JP2014030062A - 半導体基板の表面エッチング装置及び表面エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置を提供する。前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成される。前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第1開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第2開口部とを備え、前記第1開口部と前記第2開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明の表面エッチング装置は、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、半導体基板を搬送するための搬送機構と、半導体基板を冷却するための冷却機構とを有する(図1(A)(B)を参照)。
本発明の表面エッチング装置を用いて、まず、半導体基板を、搬送機構でエッチング室に搬送する。エッチング室は減圧されていることが好ましい。エッチング室に搬送された半導体基板に、エッチングガスを噴射する開口部からエッチングガスを吹き付ける。このとき、搬送機構によって、半導体基板と開口部との相対位置を制御して、半導体基板表面の所望の位置にエッチングガスを吹き付ける。エッチング室において、冷却ガスを噴射する開口部から冷却ガスを吹き付けてもよい。
図1(A)および図1(B)には、本発明の表面エッチング装置の概要が示される。図1(A)は、装置を側面から見たときの透視図であり;図1(B)は、装置を上面から見たときの透視図である。
1’ 半導体基板
5 基板供給部
10 ロードロック室
12 ドライポンプ
13 バルブ
14 ゲートバルブ
20 エッチング室
22 ドライポンプ
23 バルブ
30 アンロードロック室
32 ドライポンプ
33 バルブ
34 ゲートバルブ
35 基板排出部
60 エッチングガス供給ノズル
70 冷却ガス供給ノズル
Claims (9)
- 大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、半導体基板を搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置であって、
前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第1開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第2開口部とを備え、
前記第1開口部と前記第2開口部とが規則的に交互に配列されている、
半導体基板の表面エッチング装置。 - 前記第1開口部は、パイプ状の部材、又は、平板状の部材に設けられた複数個の貫通孔である、請求項1記載の半導体基板の表面エッチング装置。
- 前記搬送機構に冷却機構が備わる、請求項1又は2に記載の半導体基板の表面エッチング装置。
- 半導体基板を搬送するステップと、
前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射して前記半導体基板を冷却するステップと、
前記半導体基板を搬送させながら、エッチングガスをプラズマによって活性イオンとすることなく、前記半導体基板表面に前記エッチングガスを吹き付けるステップとを含み、
前記冷却するステップおよび前記エッチングガスを吹き付けるステップは、規則的に交互に行われる、
半導体基板の表面エッチング方法。 - 前記エッチングガスは、ClF3,XeF2,BrF3およびBrF5のうちの少なくとも一つのガスである、
請求項4記載の半導体基板の表面エッチング方法。 - 前記エッチングガスは、さらに酸素原子を含有するガスを含む、請求項5記載の半導体基板の表面エッチング方法。
- 前記エッチングガスは、さらに窒素ガスまたは不活性ガスが希釈ガスとして混合される、請求項6記載の半導体基板の表面エッチング方法。
- 半導体基板のエッチング処理されない面に不活性ガスを吹きつける、請求項4〜7の何れか一項に記載の表面エッチング方法。
- エッチング中の半導体基板の温度は、12℃以上130℃以下に保持される、請求項4〜8の何れか一項に記載の表面エッチング方法。
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