JP2013070454A - 磁界共鳴方式受電回路 - Google Patents
磁界共鳴方式受電回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013070454A JP2013070454A JP2011205312A JP2011205312A JP2013070454A JP 2013070454 A JP2013070454 A JP 2013070454A JP 2011205312 A JP2011205312 A JP 2011205312A JP 2011205312 A JP2011205312 A JP 2011205312A JP 2013070454 A JP2013070454 A JP 2013070454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power receiving
- voltage
- capacitor
- variable capacitor
- receiving circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
- H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
Abstract
【解決手段】実施形態に係わる受電回路は、磁界共鳴方式によるエネルギー送電の条件に従って送電コイルから送電される磁界エネルギーを受電する受電コイルLと、可変キャパシタCv及び整流回路を有し、受電コイルLが受電した磁界エネルギーを直流電圧DC-inとして出力する受電回路とを備える。磁界エネルギーは、受電コイルL及び可変キャパシタCvにより交流電圧に変換され、交流電圧は、整流回路により直流電圧DC-inに変換される。可変キャパシタCvのキャパシタンスは、直流電圧DC-inを可変キャパシタCvに直接フィードバックさせることにより、直流電圧DC-inの変化に追従してアナログ的に変化し、かつ、磁界エネルギーの伝達効率が一定値に保たれるように自動制御される。
【選択図】図6
Description
磁界共鳴方式の基本原理は、図2に示すように、送電回路側の共振器と受電回路側の共振器との間のLC結合である。
但し、L1は、送電回路側の送電コイルの自己インダクタンス、L2は、受電回路側の受電コイルの自己インダクタンスである。
ここで、エネルギーQが高いということは、送電/受電コイルのインダクタンス及びキャパシタンスのばらつきがエネルギーQのばらつきに大きく影響する、ということを意味する。従って、実際に、送電回路及び受電回路を製造するときは、それらの製造ばらつきや経年変化などを抑えて、エネルギーQを高い状態に維持することが重要である。
但し、S21は、高周波送電の送電部から受電部への伝達係数であり、S21の絶対値の2乗が送電効率となる。適切な結合係数(即ち、距離)kの範囲内で高い送電効率が得られることが分かる。また、式(3)において、インダクタンスLを一定にしたままで、キャパシタンスCを小さくしたときの振る舞いを求めると、送電効率の距離依存性としては、キャパシタンスCが小さくなるに従い、結合係数kの最適値が小さい方にシフトすることが分かる。
共振コイルの結合係数kとキャパシタンスCとを変化させることによる磁界共鳴の制御を、等価回路を用いて電子回路シミュレータで解析すると、結合係数k又はキャパシタンスCの変化による共振ピークの分裂が確認できる。このような共鳴ピークの分裂は、インピーダンスのずれに起因するもので、送電効率を低下させる原因となる。
図6は、第1実施例を示している。
図8は、第2実施例を示している。
図9は、第3実施例を示している。
図10は、第4実施例を示している。
図12は、第5実施例を示している。
図14は、第6実施例を示している。
図15は、第7実施例を示している。
図17は、第8実施例を示している。
図18は、第9実施例を示している。
上述の説明においては、共振コイルと電磁誘導コイルとを分離した構造を念頭に置いているが、本質的には全系で共鳴条件さえ整えば、電磁誘導コイルは不要である。つまり、一対のコイルがあれば磁界共鳴方式の電力送受電は原理的に可能である。
実施形態によれば、電力の伝送効率の低下を、小型かつ簡易な構成により防止する磁界共鳴方式受電回路及びこれを用いた無線電力供給システムを実現できる。
Claims (10)
- 磁界共鳴方式によるエネルギー送電の条件に従って送電コイルから送電される磁界エネルギーを受電する受電コイルと、
可変キャパシタ及び整流回路を有し、前記受電コイルが受電した前記磁界エネルギーを直流電圧として出力する受電回路とを具備し、
前記磁界エネルギーは、前記受電コイル及び前記可変キャパシタにより交流電圧に変換され、前記交流電圧は、前記整流回路により前記直流電圧に変換され、
前記可変キャパシタのキャパシタンスは、前記直流電圧を前記可変キャパシタに直接フィードバックさせることにより、前記直流電圧の変化に追従してアナログ的に変化し、かつ、前記磁界エネルギーの伝達効率が一定値に保たれるように自動制御される
磁界共鳴方式受電回路。 - 前記受電回路は、第1固定キャパシタを有し、前記可変キャパシタ及び前記第1固定キャパシタは、第1及び第2ノード間に直列接続され、前記受電コイルは、前記第1及び第2ノード間に接続され、前記直流電圧は、前記可変キャパシタ及び前記第1固定キャパシタの接続ノードに入力され、
前記可変キャパシタは、第1導電型の第1半導体領域、第2導電型の第2半導体領域、及び、これらの間の絶縁領域を備えるMOSキャパシタである
請求項1に記載の磁界共鳴方式受電回路。 - 前記受電回路は、前記第1及び第2ノード間に接続される第2固定キャパシタを有する請求項2に記載の磁界共鳴方式受電回路。
- 前記可変キャパシタは、前記絶縁領域及び前記第2半導体領域間に電荷蓄積層を有する請求項2に記載の磁界共鳴方式受電回路。
- 前記可変キャパシタ及び前記受電コイルは、第1及び第2ノード間に並列接続され、
前記可変キャパシタは、第1導電型の第1半導体領域、前記第1半導体領域内の第2導電型の第1及び第2不純物領域、第1導電型の第2半導体領域、及び、前記第1及び第2不純物領域間の前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間の絶縁領域を備えるMOSキャパシタであり、
前記第1ノードは、前記第1及び第2不純物領域に接続され、前記第2ノードは、前記第2半導体領域に接続され、前記直流電圧は、前記第1半導体領域に入力される
請求項1に記載の磁界共鳴方式受電回路。 - 前記受電回路は、前記第1及び第2ノード間に接続される固定キャパシタを有する請求項5に記載の磁界共鳴方式受電回路。
- 前記可変キャパシタは、前記絶縁領域及び前記第2半導体領域間に電荷蓄積層を有する請求項5に記載の磁界共鳴方式受電回路。
- 前記可変キャパシタ及び前記受電コイルは、第1及び第2ノード間に並列接続され、
前記可変キャパシタは、第1導電型の第1半導体領域、前記第1半導体領域内の第2導電型の第1及び第2不純物領域、第2導電型の第2半導体領域、及び、前記第1及び第2不純物領域間の前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間の絶縁領域を備えるMOSキャパシタであり、
前記第1ノードは、前記第2半導体領域に接続され、前記第2ノードは、前記第1及び第2不純物領域に接続され、前記第1半導体領域は、半導体基板内の絶縁層により完全に取り囲まれ、前記直流電圧は、前記半導体基板に入力される
請求項1に記載の磁界共鳴方式受電回路。 - 前記可変キャパシタは、半導体基板上の層間絶縁層内に形成される請求項1に記載の磁界共鳴方式受電回路。
- 前記可変キャパシタは、半導体基板上に形成されるMEMSキャパシタである請求項1に記載の磁界共鳴方式受電回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011205312A JP5904735B2 (ja) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 磁界共鳴方式回路 |
US13/537,144 US20130069440A1 (en) | 2011-09-20 | 2012-06-29 | Incoming circuit using magnetic resonant coupling |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011205312A JP5904735B2 (ja) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 磁界共鳴方式回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013070454A true JP2013070454A (ja) | 2013-04-18 |
JP5904735B2 JP5904735B2 (ja) | 2016-04-20 |
Family
ID=47879998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011205312A Active JP5904735B2 (ja) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 磁界共鳴方式回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130069440A1 (ja) |
JP (1) | JP5904735B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104795905A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-07-22 | 上海交通大学 | 用于人工肛门括约肌的无线能量传输装置 |
WO2022168272A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 三菱電機株式会社 | 受電装置およびワイヤレス給電システム |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9923101B2 (en) | 2012-09-13 | 2018-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure |
US9496926B2 (en) * | 2013-05-24 | 2016-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic isolator |
EP3031129B1 (en) | 2013-08-06 | 2021-02-17 | The University of Hong Kong | Method for parameters identification, load monitoring and output power control in wireless power transfer systems |
WO2015125114A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Brusa Elektronik Ag | Ladeschaltung für einen akkumulator mit erhöhter ausgangsspannung |
EP2911264A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-26 | Brusa Elektronik AG | Ladeschaltung für einen Akkumulator mit erhöhter Ausgangsspannung |
CN104176698B (zh) * | 2014-08-27 | 2016-02-03 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 集成mems器件及其制作方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH087059A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Sony Chem Corp | 非接触情報カード |
JP2004273538A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2005004047A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Renesas Technology Corp. | マルチファンクションカードデバイス |
JP2005197890A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非接触型ic応答器 |
JP2005340791A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Mos容量素子及び半導体装置 |
JP2006093463A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 圧電mems素子及びチューナブルフィルタ |
JP2007013122A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007158093A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス及びその製造方法 |
JP2008035600A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Stanley Electric Co Ltd | 圧電アクチュエータ及びその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5531445B2 (ja) * | 1972-06-17 | 1980-08-18 | ||
US3784847A (en) * | 1972-10-10 | 1974-01-08 | Gen Electric | Dielectric strip isolation for jfet or mesfet depletion-mode bucket-brigade circuit |
US4051425A (en) * | 1975-02-03 | 1977-09-27 | Telephone Utilities And Communications Industries, Inc. | Ac to dc power supply circuit |
JP2002198520A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
AU2004241915A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Auckland Uniservices Limited | Methods and apparatus for control of inductively coupled power transfer systems |
NZ535390A (en) * | 2004-09-16 | 2007-10-26 | Auckland Uniservices Ltd | Inductively powered mobile sensor system |
US8228194B2 (en) * | 2004-10-28 | 2012-07-24 | University Of Pittsburgh - Of The Commonwealth System Of Higher Education | Recharging apparatus |
JP2007005635A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP5127210B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社日立製作所 | Memsセンサが混載された半導体装置 |
US8629576B2 (en) * | 2008-03-28 | 2014-01-14 | Qualcomm Incorporated | Tuning and gain control in electro-magnetic power systems |
US8035318B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-10-11 | Neptun Light, Inc. | Apparatus and method enabling fully dimmable operation of a compact fluorescent lamp |
JP4737253B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2011-07-27 | ソニー株式会社 | 非接触受信装置 |
JP2010258402A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-11-11 | Sony Corp | 静電容量素子及び共振回路 |
JP2011215865A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 信号処理装置及び信号処理方法 |
US9214512B2 (en) * | 2013-05-07 | 2015-12-15 | Eta Semiconductor Inc. | Three-terminal variable capacitor |
JP5834655B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-12-24 | ソニー株式会社 | 送信装置、送受信装置、及び集積回路 |
-
2011
- 2011-09-20 JP JP2011205312A patent/JP5904735B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-29 US US13/537,144 patent/US20130069440A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH087059A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Sony Chem Corp | 非接触情報カード |
JP2004273538A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2005004047A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Renesas Technology Corp. | マルチファンクションカードデバイス |
JP2005197890A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非接触型ic応答器 |
JP2005340791A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Mos容量素子及び半導体装置 |
JP2006093463A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 圧電mems素子及びチューナブルフィルタ |
JP2007013122A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007158093A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス及びその製造方法 |
JP2008035600A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Stanley Electric Co Ltd | 圧電アクチュエータ及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104795905A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-07-22 | 上海交通大学 | 用于人工肛门括约肌的无线能量传输装置 |
WO2022168272A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 三菱電機株式会社 | 受電装置およびワイヤレス給電システム |
JP7309074B2 (ja) | 2021-02-05 | 2023-07-14 | 三菱電機株式会社 | 受電装置およびワイヤレス給電システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130069440A1 (en) | 2013-03-21 |
JP5904735B2 (ja) | 2016-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5904735B2 (ja) | 磁界共鳴方式回路 | |
Wischke et al. | Electromagnetic vibration harvester with piezoelectrically tunable resonance frequency | |
US9647578B2 (en) | Energy harvester | |
US9294015B2 (en) | Piezoelectric energy harvesting array and method of manufacturing the same | |
US6894460B2 (en) | High efficiency passive piezo energy harvesting apparatus | |
US8723398B2 (en) | Piezoelectric energy harvesting apparatus | |
US20110101789A1 (en) | Rf power harvesting circuit | |
JP4663035B2 (ja) | 振動発電器、振動発電装置及び振動発電装置を搭載した通信装置 | |
US20080218132A1 (en) | Circuits for electroactive polymer generators | |
CN104956472A (zh) | 用于高压i/o静电放电保护的装置和方法 | |
TW201502741A (zh) | 利用低數値電容器之積體高電壓隔離 | |
US20140210423A1 (en) | Energy harvesting device | |
JPWO2012035745A1 (ja) | ワイヤレス給電装置およびワイヤレス給電システム | |
US9252704B2 (en) | Voltage tunable oscillator using bilayer graphene and a lead zirconate titanate capacitor | |
JPWO2010047076A1 (ja) | エレクトレット電極、それを用いたアクチュエータ、振動発電器、および振動発電装置、ならびに振動発電装置を搭載した通信装置 | |
CN103081340A (zh) | 发电器件及使用该发电器件的发电模组 | |
KR102180371B1 (ko) | 비접촉 급전 장치 | |
CN114902526A (zh) | 来自微小源的能量生成 | |
Karthik et al. | Wi-Pie: Energy harvesting in mobile electronic devices | |
CN107634053B (zh) | 切换式电容器电路结构及控制其源极-漏极电阻的方法 | |
WO2019005174A1 (en) | APPARATUS FOR GENERATING HARMONIC AND HIGHER RF SECTIONS | |
TW201108484A (en) | Organic field-effect transistor | |
Hayashi et al. | Electrostatic micro transformer using potassium ion electret forming on a comb-drive actuator | |
JP6782474B2 (ja) | 熱電変換素子出力制御装置 | |
Häggström et al. | Interleaved Switch Harvesting on Inductor: Non-linear extraction, action and reaction |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131212 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160315 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5904735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |