができる。

また、上述の説明では、トレイ１５に複数の貫通孔である基板収容孔１９（基板収容部）が形成された形態のものを例としたが、有底の凹部を基板収容部とするようなトレイを用いることもできる。

なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。

本発明は、トレイに収容された状態で搬送が行われる複数のサファイア基板に対してプラズマ処理を行う方法に有用であり、特に、サファイア基板表面に微小な凹凸構造を形成する基板の粗面化処理をエッチング処理により行うような方法に適用できる。

１ ドライエッチング装置
２ 基板
３ チャンバ
４ 天板
５ ＩＣＰコイル
７ 第１の高周波電源部
９ 基板ステージ
１２ ガス供給部
１３ 真空ポンプ
１５ トレイ
１５ａ トレイ本体
１９ 基板収容孔
２１ 基板支持部
２３ ステージ
２８ トレイ支持部
２９ 基板保持部
３０ ガイドリング
３１ 保持面
４０、５０ 有機樹脂カバー
５６ 第２の高周波電源部
Ｓ 離間寸法

Claims (6)

1. サファイア基板の表面にレジスト膜を配置してマスクパターンを形成するマスク形成工程と、
   トレイが有する複数の基板収容部にサファイア基板が収容された状態にて、それぞれのサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスを用いてプラズマ処理を行い、それぞれのサファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成するプラズマ処理工程とを備え、
   プラズマ処理工程において、トレイ表面に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、基板のプラズマ処理方法。
2. 複数の基板収容部の周囲におけるトレイ表面全体に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、請求項１に記載の基板のプラズマ処理方法。
3. トレイ表面において複数の基板収容部の縁部より離間した位置に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、請求項１に記載の基板のプラズマ処理方法。
4. トレイ表面に有機材料を塗布することにより、有機材料を配置する、請求項１から３のいずれか１つに記載の基板のプラズマ処理方法。
5. 有機材料により形成されたカバー部材をトレイ表面に脱着可能に配置することにより、有機材料を配置する、請求項１から３のいずれか１つに記載の基板のプラズマ処理方法。
6. トレイ表面に対するカバー部材の配置を位置決めするための係合部が、カバー部材およびトレイ表面に形成されている、請求項５に記載の基板のプラズマ処理方法。

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