JP2013120924A - 多層らせん構造のコモンモードフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 コモンモードインピーダンスの上昇又はカットオフ周波数の制御を顕著化させる小型のコモンモードフィルタを提供する。
【解決手段】 第１のコイル３１と、第２のコイル５１と、第３のコイル７１と、第４のコイル９１と、第１の材料層１と、第２の材料層１１とを備えた多層らせん構造のコモンモードフィルタ１００である。第１のコイル３１は第３のコイル７１に直列接続されており、そして第２のコイル５１は第４のコイル９１に直列接続されている。第２のコイル５１は第１のコイル３１と第３のコイル７１との間に配設されており、そして第３のコイル７１は第２のコイル５１と第４のコイル９１との間に配設されている。第１の材料層１および第２の材料層１１の少なくとも一つは磁性材料を含んでいる。第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１及び第４のコイル９１は第１の材料層１と第２の材料層１１との間に配設されている。
【選択図】 図１

Description

本発明はコモンモードフィルタに関し、特に積層式のコモンモードフィルタ及びその製造方法に関する。

コモンモードノイズ（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ ｎｏｉｓｅ）はすべての導線上にて、同一方向で伝送されるノイズである。コモンモードノイズを抑制するために、当該ノイズを伝送する配線上にコモンモードフィルタ（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ ｆｉｌｔｅｒ ｏｒ ｃｈｏｋｅ）を配設することができる。従来、コモンモードフィルタは主に鉄芯上に同じ巻数の二組のコイル部材を巻回して構成されている。コモンモード電流がコモンモードフィルタを流れると、二つのコイルに同方向の磁界が発生して、コモンモードフィルタに高いインピーダンス（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）が現れて、コモンモード電流を抑制する効果を達成する。

携帯型電子機器の需要に応えるべく、チップ型のコモンモードフィルタが開発されている。特許文献１では、二つのコイル導線層（ｃｏｉｌ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｙｅｒｓ）と、二つのリード線電極層（ｌｅａｄ―ｏｕｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌａｙｅｒｓ）と、複数の絶縁層（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒｓ）と、二つの磁性層（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｌａｙｅｒｓ）とを備えたチップ型コモンモードフィルタが開示されている。各コイル導電層は一つのコイルを備えており、二つのリード線電極層は、外部に電気的に接続するために、二つのコイル内における端部をチップ型コモンモードフィルタの縁部にそれぞれ延出している。絶縁層はコイル導電層とリード線電極層とを電気的に隔離するために用いられている。コイル導電層、リード線電極層及び絶縁層は二つの磁性層の間に配設されている。

米国特許第７，１４５，４２７ Ｂ２号明細書

大きさの制限から、上記したチップ型コモンモードフィルタは通常、再度コイル構造を調整することで、コモンモードインピーダンス（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）の上昇又はカットオフ周波数（ｃｕｔ ｏｆｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）の制御を顕著化させることは難しい。もしコイルの巻数を増やす方式でコモンモードインピーダンスを上昇させると、チップ型コモンモードフィルタの実装時に必要な面積が広くなってしまい、携帯型電子機器に応用するのに不利となってしまう。

本発明の一態様によれば、多層らせん構造のコモンモードフィルタは、第１のコイルと、第２のコイルと、第３のコイルと、第４のコイルと、第１の材料層と、第２の材料層とを備えている。第１のコイルは第３のコイルに直列接続されており、そして第２のコイルは第４のコイルに直列接続されている。第２のコイルは第１のコイルと第３のコイルとの間に配設されており、第３のコイルは第２のコイルと第４のコイルとの間に配設されている。第１の材料層および第２の材料層の少なくとも一つは磁性材料を含んでいる。第１のコイル、第２のコイル、第３のコイル及び第４のコイルは第１の材料層と第２の材料層との間に配設されている。

本発明の一態様によれば、多層らせん構造のコモンモードフィルタの製造方法は、磁性材料層を絶縁材料層上に形成して、ヘテロ積層基板を得るステップと、内端部と外端部とを有する第１のコイルをヘテロ積層基板上に形成するステップと、第１の絶縁層を形成して、前記第１のコイルを被覆するステップと、第２のコイルを前記第１の絶縁層上に形成するステップと、第２の絶縁層を形成して、前記第２のコイルを被覆するステップと、第１のコンタクトホールを形成して、前記第１のコイルの前記内端部又は前記外端部を露出させるステップと、前記第１のコンタクトホールに第１の金属を充填して、第１の導電性スタッドを形成するステップと、前記第１の導電性スタッドに接続される内端部又は外端部を有する第３のコイルを前記第２の絶縁層上に形成するステップと、第３の絶縁層を形成して、前記第３のコイルを被覆するステップと、第２のコンタクトホールを形成して、前記第２のコイルの前記内端部又は前記外端部を露出させるステップと、前記第２のコンタクトホールに第２の金属を充填して、第２の導電性スタッドを形成するステップと、前記第２の導電性スタッドに接続される内端部又は外端部を有する第４のコイルを前記第３の絶縁層上に形成するステップと、第４の絶縁層を形成して、前記第４のコイルを被覆するステップと、材料層を前記第４の絶縁層上に設けるステップと、を含む。

上記において、本発明の技術的特徴及び長所がすでにかなり広範に概略的に記述されることで、下記の本発明の詳細な説明はより良く理解され得る。本発明の特許請求の範囲の対象を構成するその他の技術的特徴及び長所は以下に記述する。本発明の技術分野における当業者であれば、以下に開示する技術的思想及び特定の実施形態を利用して、その他構造又は製造工程を修正又は設計することで、本発明と同じ目的を容易に実現できるはずである。本発明の技術分野における当業者はまた、これら等価の構造は別紙の特許請求の範囲にて限定する本発明の技術的思想及び範囲から離れることはできないことも理解するはずである。

本発明の一態様におけるコモンモードフィルタは最大インピーダンス値が高く、そして同じインピーダンス値においては、周波数帯域が広い。したがって、多層らせん構造を備えたコモンモードフィルタは、確実に従来のコモンモードフィルタよりも優れた性能を示している。

本発明の一実施形態におけるコモンモードフィルタの分解概略図。 図１のコモンモードフィルタの断面概略図。 本発明の他の実施形態におけるコモンモードフィルタの断面概略図。 本発明の他の実施形態におけるコモンモードフィルタの断面概略図。 本発明の他の実施形態におけるコモンモードフィルタの断面概略図。 図１の実施形態のコモンモードフィルタの製造工程を示す断面概略図。 図１の実施形態のコモンモードフィルタの製造工程を示す断面概略図。 図１の実施形態のコモンモードフィルタの製造工程を示す断面概略図。 図１の実施形態のコモンモードフィルタの製造工程を示す断面概略図。 図１の実施形態のコモンモードフィルタの製造工程を示す断面概略図。 本発明の一実施形態におけるコモンモードフィルタのインピーダンス値と周波数との関係グラフ。 公知のコモンモードフィルタのインピーダンス値と周波数との関係グラフ。 本発明の一実施形態におけるヘテロ積層基板の概略図。 本発明の他の実施形態におけるヘテロ積層基板の概略図。 本発明のさらに他の実施形態におけるヘテロ積層基板の概略図。

本発明は一面において、二つのコイル組を備えたコモンモードフィルタを開示している。各コイル組は直列接続された複数のコイルを備えており、このうち隣接するコイルは絶縁層により隔離されている。二つのコイル組のコイルは交互に積層されている。コイル組の巻数を増やすと、コモンモードフィルタのコモンモードインピーダンスを高めて、ディファレンシャルモード信号のカットオフ周波数を効果的に抑制できる。また、各コイル組の巻数は増やしても、コモンモードフィルタに必要な面積は変わらないようにすることができる。さらに、コモンモードフィルタは二つの材料層をさらに備えており、コイルは二つの材料層の間に挟持して設けられている。二つの材料層における少なくとも一方が磁性材料を含むことで、コモンモードフィルタは優れたフィルタリング効果を備えることができる。

図１には、本発明の一実施形態におけるコモンモードフィルタ１００の分解概略図を示す。図１を参照する。コモンモードフィルタ１００は第１の材料層１と、第１のコイル層３と、第２のコイル層５と、第３のコイル層７と、第４のコイル層９と、第２の材料層１１とを備えている。第１のコイル層３は第１のコイル３１を備えており、第２のコイル層５は第２のコイル５１を備えており、第３のコイル層７は第３のコイル７１を備えており、第４のコイル層９は第４のコイル９１を備えており、このうち第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１、第４のコイル９１は第１の材料層１と第２の材料層１１との間に配設されている。

第１のコイル３１と第３のコイル７１とは直列接続されており、第２のコイル５１と第４のコイル９１とは直列接続されている。第２のコイル５１は第１のコイル３１と第３のコイル７１との間に配設されており、第３のコイル７１は第２のコイル５１と第４のコイル９１との間に配設されている。直列接続されている第１のコイル３１及び第３のコイル７１と、直列接続されている第２のコイル５１及び第４のコイル９１は電磁的に接続されているので、直列接続されている第１のコイル３１及び第３のコイル７１と、直列接続されている第２のコイル５１及び第４のコイル９１とにより、コモンモードノイズを除去できる。

第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１及び第４のコイル９１は図１に示す矩形らせん（ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ ｓｐｉｒａｌ）とすることができるが、例えば円形らせん（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｓｐｉｒａｌ）などのその他の形状のらせんとしても良い。

一実施形態において、第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１及び第４のコイル９１は垂直方向で大部分が重なっている。

一実施形態において、第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１及び第４のコイル９１は同じ巻数で巻回させることができる。

一実施形態において、第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７及び第４のコイル層９は真空成膜工程（ｖａｃｕｕｍ ｆｉｌｍ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）（蒸着又はスパッタリング）又はめっき（ｐｌａｔｉｎｇ）工程で製造することができる。第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７及び第４のコイル層９の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができる。

一実施形態において、第１の材料層１又は第２の材料層１１は磁性材料を含んでいる。言い換えれば、第１の材料層１が磁性材料層であり、第２の材料層１１が非磁性材料層又は絶縁層であるか、又は、第１の材料層１が非磁性材料層又は絶縁層であり、第２の材料層１１が磁性材料層である。

一実施形態において、第１の材料層１又は第２の材料層１１の少なくとも一方が磁性材料を含んでいる。言い換えれば、第１の材料層１が磁性材料層であり、第２の材料層１１は非磁性材料層又は絶縁層であるか、又は、第１の材料層１が非磁性材料層又は絶縁層であり、第２の材料層１１が磁性材料層であるか、又は、第１の材料層１及び第２の材料層１１のいずれもが磁性材料層である。

一実施形態において、前記磁性材料層は磁性基板を備えている。前記非磁性材料層は非磁性材料基板を備えている。前記絶縁層は絶縁基板を備えている。

一実施形態において、磁性材料層はニッケル亜鉛フェライト又はマンガン亜鉛フェライトを含んでいる。

一実施形態において、非磁性材料層は酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ガラス又は石英を含んでいる。

一実施形態において、磁性材料層は高分子材料および磁性粉末を含んでいる。高分子材料はポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂を含むことができる。磁性粉末はニッケル亜鉛フェライト又はマンガン亜鉛フェライトを含んでいる。

図１３を参照する。一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方がヘテロ積層基板を備えている。ヘテロ積層基板は絶縁材料層１１１と、磁性材料層１１２とを備えている。絶縁材料層１１１及び磁性材料層１１２は同時焼成の方式で、両者の間に拡散接合を発生させることができる。絶縁材料層１１１及び磁性材料層１１２は接着剤で接着することができる。絶縁材料層１１１及び磁性材料層１１２はそれぞれ厚膜印刷で形成することができる。

絶縁材料層１１１又は磁性材料層１１２は外側層とすることができる。一実施形態において、絶縁材料層１１１を外側層とするとき、磁性材料層１１２はコイルのサイズに応じて製作することができる。磁性材料層１１２は、図１３に示すように、絶縁材料層１１１よりもやや小さくすることができる。他の実施形態において、磁性材料層１１２の面積は実質的に絶縁材料層１１１の面積に相当するものとすることができる。

図１４及び図１５を参照する。磁性材料層１１２’又は１１２’’は独立した複数の磁性材料ブロック１１２１’又は１１２１’’を含むことができる。磁性材料ブロック１１２１’又は１１２１’’は絶縁材料層１１１の主面上に配列されている。

第１の材料層１及び／又は第２の材料層１１は磁性材料を含み、コモンモードフィルタ１００の磁界範囲を制限（ｃｏｎｆｉｎｅ）して、コモンモードフィルタ１００に優れたフィルタリング効果を備えさせることができる。

言い換えれば、コモンモードフィルタ１００は更に側部絶縁層２と、第１の絶縁層４と、第２の絶縁層６と、第３の絶縁層８と、側部絶縁層１０とを備えている。側部絶縁層２は第１の材料層１上に形成されている。第１のコイル層３は側部絶縁層２上に形成されている。第１の絶縁層４は第１のコイル層３と第２のコイル層５との間に形成されて、第１のコイル層３と第２のコイル層５とを電気的に隔離している。第２の絶縁層６は第２のコイル層５と第３のコイル層７との間に形成されて、第２のコイル層５と第３のコイル層７とを電気的に隔離している。第３の絶縁層８は第３のコイル層７と第４のコイル層９との間に形成されて、第３のコイル層７と第４のコイル層９とを電気的に隔離している。側部絶縁層１０は第４のコイル層９を被覆している。第２の材料層１１は側部絶縁層１０上に配設されている。

特記するならば、図１及び図２に示すように、第１のコイル３１は内端部３２を有し、第３のコイル７１は内端部７２を有し、第１の絶縁層４はコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）４１を備えており、そして第２の絶縁層６はコンタクトホール６１を備えており、このうちコンタクトホール４１は第１のコイル３１の内端部３２と第３のコイル７１の内端部７２との間に形成されており、コンタクトホール６１もまた第１のコイル３１の内端部３２と第３のコイル７１の内端部７２との間に形成されることから、第１のコイル３１及び第３のコイル７１はコンタクトホール４１及びコンタクトホール６１を介して電気的に接続されている。

さらに、コモンモードフィルタ１００は更に導電性スタッド１２を備えており、導電性スタッド１２はコンタクトホール４１及びコンタクトホール６１を貫通して、第１のコイル３１の内端部３２と第３のコイル７１の内端部７２とを接続している。

第２のコイル５１は内端部５２を有し、第４のコイル９１は内端部９２を有し、第２の絶縁層６は更にコンタクトホール６２を備えており、そして第３の絶縁層８はコンタクトホール８１を備えており、このうちコンタクトホール６２及びコンタクトホール８１は第２のコイル５１の内端部５２と第４のコイル９１の内端部９２との間に形成されることで、第２のコイル５１の内端部５２と第４のコイル９１の内端部９２がコンタクトホール６２及びコンタクトホール８１により電気的に接続されている。

コモンモードフィルタ１００は導電性スタッド１３を備えることができる。導電性スタッド１３はコンタクトホール６２及びコンタクトホール８１を貫通して、第２のコイル５１の内端部５２と第４のコイル９１の内端部９２とを接続している。

一実施形態において、導電性スタッド１２及び導電性スタッド１３は真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程で製造することができる。導電性スタッド１２及び導電性スタッド１３の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができる。

一実施形態において、側部絶縁層２、第１の絶縁層４、第２の絶縁層６、第３の絶縁層８及び側部絶縁層１０などの材料はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）又はベンゾシクロブテン樹脂（ＢＣＢ）とすることができる。側部絶縁層２、第１の絶縁層４、第２の絶縁層６、第３の絶縁層８及び側部絶縁層１０などの製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程（ｄｉｐｐｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、スプレー工程（ｓｐｒａｙ ｐｒｏｃｅｓｓ）、スクリーン印刷工程（ｓｃｒｅｅｎ―ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）又は薄膜形成工程（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）などを含むことができる。

第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１及び第４のコイル９１の各々における外端部３３、５３、７３又は９３は延出して、対応する電極３４、５４、７４又は９４に接続することができる。電極３４、５４、７４又は９４はコモンモードフィルタ１００の周囲に隣接している。第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１及び第４のコイル９１は対応する電極３４、５４、７４又は９４を介して、外部に電気的に接続されている。

一実施形態において、側部絶縁層２の厚さは１μｍないし２０μｍの間とすることができる。

一実施形態において、第１の材料層１が絶縁基板であるとき、第１のコイル層３は第１の材料層１に直接形成することができる。そしてこの場合、第１の材料層１上に側部絶縁層２を形成する必要はない。

一実施形態において、コモンモードフィルタ１００は更に、側部絶縁層１０と第２の材料層１１とを接着する接着層（図示しない）を備えることができる。

図３には、本発明の他の実施形態におけるコモンモードフィルタ３００の断面概略図を示す。図３を参照する。コモンモードフィルタ３００は第１の材料層１と、外部絶縁層３５と、第１のリード層１４と、側部絶縁層２と、第１のコイル層３と、第１の絶縁層４と、第２のコイル層５と、第２の絶縁層６と、第３のコイル層７と、第３の絶縁層８と、第４のコイル層９と、側部絶縁層１０と、第２のリード層１５と、外部絶縁層３６と、第２の材料層１１とを備えている。

外部絶縁層３５は第１の材料層１上に形成されている。第１のリード層１４は外部絶縁層３５上に形成されている。側部絶縁層２は第１のリード層１４を被覆している。第１のコイル層３は側部絶縁層２上に形成されている。第１の絶縁層４は第１のコイル層３を被覆している。第２のコイル層５は第１の絶縁層４上に形成されている。第２の絶縁層６は第２のコイル層５を被覆している。第３のコイル層７は第２の絶縁層６上に形成されている。第３の絶縁層８は第３のコイル層７を被覆している。第４のコイル層９は第３の絶縁層８上に形成されている。側部絶縁層１０は第４のコイル層９を被覆している。第２のリード層１５は側部絶縁層１０上に形成されている。外部絶縁層３６は第２のリード層１５を被覆している。第２の材料層１１は外部絶縁層３６上に配設されている。

一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方が磁性材料を含んでいる。

一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方がヘテロ積層基板を備えている。

外部絶縁層３５及び３６の材料はポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂を含むことができ、その製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程などを含むことができる。

第１のコイル層３は第１のコイル３１を備えており、第１のコイル３１は内端部３２と外端部３３とを有している。第２のコイル層５は第２のコイル５１を備えており、第２のコイル５１は内端部５２と外端部５３とを有している。第３のコイル層７は第３のコイル７１を備えており、第３のコイル７１は内端部７２と外端部７３とを有している。第４のコイル層９は第４のコイル９１を備えており、第４のコイル９１は内端部９２と外端部９３とを有している。

第１の絶縁層４はコンタクトホール４１を備えており、第２の絶縁層６はコンタクトホール６１を備えており、導電性スタッド１２はコンタクトホール４１及びコンタクトホール６１を貫通して、第１のコイル３１の内端部３２と第３のコイル７１の内端部７２とを接続して、第１のコイル３１と第３のコイル７１とを直列接続している。第２の絶縁層６は更にコンタクトホール６３を備えており、第３の絶縁層８はコンタクトホール８２を備えており、導電性スタッド１７はコンタクトホール６３及びコンタクトホール８２を貫通して、第２のコイル５１の外端部５３と第４のコイル９１の外端部９３とを接続して、第２のコイル５１と第４のコイル９１とを直列接続している。

導電性スタッド１２及び１７は真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程で製造することができる。導電性スタッド１７は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができる。

第１のリード層１４はリード線１４１を備えている。リード線１４１の一端部はコモンモードフィルタ３００の周囲３０１にまで延出することで、外部と電気的に接続する働きをしている。そしてリード線１４１の他端部は側部絶縁層２及び第１の絶縁層４上のコンタクトホールを介して、第２のコイル５１の内端部５２に接続されている。第２のリード層１５はリード線１５１を備えている。リード線１５１の一端部はコモンモードフィルタ３００の周囲３０１にまで延出することで、外部と電気的に接続する働きをしている。そしてリード線１５１の他端部は側部絶縁層１０のコンタクトホールを介して、第４のコイル９１の内端部９２に接続されている。また、第１のコイル３１の外端部３３は、コモンモードフィルタ３００の周囲３０１に延出して隣接し、コモンモードフィルタ３００の周囲３０１に隣接した対応する電極に接続されている。第３のコイル７１の外端部７３もまた、コモンモードフィルタ３００の周囲３０１に延出して隣接し、コモンモードフィルタ３００の周囲３０１に隣接した対応する電極に接続されている。

第１のリード層１４、第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７、第４のコイル層９及び第２のリード層１５の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができる。また、第１のリード層１４、第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７、第４のコイル層９及び第２のリード層１５は真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程で製造することができる。

図３に示す接続方式以外に、第１のコイル３１、第２のコイル５１、第３のコイル７１、第４のコイル９１には別の接続方式があってもよい。他の実施形態において、第１のコイル３１の外端部３３と第３のコイル層７の外端部７３とが接続されて、第１のコイル３１と第３のコイル層７とを直列接続している。第２のコイル５１の内端部５２と第４のコイル層９の内端部９２とが接続されて、第２のコイル５１と第４のコイル層９とを直列接続している。また、第１のコイル３１の内端部３２及び第３のコイル７１の内端部７２にそれぞれリード線が接続されて、対外的な電気的接続をしている。

図４には、本発明の他の実施形態におけるコモンモードフィルタ４００の断面概略図を示す。図４を参照する。コモンモードフィルタ４００は第１の材料層１と、外部絶縁層３５と、第１のリード層１４’と、側部絶縁層２と、第１のコイル層３と、第１の絶縁層４と、第２のコイル層５と、第２の絶縁層６と、第３のコイル層７と、第３の絶縁層８と、第４のコイル層９と、側部絶縁層１０と、第２のリード層１５’と、外部絶縁層３６と、第２の材料層１１とを備えている。

外部絶縁層３５は第１の材料層１上に形成されている。第１のリード層１４’は外部絶縁層３５上に形成されている。側部絶縁層２は第１のリード層１４’を被覆している。第１のコイル層３は側部絶縁層２上に形成されている。第１の絶縁層４は第１のコイル層３を被覆している。第２のコイル層５は第１の絶縁層４上に形成されている。第２の絶縁層６は第２のコイル層５を被覆している。第３のコイル層７は第２の絶縁層６上に形成されている。第３の絶縁層８は第３のコイル層７を被覆している。第４のコイル層９は第３の絶縁層８上に形成されている。側部絶縁層１０は第４のコイル層９を被覆している。第２のリード層１５’は側部絶縁層１０上に形成されている。外部絶縁層３６は第２のリード層１５’を被覆している。第２の材料層１１は外部絶縁層３６上に配設されている。

第１のコイル層３は第１のコイル３１を備えており、第１のコイル３１は内端部３２と外端部３３とを有している。第２のコイル層５は第２のコイル５１を備えており、第２のコイル５１は内端部５２と外端部５３とを有している。第３のコイル層７は第３のコイル７１を備えており、第３のコイル７１は内端部７２と外端部７３とを有している。第４のコイル層９は第４のコイル９１を備えており、第４のコイル９１は内端部９２と外端部９３とを有している。

第１の絶縁層４はコンタクトホール４２を備えており、第２の絶縁層６はコンタクトホール６４を備えており、導電性スタッド１８はコンタクトホール４２及びコンタクトホール６４を貫通して、第１のコイル３１の外端部３３と第３のコイル７１の外端部７３とを接続して、第１のコイル３１と第３のコイル７１とを直列接続している。第２の絶縁層６は更にコンタクトホール６５を備えており、第３の絶縁層８はコンタクトホール８３を備えており、導電性スタッド１９はコンタクトホール６５及びコンタクトホール８３を貫通して、第２のコイル５１の外端部５３と第４のコイル９１の外端部９３とを接続して、第２のコイル５１と第４のコイル９１とを直列接続している。

導電性スタッド１８及び１９は真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程で製造することができる。導電性スタッド１８及び１９は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができる。

第１のリード層１４’はリード線１４１と１４２とを備えている。リード線１４１の一端部はコモンモードフィルタ４００の周囲３０１にまで延出することで、外部と電気的に接続する働きをしている。そしてリード線１４１の他端部は側部絶縁層２及び第１の絶縁層４上のコンタクトホールを介して、第２のコイル５１の内端部５２に接続されている。リード線１４２の一端部はコモンモードフィルタ４００の周囲３０１にまで延出して、外部と電気的に接続する働きをしている。そしてリード線１４２の他端部は側部絶縁層２上のコンタクトホールを介して、第１のコイル３１の内端部３２に接続されている。第２のリード層１５’はリード線１５１と１５２とを備えている。リード線１５１の一端部はコモンモードフィルタ４００の周囲３０１にまで延出して、外部と電気的に接続する働きをしている。そしてリード線１５１の他端部は側部絶縁層１０及び第３の絶縁層８のコンタクトホールを介して、第３のコイル７１の内端部７２に接続されている。リード線１５２の一端部はコモンモードフィルタ４００の周囲３０１にまで延出して、外部と電気的に接続する働きをしている。そしてリード線１５２の他端部は側部絶縁層１０のコンタクトホールを介して、第４のコイル９１の内端部９２に接続されている。

第１のリード層１４’、第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７、第４のコイル層９及び第２のリード層１５’の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができる。また、第１のリード層１４’、第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７、第４のコイル層９及び第２のリード層１５’は真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程で製造することができる。

一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方が磁性材料を含んでいる。

一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方がヘテロ積層基板を備えている。

図５には、本発明の他の実施形態におけるコモンモードフィルタ５００の断面概略図を示す。図５を参照する。コモンモードフィルタ５００は第１の材料層１と、第１のコイル層３と、第２のコイル層５と、第３のコイル層７’と、第４のコイル層９’と、第５のコイル層２１と、第６のコイル層２２と、リード層２３と、リード層２４と、第２の材料層１１を備えている。第１のコイル層３は第１のコイル３１を備えており、第２のコイル層５は第２のコイル５１を備えており、第３のコイル層７’は第３のコイル７１を備えており、第４のコイル層９’は第４のコイル９１を備えており、第５のコイル層２１は第５のコイル２１１を備えており、そして第６のコイル層２２は第６のコイル２２１を備えている。第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７’、第４のコイル層９’、第５のコイル層２１及び第６のコイル層２２は重なって設けられており、このうち第１のコイル３１、第３のコイル７１及び第５のコイル２１１は直列接続されている。そして第２のコイル５１と、第４のコイル９１と第６のコイル２２１とは直列接続されている。また、第１のコイル３１、第２のコイル５１と、第３のコイル７１、第４のコイル９１、第５のコイル２１１及び第６のコイル２２１は第１の材料層１と第２の材料層１１との間に配設されている。

詳細に言えば、側部絶縁層２は第１の材料層１上に形成されている。第１のコイル層３は側部絶縁層２上に形成されている。第１の絶縁層４は第１のコイル層３と第２のコイル層５とを電気的に隔離している。第２の絶縁層６は第２のコイル層５と第３のコイル層７’とを電気的に隔離している。第３の絶縁層８は第３のコイル層７’と第４のコイル層９’とを電気的に隔離している。第４の絶縁層２５は第４のコイル層９’と第５のコイル層２１とを電気的に隔離している。第５の絶縁層２６は第５のコイル層２１と第６のコイル層２２とを電気的に隔離している。第６の絶縁層２７は第６のコイル層２２とリード層２３とを電気的に隔離している。第７の絶縁層２８はリード層２３とリード層２４とを電気的に隔離している。側部絶縁層１０はリード層２４を被覆している。第２の材料層１１はリード層２４上に配設されている。

導電性スタッド１２は第１の絶縁層４のコンタクトホール４１及び第２の絶縁層６のコンタクトホール６１を貫通して、第１のコイル３１の内端部３２と第３のコイル７１の内端部７２とを接続している。第１のコイル３１の外端部３３は電極３４に接続されている。

導電性スタッド１３は第２の絶縁層６のコンタクトホール６２及び第３の絶縁層８のコンタクトホール８１を貫通して、第２のコイル５１の内端部５２と第４のコイル９１の内端部９２とを接続している。第２のコイル５１の外端部５３は電極５４に接続されている。

導電性スタッド７５は第３の絶縁層８のコンタクトホール８２及び第４の絶縁層２５のコンタクトホール２５２を貫通して、第３のコイル７１の外端部７３と第５のコイル２１１の外端部２１３とを接続している。

導電性スタッド９５は第４の絶縁層２５のコンタクトホール２５１及び第５の絶縁層２６のコンタクトホール２６１を貫通して、第４のコイル９１の外端部９３と第６のコイル２２１の外端部２２３とを接続している。

導電性スタッド２１４は第５の絶縁層２６のコンタクトホール２６２及び第６の絶縁層２７のコンタクトホール２７１を貫通して、第５のコイル２１１の内端部２１２とリード層２３のリード線２３１の一端とを接続している。リード線２３１の他端は電極に接続されている。

導電性スタッド２２４は第６の絶縁層２７のコンタクトホール２７２及び第７の絶縁層２８のコンタクトホール２８１を貫通して、第６のコイル２２１の内端部２２２とリード層２４のリード線２４１の一端とを接続している。リード線２４１の他端は電極に接続されている。

第１のコイル層３、第２のコイル層５、第３のコイル層７’、第４のコイル層９’、第５のコイル層２１、第６のコイル層２２、リード層２３及びリード層２４の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができ、真空成膜工程（ｖａｃｕｕｍ ｆｉｌｍ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）（蒸着又はスパッタリング）又はめっき（ｐｌａｔｉｎｇ）工程で製造することができる。

導電性スタッド１２、１３、７５、９５、２１４及び２２４の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことができ、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程で製造することができる。

側部絶縁層２、第１の絶縁層４、第２の絶縁層６、第３の絶縁層８、側部絶縁層１０、第４の絶縁層２５、第５の絶縁層２６、第６の絶縁層２７及び第７の絶縁層２８の材料はポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂を含み、その製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程などを含むことができる。

一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方が磁性材料を含んでいる。

一実施形態において、第１の材料層１及び第２の材料層１１の少なくとも一方がヘテロ積層基板を備えている。

図６ないし図１０は断面概略図であって、本発明の一実施形態のコモンモードフィルタ１００の製造工程を示している。図６を参照する。磁性材料層１１２を絶縁材料層１１１上に形成して、第１の材料層（ヘテロ積層基板）１を得る。絶縁材料層１１１及び磁性材料層１１２は同時焼成接合とするか、又は接着剤接合とすることができる。絶縁材料層１１１及び磁性材料層１１２はそれぞれ厚膜印刷で形成しても良い。一実施形態において、磁性材料層はニッケル亜鉛フェライト又はマンガン亜鉛フェライトを含むことができる。一実施形態において、磁性材料層１１２は高分子材料および磁性粉末を含むことができる。高分子材料はポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂を含むことができる。磁性粉末はニッケル亜鉛フェライト又はマンガン亜鉛フェライトを含んでいる。一実施形態において、絶縁材料層１１１は酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ガラス又は石英を含むことができる。

その後、側部絶縁層２を第１の材料層１上に形成する。側部絶縁層２の材料は高分子材料を含むことができ、これにはポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂が含まれる。側部絶縁層２の製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程などを含むことができる。

図１及び図６を参照する。側部絶縁層２上には第１のコイル層３が形成されており、このうち第１のコイル層３は第１のコイル３１と電極３４とを備えており（図１）、このうち第１のコイル３１の外端部３３は電極３４に接続されている（図１）。第１のコイル層３の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含む金属を含む。第１のコイル層３の金属材料は、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程などで堆積することができる。第１のコイル層３のパターンニングはマイクロリソグラフィ工程を用いることができる。

特に、第１のコイル３１はフレームめっき工程（ｆｌａｍｅ ｐｌａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成される。フレームめっき工程では、まず電極層（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌａｙｅｒ）を側部絶縁層２上に形成する。電極層はスパッタリング又は蒸着工程により形成することができる。クロム（ｃｈｒｏｍｉｕｍ）膜又はチタン（ｔｉｔａｎｉｕｍ）膜を電極層下に形成して、接着性を向上させることができる。次に、マイクロリソグラフィ工程により、コイルパターンを有するマスク層を形成する。続いて、めっき工程を行って、めっき層を形成する。その後、マスク層を剥離（ｐｅｅｌ ｏｆｆ）する。その後、エッチング工程で、電極層を除去すると、第１のコイル３１が形成される。

その後、第１の絶縁層４を形成して、第１のコイル層３を被覆する。第１の絶縁層４は高分子材料を含むことができ、これにはポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂が含まれる。第１の絶縁層４の製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程などを含むことができる。

図１及び図７を参照する。第１の絶縁層４上に第２のコイル層５を形成するが、このうち第２のコイル層５は第２のコイル５１と電極５４とを備えており（図１）、このうち第２のコイル５１の外端部５３は電極５４に接続されている（図１）。第２のコイル層５の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含む金属を含む。第２のコイル層５の金属材料は、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程などで堆積することができる。第２のコイル層５のパターンニングはマイクロリソグラフィ工程を用いることができる。一実施形態において、第２のコイル５１は前記のフレームめっき工程で製造してもよい。

その後、第２の絶縁層６を形成して、第２のコイル層５を被覆する。第２の絶縁層６は高分子材料を含むことができ、これにはポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂が含まれる。第２の絶縁層６の製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程などを含むことができる。

図１及び図８を参照する。第１のコイル３１の内端部３２上に、マイクロリソグラフィ工程でコンタクトホール４１及び６１を形成して、第１のコイル３１の内端部３２を露出させる。その後、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程などでコンタクトホール４１及び６１内に金属を堆積させて、導電性スタッド１２を形成する。

続いて、第２の絶縁層６上に第３のコイル層７を形成する。第３のコイル層７は第３のコイル７１と、電極７４とを備えており（図１）、このうち第３のコイル７１の外端部７３は電極７４に接続されており（図１）、そして第３のコイル７１の内端部７２は導電性スタッド１２に接続されている。第３のコイル層７の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含む金属を含む。第３のコイル層７の金属材料は、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程などで堆積することができる。第３のコイル層７のパターンニングはマイクロリソグラフィ工程を用いることができる。一実施形態において、第３のコイル７１は前記のフレームめっき工程で製造してもよい。

図９を参照する。第３の絶縁層８を形成して、第３のコイル層７を被覆する。第３の絶縁層８は高分子材料を含むことができ、これにはポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂が含まれる。第３の絶縁層８の製造方法はスピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程などを含むことができる。

続いて、マイクロリソグラフィ工程でコンタクトホール６２及び８１を形成して、第２のコイル５１の内端部５２を露出させる。その後、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程などでコンタクトホール６２及び８１内に金属を堆積させて、導電性スタッド１３を形成する。

図１及び図９を参照する。第３の絶縁層８上に、第４のコイル層９を形成する。第４のコイル層９は第４のコイル９１と電極９４とを備えており（図１）、このうち第４のコイル９１の外端部９３は電極９４に接続されており（図１）、そして第４のコイル９１の内端部９２は導電性スタッド１３に接続されている。第４のコイル層９の材料は、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含む金属を含む。第４のコイル層９の金属材料は、真空成膜工程（蒸着又はスパッタリング）又はめっき工程などで堆積することができる。第４のコイル層９のパターンニングはマイクロリソグラフィ工程を用いることができる。一実施形態において、第４のコイル９１は前記のフレームめっき工程で製造してもよい。

図１０を参照する。側部絶縁層１０を形成して、第４のコイル層９を被覆する。その後、第４のコイル層９上に第２の材料層１１を配設することで、コモンモードフィルタ１００が完成される。一実施形態において、第２の材料層１１は、ポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂を含む絶縁材料層とすることができる。一実施形態において、第２の材料層１１は磁性基板を備えることができる。

本願におけるその他の実施形態のコモンモードフィルタも図６ないし図１０に示す製造工程で完成することができるので、ここでは詳細な製造工程の説明は省略する。

図１１には、本発明の一実施形態におけるコモンモードフィルタのインピーダンス（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値と周波数（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）との関係グラフを示す。図１２には、公知のコモンモードフィルタのインピーダンス値と周波数との関係グラフを示す。図１１と図１２に示すグラフを比較すると、本発明の一実施形態におけるコモンモードフィルタは最大インピーダンス値が高く、そして同じインピーダンス値においては、周波数帯域が広いことが分かる。したがって、多層らせん構造を備えたコモンモードフィルタは、確実に従来のコモンモードフィルタよりも優れた性能を示している。

本発明の技術内容及び技術的特徴は上記のとおりであるが、本発明の技術分野における当業者であれば、別紙の特許請求の範囲で限定する本発明の技術的思想及び範囲を離れることなく、本発明の教示及び開示は各種の置換及び付加が可能であることを理解するはずである。例えば、上記の数多くの製造工程は異なる方法で実施するか、又はその他の工程に変更するか、又は上記の二種類を組み合わせることも可能である。

また、本願の権利範囲は上記開示した特定の実施形態の製造工程、設備、製造、物質の成分、装置、方法又は手順に限定されるものではない。本発明の技術分野の当業者であれば、本発明で教示及び開示する製造工程、設備、製造、物質の成分、装置、方法又は手順に基づき、現時点で存在するもの、又は後日開発されるものに関わらず、それが本願の実施形態に開示するものと実質的に同一の方式で実質的に同一の効果が実現され、そして実質的に同一の結果が達成されるものも、本発明に使用できることを理解するはずである。したがって、別紙の特許請求の範囲はこの類の製造工程、設備、製造、物質の成分、装置、方法又は手順を含むよう用いられる。

１ 第１の材料層
２、１０ 側部絶縁層
３ 第１のコイル層
４ 第１の絶縁層
５ 第２のコイル層
６ 第２の絶縁層
７、７’ 第３のコイル層
８ 第３の絶縁層
９、９’ 第４のコイル層
１１ 第２の材料層
１２、１３、１７、１８、１９、７５、９５、２１４、２２４ 導電性スタッド
１４、１４’ 第１のリード層
１５、１５’ 第２のリード層
２１ 第５のコイル層
２２ 第６のコイル層
２３、２４ リード層
２５ 第４の絶縁層
２６ 第５の絶縁層
２７ 第６の絶縁層
２８ 第７の絶縁層
３１ 第１のコイル
３２、５２、７２、９２、２１２、２２２ 内端部
３３、５３、７３、９３、２１３、２２３ 外端部
３４、５４、７４、９４ 電極
３５、３６ 外部絶縁層
４１、４２、６１〜６５、８１〜８３、２５１、２５２、２６１、２６２、２７１、２７２、２８１ コンタクトホール
５１ 第２のコイル
７１ 第３のコイル
９１ 第４のコイル
１００、３００、４００、５００ コモンモードフィルタ
１１１ 絶縁材料層
１１２、１１２’、１１２’’ 磁性材料層
１４１、１４２、１５１、１５２、２３１、２４１ リード線
２１１ 第５のコイル
２２１ 第６のコイル
３０１ 周囲
１１２１’、１１２１’’ 磁性材料ブロック

米国特許第７，１４５，４２７ Ｂ２号明細書 特開２０００−１７３８２４号公報

Claims (21)

1. 第１のコイルと、
   第２のコイルと、
   前記第１のコイルに直列接続されている第３のコイルと、
   前記第２のコイルに直列接続されている第４のコイルと、
   少なくとも一方が磁性材料を含む第１の材料層及び第２の材料層と、
   を備えており、
   前記第２のコイルは前記第１のコイルと前記第３のコイルとの間に設けられており、前記第３のコイルは前記第２のコイルと前記第４のコイルとの間に設けられており、
   前記第１のコイル、前記第２のコイル、前記第３のコイル及び前記第４のコイルは前記第１の材料層と前記第２の材料層との間に設けられている、多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
2. 前記第１の材料層及び前記第２の材料層の一方が磁性基板であり、他方が絶縁基板であることを特徴とする請求項１に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
3. 前記第１の材料層及び前記第２の材料層のいずれもが磁性基板であることを特徴とする請求項１に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
4. 前記第１の材料層及び前記第２の材料層の一方が、磁性材料層と絶縁材料層とを有するヘテロ積層基板であることを特徴とする請求項１に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
5. 前記磁性材料層及び前記絶縁材料層が拡散接合又は接着接合であることを特徴とする請求項４に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
6. 前記第１のコイルの内端部と前記第３のコイルの内端部とが接続されており、前記第２のコイルの内端部と前記第４のコイルの内端部とが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
7. 前記第１のコイルの外端部、前記第２のコイルの外端部、前記第３のコイルの外端部、及び前記第４のコイルの外端部は前記コモンモードフィルタの周囲に隣接していることを特徴とする請求項６に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
8. 前記第１のコイルの前記内端部と前記第３のコイルの前記内端部との間に形成されているコンタクトホールを備えており、前記第１のコイルと前記第２のコイルとを隔離する第１の絶縁層と、
   前記第１のコイルの前記内端部と前記第３のコイルの前記内端部との間に形成されている第１のコンタクトホールと、前記第２のコイルの前記内端部と前記第４のコイルの前記内端部との間に形成されている第２のコンタクトホールとを備えており、前記第２のコイルと前記第３のコイルとを隔離する第２の絶縁層と、
   前記第２のコイルの前記内端部と前記第４のコイルの前記内端部との間に形成されているコンタクトホールを備えており、前記第３のコイルと前記第４のコイルとを隔離する第３の絶縁層と、
   を更に具備することを特徴とする請求項６に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
9. 前記第１のコイルの内端部と前記第３のコイルの内端部とが接続されており、前記第２のコイルの外端部と前記第４のコイルの外端部とが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
10. 第１の端部が前記第２のコイルの内端部に接続されており、第２の端部が前記コモンモードフィルタの周囲に隣接している第１のリード線と、
    第１の端部が前記第４のコイルの内端部に接続されており、第２の端部が前記コモンモードフィルタの周囲に隣接している第２のリード線と、
    を更に具備することを特徴とする請求項９に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
11. 前記第１のコイルの前記内端部と前記第３のコイルの前記内端部との間に形成されている第１のコンタクトホールと、前記第２のコイルの前記内端部と前記第１のリード線の前記第１の端部との間に形成されている第２のコンタクトホールとを備えており、前記第１のコイルと前記第２のコイルとを隔離する第１の絶縁層と、
    前記第１のコイルの前記内端部と前記第３のコイルの前記内端部との間に形成されている第１のコンタクトホールと、前記第２のコイルの前記外端部と前記第４のコイルの前記外端部との間に形成されている第２のコンタクトホールとを備えており、前記第２のコイルと前記第３のコイルとを隔離する第２の絶縁層と、
    前記第２のコイルの前記外端部と前記第４のコイルの前記外端部との間に形成されているコンタクトホールを備えており、前記第３のコイルと前記第４のコイルとを隔離する第３の絶縁層と、
    を更に具備することを特徴とする請求項１０に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
12. 前記第１のコイルの外端部と前記第３のコイルの外端部とが接続されており、前記第２のコイルの外端部と前記第４のコイルの外端部とが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
13. 前記第２のコイルの内端部に接続されている端部を備えた第１のリード線と、
    前記第３のコイルの内端部に接続されている端部を備えた第２のリード線と、
    を更に具備することを特徴とする請求項１２に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
14. 前記第１のコイルの前記外端部と前記第３のコイルの前記外端部との間に形成されている第１のコンタクトホールと、前記第２のコイルの前記内端部と前記第１のリード線の前記端部との間に形成されている第２のコンタクトホールとを備えており、前記第１のコイルと前記第２のコイルとを隔離する第１の絶縁層と、
    前記第１のコイルの前記外端部と前記第３のコイルの前記外端部との間に形成されている第１のコンタクトホールと、前記第２のコイルの前記外端部と前記第４のコイルの前記外端部との間に形成されている第２のコンタクトホールとを備えており、前記第２のコイルと前記第３のコイルとを隔離する第２の絶縁層と、
    前記第２のコイルの前記外端部と前記第４のコイルの前記外端部との間に形成されている第１のコンタクトホールと、前記第３のコイルの前記内端部と前記第２のリード線の前記端部との間に形成されている第２のコンタクトホールとを備えており、前記第２のコイルと前記第４のコイルとを隔離する第３の絶縁層と、
    を更に具備することを特徴とする請求項１３に記載の多層らせん構造のコモンモードフィルタ。
15. 磁性材料層を縁材料層上に形成して、ヘテロ積層基板を得るステップと、
    内端部と外端部とを有する第１のコイルを前記ヘテロ積層基板上に形成するステップと、
    第１の絶縁層を形成して、前記第１のコイルを被覆するステップと、
    第２のコイルを前記第１の絶縁層上に形成するステップと、
    第２の絶縁層を形成して、前記第２のコイルを被覆するステップと、
    第１のコンタクトホールを形成して、前記第１のコイルの前記内端部又は前記外端部を露出させるステップと、
    前記第１のコンタクトホールに第１の金属を充填して、第１の導電性スタッドを形成するステップと、
    前記第１の導電性スタッドに接続される内端部又は外端部を有する第３のコイルを前記第２の絶縁層上に形成するステップと、
    第３の絶縁層を形成して、前記第３のコイルを被覆するステップと、
    第２のコンタクトホールを形成して、前記第２のコイルの前記内端部又は前記外端部を露出させるステップと、
    前記第２のコンタクトホールに第２の金属を充填して、第２の導電性スタッドを形成するステップと、
    前記第２の導電性スタッドに接続される内端部又は外端部を有する第４のコイルを前記第３の絶縁層上に形成するステップと、
    第４の絶縁層を形成して、前記第４のコイルを被覆するステップと、
    材料層を前記第４の絶縁層上に設けるステップと、
    を含む多層らせん構造のコモンモードフィルタの製造方法。
16. 前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層又は前記材料層がポリイミド、エポキシ樹脂又はベンゾシクロブテン樹脂を含むことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
17. 前記材料層が磁性基板を備えることを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
18. 前記第１のコイル、前記第２のコイル、前記第３のコイル又は前記第４のコイルが、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
19. 前記第１の金属又は前記第２の金属が、銀、パラジウム、アルミニウム、クロム、ニッケル、チタン、金、銅、白金又はその合金を含むことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
20. 第１の絶縁層を形成するステップ、第２の絶縁層を形成するステップ又は第３の絶縁層を形成するステップが、スピンコーティング工程、浸漬工程、スプレー工程、スクリーン印刷工程又は薄膜形成工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
21. 第１のコイルを形成するステップ、第２のコイルを形成するステップ又は第３のコイルを形成するステップが、蒸着、スパッタリング又はめっき工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。

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