JP2013070096A - 半導体基板の表面エッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置を提供する。前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成される。前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第1開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第2開口部とを備え、前記第1開口部と前記第2開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている。
【選択図】図1
Description
[1]ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置であって、
前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成され、
前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第1開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第2開口部とを備え、
前記第1開口部と前記第2開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている、
表面エッチング装置。
[3]前記表面エッチング装置は、前記エッチング室の内部に、前記トレーを嵌め込み式に保持するトレー保持部をさらに有し、
前記トレー保持部を介して前記流路孔と連通する不活性ガス供給装置をさらに有する、[1]に記載の表面エッチング装置。
[4]前記トレーは、複数枚の半導体基板を収容可能に構成される、[1]に記載の表面エッチング装置。
本発明の表面エッチング装置は、1)ロードロック室と、2)大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、3)アンロードロック室と、4)前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送するための搬送機構と、5)前記半導体基板やトレーを冷却するための冷却機構とを有する(図1ABを参照)。
本発明の表面エッチング装置を用いて、表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造することができる。具体的には、まず、本発明の表面エッチング装置のロードロック室に、トレーに収容され半導体基板を供給する。ロードロック室において、半導体基板および/またはそれを収容するトレーを冷却する。
図1Aおよび図1Bには、本発明の表面エッチング装置の第一の例の概要が示される。図1Aは、装置を側面から見たときの透視図であり;図1Bは、装置を上面から見たときの透視図である。
図2には、本発明の表面エッチング装置の第二の例の概要が示される。図2に示される表面エッチング装置は、実施の形態1の装置と同様、ロードロック室10と、エッチング室20と、アンロードロック室30とを有する点で共通するが;さらに、エッチング室20とアンロードロック室30との間に、ガス除去室80が設けられている。
図3には、参考例に係る表面エッチング装置の概要が示される。図3は、装置を上面から見たときの概略図である。このように、中間室90を介して、各処理室を半導体基板1が移動する装置を、「クラスター装置」と称することがある。
図1〜図3に示されるエッチング装置のエッチング室20に、半導体基板1を収容するトレーを保持するトレー保持部を配置してもよい。図4には、半導体基板1を収容するトレー45を、トレー保持部40に保持させる様子が示される。例えば、トレー保持部40の凸部に、トレー45の凹部がはめ込まれることで、トレー保持部40がトレー45を保持する(図4における実線矢印参照)。
1’ 半導体基板
5 基板供給部
10 ロードロック室
12 ドライポンプ
13 バルブ
14 ゲートバルブ
20 エッチング室
22 ドライポンプ
23 バルブ
30 アンロードロック室
40 トレー保持部
41 流路孔
45 トレー
46 流路孔
47 基板押さえ
32 ドライポンプ
33 バルブ
34 ゲートバルブ
35 基板排出部
50 ローラ搬送機
60 エッチングガス供給ノズル
70 冷却ガス供給ノズル
80 ガス除去室
82 ドライポンプ
83 バルブ
90 中間室
Claims (4)
- ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置であって、
前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成され、
前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第1開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第2開口部とを備え、
前記第1開口部と前記第2開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている、
表面エッチング装置。 - 前記トレーは、前記トレーに収容された前記半導体基板の裏面に不活性ガスを吹きつけるための流路孔を有する、請求項1に記載の表面エッチング装置。
- 前記表面エッチング装置は、前記エッチング室の内部に、前記トレーを嵌め込み式に保持するトレー保持部をさらに有し、
前記トレー保持部を介して前記流路孔と連通する不活性ガス供給装置をさらに有する、請求項2に記載の表面エッチング装置。 - 前記トレーは、複数枚の半導体基板を収容可能に構成される、請求項1に記載の表面エッチング装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014030062A (ja) * | 2011-03-03 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | 半導体基板の表面エッチング装置及び表面エッチング方法 |
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106206377A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种刻蚀装置 |
JP6732213B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2020-07-29 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
GB2609025A (en) * | 2021-07-19 | 2023-01-25 | Asmpt Smt Singapore Pte Ltd | Post-print vacuum degassing |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0193129A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
JPH07193055A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
JP2009099581A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置、無欠陥層基板の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100218269B1 (ko) * | 1996-05-30 | 1999-09-01 | 윤종용 | 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법 |
JP3493951B2 (ja) * | 1997-05-13 | 2004-02-03 | 松下電器産業株式会社 | シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法 |
JP2000138275A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-16 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
JP2002237480A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-08-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理方法 |
JP5009295B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2012-08-22 | ザクティックス・インコーポレイテッド | パルス式エッチング冷却 |
JP2010177267A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Ulvac Japan Ltd | 搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置 |
JP2010205967A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
US20120043062A1 (en) * | 2009-03-30 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Limited | Method for cooling object to be processed, and apparatus for processing object to be processed |
JP2010245405A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Sekisui Chem Co Ltd | シリコンの表面粗化方法 |
JP5071437B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2012-11-14 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法 |
CN103140918A (zh) * | 2011-03-03 | 2013-06-05 | 松下电器产业株式会社 | 半导体基板的表面蚀刻装置、以及使用该表面蚀刻装置制造在表面形成有凹凸形状的半导体基板的方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0193129A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
JPH07193055A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
JP2009099581A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置、無欠陥層基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014030062A (ja) * | 2011-03-03 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | 半導体基板の表面エッチング装置及び表面エッチング方法 |
US20170345953A1 (en) * | 2014-12-22 | 2017-11-30 | Solvay Sa | Process for the manufacture of solar cells |
Also Published As
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---|---|
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