JP2013120238A - スピンレスコーティング用レジストの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】使用済みスピンコーティング用レジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)であり、リンス液がPGMEAより低沸点の他の溶剤を含んでいる場合、前記使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液の廃液とを含む使用済み混合液を回収して濃縮し、濃縮液に界面活性剤を添加することにより、塗布均一性の高いスピンレスコーティング用レジストを製造できる。
【選択図】図1
Description
回収工程S10は、使用済みスピンコーティングレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する工程である。
濃縮工程S20は、前記使用済み混合液から、前記他の溶剤が所定の濃度以下になるように濃縮して濃縮液を得る工程である。前記他の溶剤はPGMEAよりも沸点が低いため、濃縮により、その濃度を下げることができる。なお、本発明における濃縮とは完全な精留を意味するものではなく、沸点差を利用して所定の割合まで他の溶剤を減少させる化学操作を意味する。この濃縮工程S20は、濃縮後の溶剤組成を管理することが好ましいため、塗布装置のあるユーザーサイドではなく、好ましくはレジストメーカーサイドにて行われる。
添加工程S30は、前記濃縮液に界面活性剤を添加してスピンレスコーティング用レジストを製造する工程である。界面活性剤を添加することによって、基板へ塗布した際に良好な均一性が得られるスピンレスコーティング用レジストを製造することができる。
0.2〜5質量%となるように添加することが好ましく、0.2〜1質量%となるように添加することがより好ましい。
(実施例1)
スピンコーティング用レジストとして東京応化工業株式会社製のTFR−1070PM(ノボラック系、溶剤PGMEA:PGME=95:5,固形分濃度25%)を用い、スピンコーティングによりHMDS処理されたシリコン基板上に塗布した。その後、リンス液としてPGMEを用い、基板を洗浄した。使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液の廃液とを回収し、使用済み混合液を得た。使用済み混合液の組成は、固形分濃度25%、溶剤中の水分は3%、残りはPGMEA:PGME=60:40であった。
この使用済み混合液を撹拌しながら加熱(50℃、16mmHg)し、固形分濃度40%、溶剤がPGMEA:PGME=97:3の組成となるまで濃縮した。これにPGMEを添加してPGMEA:PGME=95:5となるように調製後、界面活性剤グラノール400を固形分に対し0.55質量%となるように添加し、スピンレスコーティング用レジストAを得た。
スピンコーティング用レジストとして東京応化工業株式会社製のTFR−858APM(ノボラック系、溶剤PGMEA:PGME=95:5,固形分濃度24%)を用い、スピンコート法によりHMDS処理されたシリコン基板上に塗布した。その後、リンス液としてPGMEを用い、基板を洗浄した。使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液の廃液とを回収し、使用済み混合液を得た。使用済み混合液の組成は、固形分濃度25%、溶剤中の水分は3%、残りはPGMEA:PGME=63:37であった。
この使用済み混合液を撹拌しながら加熱(50℃、16mmHg)し、固形分濃度41%、溶剤がPGMEA:PGME=98:2の組成となるまで濃縮した。その後PGMEを添加してPGMEA:PGME=95:5となるように調製後、界面活性剤BYK310を固形分に対し0.2質量%添加し、スピンレスコーティング用レジストBを得た。
界面活性剤の添加を0.1質量%とした他は実施例2と同様の手順で再生レジストCを調製した。
上記のスピンレスコーティング用レジストA、B、及び参考例として東京応化工業株式会社製のスピンレスコーティング用レジストTFR−1070S4PM、TFR−868APMを用いて、HMDS処理されたシリコン基板上にそれぞれ塗布後、プレベークを110℃×90秒間施し、厚さ1.5μmのレジスト膜を形成した。その後、露光装置(商品名:キャノン製MPA−600FA)により、ラインアンドスペース1:1で、3μmライン/3μmスペースのマスクパターンを介して露光した後、ポストベークを90℃×90秒間施した。次いで、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で70秒間現像処理し、純水で30秒間リンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。
露光量を変化させ、得られた実測線幅との関係を評価した。
TFR−1070S4PMはスピンレスコーティング用レジストAと界面活性剤以外は同じ固形分の成分を持つものであり、TFR−868APMはスピンレスコーティング用レジストBと界面活性剤以外は同じ固形分の成分を持つものである。
図2には、スピンレスコーティング用レジストAとTFR−1070S4PMの結果を、図3にはスピンレスコーティング用レジストBとTFR−868APMの結果を示す。使用済みスピンコーティング用レジストを原料して製造したスピンレスコーティング用レジストA及びBは、界面活性剤以外同じ固形分の成分を持つスピンレスコーティング用レジスト製品と有意差がなく、十分使用可能であることがわかる。
上記のスピンレスコーティング用レジストA、B、参考例として東京応化工業株式会社製のスピンレスコーティング用レジストTFR−1070S4PM、TFR−868APM、比較例として上記の再生レジストCを用いて、655mm×855mmのHMDS処理されたシリコン基板上にそれぞれ塗布後、60Pa又は400Paに10秒減圧して、溶媒を除去した。プレベークを110℃×90秒間施し、レジスト膜を形成した。基板を5×5の25箇所に分割し、レジスト膜の厚みを測定し、3σ、均一性を計算した。なお、均一性については、[(最大値―最小値)÷(最大値+最小値)]÷2×100として求めた。結果を表1に示す。
S20 濃縮工程
S30 添加工程
Claims (4)
- 使用済みスピンコーティング用レジストを原料にしたスピンレスコーティング用レジストの製造方法であって、
前記使用済みスピンコーティング用レジストとリンス液とを含む使用済み混合液を回収する回収工程と、
前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、
前記濃縮液に、界面活性剤を添加してスピンレスコーティング用レジストを製造する添加工程と、
を含み、
前記使用済みスピンコーティング用レジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、
前記リンス液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含み、
前記界面活性剤を前記スピンレスコーティング用レジストの固形分に対して0.2質量%以上となるように添加する、
スピンレスコーティング用レジストの製造方法。 - 前記他の溶剤がプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブチル、メチル−3−メトキシプロピオネートから選択される1種以上の溶剤である、請求項1に記載のスピンレスコーティング用レジストの製造方法。
- 前記濃縮工程では、全溶剤中に占める前記他の溶剤の割合が40質量%以下となるように前記使用済み混合液を濃縮する請求項1又は2に記載のスピンレスコーティング用レジストの製造方法。
- 前記界面活性剤がシリコン系界面活性剤である請求項1から3いずれか1項に記載のスピンレスコーティング用レジストの製造方法。
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