JP2013068882A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013068882A JP2013068882A JP2011208745A JP2011208745A JP2013068882A JP 2013068882 A JP2013068882 A JP 2013068882A JP 2011208745 A JP2011208745 A JP 2011208745A JP 2011208745 A JP2011208745 A JP 2011208745A JP 2013068882 A JP2013068882 A JP 2013068882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- pattern
- group
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 169
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 17
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 17
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 17
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 16
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 16
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 43
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 30
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 30
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 22
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 22
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920000555 poly(dimethylsilanediyl) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 4-butylphenylazo Chemical group 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilinane Chemical compound C[Si]1(C)C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C1 ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKTDWFLTNDPLCH-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrakis(hydroxymethyl)urea Chemical compound OCN(CO)C(=O)N(CO)CO AKTDWFLTNDPLCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000390 Poly(styrene-block-methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis[bis(hydroxymethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]-(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)C1=NC(N(CO)CO)=NC(N(CO)CO)=N1 YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、第1の表面エネルギーを有しシリコン化合物を含む層の上に、第1の表面エネルギーとは異なる第2の表面エネルギーを有するパターンを形成する工程と、層および第2の表面エネルギーを有するパターンの上に、ブロックポリマーを形成する工程と、ブロックポリマーをミクロ相分離させて、配列した複数のポリマーを含むラメラ構造またはシリンダー構造のいずれかのパターンを形成する工程と、を含む。層上で、ラメラ構造は、層の層面に対して垂直に配向し、シリンダー構造は、層の層面の垂線に平行な軸を有するように配向する。第2の表面エネルギーは、ブロックポリマーを構成する複数のポリマーのそれぞれの表面エネルギーのうちの最大値以上、または、最小値以下である。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図2(a)及び図2(b)は、実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的平面図である。
図1(a)に表したように、実施形態に係るパターン形成方法は、第1の表面エネルギーを有しシリコン化合物を含む層10の上に、層10とは異なる第2の表面エネルギーを有するパターン20を形成する工程(第1ステップ)を備える。被加工膜110については、後述の実施形態において説明する。
本実施例では、Si酸化膜を配向制御層として、ガイドパターンを形成する例について述べる。
nSi(OMe)4+(2n+1.5m)H2O+mMeSi(OMe)3
→(SiO2)n(MeSiO1.5)m+(4n+3m)MeOH
この際の接触角を測定すると、原料物質のMTMSの比率が上がることによって接触角が大きくなり、22°から89°の範囲で変化する。つまり表面エネルギーを有機基の導入量により変えることができる。
本実施例では、Wを被加工膜110とし、Si酸化膜120がSOGの場合を例に取る。W膜上に本実施形態に係るSOGを形成する(図3(a))。SOGにあらかじめ酸発生剤を添加すると、電子ビームでの露光時に酸が発生し、ピニング層が選択的に形成されるので、酸発生剤を添加することが望ましい。
本実施例では、Si配向制御層上に、光露光によりレジストパターンを形成してピニング層を形成する方法について述べる。
はじめに本実施形態に係るケミカルガイドパターンの構成について、図4(d)を参照して説明する。
図5は、実施形態に係るパターン形成方法における反射を例示する模式図である。
反射は界面で生じ、レジスト−Si酸化膜界面313、Si酸化膜−C膜界面312、及び、C膜−被加工膜界面311で生じる。
I=ICR exp(−4πkz/λ) λ:波長
となる。
PS−b−PMMAを用いた場合を例に取り、説明する。ブロックポリマーのミクロ相分離(図7(a))、PMMA162の除去(図7(b))、PS161をマスクにしたSOG(Si酸化膜120)のエッチング(図7(c))までは、第1の実施例と同様である。
図8は、実施形態に係るパターン形成方法に用いられる材料を例示する模式図である。 図8に表したように、たとえばテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を用いることができる。TMCTS以外にも、(R1R2SiO)nの組成をもち、R1、R2は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、及び、フェニルのいずれかで、nが3以上であっても良い。
図9(a)は、本実施形態に係るパターン形成方法を適用したレジスト物理ガイドを示す。図9(b)はミクロ相分離後の状態を例示している。この例ではレジストパターン(レジスト物理ガイド170)と第1のポリマー171とに親和性があるので、レジストパターン側に第1のポリマー171がウェット層を形成する。その後、第2のポリマー172と第1のポリマー171とが交互に並ぶ。
図11(a)は、ケミカルガイドパターンを例示している。Si酸化膜120の上に、ピニング層150が形成されている。図11(b)は、ミクロ相分離後の状態を例示している。ブロックコポリマーのホール間の距離をLとすると、ケミカルガイドパターンのピニング層からなるピラー間の距離はLの整数倍となる。図11(a)及び図11(b)は、Lの2倍の場合を示している。
(1+cosθ)γL=WSL
で付着仕事と接触角とを関連付ける。
ここで、γLWは、Lifshitz-van der Waals成分である。γABは、極性相互作用(または水素結合成分)である。
γAB=2(γ+γ−)1/2
ここで、γ+は、電子供与成分であり、γ−は電子受容成分である。
WSL=2{(γS LWγL LW)1/2+(γs +γL −)1/2+(γs −γL +)1/2}
これにより、
(1+cosθ)γL=2{(γS LWγL LW)1/2+(γs +γL −)1/2+(γs −γL +)1/2}
と表される。
WSL=2{(γS dγL d)1/2+(γs PγL P)1/2+(γs HγL H)1/2}
ここで、γdは分散力でありγPは極性力であり、γHは水素結合力である。この式を用いて、同様に、固体の表面張力を求めることができる。
γSL=γS+γL−WSL
ここで、γSLは、固体―液体間の界面エネルギーであり、γSは、固体の表面エネルギーであり、γLは、液体の表面エネルギーである。つまり付着仕事は液体と固体とが付着したことによって低下したエネルギーである。付着仕事が大きいほど、安定化されやすい。つまり、親和性が高いことになる。これについて異なる固体について同一の液体で接触角を測定すれば、固体間の親和性を比較できる。
図10は、実施形態にパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
この例においては、レジストスペース部のSi酸化膜にのみ、選択的に膜を形成する。この例では、図4(a)に関して説明したレジストパターン形成後、ピニング層前駆体150aを供給し、Si酸化膜表面の表面水酸基と反応させる(図10)。その後、未反応のピニング層前駆体150aを除去してケミカルガイドパターン(図4(d)に例示したピニング層150)を得る。
Claims (9)
- 第1の表面エネルギーを有しシリコン化合物を含む層の上に、前記第1の表面エネルギーとは異なる第2の表面エネルギーを有するパターンを形成する工程と、
前記層および前記パターンの上に、ブロックポリマーを形成する工程と、
前記ブロックポリマーをミクロ相分離させて、配列した複数のポリマーを含むラメラ構造またはシリンダー構造のいずれかの構造を形成する工程と、
を備え、
前記層上で、前記ラメラ構造は、前記層の層面に対して垂直に配向し、前記シリンダー構造は、前記層の層面の垂線に平行な軸を有するように配向し、
前記第2の表面エネルギーは、前記ブロックポリマーを構成する複数のポリマーのそれぞれの表面エネルギーのうちの最大値以上、または、前記複数のポリマーのそれぞれの前記表面エネルギーのうちの最小値以下であることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記層の下には、被加工膜が形成され、前記ミクロ相分離したブロックポリマーの一部のブロックを除去する工程と、
前記ブロックポリマーの残存するブロックをマスクにして前記層をエッチングする工程と、
前記エッチングされた前記層をマスクにして前記層の下に設けられた被加工膜をエッチングして、前記エッチングされた被加工膜のパターンを形成する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記層の下には、被加工膜が形成され、前記ミクロ相分離したブロックポリマーの一部のブロックを除去し、前記ブロックポリマーの残存するブロックをマスクに被加工膜をエッチングして被加工膜からなるパターンを形成するパターン形成方法であり、
前記層と被加工膜の間に有機膜を形成する工程と、
前記層の上に、光により感光性材料パターンを形成する工程と、
前記ブロックポリマーの残存するブロックをマスクに前記層をエッチングする工程と、
前記層をマスクに前記有機膜をエッチングする工程と、
をさらに備え、
前記層と前記有機膜の積層構造が光露光時の反射防止膜になっていることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記層の下には、被加工膜が形成され、前記ミクロ相分離したブロックポリマーの一部のブロックを除去し、前記ブロックポリマーの残存するブロックをマスクに被加工膜をエッチングして被加工膜からなるパターンを形成するパターン形成方法であり、
前記第2の表面エネルギーを有するパターンは光により形成された感光性材料パターンであり、
前記層と被加工膜の間に有機膜を形成する工程と、
前記ブロックポリマーの残存するブロックをマスクに前記層をエッチングする工程と、
前記層をマスクに前記有機膜をエッチングする工程と、
をさらに備え、
前記層と前記有機膜の積層構造が光露光時の反射防止膜になっていることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記層はスピンオングラスで、
原料として、RaSi(ORb)3、Ra2Si(ORb)2、Ra3SiORbの少なくともいずれかの構造を持つ有機アルコキシシラン(Ra=メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基の少なくともいずれか、Rb=メチル、エチル、プロピル、フェニルの少なくともいずれか)、及び、RSiCl3、R2SiCl2、R3SiClの少なくともいずれかの構造を持つアルキルクロロシラン(Rがメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基)の少なくともいずれかを含み、
脱水縮合により形成されることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記層はケミカルベーパーデポジションにより形成された酸化膜であり、
原料ガスは、アルキルアルコキシシラン、アルキルクロロシラン、アルキルシクロシロキサンのうちの少なくともいずれかを含み、
前記アルキルアルコキシシラン、アルキルクロロシラン、アルキルシクロシロキサンのアルキル基がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基の少なくともいずれかから、前記アルキルアルコキシシランのアルコキシ基がメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基の少なくともいずれかからなることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 - 前記原料ガス中に酸素を含んでいることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
- 前記原料ガス中にテトラアルコキシシランを含んでいることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
- 前記ケミカルベーパーデポジションにより酸化膜を形成する際に、成膜初期には前記アルコキシシランと酸素を原料ガスとして用い、
成膜途中で前記アルキルアルコキシシラン、アルキルクロロシラン、アルキルシクロシロキサンのうちの前記少なくともいずれかを添加することを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011208745A JP5795221B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | パターン形成方法 |
US13/623,237 US9017930B2 (en) | 2011-09-26 | 2012-09-20 | Pattern formation method and guide pattern material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011208745A JP5795221B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013068882A true JP2013068882A (ja) | 2013-04-18 |
JP5795221B2 JP5795221B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=48474608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011208745A Expired - Fee Related JP5795221B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | パターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9017930B2 (ja) |
JP (1) | JP5795221B2 (ja) |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046590A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法 |
JP2015050322A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法 |
JP2015106639A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理装置、表面処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
KR20160067739A (ko) * | 2014-12-04 | 2016-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
WO2017069200A1 (ja) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2017159480A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | 記録媒体および記録媒体の製造方法 |
JP2017530235A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-10-12 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
WO2018092632A1 (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法 |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10150832B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-11 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10160822B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-25 | Lg Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
US10184021B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-01-22 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196474B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196475B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202480B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202481B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227436B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227437B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227438B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10240035B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10253130B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-04-09 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
TWI657483B (zh) * | 2016-03-18 | 2019-04-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體裝置之形成方法 |
US10281820B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10287429B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10310378B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10377894B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10703897B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN113156770A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-07-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5542766B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
EP2832807A4 (en) * | 2012-03-27 | 2015-10-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | SINGLE-LAYER-FORMING COMPOSITION FOR SELF-BUILDING FILMS |
WO2014208076A1 (en) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
JP6262044B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2018-01-17 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US20180323078A1 (en) * | 2015-12-24 | 2018-11-08 | Intel Corporation | Pitch division using directed self-assembly |
JP2018082033A (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040175628A1 (en) * | 2001-10-05 | 2004-09-09 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates |
JP2008096596A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Canon Inc | パターン形成方法 |
JP2010053263A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Hitachi Ltd | 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法 |
JP2010144120A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Kyoto Univ | 高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法 |
JP2011129874A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW438860B (en) * | 1996-11-20 | 2001-06-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Curable resin composition and cured products |
EP2124250A4 (en) * | 2007-03-13 | 2014-06-25 | Fujitsu Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
US7989026B2 (en) | 2008-01-12 | 2011-08-02 | International Business Machines Corporation | Method of use of epoxy-containing cycloaliphatic acrylic polymers as orientation control layers for block copolymer thin films |
US7521094B1 (en) | 2008-01-14 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming polymer features by directed self-assembly of block copolymers |
US8821978B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-09-02 | International Business Machines Corporation | Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom |
-
2011
- 2011-09-26 JP JP2011208745A patent/JP5795221B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-20 US US13/623,237 patent/US9017930B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040175628A1 (en) * | 2001-10-05 | 2004-09-09 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates |
JP2008096596A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Canon Inc | パターン形成方法 |
JP2010053263A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Hitachi Ltd | 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法 |
JP2010144120A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Kyoto Univ | 高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法 |
JP2011129874A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046590A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法 |
JP2015050322A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法 |
JP2015106639A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理装置、表面処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
US10227436B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10253130B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-04-09 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227438B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227437B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196475B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202481B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202480B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10150832B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-11 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10160822B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-25 | Lg Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
US10184021B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-01-22 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10196474B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-05 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10295908B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-21 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10377894B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10703897B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP2017530235A (ja) * | 2014-09-30 | 2017-10-12 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10310378B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10240035B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287429B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10281820B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
KR102498192B1 (ko) * | 2014-12-04 | 2023-02-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
JP2016111115A (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
KR20160067739A (ko) * | 2014-12-04 | 2016-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 프로그램, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
US9748100B2 (en) | 2014-12-04 | 2017-08-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium and substrate processing system |
WO2017069200A1 (ja) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JPWO2017069200A1 (ja) * | 2015-10-23 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2017159480A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | 記録媒体および記録媒体の製造方法 |
TWI657483B (zh) * | 2016-03-18 | 2019-04-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體裝置之形成方法 |
JPWO2018092632A1 (ja) * | 2016-11-21 | 2019-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法 |
US11387264B2 (en) | 2016-11-21 | 2022-07-12 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method |
JP7166928B2 (ja) | 2016-11-21 | 2022-11-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法 |
WO2018092632A1 (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法 |
CN113156770A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-07-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130183828A1 (en) | 2013-07-18 |
US9017930B2 (en) | 2015-04-28 |
JP5795221B2 (ja) | 2015-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5795221B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5542766B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5059608B2 (ja) | リバーストーン処理を利用したリセス構造の形成方法 | |
CN102308260B (zh) | 使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法 | |
KR890003264B1 (ko) | 3층 레지스트 및 레지스트 패턴의 형성방법 | |
TWI515513B (zh) | 奈米壓印用光阻下層膜形成組成物 | |
KR101350072B1 (ko) | 서브 리소그래픽 패터닝을 위해 블록 공중합체 자기 조립을 사용하는 방법 | |
US8501394B2 (en) | Superfine-patterned mask, method for production thereof, and method employing the same for forming superfine-pattern | |
CN104364713A (zh) | 利用嵌段共聚物形成图案及制品 | |
JP6810782B2 (ja) | 誘導自己集合体施与のためのケイ素含有ブロックコポリマー | |
KR102184205B1 (ko) | 반사방지 코팅 층을 위한 습식 스트립 프로세스 | |
JP2016532311A (ja) | 誘導自己組織化用の化学テンプレートを形成するための硬化フォトレジストのuv支援剥離 | |
KR20120044367A (ko) | 더블 패터닝 방법 및 물질 | |
Takei et al. | Silicon-containing spin-on underlayer material for step and flash nanoimprint lithography | |
Zanchetta et al. | Novel hybrid organic–inorganic spin‐on resist for electron‐or photon‐based nanolithography with outstanding resistance to dry etching | |
KR102139092B1 (ko) | 헤테로원자를 갖는 환상유기기함유 실리콘함유 레지스트 하층막 형성조성물 | |
JP2014135435A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20150015388A (ko) | 상 분리 구조를 함유하는 구조체의 제조 방법, 패턴 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법 | |
KR102160791B1 (ko) | 블록 공중합체 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
CN101770940B (zh) | 叠层底部抗反射结构及刻蚀方法 | |
CN115494567A (zh) | 一种微透镜阵列纳米光栅的复合结构及制备方法、应用 | |
JP5661562B2 (ja) | 微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 | |
JP2674589B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
KR20090102218A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
US20180275519A1 (en) | Pattern Formation Method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150717 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150812 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |