JP2013122964A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性樹脂をコアとする突起電極15,16を有するLEDダイ10の製造方法において、ウェハー31に共通電極膜32を形成し、共通電極膜32上に樹脂コア15b,16bを形成したら、樹脂コア15b,16bに酸素プラズマ35を当てる。その後、樹脂コア15b,16bの表面に電解メッキ法でメッキ層15a,16aを形成し、続いて突起電極15,16をマスクとして共通電極膜32をエッチングし、最後にウェハー31を切断しLEDダイ20を得る。
【選択図】図4
Description
ウェハーに共通電極膜を形成する共通電極膜形成工程と、
前記共通電極膜上に前記導電性樹脂により前記突起電極のコアを形成する樹脂コア形成工程と、
前記樹脂コアに酸素プラズマを当てるアッシング工程と、
前記樹脂コアの表面に電解メッキ法でメッキ層を形成する電解メッキ工程と、
前記突起電極を形成する領域以外の領域を占める前記共通電極膜を除去する共通電極膜除去工程と、
前記ウェハーを切断し前記半導体素子を得る個片化工程と
を備えることを特徴とする。
とする場合は低抵抗化金属層を備えるのが好ましい。なおCuは酸化しやすいので、共通電極膜32を形成したら短時間で次工程に進むのが良い。
11…サファイア基板、
12…n型半導体層、
13…p型半導体層、
14…絶縁膜、
15,16…突起電極、
15a,16a…メッキ層、
15b,16b…樹脂コア、
15c,16c,32…共通電極膜、
31…ウェハー、
33…マスク用樹脂、
34…金属ペースト、
35…酸素プラズマ。
Claims (5)
- 導電性樹脂をコアとする突起電極を有する半導体素子の製造方法において、
ウェハーに共通電極膜を形成する共通電極膜形成工程と、
前記共通電極膜上に前記導電性樹脂により前記突起電極のコアとなる樹脂コアを形成する樹脂コア形成工程と、
前記樹脂コアに酸素プラズマを当てるアッシング工程と、
前記樹脂コアの表面に電解メッキ法でメッキ層を形成する電解メッキ工程と、
前記突起電極を形成する領域以外の領域を占める前記共通電極膜を除去する共通電極膜除去工程と、
前記ウェハーを切断し前記半導体素子を得る個片化工程と
を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記半導体素子が半導体発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記樹脂コア形成工程において前記共通電極膜上に前記突起電極を形成する領域が開口したマスク用樹脂を印刷し、前記開口部を金属ペーストで埋め、該金属ペーストを熱処理して前記樹脂コアを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記共通電極膜の表面にAuを損傷しないエッチング液でエッチングできる金属によりで低抵抗化金属層を形成し、前記突起電極の表面にAuメッキ層を形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低抵抗化金属層がCuからなることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。
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