CN102969257B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102969257B
CN102969257B CN201210311001.9A CN201210311001A CN102969257B CN 102969257 B CN102969257 B CN 102969257B CN 201210311001 A CN201210311001 A CN 201210311001A CN 102969257 B CN102969257 B CN 102969257B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lens
concentration
temperature
treatment
transmittance section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210311001.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102969257A (zh
Inventor
东昇
平木哲
清濑浩巳
佐藤秀明
小宫洋司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Kurashiki Spinning Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Kurashiki Spinning Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Kurashiki Spinning Co Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102969257A publication Critical patent/CN102969257A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102969257B publication Critical patent/CN102969257B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3577—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing liquids, e.g. polluted water
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，由于可直接检测处理液的浓度，所以能够进行独立的浓度控制，且由于不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。一种在由磷酸和稀释液混合而成的处理液中浸渍基板而进行处理的基板处理装置，具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元，浓度检测单元具备：透光部，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部，向透光部照射规定波长的光；受光部，通过透光部接收来自发光部的光；第一透镜，将由发光部发出的光汇聚于透光部；第二透镜，将通过透光部的光汇聚于受光部；和冷却机构，冷却第一透镜和第二透镜中的至少任一个。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用处理液处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板等基板(以下简称为“基板”)的基板处理装置，特别作为在被加热成高温的处理液中浸渍基板而实施处理时，在高精度地检测处理液的浓度的同时控制浓度的技术是有用的。
背景技术
以往，这种类型的基板处理装置例如已知有利用高温磷酸（H3PO4）溶液蚀刻处理基板表面的氮化硅膜（SiN）的基板处理装置。
例如在半导体晶片加工中，用磷酸溶液蚀刻氮化硅膜时，在基板表面除了氮化硅膜外一般还存在氧化硅膜（SiO2）。在此情况下，一般要求蚀刻对象只有氮化硅膜，氧化硅膜几乎不被处理液蚀刻。
作为氮化硅膜和氧化硅膜被磷酸溶液蚀刻的机理，已知氮化硅膜被磷酸溶液中的水蚀刻，氧化硅膜被磷酸溶液中的磷酸蚀刻。
因此，为了高精度地管理氮化硅膜的蚀刻量，处理液的浓度，即药液与稀释液的混合比例和处理液的温度是非常重要的。而且，一般对高温中的磷酸溶液而言，作为稀释液的水的蒸发量较多，通过水的补充而进行的浓度控制是重要的。作为具备将处理液的温度或浓度保持恒定的单元的基板处理装置，已知有以下专利文献1～2中记载的装置。
例如，专利文献1公开这样一种基板处理装置：在通过水的补充而控制磷酸浴的浓度时，将磷酸浴的沸腾温度作为设定温度，并根据对该设定温度和当前温度进行比较的结果自动控制水的补充速率。该装置实际控制的只是处理液的温度，且成为借助于处理液的浓度不会成为沸腾浓度以下的物理现象的稀释液的补充单元。
然而，在专利文献1中记载的装置中，由于与磷酸浴的沸腾温度对应的磷酸浴浓度是恒定的，因此存在一旦决定氮化硅膜的蚀刻速率，处理液的浓度和温度就被同时决定，无法对其分别独立地进行调节的问题。而且，必须将稀释液的补充量比原来的蒸发量稍微多补充一点，而如果补充量过剩，就会导致处理液的温度下降，或者导致处理液突沸。
此外，专利文献2公开一种基板处理装置，该装置具备：温度控制单元，为了使处理液的温度成为设定温度而操作加热单元；补充单元，为了调节处理液的浓度而对处理槽补充稀释液；浓度检测单元，通过处理液的比重等检测处理液的浓度；以及浓度控制单元，调节稀释液的补充量，以使检测出的处理液的浓度稍微高于沸点温度。
然而，在专利文献2中记载的装置中，由于浓度检测单元将从处理槽内的检测端供给的气体的压力换算成处理液的比重，所以根据处理液的温度、处理槽内的液体量和处理槽内的处理液的流动，从检测端供给的气体的压力发生变化。因此，需要在处理液的温度、处理槽内的液体量和处理槽内的流动恒定的情况下进行检测。然而在实际运用中，在为了控制处理液的浓度而对处理液补充稀释液时，处理液的温度也发生变化，因此存在处理液的温度恢复到设定温度之前，无法测定准确的浓度的问题。
此外，专利文献3公开一种浓度测定方法及利用该方法的带再生系统的蚀刻装置，该浓度测定方法为测定磷酸水溶液中的金属离子浓度的方法，缓慢降低水溶液的温度，以光学方式检测由于不溶成分的析出而产生的透射率的变化，且由析出温度计算出金属离子的浓度。
专利文献1：特开平11-200072号公报
专利文献2：特开2004-221540号公报
专利文献3：特开2009-58306号公报
然而，在专利文献3记载的浓度测定方法中，需要缓慢地降低水溶液温度的工序，因此尽管是光学检测方法，也无法实时地进行浓度测定。
于是，本申请人等开发了可通过光学检测方法直接检测处理液的浓度，因此能够进行独立的浓度控制的基板处理装置，并提出了专利申请（特愿2010-166288，在提出本申请时尚未公开）。
然而，本发明人等经研究发现，在用高温磷酸溶液进行蚀刻的基板处理装置中，当通过光学检测方法检测处理液的浓度时，由于来自测定用池的辐射热，配置在附近的透镜发生温度变化，且受到其影响，产生测定误差。
另外，在利用光学检测方法的浓度测定装置中，由于来自测定用池的辐射热，配置在附近的透镜产生温度变化，且受到其影响，产生测定误差这一情况及其对策，至今是未知的。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种基板处理装置，该装置由于能够直接检测处理液的浓度，所以可进行独立的浓度控制，并且由于不易产生因透镜温度的变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。
上述目的可通过如下所述的本发明达到。
即，本发明的基板处理装置，具备：处理槽，储存由磷酸和稀释液混合而成的处理液，在该处理液中浸渍基板以进行处理；加热单元，加热处理液；补充单元，对处理液补充稀释液；浓度检测单元，通过测定处理液的吸光特性来检测处理液的浓度；和浓度控制单元，操作所述补充单元，使得由所述浓度检测单元检测出的检测浓度接近设定浓度，所述基板处理装置的特征在于，所述浓度检测单元具备：透光部，将所述处理液导入内部，并使所述处理液在内部流通；发光部，向所述透光部照射规定波长的光；受光部，经由所述透光部接收来自所述发光部的光；第一透镜，设置在所述发光部和所述透光部之间，将由所述发光部发出的光汇聚于所述透光部；第二透镜，设置在所述透光部和所述受光部之间，将由所述发光部发出且通过所述透光部的光汇聚于所述受光部；和冷却机构，冷却所述第一透镜或所述第二透镜中的至少任一个。
根据本发明的基板处理装置，由于浓度检测单元通过测定处理液的吸光特性而直接检测出处理液浓度，因此几乎不受处理液温度的影响而能够进行独立的浓度控制。进一步，由于浓度检测单元具备使透镜冷却的冷却机构，因此不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，能够以更高的精度检测处理液的浓度，能够高精度地进行基板的药液处理。此外，即使在例如由于基板晶片的浸渍导致处理液温度下降的情况下，也可为了保持处理液浓度而进行补水或停止补水，结果使得氮化硅膜的蚀刻稳定。此外，根据本发明，在药液的沸点浓度以上的范围内可自由控制药液和稀释液的混合比例，例如也可通过使磷酸溶液的浓度高于沸点浓度，减少氮化硅膜的蚀刻量，且增加氧化硅膜的蚀刻量。
在上述装置中，优选具备保持所述第一透镜的第一透镜保持部和保持所述第二透镜的第二透镜保持部，并且所述冷却机构通过所述第一透镜保持部或所述第二透镜保持部中的至少任一个进行所述冷却。根据该结构，由于通过透镜保持部能够间接进行透镜冷却，因此能够提高冷却效率及均匀性。此外，由于在第一透镜保持部、第二透镜保持部上设置有冷却机构，不仅冷却透镜，还能够冷却第一透镜保持部、第二透镜保持部本身。结果是，能够防止透镜保持部由于热而变形膨胀，因此能够将透镜保持位置保持在恒定的位置，从而能够高精度地测定磷酸浓度。
此外，所述冷却机构优选具备设在所述第一透镜保持部或所述第二透镜保持部的流路和向该流路供给冷却用流体的单元。根据该结构，可通过供给至透镜保持部的冷却用流体，高效地进行透镜的冷却。
此时，优选以包围所述第一透镜或所述第二透镜周围的全部或一部分的方式设在所述第一透镜保持部或所述第二透镜保持部。根据该结构，由于能够向透镜保持部的包围透镜的部分供给冷却用流体，因此能够更加提高冷却效率及均匀性。
此外，优选具备支撑所述第一透镜保持部和所述第二透镜保持部的基底部，并且在该基底部设置有冷却机构。通过冷却基底部，能够防止基底部因热引起的变形的影响，并且可减少从流通池部通过基底部直接传递到透镜保持部的热的影响，因此能够以更高的精度进行浓度测定。
此外，优选进一步具备检测所述处理液温度的温度检测单元和操作所述加热单元以使由所述温度检测单元检测出的检测温度接近设定温度的温度控制单元。根据该结构，通过由温度检测单元检测处理液温度，并由温度控制单元操作加热单元，能够独立于浓度控制而进行温度控制。
附图说明
图1为表示本发明的基板处理装置的一例的结构示意图。
图2为表示本发明的基板处理装置的主要部分的一例的结构示意图。
图3为表示磷酸溶液的浓度及温度与氮化硅膜蚀刻速率的关系的曲线图。
图4为微处理器的数据处理的流程图。
图5为微处理器的数据处理的流程图。
图6为表示本发明的基板处理装置的主要部分的一例的图，（a）为纵剖视图；（b）为右侧视图。
图7为表示在实验例1中测定的浓度变化的曲线图。
图8为表示在实验例2中测定的浓度变化的曲线图。
图9为表示在实验例3中测定的浓度及温度变化的曲线图。
符号说明：
1    处理槽
1b   循环管道
2    加热器(加热单元)
3    加热器(加热单元)
4    温度检测单元
5    温度控制单元
6    补充单元
7    浓度检测单元
8      浓度控制单元
9      循环泵
10     过滤器
151    透光部
152    发光部
153    受光部
154    第一透镜
155    第二透镜
160    冷却机构
164    第一透镜保持部
165    第二透镜保持部
具体实施方式
本发明的基板处理装置例如使用于加热由磷酸和稀释液混合而成的处理液，并在该处理液中浸渍基板而进行处理的场合。在本实施方式中，采用处理液为含有作为药液的磷酸和作为稀释液的水的磷酸溶液，在加热该磷酸溶液的同时，在该磷酸溶液中浸渍基板（例如，半导体用的硅晶片）而进行蚀刻处理的装置为例进行说明。
该基板处理装置具备处理槽1，该处理槽1存储由磷酸和稀释液混合而成的处理液，并且在该处理液中浸渍基板而进行处理。在本实施方式中示出如图1所示在处理槽1的周围设置有用于回收由处理槽1溢出的磷酸溶液的回收槽1a的示例。由回收槽1a回收的磷酸溶液通过循环管道1b返回到处理槽1。
在上述循环管道1b上设置有循环泵9、加热单元3及过滤器10，循环管道1b与设置在处理槽1的底部的喷出管连接。
加热单元3使用电热器等。过滤器10为了从返回处理槽1的磷酸溶液中去除颗粒而设置。过滤器10使用由氟类树脂等形成的多孔膜等。
在处理槽1和回收槽1a上设置有用于加热槽内的磷酸溶液的加热单元2，使用电热器等。循环管道1b的加热单元3及槽用的加热单元2相当于本发明中的加热单元。加热单元进行例如以110℃以上的加热。
在处理槽1的上部可设置开闭自如的盖体。作为处理对象的多块基板以竖直的姿势等间隔地被保持在升降自如的保持臂上，当保持臂位于槽外时，盖体被关闭。当将基板组保持在保持臂上并投入槽内时，盖体被打开。在基板组被投入到槽内并实施蚀刻处理的期间，盖体被再次关闭。
在回收槽1a等上配置有供给磷酸的磷酸供给部（省略图示）。而且，在处理槽1上配设有用于补充纯水等水的水补充部6a。水补充部6a具备配设在处理槽1的周缘附近的喷嘴、将该喷嘴与供水源连通连接的管道和设置在该管道上的流量调节阀6b。这些相当于本发明的补充单元。
在本实施方式中示出在处理槽1内设置有检测磷酸溶液温度的温度检测单元4的示例。作为温度检测单元4使用利用热电偶等的温度传感器等。温度检测单元4的检测信号传送至温度控制单元5。温度控制单元5根据该检测信号，操作加热单元2、3，以使检测温度接近设定温度。作为此时的控制，可进行PID（比例、积分、微分）控制或ON/OFF控制等。具体来说，例如通过操作加热单元2、3进行控制，以使磷酸溶液的温度进入159~161℃的范围内。
本发明的基板处理装置如图1所示具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元7。如图2或图6所示，该浓度检测单元7具备：透光部151，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部152，向透光部151照射规定波长的光；受光部153，经由透光部151接收来自发光部152的光；第一透镜154，设置在发光部152和透光部151之间，将由发光部152发出的光汇聚在透光部151上；第二透镜155，设置在透光部151和受光部153之间，将由发光部152发出且通过透光部151的光汇聚在受光部153上；以及冷却机构160，冷却第一透镜154或第二透镜155中的至少任一个。
在本实施方式中示出如下的冷却机构160的示例，如图6所示第一透镜154及第二透镜155被保持在第一透镜保持部164及第二透镜保持部165上，并且通过冷却第一透镜保持部164及第二透镜保持部165而间接地冷却第一透镜154及第二透镜155。在本发明中，冷却机构160优选为如此通过第一透镜保持部164或第二透镜保持部165中的至少任一个进行冷却的机构。
作为第一透镜保持部164或第二透镜保持部165的材质，在对其设置冷却机构160的情况下，从导热性的观点来看，优选使用无机材料，更优选使用铝、铜、不锈钢或因瓦合金（镍铁合金）等金属。
在图示的示例中，为了提高冷却效率，第一透镜154及第二透镜155直接由第一透镜保持部164及第二透镜保持部165保持。这是因为当存在橡胶、树脂等导热性差的材料时，透镜的温度容易上升。另外，从提高冷却效率的同时高精度地保持透镜的观点来看，相对于透镜总体的表面积，第一透镜154和第一透镜保持部164优选以5～30%的面积，特别是以10～30%的面积接触。这一点对于第二透镜155和第二透镜保持部165的关系也是同样的。
在第一透镜保持部164及第二透镜保持部165上设置有流路164a、165a，冷却机构160具备向流路164a、165a供给冷却用流体的单元。作为供给冷却用流体的单元，可为简单地供给自来水、离子交换水、纯水等的单元（此时，冷却用流体在使用后被排出至系统外），但也可以设置使被冷却至规定温度以下的液体循环的装置。冷却用流体的温度为降低透镜温度的温度即可，优选为30℃以下，更优选为20℃以下。
作为进行循环的类型的冷却机构160，例示有具备泵等送液单元、循环管道和用于冷却冷却用流体的热交换器（通常是构成冷冻循环的热交换器）的机构。循环管道等连接于第一透镜保持部164的流路连接部164b。对于第二透镜保持部165也是同样的。
在本发明中，使冷却用流体流动的流路164a、165a优选以包围第一透镜154或第二透镜155的周围的全部或一部分的方式设置在第一透镜保持部164或第二透镜保持部165上。在图示的示例中，透镜全周的50%以上被流路164a、165a所包围，但优选为80%以上被流路164a、165a所包围。
此外，在本实施方式中示出，第一透镜保持部164及第二透镜保持部165被基底部161支撑而一体化，该基底部161通过支管1c保持透光部151的示例。基底部161可使用与第一透镜保持部164及第二透镜保持部165相同的材料，但为了阻断来自支管1c的热，优选使用树脂、陶瓷等。在使用金属作为基底部161的情况下，如图示的示例，优选为通过由橡胶、树脂等构成的隔热材料162来保持支管1c的结构。
第一透镜154或第二透镜155优选为不易受到热的影响的材质，例如可举石英、蓝宝石、玻璃等。由石英、蓝宝石、玻璃、透明树脂等构成的池中的任一种均可用作透光部151，优选为石英池。第一透镜154和第二透镜155的聚光程度，根据向测定对象处理液的光照射面积而决定。
在将第一透镜保持部164及第二透镜保持部165固定于基底部161时，可设置用于调节透镜的焦距或焦点位置的固定位置调节机构。同样地，在将透光部151或支管1c保持在基底部161时，可设置用于调节透光部151或支管1c的固定位置的固定位置调节机构。
浓度检测单元7通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度。吸光特性可根据处理液的透射光的强度值而测定，具体来说，向透光部导入测定对象磷酸溶液，使不同波长的光透过透光部，测定透射光的强度值，由强度值计算吸光度，利用吸光度和标准曲线公式，可决定上述磷酸溶液中的酸的浓度。
标准曲线公式可通过将已知浓度的磷酸溶液试样导入透光用池等，使红外线波长区域的不同波长的光透过池等，并测定透射光的强度值，对多个试样重复进行该测定，由上述多个试样的强度值计算吸光度，从而求得作为吸光度与磷酸溶液中的酸浓度之间的标准曲线公式。
进一步，不使用特定池制作标准曲线公式，而通过导入所使用的透光部而制作，从而能够将与透光部固有的性质相关的信息组合于标准曲线，且直接在处理液的循环路径或其支路中测定浓度，从而在不产生时间差或温度差的情况下能够连续检测处理液的浓度。
在本发明中，优选将浓度检测单元7的测定部设置在与处理槽1连接的循环管道1b上，或设置在从该循环管道1b分支的支管1c上设置的透光部151上。在本实施方式中示出浓度检测单元7的测定部设置在从循环管道1b分支的支管1c的透光部151上的示例。
当浓度检测单元7的测定部设置在与处理槽1连接的循环管道1b上或设置在从该循环管道1b分支的支管1c上设置的透光部151上时，能够减少对透光部151的材质的限制等，而且与将试样旁通于浓度测定装置内部的池的情况相比，从测定的时间差和温度差这两个观点来看，能够增加真实性，且能够更加提高在处理槽1的内部循环的处理液的浓度检测精度。由此，能够更加高精度地进行基板的药液处理。
浓度检测装置7例如如图2所示，优选具备：透光用的透光部151，导入测定对象磷酸溶液；光源，照射红外波长区域的光；受光单元，检测通过照射来自光源的光而获得的透射光在不同波长下的光强；存储单元，存储用于表示磷酸溶液中的酸的浓度与吸光度的关系的标准曲线公式；以及浓度计算单元，由上述受光装置输出的光强信号计算吸光度，并基于上述标准曲线公式，由上述吸光度决定磷酸溶液中的酸的浓度。
作为光源使用产生800～1600nm附近波长的红外光的钨灯、卤素灯等灯具100，在测定时使用800～2000nm，更优选为800～1600nm的红外光。之所以使用该波长区域，是因为能够高精度地测定针对磷酸溶液中的水分浓度变化和水分温度变化的吸收量的变化。例如在980nm附近的水的吸收带，针对水分浓度的变化，被观测为其吸收大小的变化，针对水分温度的变化，被观测为吸收峰的位移，因此通过同时测定在980nm附近波长和1100nm附近波长下的吸收特性，可区别水分浓度所引起的吸光特性和水分温度所引起的吸光特性。
由红外线灯100发射的红外线被第一凸镜102汇聚，并通过配置在第一凸镜102的焦点位置的光圈104和干涉过滤器106。旋转圆板108在圆周方向上等角间隔保持多个（例如八个）干涉过滤器106，并由驱动电机110以规定的转速（例如1000rpm）旋转驱动。在此，干涉过滤器106将通过光圈104的红外线分光为上述波长区域内的规定波长的红外线。由干涉过滤器106分光的红外线被第二凸镜112汇聚，并被导入投光用光纤113的入口端。
关于利用光纤的红外线分光装置，在特开平6-11442号公报中有其详细说明。投光用光纤113在光纤113b的出口侧具备投光头113a（相当于发光部152）。而且，受光用光纤114在光纤114b的入口侧具备受光头114a（相当于受光部153）。
透光部151可为连接于管道的流通池，但也可直接使用透光性管道。作为池的材料一般使用的石英在处理液为磷酸时被腐蚀，且由于溶解于处理液中的硅化合物附着而容易污浊，因此，在本发明中优选使用由透光性树脂构成的管道。作为构成这种管道的透光性树脂，从耐药性、耐热性、硅化合物的附着性等观点来看，优选为PFA等氟类树脂。当使用由透光性树脂构成的管道作为透光部151时，由透镜所进行的聚光程度优选为成为池的管道直径的一半左右的直径。
在本发明中，通过将流通池或管道作为透光部151使用，能够以串列方式连续进行浓度测定。照射到透光部151的红外线的一部分被磷酸溶液吸收，残余部分透射透光部151。透射透光部151并被导入受光用光纤114的红外线从受光用光纤114的出口端导出。导出的光被第三凸镜116汇聚，并射入受光元件118。
当通过驱动电机110旋转驱动旋转圆板108时，受光元件118生成与被保持在旋转圆板上的多个干涉过滤器106的透射波长对应的各红外线比例于与磷酸溶液对应的透射度的信号。受光元件118将被射入的红外线转换为与其强度对应的光电流。
被保持在旋转圆板108上的各干涉过滤器106具有与测定对象对应的彼此不同的透射波长。当旋转圆板108旋转时，各干涉过滤器106被依次插入第一凸镜102和第二凸镜112的光轴。并且从红外线灯100发射的红外线被干涉过滤器106分光后，透过透光部151内的试样（一部分被吸收），并被第三凸镜116汇聚后，射入受光元件118。
由此，受光元件118输出与各波长红外线的光强相应的电信号。放大器120放大由受光元件118输出的透光部151的透射光强度信号，A/D转换器122将由放大器120输出的模拟信号转换为数字信号。
接下来，说明数据处理部130的具体结构。数据处理部130从A/D转换器122接收数字信号的透射光强度信号，并由此计算各波长红外线的吸光度。并且，基于计算出的各波长红外线的吸光度和预先存储的标准曲线公式计算磷酸溶液的水或磷酸的浓度。
标准曲线公式通过对已知浓度的多个试样测定多个波长的光的吸光度，并采用包含吸光度和各成分浓度之间的常数项的吸光度的多次多项式，通过多变量分析法预先获得，并保存在存储装置（RAM136）中。
受光元件118所生成的各个信号在由放大器120放大后，由A/D转换器122转换为数字信号，并被输入数据处理部130的微处理器132。数据处理部130例如为具备微处理器132的个人计算机。在微处理器132上连接有用于存储程序等的ROM134、作为工作区域的RAM136、输入数据或各种命令的键盘鼠标等输入装置138及向外部输出信号的输出装置140等。ROM134储存有用于使微处理器132工作的程序等。RAM136存储有标准曲线公式及各种数据。微处理器132由被输入的数字信号计算各波长下的吸光度，并采用标准曲线公式，由计算出的各波长的光的吸光度计算磷酸溶液的浓度。输出装置140为输出数据处理结果的打印机、显示器或数据输出界面等。
图4及图5表示微处理器132的处理流程。首先，当已知浓度试样的测定开始时（S10），与旋转圆板108的旋转同步地从测光系统的A/D转换器122输入多个波长下的光强数据（S12）。并且，由光强数据计算并存储吸光度（S14）。如果有下一个已知浓度的试样（S16中的YES），则重复上述处理。如果没有下一个已知浓度的试样（S16中的NO），则计算吸光度和浓度之间的标准曲线公式（S18），并存储于RAM136（S20）中。
当未知浓度试样的测定开始时（S22），与旋转圆板108的旋转同步地从测光系统的A/D转换器122输入多个波长下的光强数据（S24）。并且，由光强数据计算吸光度（S26）。并且，由吸光度和标准曲线公式计算浓度（S28），并存储于RAM136（S30）中。在此，判断是否测定结束（S32），如果不结束，则返回步骤24，并继续进行浓度测定。
在图4所示的微处理器132的处理中的光强数据的处理方法与在本申请人的特开平6-265471号公报中记载的在近红外线波长区域的分光测定中使用的方法相同。下面说明数据处理的具体内容。
首先，对被输入的光强数字信号，执行基于以下公式（1）的计算处理，并计算吸光度Ai。
[公式1]
Ai=-log10(Ri-Di)/(Bi-Di)
在该公式中，i为被分光的多个红外线波长的序号或编号（例如，1～8），Ri为测定对象磷酸溶液的第i个波长的红外线的透射强度值，Bi为被导入透光部151内的基准浓度的磷酸溶液的第i个波长的红外线的透射强度值，Di为在将透光部151遮光时的第i个波长的红外线的透射强度值。另外，Bi及Di为预先测定的数据，被储存于数据处理装置的RAM136。
接下来，对通过基于公式（1）的计算处理而获得的吸光度Ai进行以下公式（2）的转换。
[公式2]
Si=Ai-Ai+1
进行公式（2）的转换的理由如下。通过公式（1）计算的吸光度Ai由于红外线灯100的发光强度的变动、受光元件11的灵敏度变动或光学系统的变形等而变化。然而，该变化基本上没有波长依赖性，并以相同的相位和相同的水平重叠在关于各波长红外线的各吸光度数据上。因此，如公式（2）所示，可通过获取各波长间的差，抵消该变化。
吸光度Ai由于磷酸溶液本身的温度变动或劣化，并且由于折射率的变动或浊度增加而产生变动，但这些变动可通过公知方法去除。在本发明中，优选根据处理液温度，浓度检测装置7进行检测浓度的温度补偿，但特别优选地，浓度检测装置7通过测定在多个波长下的吸光特性而检测去除因处理液温度引起的误差变动后的浓度。在进行温度补偿时的有关温度的信息，只要将其反映在标准曲线公式中，虽然不特别需要，但可在浓度检测装置7的测定部附近等上另行设置温度检测装置，并利用该装置进行温度补偿。
由浓度检测装置7所获得的与磷酸溶液的检测浓度相关的信号被传送至浓度控制装置8。浓度控制装置8操作补充单元6的流量调节阀6b以调节水的补充量，使得由浓度检测装置7所获得的检测浓度接近设定浓度。具体来说，浓度控制装置8根据磷酸溶液的检测浓度通过PID（比例、积分、微分）控制，操作流量调节阀6b。例如控制为，当处理液的检测浓度超过设定浓度时，补充稀释液，当处理液的检测浓度低于设定浓度时，停止稀释液的补充。
在本发明中，为了管理基板处理装置全体，可设置主控制部。具体来说，主控制部可提供针对温度控制装置5的磷酸溶液设定温度的指令、针对浓度控制装置8的磷酸溶液目标浓度的指令以及磷酸的流量调节阀的操作指令等。
接下来说明基板处理装置的动作。首先，打开磷酸的流量调节阀，向回收槽1a供给磷酸。被供给到回收槽1a的磷酸在通过循环管道1b被运送到处理槽1的期间，被加热单元3加热，被导入处理槽1的磷酸也被加热单元2加热。
通过温度检测装置4检测处理槽1内的磷酸的温度，其信号被传送至温度控制单元5。温度控制单元5针对设定温度160℃，在例如±1℃的范围内进行温度管理。具体来说，当液体温度不到159℃时，继续由加热单元2、3进行加热。当液体温度超过161℃时，停止由加热装置2、3进行的加热，并通过自然冷却降低液体温度。
由浓度检测装置7逐次检测通过循环管道1b和支管1c从处理槽1内导入的处理液的浓度。浓度控制装置8通过PID控制等操作流量调节阀6b向处理槽1补水，使得其检测浓度接近预先设定的目标浓度。该目标浓度被设定为略高于与磷酸溶液的设定温度对应的沸点浓度，或者被设定为高于其浓度的浓度。
在处理槽1内磷酸溶液的检测浓度超过目标浓度范围时，继续补水；在检测浓度低于目标浓度范围时，停止补水。当停止补水时，由于磷酸溶液的加热，磷酸溶液中的水蒸发，磷酸溶液的浓度自然会上升。
当处理槽1内的磷酸溶液进入目标浓度范围并稳定时，被保持在保持臂上的基板组被投入处理槽1内，基板组的蚀刻处理开始。重复执行温度控制及浓度控制，直到经过预定的处理时间为止。经过处理时间后，从槽内引出基板组，并输送至下一个处理槽。
接下来，参照图3说明本发明中的磷酸溶液的温度控制与浓度控制的关系。图3为表示磷酸溶液的浓度及温度与氮化硅膜蚀刻速率的关系的曲线图。在该图中，各温度下的蚀刻速率用实线表示以作为蚀刻速率曲线，并且根据浓度变化而变化的沸点用虚线表示以作为沸点曲线。如该图所示，磷酸溶液的沸点具有随着磷酸溶液的浓度提高而变高的性质。
此外，在本发明中，由于温度控制装置5将磷酸溶液的温度控制为保持恒定，因此氮化硅膜的蚀刻速率对应于浓度变动，沿着各温度下的蚀刻速率曲线移动。在此显示温度为150℃、温度为160℃、温度为170℃的情况。在前面的控制中，由于磷酸溶液的设定温度为160℃，因此可通过改变浓度设定值，沿着所对应的曲线改变蚀刻速率。
此时，可通过使磷酸溶液的浓度的设定值高于设定温度下的沸点，提前防止由于补水而引起的磷酸溶液的突沸。此外，相对于与氮化硅膜同时蚀刻氧化硅膜的技术，能够自由控制氮化硅和氧化硅膜的蚀刻选择比。
[其他实施方式]
本发明不只局限于上述实施方式，可以如下变更实施方式。
（1）在所述实施方式中，示出将冷却机构设置在透镜保持部上，间接进行冷却的示例，但在本发明中，也可直接冷却透镜。在此情况下，可使用冷却用气体来进行。作为冷却用气体，可向透镜供给冷风（低温空气）或低温氮气等，供给用的喷嘴等作为冷却机构设置在透镜附近。
（2）在所述实施方式中，示出将冷却机构设置在透镜保持部上的示例，但也可在基底部上设置冷却机构，或者在透镜保持部和基底部上设置冷却机构。在基底部设置冷却机构时，其材质优选使用金属。作为设置在基底部的冷却机构，可采用与透镜保持部相同的材料。另外，在透镜保持部设置冷却机构时，也可只在第一透镜保持部或第二透镜保持部中的任何一个上设置冷却机构。
（3）在所述实施方式中，示出供给冷却用流体而进行冷却的冷却机构的示例，但也可使用珀耳帖元件等冷却用部件，而不使用冷却用流体进行冷却。在此情况下，冷却用部件可直接设置在透镜的周围部，并且也可设置在透镜保持部。
（4）在所述实施方式中，示出在从连接于处理槽的循环管道分支的支管的透光部上设置浓度检测装置的测定部的示例，但也可在连接于处理槽的循环管道上设置透光部，并设置测定部。
（5）在所述实施方式中，示出采用投光用光纤和受光用光纤而在与浓度检测单元的光学系统隔开的位置上配置浓度检测单元的测定部的示例，但也可将光学系统配置在管道的透光部附近。
（6）在所述实施方式中，示出浓度检测单元通过使用反映温度信息的标准曲线公式，不受处理液温度的影响而进行检测浓度的测定的示例，但浓度控制单元也可根据处理液的温度进行检测浓度的温度补偿。在此情况下，例如预先存储记录有针对在各温度下的检测浓度的补偿值的表格，并使用该表格进行根据检测温度算出补偿值的计算即可。此外，也可利用预先制作的补偿用函数，计算在检测温度下的检测浓度的补偿值。
（7）在所述实施方式中，示出浓度检测单元根据设置测定部的透光部的性质，进行检测浓度的性质补偿的示例，但浓度控制单元也可根据透光部的性质，进行检测浓度的性质补偿。在此情况下，例如预先存储记录有在各材质（材质、厚度等）下针对检测浓度的补偿值的表格，并使用该表格，进行根据性质算出补偿值的计算即可。此外，也可利用预先制作的补偿用函数，计算对各性质的检测浓度的补偿值。
（8）在所述实施方式中，示出温度检测单元通过使用采用热电偶的温度传感器进行检测的示例，但温度检测装置也可利用处理液的吸光特性。在此情况下，可另行设置通过测定处理液的吸光特性而检测处理液温度的温度检测单元，但优选由浓度检测单元兼作温度检测单元。在此情况下，预先测定温度不同的已知浓度的处理液的吸光度并将其加入标准曲线，计算处理液的浓度和温度这两项即可。
[实施例]
为了研究并确认本发明的效果，进行如下的实验。
实验例1（透镜的温度上升对光学特性变化的影响）
采用具有图6所示光学系统的实验装置，在不使用测定用池的情况下，在设定为25℃的恒温室内调查浓度为0%的测定值在从25℃开始的透镜温度的变化下如何变化。光学系统的光轴调节则利用激光以在隔开2m处的轴偏移量为1mm以下的方式进行调节。在测定时，在30℃～50℃内，每次使供给至流路（流量1.9L/分钟）的温水温度改变5℃，并测定此时的透镜温度，同时通过图2所示的装置测定与各温度对应的浓度（%）的变化。将其结果表示在图7中。
如该结果清楚表明，可确认当透镜温度比室温（25℃）高10℃以上时，测定误差变大。因此，为了将透镜或透镜保持部的温度上升所引起的浓度变动控制在0.03wt%以内，优选将透镜的温度上升抑制在15℃以下。
实验例2（透镜保持部的温度上升对光轴变化的影响）
采用可构成图6所示光学系统，进一步对一个透镜保持部具有固定位置调节部（XYZ台）的实验装置，在不使用测定用池的情况下，在设定为25℃的恒温室内调查浓度为0%的测定值在从25℃的温度变化下如何变化。光学系统的光轴调节则利用激光以在隔开2m处基本位置的轴偏移量为1mm以下的方式进行调节。在测定时，从基准位置（XYZ均为0mm的位置），在与光轴垂直的水平方向X（-0.2mm～0.2mm）、高度方向Y（-0.2mm～0.2mm）、与光轴平行的水平方向Z（-1.0mm～12.5mm）上分别调节固定位置，并且通过图2所示的装置测定与各位置对应的浓度（%）的变化。将其结果表示在图8中。
从该结果明确以下事实。若要使由于光轴从基准位置偏移而引起的浓度变动达到0.02wt％，需要使光轴的偏移在XY平面内有0.2mm以上。当透镜保持部的高度（Y方向）为10cm，铝的线膨胀系数为（23×10-6[1/℃]）时，每1℃的变动为0.0023mm/℃，要产生上述浓度变动，需要使温度上升85℃以上。由此可判断，与光轴偏移相比，需要控制的误差主要因素是透镜的温度特性。
实验例3（冷却水对冷却的影响）
采用具有图6所示光学系统的实验装置，并使用测定用石英池，边使温度为120℃、浓度为67.80wt%的磷酸水溶液流通（流量为1.5L/分钟），边调查浓度测定值在有无冷却水时如何变化。光学系统的光轴调节利用激光以在隔开2m处的轴偏移量为1mm以下的方式进行调节。在测定时，连续测定各部分的温度，并采用图2所示装置测定在各时间的浓度（%）的变化。将其结果表示在图9中。在此，图中的点表示浓度的测定值。作为各部分的温度，示出第一透镜保持部164的内侧（池侧）和外侧（光纤侧）、基底部161的池保持部分和池出口部的测定值。
如该结果清楚表明地，通过停止冷却水，透镜温度上升25℃左右，由此确认到浓度变化了0.2wt%左右。此外，当重新启动水冷时，可确认浓度几乎返回到原来的值。因此，可知透镜的冷却在抑制因温度变化引起的测定误差上是重要的。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，具备：
处理槽，储存由磷酸和稀释液混合而成的处理液，在该处理液中浸渍基板以进行处理；
加热单元，加热处理液；
补充单元，对处理液补充稀释液；
浓度检测单元，通过测定处理液的吸光特性来检测处理液的浓度；和
浓度控制单元，操作所述补充单元，使得由该浓度检测单元检测出的检测浓度接近设定浓度，
所述浓度检测单元具备：
透光部，将所述处理液导入内部，并使所述处理液在内部流通；
发光部，向所述透光部照射规定波长的光；
受光部，经由所述透光部接收来自所述发光部的光；
第一透镜，设置在所述发光部和所述透光部之间，将由所述发光部发出的光汇聚于所述透光部；
第二透镜，设置在所述透光部和所述受光部之间，将由所述发光部发出且通过所述透光部的光汇聚于所述受光部；和
冷却机构，冷却所述第一透镜或所述第二透镜中的至少任一个，
所述基板处理装置进一步具备保持所述第一透镜的第一透镜保持部和保持所述第二透镜的第二透镜保持部，并且所述冷却机构通过所述第一透镜保持部或所述第二透镜保持部中的至少任一个进行所述冷却。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述冷却机构具备设置在所述第一透镜保持部或所述第二透镜保持部上的流路和向该流路供给冷却用流体的单元。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，所述流路以包围所述第一透镜或所述第二透镜周围的全部或一部分的方式设置在所述第一透镜保持部或所述第二透镜保持部上。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，具备支撑所述第一透镜保持部和所述第二透镜保持部的基底部，且在该基底部设置有冷却机构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，进一步具备：温度检测单元，检测所述处理液的温度；和温度控制单元，操作所述加热单元，使得由该温度检测单元检测出的检测温度接近设定温度。
CN201210311001.9A 2011-08-31 2012-08-28 基板处理装置 Active CN102969257B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-189159 2011-08-31
JP2011189159A JP5752530B2 (ja) 2011-08-31 2011-08-31 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102969257A CN102969257A (zh) 2013-03-13
CN102969257B true CN102969257B (zh) 2015-07-29

Family

ID=47741924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210311001.9A Active CN102969257B (zh) 2011-08-31 2012-08-28 基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10153182B2 (zh)
JP (1) JP5752530B2 (zh)
KR (1) KR101393143B1 (zh)
CN (1) CN102969257B (zh)
TW (1) TWI543249B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5180263B2 (ja) * 2010-07-23 2013-04-10 倉敷紡績株式会社 基板処理装置
TWI578396B (zh) * 2013-12-11 2017-04-11 斯克林集團公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP6412734B2 (ja) * 2014-08-19 2018-10-24 アプリシアテクノロジー株式会社 珪素濃度測定装置、半導体用エッチング処理装置、及び珪素濃度測定方法
JP6319193B2 (ja) * 2015-06-03 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6613063B2 (ja) * 2015-07-07 2019-11-27 大塚電子株式会社 光学特性測定システム
CN105742213B (zh) * 2016-03-07 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法
JP6751326B2 (ja) * 2016-09-16 2020-09-02 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2018056469A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11869780B2 (en) * 2017-09-11 2024-01-09 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus
JP6735718B2 (ja) * 2017-09-28 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
JP7224117B2 (ja) * 2018-06-15 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液再利用方法
JP6767442B2 (ja) * 2018-08-24 2020-10-14 株式会社東芝 測定器、エッチングシステム、シリコン濃度測定方法、及びシリコン濃度測定プログラム
CN110132882A (zh) * 2019-05-13 2019-08-16 长江存储科技有限责任公司 湿法刻蚀药液成分检测装置及方法
KR102338512B1 (ko) * 2019-10-30 2021-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200741366A (en) * 2006-04-24 2007-11-01 Nikon Corp Cooling device for an optical element, and an exposure device
TW201044130A (en) * 2009-02-12 2010-12-16 Kurashiki Boseki Kk Method and device for controlling fluid

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0540035A3 (en) * 1991-10-31 1993-12-01 Hughes Aircraft Co Sensor for monitoring solutes in a liquid stream
WO1999033603A1 (fr) * 1997-12-26 1999-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage au laser
JPH11200072A (ja) 1998-01-14 1999-07-27 Texas Instr Japan Ltd 半導体処理用リン酸浴の濃度制御方法と装置
JP2000187143A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 冷却式レンズホルダ
WO2001053803A1 (fr) * 2000-01-17 2001-07-26 Norihiro Kiuchi Procede de detection de concentrations dans un liquide et dispositif a cet effet
JP2002334865A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Casio Comput Co Ltd 薬液処理装置およびそれを用いたデバイスの製造方法
JP3957173B2 (ja) 2002-06-20 2007-08-15 Ｔｄｋ株式会社 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
JP4001575B2 (ja) * 2002-12-26 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20040140365A1 (en) 2002-12-26 2004-07-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP2004214243A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Toshiba Corp 半導体ウェーハのエッチング方法及びエッチング装置
JP4027288B2 (ja) * 2003-08-25 2007-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005079212A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
JP4455043B2 (ja) * 2003-12-24 2010-04-21 倉敷紡績株式会社 酸溶液の再生のためのシステム
KR20060048937A (ko) * 2004-08-03 2006-05-18 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 레이저 결정화 장치
JP2009058306A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Kurabo Ind Ltd 液体中の溶存無機物質濃度測定方法及び測定装置、並びに、当該溶存無機物質濃度測定装置を備えたエッチング液再生システム
JP5180263B2 (ja) * 2010-07-23 2013-04-10 倉敷紡績株式会社 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200741366A (en) * 2006-04-24 2007-11-01 Nikon Corp Cooling device for an optical element, and an exposure device
TW201044130A (en) * 2009-02-12 2010-12-16 Kurashiki Boseki Kk Method and device for controlling fluid

Also Published As

Publication number Publication date
US10153182B2 (en) 2018-12-11
CN102969257A (zh) 2013-03-13
US20130048215A1 (en) 2013-02-28
KR20130024776A (ko) 2013-03-08
TW201312648A (zh) 2013-03-16
TWI543249B (zh) 2016-07-21
KR101393143B1 (ko) 2014-05-08
JP2013051334A (ja) 2013-03-14
JP5752530B2 (ja) 2015-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102969257B (zh) 基板处理装置
CN103155113B (zh) 基板处理装置
JP4937513B2 (ja) 基板処理チャンバーにおいて迷光を減少させる装置と方法
TWI515416B (zh) 檢測溫度的裝置和方法以及用於處理基板的裝置
US6034357A (en) Apparatus and process for measuring the temperature of semiconductor wafers in the presence of radiation absorbing gases
CN1311226C (zh) 用于实时测定加工过程中工件的原位发射率的系统和方法
EP0942268A1 (en) Apparatus and method for determining the temperature of an object in thermal processing chambers
CN101855708B (zh) 热处理装置
KR20020000773A (ko) 열처리 챔버내에서 온도를 측정하는 방법
TW201340212A (zh) 熱處理裝置
TWI746736B (zh) 光處理裝置、塗布顯影裝置、光處理方法及記錄媒體
CN108400099B (zh) 一种氮化物外延生长过程中薄膜纵向温度场的测量装置及方法
JPH03116828A (ja) 半導体ウエハの熱処理装置
KR102628236B1 (ko) 센서 시스템
KR102440845B1 (ko) 노광 장치, 노광 장치의 조정 방법 및 기억 매체
SE515480C2 (sv) Metod och anordning för att mäta förlusteffekten i ett fiberoptiskt kontaktdon
CN106198280A (zh) 高温维氏硬度计
KR102024097B1 (ko) 온도 조절부가 구비된 야외용 tdlas 멀티패스 셀
CN110361940A (zh) 在线优化涂胶显影机热板温度的方法
JP2006278628A (ja) 基板処理装置
JP3884173B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN109643679A (zh) 具有集成净化气体预热器的用于光学组件的炉箱外壳
JPH0878380A (ja) 濃度制御方法及びこれを利用した基板処理装置
JP2022076258A (ja) 温度測定方法、温度測定装置及び光加熱装置
KR20140042705A (ko) 온도 측정 기구 및 온도 측정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant