JP2013064696A - 放射能汚染物の化学除染方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】除染対象物の表面に付着した放射能汚染物を酸化工程と還元工程により除去する放射能汚染物の化学除染方法において、前記還元工程の除染液の酸化還元電位を0mV〜250mVに制御する。
【選択図】図1
Description
このような作業員の被ばく線量を低減するため、構造材に付着した酸化皮膜を化学的に溶解あるいは剥離させ、酸化被膜を除去する化学除染方法が実用化されている。
[第1の実施形態]
第1の実施形態に係る化学除染方法を、図1及び図2(a)、(b)により説明する。
本第1の実施形態に係る化学除染方法を適用した溶解試験装置を図1により説明する。
この溶解試験装置は、図1に示すように、除染液1を収容した除染槽2、ニッケルフェライトが主成分の酸化皮膜が付着した試験片14、除染液循環ライン3、渦流ポンプ4、加熱器5、酸化剤供給部6、還元剤供給部7、過酸化水素供給部8、触媒供給部9、紫外線照射部10、カチオン樹脂塔11、混床樹脂塔12及び排気装置13から構成される。 試験片14は、還元剤供給部6からシュウ酸水溶液を、酸化剤供給部7からオゾン等を除染槽2に供給することにより除染処理される。
また、還元工程では、触媒供給部9より鉄を供給し、紫外線照射部10で紫外線を照射して除染液の電位を制御することにより、鉄系の酸化被膜を還元溶解する。
図1の溶解試験装置を用いて試験片14の酸化皮膜の溶解試験を実施した。
具体的には、除染液1のシュウ酸濃度を200ppm、温度を95℃とし、除染液1の酸化還元電位をパラメータとして、鉄(Fe)とニッケル(Ni)の溶解量を測定した。
Fe2+ ←→ Fe3++e− (1)
ここで、電位制御を行わずに試験片を浸漬した場合の除染液の酸化還元電位は320mV(vs;Ag/AgCl)であり、鉄とニッケルの溶解量は最も低い。
このように、還元工程における酸化還元電位を0mV〜250mVとすることにより、電位制御をしない従来の化学除染法よりも約3倍以上の溶解量を示すことがわかった。
第2の実施形態に係る化学除染方法を、図3(a)、(b)及び図4(a)、(b)により説明する。
図3(a)、(b)は、除染液としてシュウ酸とピコリン酸を用いた試験結果である。
さらに、ピコリン酸を添加しない図2(a)、(b)の例と比較すると、ピコリン酸を添加した本実施形態の酸化還元電位100mVのときの鉄とニッケルの溶解量は、ピコリン酸を添加しない場合の溶解量よりも約1.3倍大きい。
図4(a)、(b)において、電位制御を行わずに試験片を浸漬した場合の除染液の酸化還元電位は280mV(vs;Ag/AgCl)であり、鉄とニッケルの溶解量は最も低く、酸化還元電位が100mVのときが鉄とニッケルの溶解量が最大で、酸化還元電位280mVのときの約6.3倍である。また、酸化還元電位が200mV、0mVの場合でも、酸化還元電位280mVのときのそれぞれ約3.4倍、3.8倍である。
さらに、ピコリン酸を添加しない図2(a)、(b)の例と比較すると、ピコリン酸を添加した本実施形態の酸化還元電位100mVのときの鉄とニッケルの溶解量は、ピコリン酸を添加しない場合の溶解量よりも約1.3倍大きい。
第3の実施形態に係る化学除染方法を、図5、図6(a)、(b)により説明する。 本第3の実施形態の溶解試験装置では、図5に示すように、図1の溶解試験装置にガス供給配管15を設け、除染液1中にガス供給配管15から不活性ガスを供給する構成としている。
この試験結果から、アルゴンガス雰囲気の場合では、空気雰囲気の場合と比較して鉄とニッケルの溶解量の合計は2.5倍であり、また、アルゴンガス雰囲気では鉄とニッケルの溶解量の割合から、鉄の溶解量が増加していることが確認された。
本実施形態によれば、還元工程中の除染雰囲気を不活性ガス雰囲気とすることで、汚染源である酸化皮膜を短時間で効率的に除去することが可能となる。
Claims (6)
- 除染対象物の表面に付着した放射能汚染物を酸化工程と還元工程により除去する放射能汚染物の化学除染方法において、前記還元工程の除染液の酸化還元電位を0mV〜250mVに制御することを特徴とする放射能汚染物の化学除染方法。
- 前記除染液はシュウ酸であることを特徴とする請求項1記載の放射能汚染物の化学除染方法。
- 前記除染液中の二価の鉄と三価の鉄の濃度を制御することにより、除染液の酸化還元電位を制御することを特徴とする請求項1又は2記載の放射能汚染物の化学除染方法。
- 前記除染液に一種類以上の有機酸からなる除染剤を混合させたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の放射能汚染物の化学除染方法。
- 前記還元工程の除染液の酸化還元電位を0mV〜200mVに制御することを特徴とする請求項4記載の放射能汚染物の化学除染方法。
- 前記放射能汚染物の除染を不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の放射能汚染物の化学除染方法。
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