JP2013110426A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100976819B1 (ko) * 2010-02-10 2010-08-20 (주)더리즈 반도체 기판 및 이를 이용한 발광소자
TWI430476B (zh) * 2010-05-24 2014-03-11 Huga Optotech Inc 半導體發光元件
US9293625B2 (en) * 2012-04-13 2016-03-22 Tandem Sun Ab Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth
TWI515929B (zh) * 2012-04-24 2016-01-01 新世紀光電股份有限公司 發光角度收斂之圖案化基材及發光二極體元件
TW201616674A (zh) * 2014-10-17 2016-05-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體基板之圖形化微結構

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3595277B2 (ja) * 2001-03-21 2004-12-02 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光ダイオード
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP3991823B2 (ja) 2002-09-04 2007-10-17 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶、その製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ
WO2005018008A1 (ja) 2003-08-19 2005-02-24 Nichia Corporation 半導体素子
KR100714639B1 (ko) * 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
TWI236773B (en) 2004-06-21 2005-07-21 Nat Univ Chung Hsing High-efficiency light-emitting device
JP4645225B2 (ja) * 2005-02-24 2011-03-09 豊田合成株式会社 半導体素子の製造方法
JP5082278B2 (ja) * 2005-05-16 2012-11-28 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
CN101232067B (zh) * 2005-05-16 2013-05-15 索尼株式会社 发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器
JP2007012809A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Univ Of Tokushima 窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法
JP2007019318A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法
TWI253771B (en) 2005-07-25 2006-04-21 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode structure
JP2007201379A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Hamamatsu Photonics Kk 化合物半導体基板、その製造方法及び半導体デバイス
JP5082752B2 (ja) * 2006-12-21 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
JP4231088B2 (ja) * 2007-12-27 2009-02-25 富士通株式会社 光磁気記録媒体

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