JP3493951B2 - シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法Info
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池の製造にお
いて、プラズマを使わないドライエッチングによりシリ
コン材料の異方性エッチングを行う方法に関するもので
あり、また、光の反射率を少なくするため設けられた凸
凹表面と入射光で発生したキャリアを効率よく収集する
ため設けられた埋め込み電極用の溝を持つ太陽電池の形
成方法に関するものである。
いて、プラズマを使わないドライエッチングによりシリ
コン材料の異方性エッチングを行う方法に関するもので
あり、また、光の反射率を少なくするため設けられた凸
凹表面と入射光で発生したキャリアを効率よく収集する
ため設けられた埋め込み電極用の溝を持つ太陽電池の形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板の異方性エッチングは、ア
ルカリ水溶液での液相エッチングにより、シリコン（１
１１）基板表面にはピラミットのエッチピット、シリコ
ン（１００）基板表面には正方形のエッチピットを形成
していた。
ルカリ水溶液での液相エッチングにより、シリコン（１
１１）基板表面にはピラミットのエッチピット、シリコ
ン（１００）基板表面には正方形のエッチピットを形成
していた。
【０００３】また、太陽電池には、太陽光線の入射光の
反射を少なくするため、基板表面に凹凸構造が設けられ
ている。従来の製造方法による凹凸構造の形成としては
上記のアルカリ水溶液（ＫＯＨ）での異方性エッチング
で行われていた。もう一つの凹凸構造の形成は減圧の反
応室にエッチングガスを導入し、反応室内に放電を発生
させ、プラズマによる反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ，reactive ion etching）で行われていた。また、こ
れらのエッチングによる凹凸形成工程とは別に、太陽電
池におけるｐｎ接合は、専用の拡散炉を用いて形成して
いた。
反射を少なくするため、基板表面に凹凸構造が設けられ
ている。従来の製造方法による凹凸構造の形成としては
上記のアルカリ水溶液（ＫＯＨ）での異方性エッチング
で行われていた。もう一つの凹凸構造の形成は減圧の反
応室にエッチングガスを導入し、反応室内に放電を発生
させ、プラズマによる反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ，reactive ion etching）で行われていた。また、こ
れらのエッチングによる凹凸形成工程とは別に、太陽電
池におけるｐｎ接合は、専用の拡散炉を用いて形成して
いた。
【０００４】また、高効率の太陽電池を形成するため
に、太陽電池内に発生したキャリアを収集する目的で表
電極を表面から内部へ深く埋め込む必要がある。そのた
め表面に電極用の溝を掘るが、従来はレーザまたは機械
による溝作製が行われていた。
に、太陽電池内に発生したキャリアを収集する目的で表
電極を表面から内部へ深く埋め込む必要がある。そのた
め表面に電極用の溝を掘るが、従来はレーザまたは機械
による溝作製が行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法の中で、試
料（半導体シリコン材料）を液相エッチングする方法で
は、アルカリ水溶液により異方性エッチング処理後、さ
らにフッ酸洗浄して、拡散炉に搬入するなどの工程があ
り、基板表面の汚染などの課題があった。また反応性イ
オンエチングでは、基板表面がプラズマによるダメージ
を受けるため、デバイスの性能に影響を与えるという課
題があった。また、反応性イオンエッチングをするため
には、真空排気系を備えた装置にエッチングガスを導入
し、エッチングガスを励起するためのプラズマを発生さ
せるなど、工程や装置が複雑になるため、コストが高く
なるという課題があった。
料（半導体シリコン材料）を液相エッチングする方法で
は、アルカリ水溶液により異方性エッチング処理後、さ
らにフッ酸洗浄して、拡散炉に搬入するなどの工程があ
り、基板表面の汚染などの課題があった。また反応性イ
オンエチングでは、基板表面がプラズマによるダメージ
を受けるため、デバイスの性能に影響を与えるという課
題があった。また、反応性イオンエッチングをするため
には、真空排気系を備えた装置にエッチングガスを導入
し、エッチングガスを励起するためのプラズマを発生さ
せるなど、工程や装置が複雑になるため、コストが高く
なるという課題があった。
【０００６】また、効率を高めるために太陽電池の表面
には電極用の溝を設けるが、従来のレーザによる溝作製
は大電力を要するという課題があり、機械による溝作製
はシリコン基板にダメージを与えるという課題があっ
た。
には電極用の溝を設けるが、従来のレーザによる溝作製
は大電力を要するという課題があり、機械による溝作製
はシリコン基板にダメージを与えるという課題があっ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ため、本発明では大気圧中の反応室に少なくともＣｌＦ
3、ＸｅＦ2、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5のいずれかを含むエッチ
ングガスを導入し、１３０℃以下の温度で前記エッチン
グガスによるエッチングによって、シリコン基板表面に
異方性エッチピットを形成するという手段を用いる。
ため、本発明では大気圧中の反応室に少なくともＣｌＦ
3、ＸｅＦ2、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5のいずれかを含むエッチ
ングガスを導入し、１３０℃以下の温度で前記エッチン
グガスによるエッチングによって、シリコン基板表面に
異方性エッチピットを形成するという手段を用いる。
【０００８】太陽電池においては、上記の異方性エッチ
ング後、続いて拡散源のガスとＮ2とＯ2ガスを導入し、
同一反応室内で拡散を行いｐｎ接合を形成するという手
段を用いる。
ング後、続いて拡散源のガスとＮ2とＯ2ガスを導入し、
同一反応室内で拡散を行いｐｎ接合を形成するという手
段を用いる。
【０００９】さらに、電極用の溝作製に関しては、ｐｎ
接合を形成したシリコン基板表面に、シリコン酸化膜を
付け、その後、部分的に酸化膜を除去し、残った酸化膜
をマスクとして、エッチングガスのシリコンとシリコン
酸化膜に対するレートの違いを利用し、シリコン酸化膜
が除去された部分のみに深い溝を作製する。
接合を形成したシリコン基板表面に、シリコン酸化膜を
付け、その後、部分的に酸化膜を除去し、残った酸化膜
をマスクとして、エッチングガスのシリコンとシリコン
酸化膜に対するレートの違いを利用し、シリコン酸化膜
が除去された部分のみに深い溝を作製する。
【００１０】（作用）大気圧の反応室内に導入されたＣ
ｌＦ3等のエッチングガスはシリコン基板の表面に物理
吸着し、エッチングサイトまで移動する。エッチングサ
イトに届いたエッチングガスの分子は分解し、シリコン
と反応し揮発性のフッ素化合物を生成する。この反応に
よりシリコンがエッチングされ、表面に凹凸構造が形成
される。ここでＣｌＦ3ガスとシリコンとの反応は発熱
反応である。その発熱によって温度が高くなるとシリコ
ン基板は異方性エッチングが出来なくなる。そこで、エ
ッチングと基板の冷却を繰り返し、基板の温度を制御す
る事によって、シリコン基板表面に正方形またはピラミ
ットの異方性のエッチピットを深く形成する。
ｌＦ3等のエッチングガスはシリコン基板の表面に物理
吸着し、エッチングサイトまで移動する。エッチングサ
イトに届いたエッチングガスの分子は分解し、シリコン
と反応し揮発性のフッ素化合物を生成する。この反応に
よりシリコンがエッチングされ、表面に凹凸構造が形成
される。ここでＣｌＦ3ガスとシリコンとの反応は発熱
反応である。その発熱によって温度が高くなるとシリコ
ン基板は異方性エッチングが出来なくなる。そこで、エ
ッチングと基板の冷却を繰り返し、基板の温度を制御す
る事によって、シリコン基板表面に正方形またはピラミ
ットの異方性のエッチピットを深く形成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。図１は太陽電池の凹凸表面形成とｐｎ接合形成
装置の概略図である。まず、太陽電池の凹凸表面を作る
ために、ＣｌＦ3ガスボンベ１１からＣｌＦ3ガスを流量
計１２を通して希釈用のＮ2ガスと一緒に反応室１３へ
導入する。本実施例でのＣｌＦ3ガスを導入する反応室
１３の温度は室温、圧力は大気圧とする。また、ＣｌＦ
3の流量は０．２リットル／分、Ｎ2の流量は２リットル
／分である。ｐ型シリコン基板１４は石英ボート１５に
のせて、反応室１３内に設置する。
明する。図１は太陽電池の凹凸表面形成とｐｎ接合形成
装置の概略図である。まず、太陽電池の凹凸表面を作る
ために、ＣｌＦ3ガスボンベ１１からＣｌＦ3ガスを流量
計１２を通して希釈用のＮ2ガスと一緒に反応室１３へ
導入する。本実施例でのＣｌＦ3ガスを導入する反応室
１３の温度は室温、圧力は大気圧とする。また、ＣｌＦ
3の流量は０．２リットル／分、Ｎ2の流量は２リットル
／分である。ｐ型シリコン基板１４は石英ボート１５に
のせて、反応室１３内に設置する。
【００１２】 図２は本実施例において、反応室にＣｌ
Ｆ3を０．２リットル／分、Ｎ2を２リットル／分の流量
で導入し、各シリコン（１００）、（１１１）基板を２
分間室温でエッチングした後のシリコン基板表面の電子
顕微鏡写真である。写真でみるように、シリコン（１０
０）面の基板には矩形のエッチピットが、（１１１）面
の基板にはピラミッド状のエッチピットが形成されてい
ることが分かる。ここで、時間を増やしたり、基板の温
度を上げたりすると図２のような異方性エッチピットは
なくなる。その理由は、ＣｌＦ3ガスとシリコンとの反
応で発生した熱により、基板の温度が上昇し、等方性エ
ッチングに変わるためである。それを防ぐには、基板を
１３０℃以下に抑える必要があることを発明者らは確認
した。例えば長時間エッチングを行う場合、ＣｌＦ3ガ
スで基板を処理する工程と、ＣｌＦ3ガスを止めて、Ｎ2
ガスを流し基板の熱を冷した後、再びＣｌＦ3ガスを導
入するという工程を一回以上繰り返すことで、異方性エ
ッチングを進行させ、深い凹凸構造を形成する。この方
法によって形成された正方形及びピラミッドのエッチピ
ットを有する基板に、同一反応室内で連続して拡散を行
うことにより良質の太陽電池が形成される。なお、エッ
チングの工程と拡散の工程はそれぞれ独立した反応室で
実施してもよい。その場合、それぞれの反応室を連結し
たり、搬出・搬入を清浄な雰囲気中で行うことが好まし
い。
Ｆ3を０．２リットル／分、Ｎ2を２リットル／分の流量
で導入し、各シリコン（１００）、（１１１）基板を２
分間室温でエッチングした後のシリコン基板表面の電子
顕微鏡写真である。写真でみるように、シリコン（１０
０）面の基板には矩形のエッチピットが、（１１１）面
の基板にはピラミッド状のエッチピットが形成されてい
ることが分かる。ここで、時間を増やしたり、基板の温
度を上げたりすると図２のような異方性エッチピットは
なくなる。その理由は、ＣｌＦ3ガスとシリコンとの反
応で発生した熱により、基板の温度が上昇し、等方性エ
ッチングに変わるためである。それを防ぐには、基板を
１３０℃以下に抑える必要があることを発明者らは確認
した。例えば長時間エッチングを行う場合、ＣｌＦ3ガ
スで基板を処理する工程と、ＣｌＦ3ガスを止めて、Ｎ2
ガスを流し基板の熱を冷した後、再びＣｌＦ3ガスを導
入するという工程を一回以上繰り返すことで、異方性エ
ッチングを進行させ、深い凹凸構造を形成する。この方
法によって形成された正方形及びピラミッドのエッチピ
ットを有する基板に、同一反応室内で連続して拡散を行
うことにより良質の太陽電池が形成される。なお、エッ
チングの工程と拡散の工程はそれぞれ独立した反応室で
実施してもよい。その場合、それぞれの反応室を連結し
たり、搬出・搬入を清浄な雰囲気中で行うことが好まし
い。
【００１３】ＣｌＦ3ガスによるエッチング後、ＣｌＦ3
ガスを止めて、反応室を加熱し同一の反応室に、Ｐの拡
散源としてＰＯＣｌ3ガスボンベ１６からＰＯＣｌ3ガス
とＮ2とＯ2ガスを反応室１３に導入し、凹凸のｐ−ｔｙ
ｐｅシリコン表面１７にｎ型シリコン層１８を形成す
る。Ｐ（リン）拡散の条件は反応室１３の温度が８５０
゜Ｃであり、Ｎ2ガスの流量は３リットル／分、ＰＯＣ
ｌ3の流量は０．３リットル／分である。本発明では、
凹凸構造を気相反応エッチングで形成することによっ
て、同一の反応室１３で凹凸構造１７の形成とｐｎ接合
１８の形成を連続して同じ装置で行うことが可能となっ
ている。その様子を図３に示す。
ガスを止めて、反応室を加熱し同一の反応室に、Ｐの拡
散源としてＰＯＣｌ3ガスボンベ１６からＰＯＣｌ3ガス
とＮ2とＯ2ガスを反応室１３に導入し、凹凸のｐ−ｔｙ
ｐｅシリコン表面１７にｎ型シリコン層１８を形成す
る。Ｐ（リン）拡散の条件は反応室１３の温度が８５０
゜Ｃであり、Ｎ2ガスの流量は３リットル／分、ＰＯＣ
ｌ3の流量は０．３リットル／分である。本発明では、
凹凸構造を気相反応エッチングで形成することによっ
て、同一の反応室１３で凹凸構造１７の形成とｐｎ接合
１８の形成を連続して同じ装置で行うことが可能となっ
ている。その様子を図３に示す。
【００１４】ＣｌＦ3エッチングと連続してＰＯＣｌ3拡
散を行った後、シリコン酸化膜１９を付けて表面に電極
にする部分のみに酸化膜を除去し、再び３００℃の大気
圧中の反応室に導入し、ＣｌＦ3ガスを0.2リットル/
分、Ｎ2ガスを5リットル/分で流し、酸化膜が除去され
た部分２０のみを選択エッチングすることによって、深
い溝２１の形成を行う。その様子を図４に示す。
散を行った後、シリコン酸化膜１９を付けて表面に電極
にする部分のみに酸化膜を除去し、再び３００℃の大気
圧中の反応室に導入し、ＣｌＦ3ガスを0.2リットル/
分、Ｎ2ガスを5リットル/分で流し、酸化膜が除去され
た部分２０のみを選択エッチングすることによって、深
い溝２１の形成を行う。その様子を図４に示す。
【００１５】
【発明の効果】シリコン基板の異方性エッチピットはア
ルカリ水溶液のエッチングで形成されるが、エッチン
グ、またフッ酸処理をするなど頻繁な薬品の処理が行わ
れる。これに対して、本発明はＣｌＦ3ガスエッチング
後の基板の処理は要らないので、工程が簡単になる。
ルカリ水溶液のエッチングで形成されるが、エッチン
グ、またフッ酸処理をするなど頻繁な薬品の処理が行わ
れる。これに対して、本発明はＣｌＦ3ガスエッチング
後の基板の処理は要らないので、工程が簡単になる。
【００１６】太陽電池においてのエッチピットの作製
は、普通上記の液相エッチングか真空排気された容器の
中にエッチングガスを導入し、プラズマなどを発生させ
る気相エッチングによって行われる。これに対して本発
明は同一反応室で行われるため、基板表面の汚染を避け
ることができ、プラズマを用いないため、基板へのダメ
ージを避けることができる。また、本発明は大気圧でエ
ッチングと拡散を連続で行うことや、埋め込み電極の溝
の作製も同一の反応室で行われるため、デバイスにおけ
るプロセスの簡略化、コストダウンが実現される。ま
た、本発明によって同一の反応室で基板表面に凹凸構造
とｐｎ接合を形成した太陽電池は、凹凸構造のなしにｐ
ｎ接合を形成して作製した太陽電池に比べ、開放電圧や
短絡電流が増加する。基板表面に凹凸構造と埋め込み電
極ありの太陽電池は、より高い効率を示す。その様子を
図５に示す。また、本実施例ではキャリアガスとしてＮ
2を用いたが、ＡｒやＨｅ等の不活性ガスを用いても同
様の効果が得られる。
は、普通上記の液相エッチングか真空排気された容器の
中にエッチングガスを導入し、プラズマなどを発生させ
る気相エッチングによって行われる。これに対して本発
明は同一反応室で行われるため、基板表面の汚染を避け
ることができ、プラズマを用いないため、基板へのダメ
ージを避けることができる。また、本発明は大気圧でエ
ッチングと拡散を連続で行うことや、埋め込み電極の溝
の作製も同一の反応室で行われるため、デバイスにおけ
るプロセスの簡略化、コストダウンが実現される。ま
た、本発明によって同一の反応室で基板表面に凹凸構造
とｐｎ接合を形成した太陽電池は、凹凸構造のなしにｐ
ｎ接合を形成して作製した太陽電池に比べ、開放電圧や
短絡電流が増加する。基板表面に凹凸構造と埋め込み電
極ありの太陽電池は、より高い効率を示す。その様子を
図５に示す。また、本実施例ではキャリアガスとしてＮ
2を用いたが、ＡｒやＨｅ等の不活性ガスを用いても同
様の効果が得られる。
【００１７】上述した実施例では、エッチングガスとし
てＣｌＦ3を使っているが、物理吸着による反応による
エッチングであることを考えると、ＸｅＦ2、ＢｒＦ3、
ＢｒＦ5のガスも同様の効果が期待できる。
てＣｌＦ3を使っているが、物理吸着による反応による
エッチングであることを考えると、ＸｅＦ2、ＢｒＦ3、
ＢｒＦ5のガスも同様の効果が期待できる。
【００１８】上述した実施例では、基板として単結晶の
シリコンを用いているが、単結晶のシリコン基板上に配
向性の揃ったシリコンエピ膜を有する基板を用いても同
様の効果が期待できる。
シリコンを用いているが、単結晶のシリコン基板上に配
向性の揃ったシリコンエピ膜を有する基板を用いても同
様の効果が期待できる。
【００１９】上述した実施例では、ｐ型シリコン基板に
ＣｌＦ3ガスによるエッチング後、ｐｎ接合を形成する
のにＰＯＣｌ3ガスを用いてＰを拡散し、ｐｎ接合を形
成した太陽電池であるが、ＡｓＣｌ3ガスを用いてＡｓ
を拡散した太陽電池でも同様の効果を得ることができ
る。また、ｎ型シリコン基板においても、ＣｌＦ3ガス
によるエッチング後、Ｂの拡散源としてＢＣｌ3または
ＢＢｒ3ガスまたはＢｒ2Ｏ5の蒸気を用いてＢを拡散
し、ｐｎ接合を形成した太陽電池でも同様の効果を得る
ことができる。
ＣｌＦ3ガスによるエッチング後、ｐｎ接合を形成する
のにＰＯＣｌ3ガスを用いてＰを拡散し、ｐｎ接合を形
成した太陽電池であるが、ＡｓＣｌ3ガスを用いてＡｓ
を拡散した太陽電池でも同様の効果を得ることができ
る。また、ｎ型シリコン基板においても、ＣｌＦ3ガス
によるエッチング後、Ｂの拡散源としてＢＣｌ3または
ＢＢｒ3ガスまたはＢｒ2Ｏ5の蒸気を用いてＢを拡散
し、ｐｎ接合を形成した太陽電池でも同様の効果を得る
ことができる。
【００２０】以上の様に本発明は、簡易な装置及びプロ
セスで特性の優れた太陽電池を製造できるという点で、
極めて有用性が高い。
セスで特性の優れた太陽電池を製造できるという点で、
極めて有用性が高い。
【図１】本発明における太陽電池の凹凸表面とｐｎ接合
形成装置の概略図
形成装置の概略図
【図２】本発明におけるＣｌＦ3エッチングによるシリ
コン基板の顕微鏡写真
コン基板の顕微鏡写真
【図３】本発明における太陽電池の凹凸表面とｐｎ接合
形成の実施例を示す図
形成の実施例を示す図
【図４】本発明における太陽電池においての埋め込み電
極用溝の形成の実施例を示す図
極用溝の形成の実施例を示す図
【図５】本発明における太陽電池の太陽電池特性を示す
図
図
１１ ＣｌＦ3ガスボンベ
１２ テフロン製流量計
１３ 反応室
１４ ｐ型シリコン基板
１５ 石英ボート
１６ ＰＯＣｌ3ガスボンベ
１７ 凹凸表面を有するｐ−ｔｙｐｅシリコン基板
１８ ｎ型シリコン
１９ シリコン酸化膜
２０ シリコン酸化膜を除去した部分
２１ 選択エッチングされた電極用の溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 北川 雅俊
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−75152（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−102625（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−129730（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−274072（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−181131（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
H01L 21/306 - 21/308
Claims (10)
- 【請求項１】 大気圧の反応室内にシリコン基板を設置
し、 ＣｌＦ 3 、ＸｅＦ 2 、ＢｒＦ 3 、ＢｒＦ 5 より選ばれた少な
くとも一つのエッチングガスを前記反応室に導入して前
記シリコン基板表面をエッチングする第１の工程と、 Ｎ 2 ガス又は不活性ガスを前記反応室に導入して前記シ
リコン基板を冷却する第２の工程を有し、 前記第１及び第２の工程において、前記シリコン基板の
温度を１３０℃以下に保つシリコン基板の異方性エッチ
ング方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程において、エッチングガ
スがＣｌＦ 3 である請求項１に記載のシリコン基板の異
方性エッチング方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程において、前記反応室に
導入されるガスがＮ 2 ガスである請求項１又は２に記載
のシリコン基板の異方性エッチング方法。 - 【請求項４】 前記シリコン基板が面方位（１１１）の
シリコン基板である請求項１〜３に記載のシリコン基板
の異方性エッチング方法。 - 【請求項５】 前記シリコン基板が面方位（１００）の
シリコン基板である請求項１〜３に記載のシリコン基板
の異方性エッチング方法。 - 【請求項６】 ピラミッド状のエッチピットが作成され
ることを特徴とする請求項４に記載のシリコン基板の異
方性エッチング方法。 - 【請求項７】 矩形のエッチピットが作成されることを
特徴とする請求項５に記載のシリコン基板の異方性エッ
チング方法。 - 【請求項８】 前記第１の工程と第２の工程を繰り返す
ことを特徴とする請求項１〜７に記載のシリコン基板の
異方性エッチング方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載のシリコ
ン基板の異方性エッチング方法により、ｐ型シリコン基
板表面に凹凸構造を形成する工程と、 前記反応室で、所定の温度に加熱してＰまたはＡｓを含
むガスを導入し、基板表面をｎ型化してｐｎ接合を形成
する工程とを連続して行うことを特徴とする太陽電池の
製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜８のいずれかに記載のシリ
コン基板の異方性エッチング方法により、ｎ型シリコン
基板表面に凹凸構造を形成する工程と、 前記反応室で、所定の温度に加熱してＢを含むガスを導
入し、基板表面をｐ型化してｐｎ接合を形成する工程と
を連続して行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13944097A JP3493951B2 (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13944097A JP3493951B2 (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10313128A JPH10313128A (ja) | 1998-11-24 |
| JP3493951B2 true JP3493951B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=15245257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13944097A Expired - Fee Related JP3493951B2 (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3493951B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022105821A1 (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-27 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种光伏电池及光伏组件 |
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