JP2013125825A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、電源に接続されたバスバー3と、バスバー3の表面に載置され、表裏面の電極面のうちの少なくとも一方の電極面が前記バスバーに電気的に接続された半導体素子1と、第1の樹脂材で形成され、枠状の形状でバスバー3の外周を覆ってバスバー3と接合する第1の樹脂部5と、第2の樹脂材で形成され、枠状の第1の樹脂部5の内部に充填されて半導体素子1をモールドするとともに、第1の樹脂部5およびバスバー3と接合する第2の樹脂部6とを備える。第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面の接合強度よりも大きい。
【選択図】図2
Description
図1は、第1の実施形態における半導体装置の上面図である。また、図2は、図1に示す第1の実施形態における半導体装置をA−A平面で切断した場合の断面図である。
第2の実施形態における半導体装置の構成は、第1の実施形態における半導体装置の構成と同じである。第2の実施形態における半導体装置が第1の実施形態における半導体装置と異なるのは、第1のバスバー3と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係である。すなわち、第2の実施形態における半導体装置では、第1のバスバー3の線膨張係数よりも、第2の樹脂部6の線膨張係数の方が大きい。ここでは、第1のバスバー3の線膨張係数は、第1の実施形態と同じ(17ppm/℃)とし、第2の樹脂部6の線膨張係数を、20ppm/℃とする。
図5は、第3の実施形態における半導体装置の上面図である。また、図6は、図5に示す第3の実施形態における半導体装置をB−B平面で切断した場合の断面図である。
第4の実施形態における半導体装置の構成は、第3の実施形態における半導体装置の構成と同じである。第4の実施形態における半導体装置が第3の実施形態における半導体装置と異なるのは、第1のバスバー3と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係である。すなわち、第4の実施形態における半導体装置では、第1のバスバー3の線膨張係数よりも、第2の樹脂部6の線膨張係数の方が大きい。ここでは、第1のバスバー3の線膨張係数は、第1の実施形態と同じ(17ppm/℃)とし、第2の樹脂部6の線膨張係数を、20ppm/℃とする。
2…接合部材
3…第1のバスバー
4…第2のバスバー
5…第1の樹脂部
6…第2の樹脂部
8…接合部材
Claims (5)
- 電源に接続されたバスバーと、
前記バスバーの表面に載置され、表裏面の電極面のうちの少なくとも一方の電極面が前記バスバーに電気的に接続された半導体素子と、
第1の樹脂材で形成され、枠状の形状で前記バスバーの外周を覆って前記バスバーと接合する第1の樹脂部と、
第2の樹脂材で形成され、前記枠状の第1の樹脂部の内部に充填されて前記半導体素子をモールドするとともに、前記第1の樹脂部および前記バスバーと接合する第2の樹脂部と、
を備え、
前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部との接合面の接合強度は、前記第1の樹脂部と前記バスバーとの接合面の接合強度よりも大きい、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部との接合面は、前記第1の樹脂部と前記バスバーとの接合面と略平行である、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部との接合面における前記第1の樹脂部の少なくとも一部の表面は、前記第1の樹脂部と前記バスバーとの接合面における前記第1の樹脂部の表面に比べて粗い、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記バスバーは、前記第1の樹脂部側に突出した凸部を有し、
前記凸部の上面および下面は、前記第1の樹脂部と接合している、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子の表裏面の電極面は、それぞれ異なるバスバーに電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015150574A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日立金属株式会社 | セラミック焼結体の製造方法およびセラミック焼結体 |
JP2016139692A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN108367500A (zh) * | 2016-01-22 | 2018-08-03 | 株式会社电装 | 树脂成型体 |
WO2024048508A1 (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 三井化学株式会社 | ポリアミド樹脂組成物、金属樹脂接合体およびその製造方法、バスバーユニット、駆動ユニットならびに移動体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005539386A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | リードフレームをベースとしたハウジング、表面実装可能な光電構成素子及び製造法 |
JP2007214522A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Intekkusu Kk | 光源装置及びこれを用いた照明装置 |
-
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- 2011-12-14 JP JP2011273223A patent/JP5857709B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005539386A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | リードフレームをベースとしたハウジング、表面実装可能な光電構成素子及び製造法 |
JP2007214522A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Intekkusu Kk | 光源装置及びこれを用いた照明装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015150574A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日立金属株式会社 | セラミック焼結体の製造方法およびセラミック焼結体 |
JP2016139692A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN108367500A (zh) * | 2016-01-22 | 2018-08-03 | 株式会社电装 | 树脂成型体 |
US10446458B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-10-15 | Denso Corporation | Resin molded body |
CN108367500B (zh) * | 2016-01-22 | 2020-06-09 | 株式会社电装 | 树脂成型体 |
WO2024048508A1 (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 三井化学株式会社 | ポリアミド樹脂組成物、金属樹脂接合体およびその製造方法、バスバーユニット、駆動ユニットならびに移動体 |
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