JP5592223B2 - インターポーザおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (2)
- 複数の半導体チップを搭載し、個片化して半導体装置を形成するために用いられるインターポーザであって、
基板コア材の一方の主面に形成された、半導体チップの電極と接続するチップ搭載側電極と、前記基板コア材の他方の主面に形成された、実装基板と接続する実装側電極と、前記基板コア材を貫通する貫通孔と、該貫通孔内に形成された前記チップ搭載側電極と前記実装側電極とを接続する導体とを備え、
前記貫通孔は、レーザー光の照射により前記他方の主面側から前記基板コア材が除去されて前記チップ搭載側電極に達し、前記他方の主面側から前記チップ搭載側電極へ向かって径が縮小する第1のテーパの貫通孔と、レーザー光の照射により前記一方の主面側から前記基板コア材が除去されて前記実装側電極に達し、前記一方の主面側から前記実装側電極へ向かって径が縮小する第2のテーパの貫通孔とからなり、
前記第2のテーパの貫通孔は、複数の半導体装置に個片化される際、切断除去される領域に配置していることを特徴とするインターポーザ。 - 複数の半導体チップをインターポーザに搭載し、樹脂封止した後、個片化する半導体装置の形成方法において、
基板コア材の一方の主面に形成された、半導体チップの電極と接続するチップ搭載側電極と、前記基板コア材の他方の主面に形成された、実装基板と接続する実装側電極と、レーザー光の照射により前記他方の主面側から前記基板コア材が除去され、前記チップ搭載側電極に達し、前記他方の主面側から前記チップ搭載側電極へ向かって径が縮小する第1のテーパの貫通孔と、レーザー光の照射により前記一方の主面側から前記基板コア材が除去され、前記実装側電極に達し、前記一方の主面側から前記実装側電極へ向かって径が縮小する第2のテーパの貫通孔と、前記第1のテーパの貫通孔および前記第2のテーパの貫通孔内に形成された前記チップ電極側電極と前記実装側電極とを接続する導体とを備え、前記第2のテーパの貫通孔が複数の半導体装置に個片化される際、切断除去される領域に配置されたインターポーザを用意する工程と、
前記インターポーザ上に、半導体チップを実装する工程と、
前記インターポーザ上に実装した半導体チップを樹脂封止する工程と、
前記第2のテーパの貫通孔を除去するように前記樹脂封止されたインターポーザを切断して個片化し、複数の半導体装置に分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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