JP2013051334A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 燐酸と希釈液を混合してなる処理液中に基板を浸漬して処理を行う基板処理装置において、処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段7を備え、濃度検出手段7は、処理液を内部に導入して流通させる光透過部151と、それに所定の波長の光を照射する発光部152と、そこからの光を光透過部151を介して受光する受光部153と、発光部152から発光された光を光透過部151に集光させる第1のレンズ154と、光透過部151を通過した光を受光部153に集光する第2のレンズ155と、これらの少なくともいずれかを冷却する冷却機構160と、を備える。
【選択図】 図6
Description
すなわち、本発明の基板処理装置は、燐酸と希釈液を混合してなる処理液を貯留しつつ、この処理液中に基板を浸漬して処理を行う処理槽と、処理液を加熱する加熱手段と、処理液に希釈液を補充する補充手段と、処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段と、その濃度検出手段による検出濃度が設定濃度に近づくように前記補充手段を操作する濃度制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記濃度検出手段は、前記処理液を内部に導入して流通させる光透過部と、前記光透過部に所定の波長の光を照射する発光部と、前記発光部からの光を前記光透過部を介して受光する受光部と、前記発光部と前記光透過部との間に設けられ、前記発光部から発光された光を前記光透過部に集光させる第1のレンズと、前記光透過部と前記受光部との間に設けられ、前記発光部から発光され前記光透過部を通過した光を前記受光部に集光する第2のレンズと、前記第1レンズ又は第2レンズの少なくともいずれかを冷却する冷却機構と、を備えることを特徴とする。
本発明は、上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のように実施形態を変更することが可能である。
図6に示す光学系を有する実験装置を用いて、測定用のセルを使用せずに、25℃に設定した恒温室内で、濃度ゼロ%の測定値が、25℃からのレンズ温度の変化でどのように変化するか調べた。光学系の光軸の調整は、レーザーを用いて2m離れたところで軸ズレ1mm以下になるように調整した。測定の際、流路に供給(流量1.9L/分)する温水の温度を30℃〜50℃に5℃づつ変化させて、このときのレンズの温度を測定すると共に、各温度に対応する濃度(%)の変化を図2に示す装置で測定した。その結果を図7に示す。
図6に示す光学系を構成することができ、更に一方のレンズ保持部に対して、固定位置調整部(XYZステージ)を有する実験装置を用いて、測定用のセルを使用せずに、25℃に設定した恒温室内で、濃度ゼロ%の測定値が、25℃からの温度変化でどのように変化するか調べた。光学系の光軸の調整は、レーザーを用いて2m離れたところで、基本位置における軸ズレが1mm以下になるように調整した。測定の際、基準位置(XYZが何れも0mmとなる位置)から、光軸に垂直な水平方向X(−0.2mm〜0.2mm)、高さ方向Y(−0.2mm〜0.2mm)、光軸に平行な水平方向Z(−1.0mm〜12.5mm)に、それぞれ固定位置を調整し、各位置に対応する濃度(%)の変化を図2に示す装置で測定した。その結果を図8
に示す。
図6に示す光学系を有する実験装置を用い、測定用の石英セルを使用して、温度120℃、濃度67.80重量%の燐酸水溶液を流通(流量1.5L/分)させながら、濃度の測定値が、冷却水の有無でどのように変化するか調べた。光学系の光軸の調整は、レーザーを用いて2m離れたところで軸ズレ1mm以下になるように調整した。測定の際、各部の温度を連続して測定すると共に、各時間における濃度(%)の変化を図2に示す装置で測定した。その結果を図9に示す。ここで、図中のドットは濃度の測定値を示している。各部の温度として、第1レンズ保持部164の内側(セル側)と外側(光ファイバ側)、ベース部161のセル保持部分、セルの出口部の測定値を示した。
1b 循環配管
2 ヒーター(加熱手段)
3 ヒーター(加熱手段)
4 温度検出手段
5 温度制御手段
6 補充手段
7 濃度検出手段
8 濃度制御手段
9 循環ポンプ
10 フィルタ
151 光透過部
152 発光部
153 受光部
154 第1レンズ
155 第2レンズ
160 冷却機構
164 第1レンズ保持部
165 第2レンズ保持部
Claims (6)
- 燐酸と希釈液を混合してなる処理液を貯留しつつ、この処理液中に基板を浸漬して処理を行う処理槽と、
処理液を加熱する加熱手段と、
処理液に希釈液を補充する補充手段と、
処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段と、
その濃度検出手段による検出濃度が設定濃度に近づくように前記補充手段を操作する濃度制御手段と、
を備えた基板処理装置であって、前記濃度検出手段は、
前記処理液を内部に導入して流通させる光透過部と、
前記光透過部に所定の波長の光を照射する発光部と、
前記発光部からの光を前記光透過部を介して受光する受光部と、
前記発光部と前記光透過部との間に設けられ、前記発光部から発光された光を前記光透過部に集光させる第1のレンズと、
前記光透過部と前記受光部との間に設けられ、前記発光部から発光され前記光透過部を通過した光を前記受光部に集光する第2のレンズと、
前記第1レンズ又は第2レンズの少なくともいずれかを冷却する冷却機構と、を備える基板処理装置。 - 前記第1のレンズを保持する第1レンズ保持部と、前記第2のレンズを保持する第2レンズ保持部とを備えると共に、前記冷却機構が、前記第1レンズ保持部又は第2レンズ保持部の少なくともいずれかを介して、前記冷却を行うものである請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記冷却機構は、前記第1レンズ保持部又は第2レンズ保持部に設けられた流路と、その流路に冷却用流体を供給する手段と、を備える請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記流路は、前記第1レンズ又は第2レンズの周囲の全部又は一部を囲むように、前記第1レンズ保持部又は第2レンズ保持部に設けられている請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記第1レンズ保持部と第2レンズ保持部とを支持するベース部を備えると共に、そのベース部に冷却機構が設けられている請求項2〜4いずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理液の温度を検出する温度検出手段と、その温度検出手段による検出温度が設定温度に近づくように前記加熱手段を操作する温度制御手段と、を更に備える請求項1〜5いずれかに記載の基板処理装置。
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