JP2011040640A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】封止樹脂層が形成された基板の反りを低減して、基板に外部接続端子を好適に形成する。
【解決手段】基板110と基板120とを、各主表面が互いに対向し且つ離間するように金型内に配置する工程と、基板110、120が配置された金型内に樹脂を供給して、基板110、120の間に封止樹脂層500を形成し、基板110、120と封止樹脂層500とが積層された積層体130を得る工程と、積層体130における、基板110の主表面の裏面と、基板120の主表面の裏面とに、外部接続端子を形成する工程と、封止樹脂層500を分断して、積層体130を、基板110を含む部分と基板120を含む部分とに分割する工程とを有する。
【選択図】図17
【解決手段】基板110と基板120とを、各主表面が互いに対向し且つ離間するように金型内に配置する工程と、基板110、120が配置された金型内に樹脂を供給して、基板110、120の間に封止樹脂層500を形成し、基板110、120と封止樹脂層500とが積層された積層体130を得る工程と、積層体130における、基板110の主表面の裏面と、基板120の主表面の裏面とに、外部接続端子を形成する工程と、封止樹脂層500を分断して、積層体130を、基板110を含む部分と基板120を含む部分とに分割する工程とを有する。
【選択図】図17
Description
本発明は、封止樹脂層を有する半導体装置の製造方法に関する。
基板と、基板の主表面上に搭載された半導体素子と、基板の主表面上に半導体素子を覆うように形成された封止樹脂層と、基板における主表面とは反対側の面上に形成された外部接続端子とを有する半導体装置が知られている。このような半導体装置としては、例えば、BGA(Ball Grid Array)パッケージや、CSP(Chip Size Package)が挙げられる。
この半導体装置の製造方法では、次の処理が行われる。まず、半導体素子が搭載された基板を金型内に配置し、金型内に樹脂を供給して基板の主表面上に封止樹脂層を形成する。その後、封止樹脂層が形成された基板を金型から取り出して、基板に外部接続端子を形成する。
従来の製造方法では、封止樹脂層と基板との熱膨張率の違いにより、封止樹脂層を形成した後の工程における温度の上昇もしくは下降に伴い、基板が反ってしまう可能性があった。半導体装置の小型化が進んだ場合、基板が薄型化、もしくは、微細化される。また、半導体装置の生産性の向上が進んだ場合、複数の半導体装置を一括して生成するため、製造過程において基板に多数の半導体素子を搭載させる場合があり、基板が大型化される。このような場合、基板の反りの影響が大きくなり、基板に外部接続端子を形成することが困難になってしまう可能性があった。
本発明の一観点の半導体装置の製造方法は、主表面の上方に第1の半導体素子が搭載された第1の基板と、主表面の上方に第2の半導体素子が搭載された第2の基板とを、各主表面が互いに対向し且つ離間するように金型内に配置する工程と、第1及び第2の基板が配置された金型内に樹脂を供給して、第1及び第2の基板の間に封止樹脂層を形成し、第1及び第2の基板と封止樹脂層とが積層された積層体を得る工程と、積層体における、第1の基板の主表面の裏面と、第2の基板の主表面の裏面とに、外部接続端子を形成する工程と、封止樹脂層を分断して、積層体を第1の基板を含む部分と第2の基板を含む部分とに分割する工程とを有する。
開示の半導体装置の製造方法では、封止樹脂層が形成された基板の反りを低減することが可能となり、基板に外部接続端子を精度良く形成することが可能となる。
〔第1の実施形態〕
半導体装置の製造方法の第1の実施形態について図面を参照して説明する。
図1に、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程の一例を示す。
半導体装置の製造方法の第1の実施形態について図面を参照して説明する。
図1に、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程の一例を示す。
まず、配線基板に半導体素子を搭載する(S101)。
半導体素子搭載工程の一例を図2に、図2の点線A−Aに対応する断面図を図3に、それぞれ示す。
半導体素子搭載工程の一例を図2に、図2の点線A−Aに対応する断面図を図3に、それぞれ示す。
配線基板100には、例えば、ガラスエポキシ樹脂が材料として用いられている。配線基板100は、主表面101と、主表面101とは反対側の表面102とを備えている。主表面101の上方に、半導体素子200が搭載される。さらに、主表面101の上方には、半導体素子200を包囲するように複数のボンディングパッド10が形成されている。例えば、配線基板100は、複数の半導体素子搭載領域103を備え、複数の半導体素子200が各半導体素子搭載領域103にそれぞれ搭載されている。半導体素子搭載領域103の形状は、例えば、矩形である。図中の点線104は、半導体素子搭載領域103の外縁を示す。配線基板100は、後の工程において、この半導体素子搭載領域103の外縁104に沿って、切断されて半導体素子搭載領域103毎に個片化される。
半導体素子200は、主表面201と、主表面201とは反対側の表面202とを備えている。主表面201の上方には、複数の電極パッド20が形成されている。半導体素子200は、表面202が配線基板100の主表面101と対向するように配線基板100に搭載される。半導体素子200の表面202と、配線基板100の主表面101とは、例えば、ダイアタッチ材30により接着される。ダイアタッチ材30には、例えば、ペースト状もしくはフィルム状のエポキシ系樹脂等の熱硬化型樹脂が用いられる。
次に、この配線基板100と、半導体素子200とをボンディングワイヤーで接続する(S102)。
ワイヤーボンディング工程の一例を図4に、図4の点線A−Aに対応する断面図を図5に、それぞれ示す。
ワイヤーボンディング工程の一例を図4に、図4の点線A−Aに対応する断面図を図5に、それぞれ示す。
図4、図5に示すように、ボンディングワイヤー40により、配線基板100のボンディングパッド10と、半導体素子200の電極パッド20とをそれぞれ接続する。ボンディングワイヤー40には、例えば、金(Au)、銅(Cu)が材料として用いられる。
次に、この半導体素子200が搭載され、ワイヤーボンディングが行われた配線基板100のモールディングを実施する(S103)。
モールディング工程の一例を図6に、図6の点線A−Aに対応する断面図を図7に、それぞれ示す。
モールディング工程の一例を図6に、図6の点線A−Aに対応する断面図を図7に、それぞれ示す。
まず、モールディングに用いる金型について説明する。
図7に示すように、金型300は、下金型310と、上金型320とを備える。
下金型310の上面311には窪みが設けられて下キャビティ部312が構成され、上金型320の下面321には窪みが設けられて上キャビティ部322が構成されている。下金型310と、上金型320とは、下キャビティ部312と、上キャビティ部322とが1つのキャビティ330を構成するように型締めされている。ここで、下キャビティ部312と、上キャビティ部322とは、ほぼ同じ形状及び同じ大きさを備える。
図7に示すように、金型300は、下金型310と、上金型320とを備える。
下金型310の上面311には窪みが設けられて下キャビティ部312が構成され、上金型320の下面321には窪みが設けられて上キャビティ部322が構成されている。下金型310と、上金型320とは、下キャビティ部312と、上キャビティ部322とが1つのキャビティ330を構成するように型締めされている。ここで、下キャビティ部312と、上キャビティ部322とは、ほぼ同じ形状及び同じ大きさを備える。
図6、図7に示すように、下金型310には、上面311に開口したポット部313が設けられ、このポット部313内にプランジャ314が配置されている。プランジャ314はポット部313内を上下に移動する機構を備える。プランジャ314上には例えばタブレット状の樹脂315が配置されている。ポット部313は、例えば、複数箇所に設けられている。
上金型320の下面321の、ポット部313に対応する位置には、窪みが設けられてカル部323が構成されている。カル部323は、例えば、複数箇所に設けられている。さらに、上金型320の下面321の、上キャビティ部322と、カル部323との間には、窪みが設けられてダミーキャビティ324が設けられている。さらに、上金型320には、上キャビティ部322の底面327に開口した吸引孔328が設けられている。吸引孔328の内部は、例えば、金型300の外部に設けられる減圧機構により減圧される。
さらに、金型300には、下金型310の上面311と、上金型320の下面321との間の隙間により構成され、カル部323と、ダミーキャビティ324とを連通するランナー部325が設けられている。ここで、ランナー部325により複数のカル部323は互いに連通している。さらに、金型300には、下金型310の上面311と、上金型320の下面321との間の隙間により構成され、ダミーキャビティ324と、キャビティ330とを連通するゲート部326が設けられている。さらに、金型300には、下金型310の上面311と、上金型320の下面321との間の隙間により構成され、キャビティ330に連通する排気部329が設けられている。排気部329によりキャビティ330内のガスを外部に排気することが可能となる。なお、ゲート部326と、排気部329とは、キャビティ330に対して反対側に設けられている。
この金型300を用いてモールディングを行う。モールディングの際には、半導体素子200が搭載され、ワイヤーボンディングが実施された配線基板100を、例えば、2つ準備する。ここで、以下の説明では、2つのうち一方の配線基板100を配線基板110とし、他方の配線基板100を配線基板120とする。さらに、配線基板110に搭載された半導体素子200を半導体素子210とし、配線基板120に搭載された半導体素子200を半導体素子220とする。
配線基板110と、配線基板120とは、互いの主表面101が対向し且つ離間するように、金型300内に配置される。配線基板110は、表面102が下キャビティ部312の底面317と対向するように下キャビティ部312に配置される。配線基板120は、表面102が上キャビティ部322の底面327に対向し、且つ、吸引孔328を覆うように、上キャビティ部322に配置される。吸引孔328を減圧することで、配線基板120は上キャビティ部322の底面327に吸着される。
ここで、配線基板110、120と、下キャビティ部312の底面317及び上キャビティ部322の底面327とは、ほぼ同じ形状及び同じ大きさを備える。そして、配線基板110と、配線基板120とは、互いの半導体素子搭載領域103が対応するように配置される。即ち、配線基板110と、配線基板120とは、互いの半導体素子搭載領域103の外縁104が一致するように配置される。
さらに、金型300内には、セパレータ基板400が配置される。セパレータ基板400には、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂が基材として用いられる。セパレータ基板400の表面は、例えば、テフロン(登録商標)加工やフッ素加工が施されて離型性を有している。ここで、離型性とは、即ち、樹脂等の材料から剥離し易い性質を指す。セパレータ基板400の厚みは、例えば、180μm以下である。セパレータ基板400は、キャビティ330を下キャビティ部312と、上キャビティ部322とに分けるように、キャビティ330に配置される。セパレータ基板400の構造と配置について、さらに詳しく説明する。
図8に、セパレータ基板400と、キャビティ330との配置関係を示す。図9は、図6の点線A−Aに対応する断面のゲート部付近の拡大図である。図10は、図6の点線B−Bに対応する断面のゲート部付近の拡大図である。
図8〜図10に示すように、セパレータ基板400は、複数の切り欠き部411と、複数の突出部412とからなる凹凸形状を備える辺410を備える。セパレータ基板400は、辺410がゲート部326を向くように配置される。セパレータ基板400の突出部412の先端は、キャビティ330から突出してゲート部326に位置している。ゲート部326に位置するセパレータ基板400の突出部412は、下金型310の上面311と、上金型320の下面321とに挟まれている。また、セパレータ基板400の切り欠き部411の一部はキャビティ330内に位置している。
セパレータ基板400の辺410とは反対側の辺420は、キャビティ330から突出している。突出した部分は、下金型310の上面311と、上金型320の下面321とに挟まれている。セパレータ基板400の辺410と、辺420とを繋ぐ辺430は、キャビティ330に収まるように位置している。
ここで、セパレータ基板400は、辺410の突出部412と、辺420のキャビティ330から突出した部分とが、下金型310の上面311と、上金型320の下面321とに挟まれることで、キャビティ330内に支持されている。
さらに、セパレータ基板400には複数の貫通孔440が設けられている。
図11は、セパレータ基板400と、配線基板110、120との配置関係を示す図である。
図11は、セパレータ基板400と、配線基板110、120との配置関係を示す図である。
図11に示すように、貫通孔440は、金型300内に配置された配線基板110、120の半導体素子搭載領域103の外縁104に位置するように設けられている。
図12は、図11の半導体素子搭載領域103の拡大図である。
図12は、図11の半導体素子搭載領域103の拡大図である。
図12に示すように、貫通孔440は、半導体素子搭載領域103の外縁104と垂直に交わる方向に幅W1を備える。幅W1は、例えば180μm以下が好ましく、ここでは、150μmである。貫通孔440は、外縁104を構成する4辺にそれぞれ設けられている。さらに、外縁104を構成する1つの辺には、複数の貫通孔440が連続して一列に設けられている。
なお、セパレータ基板400に設けられる貫通孔440は、図13に示すようにスリット状にすることも可能である。
図14は、図13の半導体素子搭載領域103の拡大図である。
図14は、図13の半導体素子搭載領域103の拡大図である。
図14に示すように、貫通孔440は、半導体素子搭載領域103の外縁104に沿う方向に長さLを備え、外縁104と垂直に交わる方向に幅W1を備える。長さLは、半導体素子210、220の辺の長さよりも長い。幅W1は、例えば180μm以下が好ましく、ここでは、150μmである。
このように、配線基板110、120を金型300内に配置した後、プランジャ314を押し上げ、樹脂315をキャビティ330内に供給する。
モールディング工程の一例を図15に、図15の点線A−Aに対応する断面図を図16に、それぞれ示す。
モールディング工程の一例を図15に、図15の点線A−Aに対応する断面図を図16に、それぞれ示す。
図15、図16に示すように、金型300に熱をかけた状態で、プランジャ314を押し上げると、樹脂315はカル部323に押し出され、さらに、ランナー部325を介してダミーキャビティ324に押し出される。さらに、樹脂315はダミーキャビティ324からゲート部326を介してキャビティ330内に供給される。ここで、樹脂315は、セパレータ基板400の切り欠き部411を介してキャビティ330内に供給される。この時、キャビティ330内のガスは、排気部329から排気される。このようにして、キャビティ330内に供給された樹脂315は、キャビティ330内を満たすように充填される。
配線基板110と、配線基板120とは、主表面101が互いに対向し且つ離間するようにキャビティ330内に配置されているため、キャビティ330内に樹脂315が供給されることにより、配線基板110と、配線基板120との間に封止樹脂層500が形成される。封止樹脂層500は、配線基板110に搭載された半導体素子210、及び、配線基板120に搭載された半導体素子220を覆う。この為、配線基板110と、配線基板120とを一括して樹脂封止することが可能となり、生産性を向上させることが可能となる。
また、セパレータ基板400には、貫通孔440が設けられているため、キャビティ330内に供給された樹脂315は、セパレータ基板400の貫通孔440を介して、下キャビティ部312と、上キャビティ部322との間を流通する。これにより、下キャビティ部312と、上キャビティ部322とに満遍なく樹脂315を供給することが可能となり、封止樹脂層500にボイドが発生する可能性を低減することが可能となる。
次に、封止樹脂層500が形成された配線基板110及び配線基板120を金型300から取り出して、封止樹脂層500を常温まで冷却させる。なお、封止樹脂層500は、金型300から取り出す前は、半硬化の状態であり、金型300から取り出して常温まで冷却させることで完全に硬化する。
モールディング工程の一例を図17に示す。
図17に示すように、金型300から取り出された配線基板110及び配線基板120は、間に封止樹脂層500を挟んで一体化されている。即ち、配線基板110と、封止樹脂層500と、配線基板120とが順番に積層されている。この配線基板110と、封止樹脂層500と、配線基板120とが積層されたものを、以下、積層体130と称す。
図17に示すように、金型300から取り出された配線基板110及び配線基板120は、間に封止樹脂層500を挟んで一体化されている。即ち、配線基板110と、封止樹脂層500と、配線基板120とが順番に積層されている。この配線基板110と、封止樹脂層500と、配線基板120とが積層されたものを、以下、積層体130と称す。
なお、セパレータ基板400の両側に位置する封止樹脂層500は、貫通孔440を介して連結されている。
金型300から取り出されると、温度が常温に向けて下がるため、封止樹脂層500は冷却される。この時、配線基板110、120に応力が発生する。これは、配線基板110、120が封止樹脂層500よりも熱膨張率が大きいため、温度が下がると、配線基板110、120の収縮が封止樹脂層500の収縮よりも大きくなることによる。配線基板110には、図中のF1で示すように、周囲が配線基板110の表面102側に反るように応力が発生し、配線基板120には、図中のF2で示すように、周囲が配線基板120の表面102側に反るように応力が発生する。
金型300から取り出されると、温度が常温に向けて下がるため、封止樹脂層500は冷却される。この時、配線基板110、120に応力が発生する。これは、配線基板110、120が封止樹脂層500よりも熱膨張率が大きいため、温度が下がると、配線基板110、120の収縮が封止樹脂層500の収縮よりも大きくなることによる。配線基板110には、図中のF1で示すように、周囲が配線基板110の表面102側に反るように応力が発生し、配線基板120には、図中のF2で示すように、周囲が配線基板120の表面102側に反るように応力が発生する。
しかしながら、積層体130では、配線基板110及び配線基板120は、封止樹脂層500を間に挟んで一体化されているため、この配線基板110、120に発生する応力F1、F2は、互いに反対方向に発生して相殺される。この為、配線基板110、120の反りを抑制することが可能となる。
次に、積層体130の各配線基板110、120に外部接続端子600を形成する(S104)。
外部接続端子形成工程の一例を図18、図19に示す。
外部接続端子形成工程の一例を図18、図19に示す。
外部接続端子600には、例えば、錫/銀合金(Sn−Ag)を材料に含む半田ボールが用いられる。
まず、図18(A)に示すように、積層体130の配線基板120の表面102の上方に、複数の外部接続端子600を搭載する。詳しくは、外部接続端子600は、配線基板120の表面102に露出している配線上に搭載される。
まず、図18(A)に示すように、積層体130の配線基板120の表面102の上方に、複数の外部接続端子600を搭載する。詳しくは、外部接続端子600は、配線基板120の表面102に露出している配線上に搭載される。
ここで、上述の通り、積層体130では、配線基板120の反りは抑制されているため、外部接続端子600を精度良く配線基板120に搭載することが可能となる。
次に、図18(B)に示すように、積層体130に熱処理を施して、外部接続端子600を溶融し、外部接続端子600と、配線基板120の配線とを固着させる(リフロー工程)。これにより、外部接続端子600は、配線基板120内の配線を介してボンディングパッド10と電気的に接続される。
次に、図18(B)に示すように、積層体130に熱処理を施して、外部接続端子600を溶融し、外部接続端子600と、配線基板120の配線とを固着させる(リフロー工程)。これにより、外部接続端子600は、配線基板120内の配線を介してボンディングパッド10と電気的に接続される。
ここで、外部接続端子600を溶融する熱処理により、配線基板110、120と、封止樹脂層500との熱膨張率の差に起因して、配線基板110、120に応力が発生する。これは、配線基板110、120の膨張が封止樹脂層500の膨張よりも大きくなることによる。配線基板110には、図中のF1で示すように、周囲が配線基板110の主表面101側に反るように応力が発生し、配線基板120には、図中のF2で示すように、周囲が配線基板120の主表面101側に反るように応力が発生する。しかしながら、積層体130では、配線基板110及び配線基板120は、封止樹脂層500を間に挟んで一体化されているため、この配線基板110、120に発生する応力F1、F2は、互いに反対方向に発生して相殺される。この為、配線基板110、120の反りを抑制することが可能となる。
次に、図19(A)に示すように、例えば、積層体130を、配線基板120の表面102が治具700と対向するように、治具700上に載置する。治具700は、配線基板120の表面102のうち外部接続端子600が形成されていない周辺領域に接して、積層体130を支持している。これにより、配線基板110側の外部接続端子600の形成工程において、配線基板120に形成された外部接続端子600が、例えばステージに接触するなどして傷ついたり変形してしまう可能性を低減することが可能となる。
この状態で、複数の外部接続端子600を、配線基板110の表面102に露出している配線の上方に搭載する。
ここで、上述の通り、積層体130では、配線基板110の反りは抑制されているため、外部接続端子600を精度良く配線基板110に搭載することが可能となる。
ここで、上述の通り、積層体130では、配線基板110の反りは抑制されているため、外部接続端子600を精度良く配線基板110に搭載することが可能となる。
次に、図19(B)に示すように、積層体130に熱処理を施して、外部接続端子600を溶融し、外部接続端子600と、配線基板110の配線とを固着させる(リフロー工程)。これにより、外部接続端子600は、配線基板110内の配線を介してボンディングパッド10と電気的に接続される。
ここで、外部接続端子600を溶融する熱処理により、配線基板110、120に図中のF1、F2で示すように応力が発生するが、上述したように、この応力F1、F2は相殺される為、配線基板110、120の反りを抑制することが可能となる。
次に、積層体130を、個片化する(S105)。
個片化工程の一例を図20に示す。
図20(A)に示すように、積層体130では、配線基板110の半導体素子搭載領域103の外縁104と、配線基板120の半導体素子搭載領域103の外縁104と、セパレータ基板400の貫通孔440とが、一直線上に位置している。
個片化工程の一例を図20に示す。
図20(A)に示すように、積層体130では、配線基板110の半導体素子搭載領域103の外縁104と、配線基板120の半導体素子搭載領域103の外縁104と、セパレータ基板400の貫通孔440とが、一直線上に位置している。
この直線に沿って、図20(B)に示すように、配線基板110、120、封止樹脂層500、及び、セパレータ基板400を切断する。切断には、例えば、ダイシングブレード710が用いられる。
このように、積層体130を切断することにより、配線基板110と、配線基板120とを一括して切断することが可能となり、生産性を向上させることが可能となる。
ここで、ダイシングブレード710の幅W2は、貫通孔440の幅W1よりも広い。ダイシングブレード710の幅W2は、例えば、200μmである。この為、貫通孔440内に位置する封止樹脂層500はダイシングブレード710による切断により完全に除去される。つまり、セパレータ基板400の両側の封止樹脂層500を連結していた部分が除去される。
ここで、ダイシングブレード710の幅W2は、貫通孔440の幅W1よりも広い。ダイシングブレード710の幅W2は、例えば、200μmである。この為、貫通孔440内に位置する封止樹脂層500はダイシングブレード710による切断により完全に除去される。つまり、セパレータ基板400の両側の封止樹脂層500を連結していた部分が除去される。
また、セパレータ基板400の材料が、例えば、樹脂である場合、封止樹脂層500と材質が近くなるため、封止樹脂層500と、セパレータ基板400とを、同じダイシングブレード710を用いて切断することが可能となる。これにより、切断にかかる時間を短縮することが可能となる。
このようにして、図20(C)に示すように、積層体130は個片化される。この個片化された積層体130を、以下、積層体131と称す。
なお、積層体130の反りは抑制されているので、積層体130が個片化されて生成された積層体131の反りも抑制されている。
なお、積層体130の反りは抑制されているので、積層体130が個片化されて生成された積層体131の反りも抑制されている。
次に、積層体131の封止樹脂層500を分断して、積層体131を、配線基板110を含む部分と、配線基板120を含む部分とに分割して半導体装置を得る(S106)。
分割工程の一例を図21に示す。
分割工程の一例を図21に示す。
図21(A)に示すように、まず、積層体131を、ステージ720上に載置する。ここで、積層体131の配線基板110がステージ720と対向している。
ステージ720には、真空吸着用吸引部721が設けられ、この真空吸着用吸引部721により、積層体131はステージ720に吸着されて固定される。
ステージ720には、真空吸着用吸引部721が設けられ、この真空吸着用吸引部721により、積層体131はステージ720に吸着されて固定される。
ステージ720の上方には、コレット730が設けられている。コレット730は、支持部731に支持されている。コレット730及び支持部731は上下に移動する機構を備えている。コレット730の材料には、例えば、ゴムが用いられ、支持部731の材料には、例えば、金属が用いられている。コレット730及び支持部731には、真空吸着用吸引部732が設けられている。
次に、図21(B)に示すように、コレット730を下降させ、コレット730を積層体131の外部接続端子600に接触させ、真空吸着用吸引部732により外部接続端子600をコレット730に吸着させる。ただし、外部接続端子600の代わりに配線基板120を支持、吸着する場合もある。
次に、図21(C)に示すように、コレット730を引き上げる。この時、積層体131の封止樹脂層500には、配線基板110、120の各主表面101と垂直に交わる方向に引っ張られるように力がかかる。セパレータ基板400の表面は離型性を備えるため、この封止樹脂層500にかかる力により、封止樹脂層500は、セパレータ基板400を境界にして容易に分断される。
これにより、積層体131は、分割され、配線基板110と分断された一方の封止樹脂層500とを含む半導体装置800と、配線基板120と分断された他方の封止樹脂層500とを含む半導体装置800とが得られる。
なお、積層体131の反りは抑制されているので、積層体131が分割されて生成された半導体装置800の反りも抑制されている。
次に、この半導体装置800に捺印を施す(S107)。
次に、この半導体装置800に捺印を施す(S107)。
捺印工程の一例を図22に示す。
図22(A)に示すように、半導体装置800を、例えば、トレイ740に収容し、この状態で封止樹脂層500に、例えば、レーザー捺印装置750を用いてレーザービーム751を照射して捺印を施す。これにより、図22(B)に示すように、封止樹脂層500の表面に捺印501が設けられる。
図22(A)に示すように、半導体装置800を、例えば、トレイ740に収容し、この状態で封止樹脂層500に、例えば、レーザー捺印装置750を用いてレーザービーム751を照射して捺印を施す。これにより、図22(B)に示すように、封止樹脂層500の表面に捺印501が設けられる。
ここで、半導体装置800の反りは抑制されているため、半導体装置800を傾くことなくトレイ740に収容することが可能となり、これにより、封止樹脂層500に精度良く捺印501を設けることが可能となる。
〔第2の実施形態〕
次に、半導体装置の製造方法の第2の実施形態について図面を参照して説明する。
図23に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程の一例を示す。
次に、半導体装置の製造方法の第2の実施形態について図面を参照して説明する。
図23に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程の一例を示す。
図23に示すように、第2の実施形態は、外部接続端子形成工程S104までは、第1の実施形態と同様である。
第2の実施形態では、外部接続端子形成工程S104の後、図17に示す積層体130の封止樹脂層500を分断して、積層体130を、配線基板110を含む部分と、配線基板120とを含む部分とに分割して分割体132を得る(S108)。
第2の実施形態では、外部接続端子形成工程S104の後、図17に示す積層体130の封止樹脂層500を分断して、積層体130を、配線基板110を含む部分と、配線基板120とを含む部分とに分割して分割体132を得る(S108)。
分割工程の一例を図24に示す。
図24(A)に示すように、ダイシングブレード711を、封止樹脂層500に対して側方から挿入し、図中のDで示すように、配線基板110、120の主表面101に沿う方向にセパレータ基板400をなぞるように移動して、封止樹脂層500を切断する。ここで、ダイシングブレード711は、積層体130のセパレータ基板400を目印に位置合わせされる。ダイシングブレード711の幅W2は、セパレータ基板400の厚さよりも広い。ダイシングブレード711の幅W2は、例えば、200μmである。この為、セパレータ基板400は、ダイシングブレード711により、封止樹脂層500の切断と共に除去される。
図24(A)に示すように、ダイシングブレード711を、封止樹脂層500に対して側方から挿入し、図中のDで示すように、配線基板110、120の主表面101に沿う方向にセパレータ基板400をなぞるように移動して、封止樹脂層500を切断する。ここで、ダイシングブレード711は、積層体130のセパレータ基板400を目印に位置合わせされる。ダイシングブレード711の幅W2は、セパレータ基板400の厚さよりも広い。ダイシングブレード711の幅W2は、例えば、200μmである。この為、セパレータ基板400は、ダイシングブレード711により、封止樹脂層500の切断と共に除去される。
これにより、図24(B)に示すように、積層体130は、分割される。これにより、配線基板110と分断された一方の封止樹脂層500とを含む分割体132と、配線基板120と分断された他方の封止樹脂層500とを含む分割体132とが得られる。
ここで、セパレータ基板400の材料が、例えば、樹脂である場合、封止樹脂層500と材質が近くなるため、封止樹脂層500と、セパレータ基板400とを、同じダイシングブレード711を用いて切断することが可能となる。これにより、切断にかかる時間を短縮することが可能となる。
また、積層体130の反りは抑制されているので、積層体130が分割されて生成された分割体132の反りも抑制されている。
次に、この分割体132に捺印を施す(S109)。
次に、この分割体132に捺印を施す(S109)。
捺印工程の一例を図25に示す。
図25(A)に示すように、分割体132の封止樹脂層500に、例えば、レーザー捺印装置750を用いてレーザービーム751を照射して捺印を施す。これにより、図25(B)に示すように、封止樹脂層500の表面に捺印501が設けられる。捺印501は、配線基板110、120の半導体素子搭載領域103に対応してそれぞれ設けられる。
図25(A)に示すように、分割体132の封止樹脂層500に、例えば、レーザー捺印装置750を用いてレーザービーム751を照射して捺印を施す。これにより、図25(B)に示すように、封止樹脂層500の表面に捺印501が設けられる。捺印501は、配線基板110、120の半導体素子搭載領域103に対応してそれぞれ設けられる。
ここで、分割体132の反りは抑制されているため、封止樹脂層500に精度良く捺印501を設けることが可能となる。
次に、分割体132を、個片化して半導体装置800を得る(S110)。
次に、分割体132を、個片化して半導体装置800を得る(S110)。
個片化工程の一例を図26に示す。
図26(A)に示す分割体132の配線基板110、120の半導体素子搭載領域103の外縁104に沿って、図26(B)に示すように、ダイシングブレード710を用いて、封止樹脂層500及び配線基板110、120を切断する。
図26(A)に示す分割体132の配線基板110、120の半導体素子搭載領域103の外縁104に沿って、図26(B)に示すように、ダイシングブレード710を用いて、封止樹脂層500及び配線基板110、120を切断する。
この切断により、図26(C)に示すように、分割体132は個片化されて、半導体装置800が得られる。
なお、分割体132の反りは抑制されているので、分割体132が個片化されて生成された半導体装置800の反りも抑制されている。
なお、分割体132の反りは抑制されているので、分割体132が個片化されて生成された半導体装置800の反りも抑制されている。
また、第2の実施形態では、セパレータ基板400に設けられる貫通孔440は、第1の実施形態の貫通孔440とは異なる形状及び配置であっても良い。
セパレータ基板400の変形例を図27、図28に示す。
セパレータ基板400の変形例を図27、図28に示す。
図27に示す例では、セパレータ基板400には、半導体素子搭載領域103の外縁104の位置に加えて、半導体素子搭載領域103にも貫通孔440が設けられている。半導体素子搭載領域103に設けられた貫通孔440は、その一部が半導体素子210、220の形成領域にかかるように設けられている。
図28に示す例では、セパレータ基板400には、半導体素子搭載領域103の外縁104の位置に加えて、半導体素子搭載領域103にも貫通孔440が設けられ、この貫通孔440は、半導体素子210、220の形成領域内に収まるように設けられている。ここで、各貫通孔440の幅W1は、第1の実施形態では上述したように180μm以下が好ましいが、第2の実施形態においては180μm以上でも良い。
また、第2の実施形態では、分割工程S108において、積層体130をダイシングブレード711を用いて切断する際、ダイシングブレード711の位置合わせを、セパレータ基板400を目印にして行うことに換えて、例えば、測定により行うことも可能である。この場合は、セパレータ基板400は、必ずしも必要ではない。
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1) 主表面の上方に第1の半導体素子が搭載された第1の基板と、主表面の上方に第2の半導体素子が搭載された第2の基板とを、各前記主表面が互いに対向し且つ離間するように金型内に配置する工程と、
前記第1及び第2の基板が配置された前記金型内に樹脂を供給して、前記第1及び第2の基板の間に封止樹脂層を形成し、前記第1及び第2の基板と前記封止樹脂層とが積層された積層体を得る工程と、
前記積層体における、前記第1の基板の前記主表面の裏面と、前記第2の基板の前記主表面の裏面とに、外部接続端子を形成する工程と、
前記封止樹脂層を分断して、前記積層体を前記第1の基板を含む部分と前記第2の基板を含む部分とに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記1) 主表面の上方に第1の半導体素子が搭載された第1の基板と、主表面の上方に第2の半導体素子が搭載された第2の基板とを、各前記主表面が互いに対向し且つ離間するように金型内に配置する工程と、
前記第1及び第2の基板が配置された前記金型内に樹脂を供給して、前記第1及び第2の基板の間に封止樹脂層を形成し、前記第1及び第2の基板と前記封止樹脂層とが積層された積層体を得る工程と、
前記積層体における、前記第1の基板の前記主表面の裏面と、前記第2の基板の前記主表面の裏面とに、外部接続端子を形成する工程と、
前記封止樹脂層を分断して、前記積層体を前記第1の基板を含む部分と前記第2の基板を含む部分とに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2) 前記金型内に配置された前記第1及び第2の基板の前記間には、セパレータ基板が配置され、
前記封止樹脂層の前記分断は、前記セパレータ基板を境界にして行われることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記封止樹脂層の前記分断は、前記セパレータ基板を境界にして行われることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3) 前記セパレータ基板の表面は、離型性を有することを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4) 前記セパレータ基板の前記表面は、テフロン加工もしくはフッ素加工されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4) 前記セパレータ基板の前記表面は、テフロン加工もしくはフッ素加工されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5) 前記セパレータ基板には、貫通孔が設けられていることを特徴とする付記2〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記6) 前記セパレータ基板は、材料に樹脂を含むことを特徴とする付記2〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記6) 前記セパレータ基板は、材料に樹脂を含むことを特徴とする付記2〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記7) 前記封止樹脂層の前記分断は、ダイシングブレードを用いて行われることを特徴とする付記1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
(付記8) 前記第1の基板は、複数の第1の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第1の半導体素子がそれぞれ、前記第1の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第2の基板は、複数の第2の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第2の半導体素子がそれぞれ、前記第2の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第1の半導体素子搭載領域の外縁と、前記第2の半導体素子搭載領域の外縁とが対応するように、前記第1及び第2の基板は前記金型内に配置され、
前記積層体の前記分割の前に、前記第1及び第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って、前記第1及び第2の基板及び前記封止樹脂層を切断することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8) 前記第1の基板は、複数の第1の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第1の半導体素子がそれぞれ、前記第1の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第2の基板は、複数の第2の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第2の半導体素子がそれぞれ、前記第2の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第1の半導体素子搭載領域の外縁と、前記第2の半導体素子搭載領域の外縁とが対応するように、前記第1及び第2の基板は前記金型内に配置され、
前記積層体の前記分割の前に、前記第1及び第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って、前記第1及び第2の基板及び前記封止樹脂層を切断することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9) 前記金型内に配置された前記第1及び第2の基板の前記間には、セパレータ基板が配置され、
前記封止樹脂層の前記分断は、前記セパレータ基板を境界にして行われ、
前記セパレータ基板には、前記第1及び第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に対応する位置に、貫通孔が設けられていることを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
前記封止樹脂層の前記分断は、前記セパレータ基板を境界にして行われ、
前記セパレータ基板には、前記第1及び第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に対応する位置に、貫通孔が設けられていることを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記第1の基板は、複数の第1の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第1の半導体素子がそれぞれ、前記第1の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第2の基板は、複数の第2の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第2の半導体素子がそれぞれ、前記第2の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第1の半導体素子搭載領域の外縁と、前記第2の半導体素子搭載領域の外縁とが対応するように、前記第1及び第2の基板は前記金型内に配置され、
前記積層体を前記分割した後、前記第1の基板と前記分断された一方の前記封止樹脂層とを含む分割体を前記第1の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って切断し、前記第2の基板と前記分断された他方の前記封止樹脂層とを含む分割体を前記第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って切断することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2の基板は、複数の第2の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第2の半導体素子がそれぞれ、前記第2の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第1の半導体素子搭載領域の外縁と、前記第2の半導体素子搭載領域の外縁とが対応するように、前記第1及び第2の基板は前記金型内に配置され、
前記積層体を前記分割した後、前記第1の基板と前記分断された一方の前記封止樹脂層とを含む分割体を前記第1の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って切断し、前記第2の基板と前記分断された他方の前記封止樹脂層とを含む分割体を前記第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って切断することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
100、110、120 配線基板
101 主表面
103 半導体素子搭載領域
104 半導体素子搭載領域の外縁
130、131 積層体
132 分割体
200、210、220 半導体素子
300 金型
315 樹脂
400 セパレータ基板
440 貫通孔
500 封止樹脂層
600 外部接続端子
710、711 ダイシングブレード
800 半導体装置
101 主表面
103 半導体素子搭載領域
104 半導体素子搭載領域の外縁
130、131 積層体
132 分割体
200、210、220 半導体素子
300 金型
315 樹脂
400 セパレータ基板
440 貫通孔
500 封止樹脂層
600 外部接続端子
710、711 ダイシングブレード
800 半導体装置
Claims (6)
- 主表面の上方に第1の半導体素子が搭載された第1の基板と、主表面の上方に第2の半導体素子が搭載された第2の基板とを、各前記主表面が互いに対向し且つ離間するように金型内に配置する工程と、
前記第1及び第2の基板が配置された前記金型内に樹脂を供給して、前記第1及び第2の基板の間に封止樹脂層を形成し、前記第1及び第2の基板と前記封止樹脂層とが積層された積層体を得る工程と、
前記積層体における、前記第1の基板の前記主表面の裏面と、前記第2の基板の前記主表面の裏面とに、外部接続端子を形成する工程と、
前記封止樹脂層を分断して、前記積層体を前記第1の基板を含む部分と前記第2の基板を含む部分とに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記金型内に配置された前記第1及び第2の基板の前記間には、セパレータ基板が配置され、
前記封止樹脂層の前記分断は、前記セパレータ基板を境界にして行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記セパレータ基板の表面は、離型性を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記封止樹脂層の前記分断は、ダイシングブレードを用いて行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の基板は、複数の第1の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第1の半導体素子がそれぞれ、前記第1の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第2の基板は、複数の第2の半導体素子搭載領域を備え、複数の前記第2の半導体素子がそれぞれ、前記第2の半導体素子搭載領域の上方に搭載され、
前記第1の半導体素子搭載領域の外縁と、前記第2の半導体素子搭載領域の外縁とが対応するように、前記第1及び第2の基板は前記金型内に配置され、
前記積層体の前記分割の前に、前記第1及び第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に沿って、前記第1及び第2の基板及び前記封止樹脂層を切断することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記金型内に配置された前記第1及び第2の基板の前記間には、セパレータ基板が配置され、
前記封止樹脂層の前記分断は、前記セパレータ基板を境界にして行われ、
前記セパレータ基板には、前記第1及び第2の半導体素子搭載領域の前記外縁に対応する位置に、貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009187990A JP2011040640A (ja) | 2009-08-14 | 2009-08-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009187990A JP2011040640A (ja) | 2009-08-14 | 2009-08-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040640A true JP2011040640A (ja) | 2011-02-24 |
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ID=43768090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009187990A Pending JP2011040640A (ja) | 2009-08-14 | 2009-08-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011040640A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053124A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Toyota Motor Corp | 燃料電池の製造方法 |
JP2020096014A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びパッケージ部材の製造方法 |
CN113329676A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-08-31 | 奥林巴斯株式会社 | 保持框、内窥镜前端构造以及内窥镜 |
-
2009
- 2009-08-14 JP JP2009187990A patent/JP2011040640A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7206483B2 (ja) | 2018-12-10 | 2023-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びパッケージ部材の製造方法 |
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