JP2013047315A

JP2013047315A - 炭素クラスター構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機デバイス

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Publication number: JP2013047315A
Application number: JP2011280111A
Authority: JP
Inventors: Shinya Tanaka; 慎也田中; Motoaki Usui; 元章臼井; Genki Otsuka; 玄樹大塚; Ken Yoshimura; 研吉村
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2010-12-21
Filing date: 2011-12-21
Publication date: 2013-03-07
Anticipated expiration: 2031-12-21
Also published as: WO2012086672A1; US9269905B2; KR20140000301A; CN103270076B; US20130270545A1; TW201241035A; CN103270076A; TWI518106B; KR101815339B1; JP5883639B2

Abstract

【課題】有機デバイスに好適に応用可能な高分子化合物を提供する。
【解決手段】繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する高分子化合物。
【選択図】なし

Description

本発明は、炭素クラスター構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機デバイスに関する。より詳細には、炭素クラスター構造を有する高分子化合物、並びにそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）、太陽電池等の光電変換素子及び有機薄膜トランジスタに関する。

有機ＥＬ素子は、材料自らが光る自発光性の素子であり、そのためコントラスト比や視野角、応答速度等が液晶表示素子と比較して優れている。また、有機ＥＬ素子は、薄膜化が容易であることから、液晶表示素子に代わる次世代のディスプレイ用の素子として近年注目されている。

有機ＥＬ素子に用いられる材料は、低分子系材料と高分子系材料の２種類に大別される。高分子系材料を用いた場合、塗布法を用いて有機ＥＬ素子を作製することができるため、低分子系材料を用いた場合よりも有機ＥＬ素子の作製が比較的容易であるという利点がある。このため、近年高分子系材料として種々の高分子化合物、例えば、構成単位として、フェニレン基とフルオレンジイル基とを有する高分子化合物が提案されている（例えば、非特許文献１）。

また、近年、地球温暖化防止のため、大気中に放出される二酸化炭素の削減が求められている。例えば、家屋の屋根にｐｎ接合型のシリコン系太陽電池等を用いるソーラーシステムを設置することが提唱されているが、上記シリコン系太陽電池に用いられる単結晶シリコン、多結晶シリコン及びアモルファスシリコンは、その製造過程において高温、高真空条件が必要である。一方、光電変換素子の一態様である有機薄膜太陽電池は、シリコン系太陽電池の製造に用いられる高温、高真空プロセスを省略でき、塗布プロセスのみで安価に製造できる可能性があり、近年注目されている。

有機薄膜太陽電池としては、繰り返し単位（Ａ）及び繰り返し単位（Ｂ）からなる高分子化合物と、電子輸送性材料としてのフラーレン誘導体とを含む組成物を有機層に含有する有機薄膜太陽電池が知られている（特許文献１）。

特表２００９−５０６５１９号公報

ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０００年，１２巻，ｐｐ．１７３７−１７５０

しかし、上述の高分子系材料は、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命や、得られる光電変換素子の短絡電流密度及び光電変換効率が十分ではない等、有機デバイスに用いた場合の特性が十分とは言い難かった。

このように、有機ＥＬ素子、光電変換素子等の有機デバイスに好適に使用可能な高分子化合物が求められている。

そこで、本発明は、有機デバイスに好適に応用可能な高分子化合物を提供することを目的とする。より具体的には、高分子系材料として有機ＥＬ素子の製造に用いた場合に、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命が優れる高分子化合物を提供することを目的とする。また、高分子系材料として光電変換素子の製造に用いた場合に、得られる光電変換素子の短絡電流密度及び光電変換効率が優れる高分子化合物を提供することを目的とする。

本発明の高分子化合物は、繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有するものであり、有機ＥＬ素子、光電変換素子等の用途に好適に用いることができる。以下、有機ＥＬ素子の用途に好適に用いられる態様、光電変換素子の用途に好適に用いられる態様のそれぞれについて、順に説明する。

まず、有機ＥＬ素子の用途に好適に用いられる態様について以下説明する。
本発明は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上を繰り返し単位として有し、前記繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する高分子化合物を提供する。

本発明の高分子化合物は上記構成を有するため、高分子系材料として有機ＥＬ素子の製造に用いた場合に、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命が優れたものとなる。

上記高分子化合物は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位及び複素環単位からなる群より選ばれる１種以上の単位と、芳香族アミン単位と、を繰り返し単位として有することが好ましい。これにより、有機ＥＬ素子の輝度寿命がより一層優れたものとなる。

上記高分子化合物は、芳香族アミン単位が、下記一般式（２）で表される単位及び一般式（３）で表される単位からなる群より選ばれる１種以上であることが好ましい。

［一般式（２）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。ｃは０又は１を示す。］

［一般式（３）中、Ｒ^７は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。］

上記高分子化合物は、アリーレン単位が、フェニレン構造又はフルオレン構造を有する単位であることが好ましく、フルオレン構造を有する単位であることがより好ましい。また、上記高分子化合物は、共役系高分子であることが好ましい。

上記高分子化合物は、上記炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位が、下記一般式（５Ａ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

［一般式（５Ａ）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、Ｃ_１〜Ｃ_２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、Ｃ_６〜Ｃ_２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数を示す。Ｗは、炭素原子を含む２価の基又はケイ素原子を示す。Ｚは、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれるヘテロ原子又は炭素原子を示す。ｐは０〜１２の整数、ｑは０又は１を示す。ここで、ｐが０のとき、ｑは１であり、かつ、Ｗはケイ素原子である。ｐが１のとき、Ｚは炭素原子である。ｐが２以上のとき、複数存在するＺの少なくとも１つはヘテロ原子であってもよく、隣り合う炭素原子間の結合は単結合又は不飽和結合であり、Ｗとしての、炭素原子を含む２価の基は、Ｚを含む環と一緒になって環を形成していてもよい。なお、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｗ、Ｚ、ｐ、ｑ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。］

上記炭素クラスター構造は、フラーレンを含む構造であることが好ましい。また、上記フラーレンとしては、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０及びフラーレンＣ８４が例示され、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０が好ましく、フラーレン６０がより好ましい。

上記炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、下記一般式（６）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

［一般式（６）中、Ｙは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｙ及びＲ_ｚは、それぞれ独立に、単結合、Ｃ_１〜Ｃ_２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、Ｃ_６〜Ｃ_２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^１０は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の１価の複素環基又は架橋性基を示す。ｔは１又は２を示す。Ｒ_ｙ、Ｒ_ｚ及びＹが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。］

本発明はまた、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上を繰り返し単位として有し、前記繰り返し単位の少なくとも一部が架橋性基を含有する前駆体高分子化合物と、炭素クラスターと、を反応させることにより得ることのできる高分子化合物を提供する。このようにして得られる高分子化合物は、高分子系材料として有機ＥＬ素子の製造に用いた場合に、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命が優れたものとなる。

上記架橋性基を含有する繰り返し単位は、下記一般式（７）で表される単位であることが好ましい。

［一般式（７）中、Ｒ^１１は、架橋性基を示す。Ｒ^１２は、水素原子、架橋性基、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示す。］

本発明はまた、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる１種以上の材料（通常、固形分である。）と、上記高分子化合物と、を含有する組成物（通常、固形分である。）を提供する。上記組成物は、有機ＥＬ素子の高分子材料として好適な上記高分子化合物を含有するため、例えば、有機ＥＬ素子の発光層、電荷輸送層又は電荷注入層の製造に用いることができ、製造効率を向上させることができる。

本発明はまた、上記高分子化合物又は上記組成物と、溶媒とを含有する溶液を提供する。上記溶液は、塗布することにより、有機ＥＬ素子の高分子材料として好適な上記高分子化合物又は上記組成物を含む薄膜を積層・成膜させることができるため、製造上非常に有利である。したがって、本発明は更に、有機ＥＬ素子の高分子材料として好適な上記高分子化合物又は組成物を用いて得られる薄膜も提供する。

本発明はまた、上記薄膜を有する有機ＥＬ素子を提供する。本発明の有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子の高分子材料として好適な上記高分子化合物又は上記組成物を用いているため、輝度寿命に優れている。上記有機ＥＬ素子は、上記薄膜が正孔輸送層として使用されることが好ましい。これにより、より一層輝度寿命に優れる。

本発明は更に上記有機ＥＬ素子を有する面状光源及び表示装置を提供する。

次に、光電変換素子の用途に好適に用いられる態様について以下説明する。

本発明は、アリーレン単位及びヘテロアリーレン単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を繰り返し単位として有し、前記繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する高分子化合物を提供する。

本発明の高分子化合物はこのような構成を有するため、高分子系材料として光電変換素子の製造に用いた場合に、得られる光電変換素子の短絡電流密度及び光電変換効率が優れたものとなる。

上記炭素クラスター構造を含む基は、フラーレンＣ６０の誘導体から水素原子を１個除いた基、フラーレンＣ７０の誘導体から水素原子を１個除いた基、又はフラーレンＣ８４の誘導体から水素原子を１個除いた基であることが好ましい。これにより、光電変換素子の短絡電流密度及び光電変換効率がより一層優れたものとなる。

上記炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、高分子化合物に含まれる全繰り返し単位の合計に対して、５モル％以上１００モル％以下であることが好ましい。

本発明はまた、第１の化合物と、該第１の化合物とは異なる第２の化合物とを含有し、上記第１の化合物が、上記高分子化合物であり、上記第２の化合物が、フラーレン若しくはフラーレン誘導体、又は、光吸収末端波長が５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である高分子化合物であり、上記第２の化合物の含有量が、全量を基準として、０．１質量％〜９９質量％である光電変換組成物（通常、固形分である。）を提供する。上記光電変換組成物は、光電変換素子の高分子材料として好適な上記高分子化合物を含有するため、光電変換素子の製造に好適に用いることができる。

本発明はまた、一対の電極と、該電極間に少なくとも１層の活性層とを有し、上記活性層に、上記高分子化合物又は上記光電変換組成物を含有する光電変換素子を提供する。上記光電変換素子は、光電変換素子の高分子材料として好適な上記高分子化合物を含有するため、短絡電流密度及び光電変換効率に優れる。

本発明はまた、上記光電変換素子を有する太陽電池及びそれを含む太陽電池モジュール、並びに上記光電変換素子を有するイメージセンサーを提供する。

本発明はまた、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層中に上記高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタも提供する。

本発明の高分子化合物は、有機ＥＬ素子の製造に用いた場合に、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命が優れたものとなる高分子化合物であり、例えば、発光材料、電荷輸送材料等の有機ＥＬ素子用の材料として有用である。したがって、本発明の高分子化合物及び有機ＥＬ素子は、液晶ディスプレイのバックライト、照明用としての曲面状や平面状の光源（面状光源）、セグメントタイプ表示装置、ドットマトリックス表示装置等の表示装置等に有用である。

また、本発明の高分子化合物は、光電変換素子の製造に用いた場合に、得られる光電変換素子の短絡電流密度及び光電変換効率が優れたものとなる高分子化合物である。したがって、太陽電池（特に、有機薄膜太陽電池）、太陽電池モジュール、有機イメージセンサー、有機トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）等の材料として有用である。

有機ＥＬ素子（構成ｐ）の模式断面図である。有機ＥＬ素子（構成ｈ）の模式断面図である。面状光源の模式断面図である。有機薄膜太陽電池の模式断面図である。有機薄膜トランジスタの模式断面図である。

まず、本発明の高分子化合物を用いた有機ＥＬの実施形態（以下、「発光素子形態」ともいう。）について詳細に説明する。

〔用語の説明〕
以下、本発光素子形態において共通して用いられる用語について、必要に応じて具体例を挙げて説明する。

「単位」とは、高分子化合物を縮合重合により合成する際、縮合重合に供した化合物に由来する基を意味する。

「アリーレン単位」とは、縮合重合に供した化合物に由来する基が、非置換若しくは置換のアリーレン基である単位を意味する。炭素クラスター構造を含む基又は架橋性基を有する場合がある。

「複素環単位」とは、縮合重合に供した化合物に由来する基が、非置換若しくは置換の２価の複素環基である単位を意味する。炭素クラスター構造を含む基又は架橋性基を有する場合がある。

「ヘテロアリーレン単位」とは、縮合重合に供した化合物に由来する基が、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基である単位を意味する。炭素クラスター構造を含む基又は架橋性基を有する場合がある。

「芳香族アミン単位」とは、縮合重合に供した化合物に由来する基が、非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基である単位を意味する。炭素クラスター構造を含む基又は架橋性基を有する場合がある。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「繰り返し単位」とは、高分子化合物中に２個以上存在する単位を意味する。

「２価の複素環基」とは、芳香族性を有しない複素環式化合物（即ち、後述の芳香族性を有する複素環式化合物以外の複素環式化合物）から２個の水素原子を除いてなる原子団を意味する。ここで、「２価の複素環基」は置換基を有していてもよい。「２価の複素環基」における「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を含む化合物を意味する。

「ヘテロアリーレン基」とは、芳香族性を有する複素環式化合物から２個の水素原子を除いてなる原子団を意味する。ここで、「ヘテロアリーレン基」は置換基を有していてもよい。「ヘテロアリーレン基」における「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を含む化合物を意味する。

「アリーレン基」とは、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いてなる原子団を意味する。ここで、「アリーレン基」は置換基を有していてもよい。

「２価の芳香族アミン残基」とは、芳香族アミン化合物から水素原子２個を除いてなる原子団を意味する。ここで、「２価の芳香族アミン残基」は置換基を有していてもよい。

「ヘテロアリーリジン基」とは、芳香族性を有する複素環式化合物から３個の水素原子を除いてなる原子団を意味する。

「アリーリジン基」とは、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子３個を除いてなる原子団を意味する。

「炭素クラスター」とは、最小の構造が数個から数千個程度の炭素原子で構成される分子を意味する。例えば、球殻構造のフラーレン分子や円筒状のカーボンナノチューブ、カーボンナノホーンが挙げられる。

「炭素クラスター構造」とは、炭素クラスターから誘導される構造を意味する。

「架橋性基」とは、ディールスアルダー反応、Ｂｉｎｇｅｌ−Ｈｉｒｓｈ反応等により、炭素クラスターと結合することのできる官能基を含む基を意味する。

「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」（ｘ、ｙはｘ＜ｙを満たす正の整数である。）という用語は、この用語の直後に記載された官能基名に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。すなわち、「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」の直後に記載された有機基が、複数の官能基名を組み合わせて命名された有機基（例えば、Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙアルコキシフェニル基）である場合、複数の官能基名のうち「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」の直後に記載された官能基名（例えば、アルコキシ）に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。例えば、「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基」は炭素原子数が１〜１２個であるアルキル基を意味し、「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基」は「炭素原子数が１〜１２個であるアルコキシ基」を有するフェニル基を意味する。

「非置換若しくは置換の」とは、その直後に記載された基が置換基を有していてもよいことを意味する。例えば、「非置換若しくは置換のアリーレン基」とは、「置換基を有しないアリーレン基又は置換基を有するアリーレン基」を意味する。

置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。以下、「置換基」というときは、特記しない限り、同様のものを例示できる。また、これらの置換基は、更に「置換基」を有する場合がある。

置換基であるアルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基及び環状アルキル基（シクロアルキル基）のいずれであってもよい。また、アルキル基における水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。

置換基であるアルコキシ基は、直鎖状アルコキシ基、分岐状アルコキシ基及び環状アルコキシ基（シクロアルコキシ基）のいずれであってもよい。また、アルコキシ基におけるアルキル基部分としては、上記アルキル基として例示したものと同様の基が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられる。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。

置換基であるアルキルチオ基は、直鎖状アルキルチオ基、分子鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基（シクロアルキルチオ基）のいずれであってもよい。また、アルキルチオ基におけるアルキル基部分としては、上記アルキル基として例示したものと同様の基が挙げられる。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。

置換基であるアリール基とは、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いてなる原子団を意味する。アリール基としては、縮合環を有する基、独立したベンゼン環又は縮合環が２個以上単結合した基を含む。また、アリール基は上記のアルキル基、アルコキシ基等でさらに置換されていてもよい。アリール基としては、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、２−フルオレニル基、ペンタフルオロフェニル基、ビフェニリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシビフェニリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルビフェニリル基等が挙げられる。

置換基であるアリールオキシ基におけるアリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。

置換基であるアリールチオ基におけるアリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。

置換基であるアルケニル基は、直鎖状アルケニル基、分岐状アルケニル基及び環状アルケニル基のいずれであってもよい。アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。

置換基であるアルキニル基は、直鎖状アルキニル基、分岐状アルキニル基及び環状アルキニル基のいずれであってもよい。アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基等が挙げられる。

置換基であるアミノ基は、−ＮＨ_２で表される基のほか、１又は２個の水素原子が置換基で置換されたアミノ基（以下「置換アミノ基」ともいう。）も含む。置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ビス（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルアミノ基、ビス（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジニルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基等が挙げられる。

置換基であるシリル基は、−ＳｉＨ_３で表される基のほか、１〜３個の水素原子が置換基で置換されたシリル基（以下「置換シリル基」ともいう。）も含む。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。

置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

置換基であるアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。

置換基であるアシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

置換基である１価の複素環基とは、複素環式化合物（特には、芳香族性を有する複素環式化合物）から１個の水素原子を除いてなる原子団を意味する。「１価の複素環基」における「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を含む化合物を意味する。また、１価の複素環基は上記のアルキル基、アルコキシ基等でさらに置換されていてもよい。１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。

置換基である１価の複素環チオ基とは、メルカプト基の水素原子が１価の複素環基で置換された基を意味する。１価の複素環チオ基としては、例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジニルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等のヘテロアリールチオ基等が挙げられる。

置換基であるイミン残基は、一般式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^Ｙ１）_２又は一般式：Ｈ−ＣＲ^Ｘ１＝Ｎ−Ｒ^Ｙ１の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。一般式中、Ｒ^Ｘ１は水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示し、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示す。但し、Ｒ^Ｙ１が２個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、また、２個のＲ^Ｙ１は相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン又はアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基が挙げられる。

置換基であるアミド化合物残基は、一般式：Ｈ−ＮＲ^Ｘ２−ＣＯＲ^Ｙ２又は一般式：Ｈ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^Ｙ２）_２の少なくとも一方で表される構造を有するアミド化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。式中、Ｒ^Ｘ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示し、Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示す。アミド化合物残基としては、ホルムアミド残基、アセトアミド残基、プロピオアミド残基、ブチロアミド残基、ベンズアミド残基、トリフルオロアセトアミド残基、ペンタフルオロベンズアミド残基、ジホルムアミド残基、ジアセトアミド残基、ジプロピオアミド残基、ジブチロアミド残基、ジベンズアミド残基、ジトリフルオロアセトアミド残基、ジペンタフルオロベンズアミド残基等が挙げられる。

置換基である酸イミド残基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子１個を除いて得られる残基を意味する。酸イミド残基としては、例えば、以下に示す基が挙げられる。

置換基であるアルコキシカルボニル基は、一般式：Ｒ^Ｘ３ＯＣＯ−で表される基である。式中、Ｒ^Ｘ３は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示す。アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基等が挙げられる。

〔発光素子形態に係る高分子化合物〕
本発光素子形態に係る高分子化合物は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上を繰り返し単位として有し、前記繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する。

また、本発光素子形態に係る高分子化合物は、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命が優れるので、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位及び複素環単位からなる群より選ばれる１種以上の単位と、芳香族アミン単位と、を繰り返し単位として有することが好ましい。

＜ヘテロアリーレン単位＞
ヘテロアリーレン単位中のヘテロアリーレン基は、前述のとおりである。

ヘテロアリーレン単位中のヘテロアリーレン基としては、例えば、ピリジレン基、チアゾレン基、オキサゾレン基、ピリミジレン基、ピローレン基、ピラゾレン基、イミダゾレン基、フリーレン基、チエニレン基、チオフェン基が挙げられる。また、ピリジレン基、チアゾレン基、オキサゾレン基、ピリミジレン基、ピローレン基、ピラゾレン基、イミダゾレン基、フリーレン基が好ましい。

＜複素環単位＞
複素環単位中の２価の複素環基は、前述のとおりである。

＜芳香族アミン単位＞
芳香族アミン単位中の２価の芳香族アミン残基は、前述のとおりである。

芳香族アミン単位中の２価の芳香族アミン残基は、下記一般式（２）又は一般式（３）で表される基が好ましい。

一般式（２）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、非置換若しくは置換のアリール基が好ましい。ｃは０又は１である。

一般式（３）中、Ｒ^７は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、非置換若しくは置換のアリール基が好ましい。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される非置換若しくは置換のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８であり、更に好ましくは６〜１０であり、特に好ましくは６である。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される非置換のアリーレン基としては、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基等のフェニレン基；１，４−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基等のナフタレンジイル基；９，１０−アントラセンジイル基等のアントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基等のフェナントレンジイル基；５，１２−ナフタセンジイル基等のナフタセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基等のフルオレンジイル基；３，８−ペリレンジイル基等のペリレンジイル基、２，８−クリセンジイル基、６，１２−クリセンジイル基等のクリセンジイル基が挙げられる。Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３で示される置換のアリーレン基としては、置換基を有する上述の各基が挙げられる。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９であり、更に好ましくは４又は５である。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される非置換のヘテロアリーレン基としては、Ｎ−メチル−２，５−ピロールジイル基等のピロールジイル基；２，５−フランジイル基等のフランジイル基；２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基等のピリジンジイル基；２，４−キノリンジイル基、２，６−キノリンジイル基等のキノリンジイル基；１，４−イソキノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基等のイソキノリンジイル基；３，６−カルバゾールジイル基等のカルバゾールジイル基が挙げられる。Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３で示される置換のヘテロアリーレン基としては、置換基を有する上述の各基が挙げられる。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される非置換若しくは置換の２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９であり、更に好ましくは４又は５である。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される非置換の２価の複素環基としては、３，７−フェノキサジンジイル基等のフェノキサジンジイル基等が挙げられる。Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３で示される置換の２価の複素環基としては、置換基を有する上述の各基が挙げられる。

Ａｒ^１及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示すが、好ましくは、非置換若しくは置換のアリーレン基であり、より好ましくは、非置換若しくは置換の１，３−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の２，６−ナフタレンジイル基であり、更に好ましくは、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基又は非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基であり、特に好ましくは、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基である。

Ａｒ^２は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示すが、好ましくは、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基であり、より好ましくは、非置換若しくは置換の１，３−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基であり、更に好ましくは、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基であり、特に好ましくは、非置換の１，４−フェニレン基、置換の２，７−フルオレンジイル基で表される基である。

Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で示される基が有し得る置換基としては、好ましくは、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換の１価の複素環基、非置換若しくは置換のシリル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基であり、より好ましくは、非置換のアルキル基、非置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基であり、更に好ましくは、非置換のアルキル基である。

上記一般式（２）中、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換のアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素原子数が通常１〜２０であり、好ましくは１〜１５であり、より好ましくは１〜１０であり、更に好ましくは１〜８であり、特に好ましくは１〜６である。

Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命とのバランスが優れるので、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましく、メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基がより好ましく、メチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基が更に好ましい。

Ｒ^５及びＲ^６で示される置換のアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、その炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１５であり、より好ましくは１〜１０である。

Ｒ^５及びＲ^６で示される置換のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等のハロゲン原子で置換されたアルキル基、フェニルメチル基、４−（４−ヘキシルフェニル）ブチル基等のアリール基で置換されたアルキル基、エチルオキシメチル基、エチルオキシエチル基等のアルコキシ基で置換されたアルキル基等が挙げられる。

Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜２０であり、更に好ましくは６〜１０である。

Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ペリレニル基、３−ペリレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、１−ビフェニレニル基、２−ビフェニレニル基、２−フェナンスレニル基、９−フェナンスレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と耐熱性とのバランスが良好であるので、フェニル基が好ましい。置換のアリール基としては、上述の各基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アシル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、シアノ基、ニトロ基、塩素原子、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と耐熱性とのバランスが良好であるので、アルキル基で置換されたフェニル基が好ましい。

アルキル基で置換されたフェニル基としては、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３−ｎ−ヘキシル−５−メチルフェニル基、３，５−ジヘキシルフェニル基等が挙げられる。

Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換の１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０である。

Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換の１価の複素環基としては、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、トリアジニル基が挙げられ、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、トリアジニル基が好ましく、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基がより好ましい。置換の１価の複素環基としては、上述の各基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられ、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基及びトリアジニル基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基で置換された基が好ましく、ピリジル基、ピリミジル基及びトリアジニル基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基で置換された基がより好ましい。

上記一般式（２）中、ｃは０又は１であり、好ましくは１である。

上記一般式（２）で表される２価の芳香族アミン残基としては、得られる有機ＥＬ素子の輝度寿命がより一層優れるので、下記一般式（２Ａ）で表される基が好ましい。

上記一般式（２Ａ）中、Ａｒ^４は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。これらの基には、２個の芳香環が単結合で連結した非置換若しくは置換の２価の基も含まれる。好ましくは、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基であり、より好ましくは、非置換若しくは置換の１，３−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基、非置換若しくは置換の９，１０−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の２，６−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の２，８−クリセンジイル基、非置換若しくは置換の３，６−クリセンジイル基であり、更に好ましくは、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基、非置換若しくは置換の９，１０−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の２，６−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の２，８−クリセンジイル基、非置換若しくは置換の３，６−クリセンジイル基であり、特に好ましくは、非置換の１，４−フェニレン基、置換の２，７−フルオレンジイル基である。

上記一般式（２Ａ）中、Ｒ^５Ａ及びＲ^５Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換の１価の複素環基、非置換若しくは置換のシリル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基又はシアノ基を示す。Ｒ^５Ａ及びＲ^５Ｂは複数存在する場合、各々、同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基であり、更に好ましくは、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基である。

Ｒ^５Ａ及びＲ^５Ｂで示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換の１価の複素環基、非置換若しくは置換のシリル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基としては、それぞれ、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換の１価の複素環基、非置換若しくは置換のシリル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基として説明したものを使用できる。

Ｒ^５Ａ及びＲ^５Ｂで示される非置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と耐熱性とのバランスが良好であるので、ｎ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、２−エトキシエチルオキシ基が好ましい。置換のアルコキシ基としては、置換基を有する上述の各基が挙げられる。

上記一般式（２Ａ）中、ｄは０又は１であり、好ましくは１である。

上記一般式（２Ａ）中、ｅ及びｆは、それぞれ独立に、０〜５の整数を示し、好ましくは１〜３の整数を示し、より好ましくは１又は３を示す。

上記一般式（２Ａ）で表される２価の芳香族アミン残基の例としては、以下の式（２Ｂ−１）、（２Ｂ−２）、（２Ｂ−３）、（２Ｂ−４）、（２Ｂ−５）、（２Ｂ−６）、（２Ｂ−７）、（２Ｂ−８）、（２Ｂ−９）、（２Ｂ−１０）、（２Ｂ−１１）、（２Ｂ−１２）、（２Ｂ−１３）、（２Ｂ−１４）、（２Ｂ−１５）、（２Ｂ−１６）、（２Ｂ−１７）、（２Ｂ−１８）、（２Ｂ−１９）、（２Ｂ−２０）、（２Ｂ−２１）、（２Ｂ−２２）、（２Ｂ−２３）、（２Ｂ−２４）、（２Ｂ−２５）、（２Ｂ−２６）、（２Ｂ−２７）、（２Ｂ−２８）、（２Ｂ−２９）、（２Ｂ−３０）で表される基が挙げられる。

上記一般式（３）中、Ｒ^７は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、好ましくは、非置換若しくは置換のアリール基である。

上記一般式（３）で表される２価の芳香族アミン残基の例としては、以下の式（３Ａ−１）、（３Ａ−２）、（３Ａ−３）、（３Ａ−４）、（３Ａ−５）、（３Ａ−６）、（３Ａ−７）、（３Ａ−８）、（３Ａ−９）で表される基が挙げられる。

＜アリーレン単位＞
アリーレン単位中のアリーレン基は、前述のとおりである。

アリーレン単位中のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８であり、更に好ましくは６〜１４である。

アリーレン単位中のアリーレン基としては、非置換若しくは置換の１，４−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，３−フェニレン基、非置換若しくは置換の１，２−フェニレン基等の非置換若しくは置換のフェニレン基；非置換若しくは置換の１，４−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の１，５−ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の２，６−ナフタレンジイル基等の非置換若しくは置換のナフタレンジイル基；非置換若しくは置換の１，４−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の１，５−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の２，６−アントラセンジイル基、非置換若しくは置換の９，１０−アントラセンジイル基等の非置換若しくは置換のアントラセンジイル基；非置換若しくは置換の２，７−フェナントレンジイル基等の非置換若しくは置換のフェナントレンジイル基；非置換若しくは置換の１，７−ナフタセンジイル基、非置換若しくは置換の２，８−ナフタセンジイル基、非置換若しくは置換の５，１２−ナフタセンジイル基等の非置換若しくは置換のナフタセンジイル基；非置換若しくは置換の１，６−ピレンジイル基、非置換若しくは置換の１，８−ピレンジイル基、非置換若しくは置換の２，７−ピレンジイル基、非置換若しくは置換の４，９−ピレンジイル基等の非置換若しくは置換のピレンジイル基；非置換若しくは置換の３，９−ペリレンジイル基、非置換若しくは置換の３，１０−ペリレンジイル基等の非置換若しくは置換のペリレンジイル基等が挙げられ、好ましくは、非置換若しくは置換のフェニレン基、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基又は非置換若しくは置換のピレンジイル基であり、より好ましくは、非置換若しくは置換のフェニレン基である。

本発光素子形態に係る高分子化合物は、溶媒への溶解度、薄膜形成の容易さ、及び、得られる有機ＥＬ素子の特性が良好であるので、アリーレン単位中のアリーレン基が下記一般式（１）で表されるフルオレン構造を有する基であることが、好ましい。

一般式（１）中、Ｒ^Ｍ１、Ｒ^Ｍ２、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に、０〜３の整数を示す。Ｒ^Ｍ１及びＲ^Ｍ２は、各々、複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（１）中、Ｒ^Ｍ１及びＲ^Ｍ２は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基が好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基がより好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基が更に好ましく、非置換のアルキル基が特に好ましい。

Ｒ^Ｍ１及びＲ^Ｍ２で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しく置換の１価の複素環基又は非置換若しくは置換のアルコキシ基としては、それぞれ、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、若しくは非置換若しくは置換の１価の複素環基として説明したもの、又は、Ｒ^５Ａ及びＲ^５Ｂで示される非置換若しくは置換のアルコキシ基として説明したものを使用することができる。

上記一般式（１）中、ａ及びｂは、それぞれ独立に、０〜３の整数を示し、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。

上記一般式（１）中、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基が好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基がより好ましく、非置換のアルキル基、置換のアリール基が更に好ましく、置換のアリール基が特に好ましい。

また、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の組合せとしては、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の双方が非置換若しくは置換のアルキル基、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の双方が非置換若しくは置換のアリール基、並びに、Ｒ^Ｍ３が非置換若しくは置換のアルキル基でＲ^Ｍ４が非置換若しくは置換のアリール基であることが好ましく、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の双方が非置換のアルキル基、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の双方が置換のアリール基、並びに、Ｒ^Ｍ３が非置換のアルキル基でＲ^Ｍ４が置換のアリール基であることがより好ましく、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の双方が置換のアリール基、並びに、Ｒ^Ｍ３が非置換のアルキル基でＲ^Ｍ４が置換のアリール基であることが更に好ましく、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４の双方が置換のアリール基であることが特に好ましい。

Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、又は非置換若しく置換の１価の複素環基として、それぞれ、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、又は非置換若しくは置換の１価の複素環基として説明したものを使用することができる。

上記一般式（１）で表される基は、好ましくは、下記一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ’）で表される基である。一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ’）中、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^２Ｂ及びＲ^Ｃは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基が好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基がより好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基が更に好ましく、非置換のアルキル基が特に好ましい。

上記一般式（１）で表される基は、より好ましくは、下記一般式（１Ｂ）及び一般式（１Ｂ’）：

［一般式（１Ｂ）及び一般式（１Ｂ’）中、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^２Ｂ及びＲ^Ｃは、一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ’）中のものと同じである。］
で表される基、下記一般式（１Ｃ）及び一般式（１Ｃ’）：

［一般式（１Ｃ）及び一般式（１Ｃ’）中、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^２Ｂ及びＲ^Ｃは、一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ’）中のものと同じである。］
で表される基、又は下記一般式（１Ｄ）及び一般式（１Ｄ’）：

［一般式（１Ｄ）及び一般式（１Ｄ’）中、Ｒ^１Ａ、Ｒ^１Ｂ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^２Ｂ及びＲ^Ｃは、一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ’）中のものと同じである。］
で表される基であり、更に好ましくは、上記一般式（１Ｂ）及び一般式（１Ｂ’）で表される基、又は上記一般式（１Ｄ）及び一般式（１Ｄ’）で表される基であり、特に好ましくは、上記一般式（１Ｂ）及び一般式（１Ｂ’）で表される基である。

上記一般式（１）で表される基としては、以下の式（１Ｅ−１）、（１Ｅ−２）、（１Ｅ−３）、（１Ｅ−４）、（１Ｅ−５）、（１Ｅ−６）、（１Ｆ−１）、（１Ｆ−２）、（１Ｆ−３）、（１Ｆ−４）、（１Ｇ−１）、（１Ｇ−２）、（１Ｇ−３）、（１Ｇ−４）、（１Ｇ−５）、（１Ｇ−６）、（１Ｇ−７）、（１Ｇ−８）、（１Ｈ−１）、（１Ｈ−２）、（１Ｈ−３）、（１Ｈ−４）、（１Ｈ−５）、（１Ｈ−６）、（１Ｈ−７）、（１Ｈ−８）、（１Ｈ−９）、（１Ｈ−１０）、（１Ｈ−１１）、（１Ｈ−１２）、（１Ｈ−１３）、（１Ｈ−１４）で表される基が好ましく、以下の式（１Ｈ−１）、（１Ｈ−２）、（１Ｈ−３）、（１Ｈ−４）、（１Ｈ−５）、（１Ｈ−６）、（１Ｈ−７）、（１Ｈ−８）、（１Ｈ−９）、（１Ｈ−１０）、（１Ｈ−１１）、（１Ｈ−１２）、（１Ｈ−１３）、（１Ｈ−１４）で表される基がより好ましい。

＜炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位＞
炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、下記一般式（５Ａ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

上記一般式（５Ａ）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数を示す。Ｗは、炭素原子を含む２価の基又はケイ素原子を示す。Ｚは、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれるヘテロ原子又は炭素原子を示す。ｐは０〜１２の整数、ｑは０又は１を示す。ここで、ｐが０のとき、ｑは１であり、かつ、Ｗはケイ素原子である。ｐが１のとき、Ｚは炭素原子である。ｐが２以上のとき、複数存在するＺの少なくとも１つはヘテロ原子であってもよく、隣り合う炭素原子間の結合は単結合又は不飽和結合であり、Ｗとしての、炭素原子を含む２価の基は、Ｚを含む環と一緒になって環を形成していてもよい。なお、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｗ、Ｚ、ｐ、ｑ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基であることが好ましく、非置換若しくは置換のアリーレン基であることがより好ましく、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基であることが特に好ましい。ここでいう非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基、非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位、芳香族アミン単位の説明で記載したものと同じである。

Ａｒ^５で示される非置換若しくは置換のフルオレンジイル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１３〜６０であり、好ましくは１３〜３０であり、より好ましくは１３〜１８であり、特に好ましくは１３である。

上記一般式（５Ａ）中、Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示し、好ましくは単結合又は酸素原子であり、より好ましくは単結合である。

上記一般式（５Ａ）中、Ｗは、炭素原子を含む２価の基又はケイ素原子を示す。炭素原子を含む２価の基としては、例えば、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基が挙げられる。

上記一般式（５Ａ）中、Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基であり、好ましくは単結合又は非置換のアルキレン基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜２０の非置換のアルキレン基である。

上記一般式（５Ａ）中、環Ｆは炭素クラスター構造を示し、例えば、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、フラーレンが挙げられ、好ましくはフラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ８４であり、より好ましくはフラーレンＣ６０である。ここで、フラーレンは、その表面にアルキル基又はシアノ基を有していてもよい。

上記一般式（５Ａ）中、ｍは１〜４の整数を示し、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１又は２である。

上記一般式（５Ａ）中、ｐは０〜１２の整数を示し、好ましくは１〜８の整数であり、より好ましくは１〜４の整数であり、更に好ましくは１又は４である。また、ｐが２以上の整数である場合、隣り合うＺ同士の結合は、単結合及び二重結合のいずれであってもよい。

炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、下記一般式（５’）で表される繰り返し単位、下記一般式（５Ｂ）で表される繰り返し単位、下記一般式（５Ｃ）で表される繰り返し単位及び下記一般式（５Ｄ）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。

上記一般式（５’）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ａｒ^１１は、非置換若しくは置換のアリーリジン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーリジン基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基又は炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基を示す。Ｒ^１及びＲ^２は複数存在する場合、各々、同一であっても異なっていてもよい。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数、ｎは０又は１を示す。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ａｒ^１１、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。なお、ｎが０のとき、置換基Ｒ^１が結合している炭素原子と置換基Ｒ^２が結合している炭素原子は直接結合していない。

上記一般式（５’）中、Ａｒ^５、Ｘ、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、環Ｆ及びｍは、それぞれ、一般式（５Ａ）中のものと同義である。

Ａｒ^１１で示される非置換若しくは置換のアリーリジン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜３０であり、好ましくは６〜１６である。Ａｒ^１１で示される非置換若しくは置換のヘテロアリーリジン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜３０であり、好ましくは６〜１６である。ヘテロアリーリジン基は、芳香環を形成する原子として、炭素原子に加え、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を含んでよい。

非置換のアリーリジン基として、フェニリジン基、ナフタレントリイル基、アントラセントリイル基、フェナントレントリイル基、ナフタセントリイル基、フルオレントリイル基、ペリレントリイル基、クリセントリイル基等が挙げられる。置換のアリーリジン基としては、置換基を有する上述の各基が挙げられる。

非置換のヘテロアリーリジン基として、ピロールトリイル基、フラントリイル基、ピリジントリイル基、キノリントリイル基、イソキノリントリイル基が挙げられる。置換のヘテロアリーリジン基としては、置換基を有する上述の各基が挙げられる。

上記一般式（５’）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基、又は炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基を示し、好ましくは水素原子である。

上記一般式（５Ｂ）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^３は、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基又はＲ_ｘとの直接結合を示す。複数存在するＲ^３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数を示す。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（５Ｂ）中、Ａｒ^５、Ｘ、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、環Ｆ及びｍは、それぞれ、一般式（５Ａ）中のものと同義である。

上記一般式（５Ｂ）中、Ｒ^３は、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基又はＲ_ｘとの直接結合を示し、好ましくは水素原子である。複数存在するＲ^３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（５Ｃ）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数を示す。Ｚは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子から選ばれるヘテロ原子又は炭素原子を示す。Ｚである窒素原子及び炭素原子は、置換基を有していてもよい。ｐは１〜１２の整数を示す。ここで、ｐが１のとき、Ｚは炭素原子である。ｐが２以上のとき、複数存在するＺの少なくとも１つはヘテロ原子であってもよく、隣り合う炭素原子間の結合は単結合又は不飽和結合であってもよい。なお、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｚ、ｐ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（５Ｃ）中、Ａｒ^５、Ｘ、Ｚ、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、環Ｆ、ｐ及びｍは、それぞれ、一般式（５Ａ）中のものと同義である。

上記一般式（５Ｄ）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数を示す。なお、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（５Ｄ）中、Ａｒ^５、Ｘ、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、環Ｆ及びｍは、それぞれ、一般式（５Ａ）中のものと同義である。

炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、下記一般式（５）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。

上記一般式（５）中、Ａｒ^５、Ｘ、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ｆ、ｍ及びｎは、それぞれ、一般式（５’）中のものと同義である。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。なお、ｎが０のとき、Ｒ^１で置換されている炭素原子とＲ^２で置換されている炭素原子は直接結合していない。

また、上記一般式（５）で表される繰り返し単位は、下記一般式（６）で表されることが好ましい。

一般式（６）中、Ｙは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｙ及びＲ_ｚは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^１０は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。ｔは１又は２である。Ｒ_ｙ、Ｒ_ｚ及びＹが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（６）中、Ｙは、好ましくは単結合、酸素原子又は硫黄原子であり、より好ましくは単結合である。

一般式（６）中、Ｒ_ｙ及びＲ_ｚは、それぞれ独立に、好ましくは単結合又は非置換のアルキレン基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜６の非置換のアルキレン基である。

Ｒ^１０は、好ましくは非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基であり、より好ましくは非置換のアルキル基又は置換のアリール基である。

Ｒ^１０で示される、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の１価の複素環基又は非置換若しくは置換のアルコキシ基としては、それぞれ、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、若しくは非置換若しくは置換の１価の複素環基として説明したもの、又はＲ^５Ａ及びＲ^５Ｂで示される非置換若しくは置換のアルコキシ基として説明したものを使用することができる。

一般式（６）で表される繰り返し単位の例としては、下記式（６Ａ−１）、（６Ａ−２）、（６Ａ−３）、（６Ａ−４）、（６Ａ−５）、（６Ａ−６）、（６Ａ−７）、（６Ａ−８）、（６Ａ−９）、（６Ａ−１０）、（６Ａ−１１）で表される繰り返し単位が挙げられる。

本発光素子形態に係る高分子化合物は、主鎖が共役系である共役系高分子であることが、得られる素子の発光特性が優れるので好ましい。主鎖とは、高分子化合物の単位間の結合に沿った鎖をいう。なお、主鎖の共役系は部分的に途切れていてもよい。

本発光素子形態に係る高分子化合物は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上の繰り返し単位であって、炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位の数及び高分子化合物中のその他の単位の数を、それぞれＮ_Ｃ及びＮ_ＮＣとしたときに、Ｎ_Ｃ及びＮ_ＮＣが下記式（０）を満たすことが好ましい。
５≦Ｎ_Ｃ×１００／（Ｎ_Ｃ＋Ｎ_ＮＣ）≦１００（０）
また、上記Ｎ_Ｃ及びＮ_ＮＣが下記式（Ｉ）を満たすことがより好ましく、下記式（ＩＩ）を満たすことが更に好ましく、下記式（ＩＩＩ）を満たすことが特に好ましい。
０．００１≦Ｎ_Ｃ×１００／（Ｎ_Ｃ＋Ｎ_ＮＣ）≦９０（Ｉ）
０．００１≦Ｎ_Ｃ×１００／（Ｎ_Ｃ＋Ｎ_ＮＣ）≦５０（ＩＩ）
０．００１≦Ｎ_Ｃ×１００／（Ｎ_Ｃ＋Ｎ_ＮＣ）≦１０（ＩＩＩ）

本発光素子形態に係る高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という。）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常、５×１０^３〜１×１０^８であり、好ましくは１×１０^４〜１×１０^６である。また、本発光素子形態に係る高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、５×１０^３〜１×１０^８であり、成膜性が優れるので、好ましくは１×１０^４〜５×１０^６であり、より好ましくは３×１０^４〜１×１０^６であり、更に好ましくは５×１０^４〜５×１０^５である。

本発光素子形態に係る高分子化合物は、共重合体である場合、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよく、その他の態様であってもよい。本発光素子形態に係る高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体であることが好ましく、ブロック共重合体、ランダム共重合体であることがより好ましく、ランダム共重合体であることが更に好ましい。

〔発光素子形態に係る高分子化合物の製造方法〕
本発光素子形態に係る高分子化合物は、当該高分子化合物に含まれる単位に対応する化合物（モノマー）を縮合重合して得ることができる。モノマーは、予め合成し単離したものを用いてもよく、反応系中で合成してそのまま用いてもよい。得られる高分子化合物を有機ＥＬ素子に用いる場合、モノマーの純度が有機ＥＬ素子の性能に影響を与える傾向がある。そのため、これらのモノマーは蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製されていることが好ましい。

＜製造方法１＞
本発光素子形態に係る高分子化合物は、炭素クラスター構造を含む基を有する化合物であって、縮合重合により合成したときに、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位又は芳香族アミン単位となる化合物を用いて縮合重合することにより製造することができる。その他の縮合重合に用いる化合物は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上が繰り返し単位となるように選択することができる。

上記一般式（５Ａ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物は、例えば、下記一般式（５Ａ−ａ）で表される化合物を縮合重合することにより、製造することができる。

一般式（５Ａ−ａ）中、Ａｒ^５、Ｒ_ｗ、Ｘ、Ｗ、Ｚ、Ｒ_ｘ、環Ｆ、ｐ、ｑ及びｍは、一般式（５Ａ）中のものと同義である。Ｚ^１は、ハロゲン原子、メトキシ基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）_２）、下記式（ａ−１）で表される基、下記式（ａ−２）で表される基、下記式（ａ−３）で表される基又は下記式（ａ−４）で表される基を示す。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｗ、Ｚ、ｐ、ｑ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。前記ホウ酸エステル残基は、後述する一般式（ａ−０）中のＺ^１における説明と同じである。

式（ａ−１）中、Ｒ^Ｔは、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示す。

式（ａ−２）中、Ｘ_Ａは、ハロゲン原子を示す。

式（ａ−３）中、Ｘ_Ａは、上記と同じ意味を有する。

式（ａ−４）中、Ｒ^Ｔは、上記と同じ意味を有する。

上記一般式（５Ａ−ａ）で表される化合物は、下記一般式（５’−ａ）で表される化合物、下記一般式（５Ｂ−ａ）で表される化合物、下記一般式（５Ｃ−ａ）で表される化合物及び下記一般式（５Ｄ−ａ）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。

一般式（５’−ａ）中、Ａｒ^５、Ａｒ^１１、Ｒ_ｗ、Ｘ、Ｒ_ｘ、環Ｆ、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ及びｍは、一般式（５’）中のものと同義である。Ｚ^１は、一般式（５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ａｒ^１１、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。なお、ｎが０のとき、置換基Ｒ^１が結合している炭素原子と置換基Ｒ^２が結合している炭素原子は直接結合していない。

一般式（５Ｂ−ａ）中、Ａｒ^５、Ｒ_ｗ、Ｘ、Ｒ_ｘ、環Ｆ、Ｒ^３及びｍは、一般式（５Ｂ）中のものと同義である。Ｚ^１は、一般式（５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。複数存在するＲ^３は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（５Ｃ−ａ）中、Ａｒ^５、Ｒ_ｗ、Ｘ、Ｚ、Ｒ_ｘ、環Ｆ、ｐ及びｍは、一般式（５Ｃ）中のものと同義である。Ｚ^１は、一般式（５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｚ、ｐ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（５Ｄ−ａ）中、Ａｒ^５、Ｒ_ｗ、Ｘ、Ｒ_ｘ、環Ｆ及びｍは、一般式（５Ｄ）中のものと同義である。Ｚ^１は、一般式（５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（５）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物は、例えば、下記一般式（ａ）で表される化合物を縮合重合することにより、製造することができる。

一般式（ａ）中、Ａｒ^５、Ｒ_ｗ、Ｘ、Ｒ_ｘ、環Ｆ、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ及びｍは、一般式（５’）中のものと同義である。Ｚ^１は、一般式（５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、ｎ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

＜製造方法２＞
本発光素子形態に係る高分子化合物はまた、予め縮合重合によって合成した前駆体高分子化合物と、炭素クラスターとを反応させることにより得ることもできる。前駆体高分子化合物は、アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上を繰り返し単位として有し、かつ繰り返し単位の少なくとも一部が架橋性基を含有するものである。架橋性基を含有する繰り返し単位としては、後述の一般式（７）で表される繰返し単位であることが好ましい。

本発光素子形態に係る高分子化合物は、例えば、下記一般式（７）で表される繰り返し単位を有する前駆体高分子化合物と、炭素クラスターと、を反応させることにより製造することができる。

一般式（７）中、Ｒ^１１は、架橋性基を示す。Ｒ^１２は、水素原子、架橋性基、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示す。

架橋性基の例としては、以下の式（７Ａ−６）、（７Ａ−７）、（７Ａ−８）、（７Ａ−９）、（７Ａ−１０）、（７Ａ−１１）、（７Ａ−１５）、（７Ａ−１６）、（７Ａ−１７）、（７Ａ−１８）、（７Ａ−１９）、（７Ａ−２０）、（７Ａ−２１）、（７Ａ−２２）、（７Ａ−２３）、（７Ａ−２４）、（７Ａ−２５）、（７Ａ−２６）、（７Ａ−２７）、（７Ａ−２８）、（７Ａ−２９）、（７Ａ−３０）で表される基が挙げられる。炭素クラスターとの反応性が優れるので、式（７Ａ−６）、（７Ａ−７）、（７Ａ−８）、（７Ａ−９）、（７Ａ−１０）、（７Ａ−１１）で表される基が好ましく、式（７Ａ−６）、（７Ａ−７）、（７Ａ−８）、（７Ａ−９）で表される基がより好ましい。

一般式（７）中、Ｒ^１２は、水素原子、架橋性基、非置換若しくは置換のアルキル基、又は非置換若しくは置換のアリール基を示す。Ｒ^１２は、好ましくは架橋性基、又は非置換若しくは置換のアリール基を示し、より好ましくは架橋性基を示す。

Ｒ^１１で示される架橋性基として、Ｒ^１２で示される架橋性基として説明したものを使用することができる。

Ｒ^１２で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基として、それぞれ、Ｒ^Ｍ３及びＲ^Ｍ４で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基として説明したものを使用することができる。

架橋性基とフラーレンの反応の例を以下に示す。

反応式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ_ｘは、一般式（５’）のものと同義である。

反応式中、Ｒ_ｘは一般式（５’）のものと同義である。

反応式中、Ｒ_ｘは一般式（５’）のものと同義である。

以下、炭素クラスターがフラーレンである場合を例として、より詳細に製造方法について説明する。

前駆体高分子化合物とフラーレンとの反応は、通常、有機溶媒等の溶媒の存在下又は無溶媒下で行われ、好ましくは有機溶媒等の溶媒の存在下で行われる。

上記有機溶媒は、例えば、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンであり、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンが好ましく、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンが特に好ましい。

上記有機溶媒の使用量は、前駆体高分子化合物の合計濃度が、通常、０．１質量％〜９０質量％、好ましくは０．１質量％〜１０質量％、より好ましくは０．５質量％〜５質量％となる量である。

前駆体高分子化合物とフラーレンとの反応温度は、好ましくは６０℃〜２５０℃であり、より好ましくは１００℃〜２２０℃であり、更に好ましくは１８０℃〜２２０℃である。

上記反応時間は、反応温度等の条件によるが、通常、１時間以上であり、好ましくは１０時間〜５００時間である。

反応に使用するフラーレンの量は、前駆体高分子化合物中に含まれる全架橋性基のモル数に対して、０．５モル当量〜５モル当量が好ましく、１．０モル当量〜４モル当量が更に好ましく、１．５モル当量〜３モル当量が特に好ましい。

反応に使用するフラーレンの純度としては、有機ＥＬ素子の特性が優れるので、９８％以上であることが好ましく、９９％以上であることがより好ましい。

反応後処理は、メタノール等の低級アルコールに上記反応で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥する方法等の公知の方法で行うことができる。

一般式（７）で表される繰り返し単位を有する前駆体高分子化合物とフラーレンとを反応（縮合重合）させることにより得られる高分子化合物は、一般式（７）で表される繰り返し単位及び当該単位とは相違する任意追加単位が上記縮合重合により導入されており、上記一般式（７）で表される繰り返し単位のモル数、上記任意追加単位のモル数及び高分子化合物に担持されていないフラーレンのモル数をそれぞれＮ_７、Ｎ_Ｍ及びＮ_ＮＳとしたときに、Ｎ_７、Ｎ_Ｍ及びＮ_ＮＳが下記式（ＩＶ）を満たすことが、有機ＥＬ素子の特性がより向上し、かつ、特性の安定性が向上するので、好ましい。
Ｎ_ＮＳ×１００／（Ｎ_７＋Ｎ_Ｍ）≦０．１（ＩＶ）
また、上記Ｎ_７、Ｎ_Ｍ及びＮ_ＮＳが下記式（Ｖ）を満たすことが、より好ましい。
Ｎ_ＮＳ×１００／（Ｎ_７＋Ｎ_Ｍ）≦０．０５（Ｖ）

ここで、高分子化合物に担持されていないフラーレンとは、（前駆体）高分子化合物と反応しなかった、未反応のフラーレンが高分子化合物中に遊離しているもののことを表す。

高分子化合物に担持されたフラーレン（固定フラーレン）及び担持されていないフラーレン（遊離フラーレン）は、ＧＰＣ−ＵＶにより定量することができる。すなわち、ＧＰＣでの溶出時間の差を利用して固定フラーレンと遊離フラーレンとを分離し、それぞれ、フラーレンのＵＶ吸収（３３５ｎｍ）を測定することによって定量することができる。具体的には、例えば、フラーレンＣ６０の場合、遊離フラーレンの定量は、以下の（１）〜（４）の手順に従って行うことができる。
（１）フラーレンＣ６０のトルエン溶液を、異なる濃度で複数調製し、それぞれＧＰＣ−ＵＶ（３３５ｎｍで検出）測定を行う。
（２）（１）の測定で得たクロマトグラムを用い、検量線（フラーレン濃度に対するフラーレン溶出ピーク面積値）を作成する。
（３）実試料のＧＰＣ−ＵＶ測定を行う。
（４）（３）の測定で得たクロマトグラムのフラーレン溶出ピーク面積値及び（２）の検量線を用いて、実試料中の遊離フラーレン量を算出する。

また、例えば、フラーレンＣ６０の場合、固定フラーレンの定量は、以下の（１）〜（５）の手順に従って行うことができる。
（１）前駆体高分子化合物に、フラーレンＣ６０を異なる濃度で混合した標準サンプルを複数調製し、それぞれＵＶ吸収スペクトルを測定する。
（２）（１）で得たＵＶ吸収スペクトルから３３５ｎｍにおける吸収の相対強度を求め、検量線（３３５ｎｍにおける吸収の相対強度に対する混合したフラーレン量）を作成する。
（３）実試料中の高分子化合物溶出画分（固定フラーレンを含む）をＧＰＣで分取し、高分子化合物溶出画分を得る。
（４）（３）で得た高分子化合物溶出画分のＵＶ吸収スペクトルを測定する。
（５）（４）で得たＵＶ吸収スペクトルから３３５ｎｍにおける吸収の相対強度を求め、（２）の検量線を用いて、実試料中の固定フラーレン量を算出する。

上記高分子化合物中に遊離しているフラーレンを除去するための精製方法としては、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法が例示される。

精製方法がカラムクロマトグラフィーによる精製の場合、シリカゲル、アルミナ、活性炭を用いることが好ましく、シリカゲル、活性炭を用いることが更に好ましく、それらを併用して用いることが特に好ましい。

＜縮合重合＞
次に本発光素子形態に係る高分子化合物又は前駆体高分子化合物を、縮合重合により製造する方法を、前駆体高分子化合物を例として説明する。

前駆体高分子化合物の製造には、例えば、縮合重合反応に用いるモノマーとして下記一般式（ａ−０）で表される化合物を用いることができる。

一般式（ａ−０）中、Ａｒ^５は、一般式（５’）中のＡｒ^５と同じ意味を有する。Ｚ^１は、ハロゲン原子、メトキシ基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）_２）、上記式（ａ−１）で表される基、上記式（ａ−２）で表される基、上記式（ａ−３）で表される基、又は上記式（ａ−４）で表される基を示す。２個存在するＺ^１は、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（ａ−０）、式（ａ−２）及び（ａ−３）中、Ｚ^１、Ｘ_Ａで示されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

上記一般式（ａ−０）中、Ｚ^１で示されるホウ酸エステル残基としては、下記式で表される基が挙げられる。

上記式（ａ−１）中、Ｒ^Ｔで示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基として、それぞれ、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基として説明したものを使用することができる。

上記式（ａ−１）で表される基としては、メタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基、フェニルスルホネート基、４−メチルフェニルスルホネート基が挙げられる。

上記式（ａ−４）中、Ｒ^Ｔで示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基として、それぞれ、Ｒ^５及びＲ^６で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基として説明したものを使用することができる。

上記式（ａ−４）で表される基としては、トリメチルスタナニル基、トリエチルスタナニル基、トリブチルスタナニル基が挙げられる。

上記一般式（ａ−０）で表される化合物は、予め合成し単離したものを用いることも、反応系中で調製してそのまま用いることもできる。

上記一般式（ａ−０）中、Ｚ^１は、上記一般式（ａ−０）で表される化合物の合成が簡便になり、かつ、取り扱い易いので、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基であることが好ましい。

縮合重合の方法としては、上記一般式（ａ−０）で表される化合物を、適切な触媒や適切な塩基を用いて、反応させる方法が挙げられる。

触媒としては、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４−シクロオクダジエン）］ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体等が挙げられ、その中でもパラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４−シクロオクダジエン）］ニッケルが好ましく、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４−シクロオクダジエン）］ニッケルが好ましい。

前記遷移金属錯体は、更にトリフェニルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有していてもよい。

触媒は、予め合成したものを用いることもできるし、反応系中で調製したものをそのまま用いることもできる。これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒を用いる場合には、その使用量は、上記一般式（ａ−０）で表される化合物を含む全モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量は、通常、０．００００１モル当量〜３モル当量であり、０．００００５モル当量〜３モル当量が好ましく、０．０００１モル当量〜２．５モル当量が更に好ましい。

触媒にパラジウム錯体を用いる場合の塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。これらの塩基は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

塩基を用いる場合には、その使用量は、上記一般式（ａ−０）で表される化合物を含む全モノマーのモル数の合計に対して、通常、０．５モル当量〜２０モル当量であり、１モル当量〜１０モル当量が好ましい。

縮合重合は、通常、有機溶媒等の溶媒の存在下で行われる。

有機溶媒は、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである。副反応を抑制するために、これらの溶媒に対して、脱酸素処理を行うことが望ましい。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

有機溶媒の使用量は、上記一般式（ａ−０）で表される化合物を含む全モノマーの合計濃度が、通常、０．１質量％〜９０質量％、好ましくは１質量％〜５０質量％、より好ましくは２質量％〜３０質量％となる量である。

縮合重合の反応温度は、通常、−１００℃〜２００℃であり、好ましくは−８０℃〜１５０℃であり、更に好ましくは０℃〜１２０℃である。

反応時間は、反応温度等の条件によるが、通常、１時間以上であり、好ましくは２時間〜５００時間である。

縮合重合は、例えば、上記一般式（ａ−０）中のＺ^１が上記式（ａ−２）で表される基である場合には、無水条件下で行うことが望ましい。

縮合重合の方法としては、Ｓｕｚｕｋｉ反応により重合する方法（ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、４３２〜４３３頁）、山本重合法により重合する方法（プログレスインポリマーサイエンス（Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．），第１７巻，１１５３〜１２０５頁，１９９２年）が挙げられ、反応性の観点からＳｕｚｕｋｉ反応により重合する方法が好ましい。

縮合重合の後処理は、メタノール等の低級アルコールに縮合重合で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥する方法等の公知の方法で行うことができる。

上記後処理により本発光素子形態に係る高分子化合物が得られるが、高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

〔組成物〕
本発光素子形態に係る第一の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる１種以上の材料（通常、固形分である。）と、本発光素子形態に係る高分子化合物とを含有する組成物（通常、固形分である。）である。

上記正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料としては、後述する有機ＥＬ素子が有する有機層が含み得る正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料が挙げられる。

また、本発光素子形態に係る組成物としては、前駆体高分子化合物と炭素クラスターとを反応させることによって得られた高分子化合物と、前駆体高分子化合物（反応させていないもの）と、を含有する組成物も例示される。

上記正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる１種以上の材料と本発光素子形態に係る高分子化合物との含有比率は、用途に応じて決めればよい。例えば、発光材料の用途の場合は、本発光素子形態に係る高分子化合物の含有量は、組成物全体に対して、通常、１質量％〜９９質量％であり、好ましくは１質量％〜３０質量％である。

本発光素子形態に係る第一の組成物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、５×１０^３〜１×１０^８であり、好ましくは１×１０^４〜１×１０^６である。また、本発光素子形態に係る組成物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、５×１０^３〜１×１０^８であり、成膜性が優れ、かつ、得られる有機ＥＬ素子の発光効率が優れるので、１×１０^４〜５×１０^６であることが好ましい。本発光素子形態に係る組成物の平均分子量とは、該組成物をＧＰＣで分析して求めた値をいう。

本発光素子形態に係る第二の組成物は、本発光素子形態に係る高分子化合物と、溶媒とを含有する組成物である。この組成物は、溶液、インク、インク組成物と呼ぶことがあり、以下、「本発光素子形態に係る溶液」という。

本発光素子形態に係る溶液は、インクジェットプリント法や印刷法等の塗布による素子作製に有用である。また、本発光素子形態に係る溶媒は、本発光素子形態に係る高分子化合物及び溶媒以外に、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、増粘剤（粘度を高めるための高分子量の化合物や貧溶媒）、粘度を下げるための低分子量の化合物、界面活性剤（表面張力を下げるためのもの）、酸化防止剤を含んでいてもよい。

本発光素子形態に係る溶液における本発光素子形態に係る高分子化合物の割合は、溶液全量に対して、通常、０．１質量％〜９９．９質量％であり、好ましくは０．１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは０．２質量％〜７質量％であり、更に好ましくは０．５質量％〜２質量％である。

本発光素子形態に係る溶液の粘度は、印刷法によっても異なるが、好ましくは２５℃において０．５ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは０．５ｍＰａ・ｓ〜５００ｍＰａ・ｓである。また、インクジェットプリント法のように上記溶液が吐出装置を経由する場合、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止するために、２５℃における粘度は、好ましくは０．５ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓである。

上記増粘剤として用いられる高分子量の化合物は、本発光素子形態に係る高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレートを用いることができる。これらの高分子量の化合物は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５．０×１０^５以上であることが好ましく、１．０×１０^６以上であることがより好ましい。

上記増粘剤として貧溶媒を用いることもできる。貧溶媒を、上記溶液中の固形分の量と比べて、少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることが更に好ましい。

上記酸化防止剤は、本発光素子形態に係る溶液の保存安定性を向上させるためのものである。上記酸化防止剤としては、本発光素子形態に係る高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。

本発光素子形態に係る溶液の溶媒としては、高分子化合物が溶解又は分散するものであればよく、例えば、以下の有機溶媒が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒：トルエン、キシレン（各異性体又はそれらの混合物）、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、２−フェニルブタン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ネオペンチルベンゼン、イソアミルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、３−プロピルトルエン、４−プロピルトルエン、１−メチル−４−プロピルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，４−ジプロピルベンゼン、１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、インダン、テトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）等。
脂肪族炭化水素系溶媒：ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、デカリン等。
芳香族系エーテル系溶媒：アニソール、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブチロキシベンゼン、ペンチルオキシベンゼン、シクロペンチルオキシベンゼン、ヘキシルオキシベンゼン、シクロヘキシルオキシベンゼン、ヘプチルオキシベンゼン、オクチルオキシベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、４−エチルアニソール、４−プロピルアニソール、４−ブチルアニソール、４−ペンチルアニソール、４−ヘキシルアニソール、ジフェニルエーテル、４−メチルフェノキシベンゼン、４−エチルフェノキシベンゼン、４−プロピルフェノキシベンゼン、４−ブチルフェノキシベンゼン、４−ペンチルフェノキシベンゼン、４−ヘキシルフェノキシベンゼン、４−フェノキシトルエン、３−フェノキシトルエン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，６−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール等。
脂肪族エーテル系溶媒：テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等。
ケトン系溶媒：アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等。
エステル系溶媒：酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、エチルセルソルブアセテート等。
塩素化溶媒：塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等。
アルコール系溶媒：メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、フェノール等。
多価アルコール及びその誘導体：エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等。
非プロトン性極性溶媒：ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等。

これらの有機溶媒は、１種単独で用いても、２種以上を混合溶媒として使用してもよい。混合溶媒を用いる場合、上記の溶媒群から２種又は３種以上を組み合わせることが好ましいが、上記例示の同じ系の溶媒群から複数を組み合わせても、異なる系の溶媒群から１種以上ずつを組み合わせてもよい。その組成比は、各溶媒の物性や、高分子化合物等の溶解性を考慮して決めることができる。

同じ系の溶媒群から複数種を選んで組み合わせる場合の好ましい例としては、芳香族炭化水素系溶媒から複数種、芳香族エーテル系溶媒から複数種等が挙げられる。

異なる系の溶媒群から１種以上ずつを選んで組み合わせる場合の好ましい例としては、以下の組み合わせが挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と芳香族エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と非プロトン性極性溶媒、芳香族エーテル系溶媒と非プロトン性極性溶媒等。

また、単独又は混合有機溶媒に水を添加することもできる。これらの有機溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、融点が０℃以下であり、且つ沸点が１００℃以上である有機溶媒を一種以上含む単独溶媒又は混合溶媒は、粘度及び成膜性が良好となるので好ましく、なかでも芳香族炭化水素系溶媒、芳香族エーテル系溶媒を１種以上含む場合が好ましい。これらは、１種単独で用いても２種以上を混合溶媒として使用してもよいが、成膜性を制御する観点から混合溶媒を用いることが好ましい。

これらの溶媒は、洗浄、蒸留、吸着剤への接触等の方法により精製してから使用してもよい。

上記溶媒は、成膜性及び素子特性が優れるので、２種以上を組み合わせて用いることが好ましく、２〜３種を組み合わせて用いることがより好ましく、２種を組み合わせて用いることが特に好ましい。

本発光素子形態に係る溶液中に２種の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種の溶媒は２５℃において固体状態のものでもよい。成膜性が優れるので、１種の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましい。また、粘度が良好であるので、２種の溶媒のいずれにも６０℃において１質量％以上の濃度で高分子化合物が溶解することが好ましく、２種の溶媒のうちの１種の溶媒には、２５℃において１質量％以上の濃度で高分子化合物が溶解することが好ましい。

本発光素子形態に係る溶液中に２種以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性が優れるので、沸点が最も高い溶媒が、溶液中の全溶媒の質量の４０質量％〜９０質量％であることが好ましく、５０質量％〜９０質量％であることがより好ましく、６５質量％〜８５質量％であることが更に好ましい。

本発光素子形態に係る溶液に含まれる本発光素子形態に係る高分子化合物は、１種でも２種以上でもよく、素子特性を損なわない範囲で、本発光素子形態に係る高分子化合物以外の高分子量の化合物を含んでいてもよい。

本発光素子形態に係る溶液には、水、金属及びその塩を質量基準で１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。上記金属としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、本発光素子形態に係る溶液には、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素等を質量基準で１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。

〔薄膜〕
本発光素子形態に係る薄膜は、本発光素子形態に係る高分子化合物を用いて得られるものであり、本発光素子形態に係る高分子化合物をそのまま含有している態様、本発光素子形態に係る高分子化合物が分子内又は分子間で架橋した化合物を含有している態様がある。本発光素子形態に係る薄膜は、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜である。

本発光素子形態に係る薄膜は、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、より好ましくは、インクジェット法により作製することができる。

本発光素子形態に係る溶液を用いて薄膜を製造する場合、溶液に含まれる本発光素子形態に係る高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度で加熱することが可能である。

発光性薄膜は、有機ＥＬ素子の輝度及び発光開始電圧が良好であるので、発光量子収率が３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、６０％以上であることが更に好ましく、７０％以上であることが特に好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましく、１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることが更に好ましい。導電性薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。

〔有機ＥＬ素子〕
次に、本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に存在する有機層と、を備え、上記有機層に本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する。さらに、本発光素子形態に係る高分子化合物をそのまま含有する態様、本発光素子形態に係る高分子化合物が分子内又は分子間で架橋した化合物を含有する態様がある。

上記有機層としては、発光層、正孔輸送層（一般的に、「インターレイヤー層」と呼ばれることがある。）、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層等が挙げられる。発光層は、発光する機能を有する層を意味する。正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層を意味する。電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層を意味する。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層といい、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層という。上記有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層が一層のみからなっていてもよく（すなわち、一層中にこれらの各層の機能が含まれる）、二層以上からなっていてもよい。

本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層からなる群より選ばれる１種以上の層であることが好ましく、有機層が発光層、正孔輸送層であることがより好ましい。

本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する有機層が発光層である場合には、発光層が更に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、有機ＥＬ素子の輝度寿命を長くする添加剤等を含んでいてもよい。ここで、発光材料とは、蛍光又は燐光を発する材料（但し、本発光素子形態に係る高分子化合物を除く。）を意味する。

本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する有機層が、本発光素子形態に係る高分子化合物と正孔輸送材料とを含有する場合には、本発光素子形態に係る高分子化合物と正孔輸送材料との合計量に対する正孔輸送材料の割合は、通常、１質量％〜８０質量％であり、好ましくは５質量％〜６０質量％である。

本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する有機層が、本発光素子形態に係る高分子化合物と電子輸送材料とを含有する場合には、本発光素子形態に係る高分子化合物と電子輸送材料との合計量に対する電子輸送材料の割合は、通常、１質量％〜８０質量％であり、好ましくは５質量％〜６０質量％である。

本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する有機層が、本発光素子形態に係る高分子化合物と発光材料とを含有する場合には、本発光素子形態に係る高分子化合物と発光材料との合計量に対する発光材料の割合は、通常、１質量％〜８０質量％であり、好ましくは５質量％〜６０質量％である。

本発光素子形態に係る高分子化合物を含有する有機層が、本発光素子形態に係る高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる２種以上とを含有する場合には、それらの合計量に対する発光材料の割合は、通常、１質量％〜５０質量％であり、好ましくは５質量％〜４０質量％であり、それらの合計量に対する正孔輸送材料及び電子輸送材料の合計割合は、通常、１質量％〜５０質量％であり、好ましくは５質量％〜４０質量％である。

正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料は、公知の低分子量の化合物、三重項発光錯体、高分子量の化合物が使用できる。

高分子量の化合物としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開２００１−１８１６１８号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００１−３０４５号公報、特開２０００−３５１９６７号公報、特開２０００−３０３０６６号公報、特開２０００−２９９１８９号公報、特開２０００−２５２０６５号公報、特開２０００−１３６３７９号公報、特開２０００−１０４０５７号公報、特開２０００−８０１６７号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平１０−１１４８９１号公報、特開平９−１１１２３３号公報、特開平９−４５４７８号公報に記載されているフルオレンジイル基を構成単位とする重合体及び共重合体（以下、「（共）重合体」という。）、アリーレン基を構成単位とする（共）重合体、アリーレンビニレン基を構成単位とする（共）重合体、２価の芳香族アミン残基を構成単位とする（共）重合体等が挙げられる。

低分子量の化合物としては、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体が挙げられ、具体的には、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている化合物が挙げられる。

三重項発光錯体としては、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、アメリカンダイソース社（ＡｍｅｒｉｃａｎＤｙｅＳｏｕｒｃｅ，Ｉｎｃ）から市販されているＡＤＳ０６６ＧＥ、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）_３ｐｈｅｎが挙げられ、具体的には、Ｎａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）に記載されている。

添加剤としては、２，２’−ビピリジル、３，３’−ビピリジル、４，４’−ビピリジル等のビピリジル、４−メチル−２，２’−ビピリジル、５−メチル−２，２’−ビピリジル、５，５’−ジメチル−２，２’−ビピリジル等のビピリジル誘導体が挙げられる。

発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍであり、更に好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍである。

発光層の形成方法としては、溶液からの成膜による方法が挙げられる。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができるが、パターン形成や多色の塗分けが容易であるので、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子としては、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた有機ＥＬ素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた有機ＥＬ素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた有機ＥＬ素子が挙げられる。本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子において、本発光素子形態に係る高分子化合物は、正孔輸送層に含まれることが好ましい。

このような有機ＥＬ素子の構造としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。なお、「／」は、その前後の層が隣接して積層していることを示す（例えば、「陽極／発光層」とは、陽極と発光層とが隣接して積層していることを示す。以下同じ。）。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極

また、これら構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接して正孔輸送層を設けてもよい。このような有機ＥＬ素子の構造としては、以下のａ’）〜ｄ’）の構造が例示される。
ａ’）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子が正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層には、通常、本発光素子形態に係る高分子化合物が含まれる。その他の正孔輸送材料（高分子量の化合物、低分子量の化合物）としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等や、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているものが例示される。

これらの中でも、高分子量の化合物としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体がより好ましい。

これらの中でも、低分子量の化合物としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が好ましい。これらの低分子量の化合物は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

上記高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害せず、可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましく、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン及びその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に前記低分子量の正孔輸送材料の構造を有する化合物が好ましく、正孔輸送性の芳香族アミン構造を側鎖又は主鎖に有する化合物がより好ましい。

正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子量の化合物を用いる場合には、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示され、高分子量の化合物（本発光素子形態に係る高分子化合物を含む。）を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子が電子輸送層を有する場合、電子輸送層には、通常、上記電子輸送材料（高分子量の化合物、低分子量の化合物）が含まれる。電子輸送材料としては、公知のものが使用できるが、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等や、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が例示され、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンが更に好ましい。

電子輸送層の成膜法としては、低分子量の化合物を用いる場合には、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子量の化合物を用いる場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜による方法では、上記高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒は、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを、溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液又は溶融状態からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

正孔注入層、電子注入層は、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げる効果を有するものである。

電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して電荷注入層又は絶縁層（通常、平均の厚さで０．５ｎｍ〜４．０ｎｍであり、以下、同じである）を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して調整すればよい。

本発光素子形態において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた有機ＥＬ素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた有機ＥＬ素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた有機ＥＬ素子が挙げられる。このような有機ＥＬ素子の構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

これらの構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接して正孔輸送層を設ける構造も例示される。

電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。

電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、導電性高分子の電気伝導度は、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍであることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^２Ｓ／ｃｍがより好ましく、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^１Ｓ／ｃｍが更に好ましい。通常、導電性高分子の電気伝導度をこのような範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が例示され、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが例示される。

電荷注入層に用いる材料としては、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボンが例示される。

絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた有機ＥＬ素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた有機ＥＬ素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた有機ＥＬ素子が挙げられる。

このような有機ＥＬ素子の構造としては、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子を形成する基板は、電極を形成し、有機層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の材料からなるものが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられ、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及び、それらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性化合物を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。陽極を２層以上の積層構造としてもよい。

陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層；金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる絶縁層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、又はそれらのうち２種以上の合金、又はそれらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、並びにグラファイト及びグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の厚さは、電気伝導度及び耐久性を考慮して調整すればよく、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層（即ち、本発光素子形態に係る高分子化合物を含むいずれかの層）との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均の厚さが２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、有機ＥＬ素子を保護する保護層を装着していてもよい。有機ＥＬ素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。

保護層としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易である。空間に窒素やアルゴンのような不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、更に酸化バリウム等の乾燥剤を空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、１種以上の方策を採ることが好ましい。

図１は、本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子（上記（ｐ）の構成を有する有機ＥＬ素子）の模式断面図である。図１に示す有機ＥＬ素子２００は、基板２０と、上記基板２０上に形成された陽極２２、電荷注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電荷注入層２７及び陰極２８と、を備えている。陽極２２は、基板２０と接するように基板２０上に設けられており、陽極２２の基板２０とは反対側には、電荷注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電荷注入層２７及び陰極２８が、この順で積層されている。正孔輸送層２４には、本発光素子形態に係る高分子化合物が含まれる。

図２は、本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子（上記（ｈ）の構成を有する有機ＥＬ素子）の模式断面図である。図２に示す有機発光素子２２０は、基板２０と、上記基板２０上に形成された陽極２２、電荷注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５及び陰極２８と、を備えている。陽極２２は、基板と接するように基板２０上に設けられており、陽極２２の基板２０と反対側には、電荷注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５及び陰極２８が、この順で積層されている。正孔輸送層２４には、本発光素子形態に係る高分子化合物が含まれる。

〔面状光源、表示装置〕
本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等に有用である。

本発光素子形態に係る有機ＥＬ素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、面状の有機ＥＬ素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプ表示装置が得られる。更に、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置に用いることができる。

更に、面状の有機ＥＬ素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

図３は、本発光素子形態に係る面状光源の模式断面図である。図３に示す面状光源３００は、基板３０と、陽極３１と、正孔輸送層３２と、発光層３３と、陰極３４と、保護層３５と、から構成されている。陽極３１は、基板３０と接するように基板３０上に設けられており、陽極３１の基板３０と反対側には、正孔輸送層３２、発光層３３及び陰極３４がこの順で積層されている。また、保護層３５は、基板３０上に形成された陽極３１、正孔輸送層３２、発光層３３及び陰極３４を全て覆うように、かつ、端部で基板３０と接するように、形成されている。正孔輸送層３２には、本発光素子形態に係る高分子化合物が含まれる。

図３に示した面状光源３００は、発光層３３以外の発光層を更に複数備えるものとし、それぞれの発光層に赤色発光材料、青色発光材料及び緑色発光材料を用い、それぞれの発光層を調整することで、カラー表示装置とすることができる。

次に、本発明の高分子化合物を用いた光電変換素子の実施形態（以下、「光電変換素子形態」ともいう。）について詳細に説明する。

〔用語の説明〕
以下、本光電変換素子形態において共通して用いられる用語について、必要に応じて具体例を挙げて説明する。

「アリーレン基」とは、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いてなる原子団を意味する。ここで、アリーレン基は置換基を有していてもよい。

「ヘテロアリーレン基」とは、芳香族性を有する複素環式化合物から２個の水素原子を除いてなる原子団を意味する。ここで、ヘテロアリーレン基は置換基を有していてもよい。「ヘテロアリーレン基」における「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、窒素原子、燐原子、硫黄原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を含む化合物を意味する。

置換基としてのアルキル基としては、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基及び環状アルキル基（シクロアルキル基）のいずれであってもよい。また、アルキル基における水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。

置換基としてのアルコキシ基は、直鎖状アルコキシ基、分岐状アルコキシ基及び環状アルコキシ基（シクロアルコキシ基）のいずれであってもよい。また、アルコキシ基におけるアルキル基部分としては、上記アルキル基として例示したものと同様の基が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられる。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。

置換基としてのアルキルチオ基は、直鎖状アルキルチオ基、分子鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基（シクロアルキルチオ基）のいずれであってもよい。また、アルキルチオ基におけるアルキル基部分としては、上記アルキル基として例示したものと同様の基が挙げられる。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。

置換基としてのアリール基とは、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いてなる原子団を意味する。アリール基としては、縮合環を有する基、独立したベンゼン環又は縮合環が２個以上単結合した基を含む。また、アリール基は上記のアルキル基、アルコキシ基等でさらに置換されていてもよい。アリール基としては、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、２−フルオレニル基、ペンタフルオロフェニル基、ビフェニリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシビフェニリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルビフェニリル基等が挙げられる。

置換基としてのアリールオキシ基におけるアリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。

置換基としてのアリールチオ基におけるアリール基部分としては、上記アリール基として例示したものと同様の基が挙げられる。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。

置換基としてのアルケニル基は、直鎖状アルケニル基、分岐状アルケニル基及び環状アルケニル基のいずれであってもよい。アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。

置換基としてのアルキニル基は、直鎖状アルキニル基、分岐状アルキニル基及び環状アルキニル基のいずれであってもよい。アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基等が挙げられる。

置換基としてのアミノ基は、−ＮＨ_２で表される基のほか、１又は２個の水素原子が置換基で置換されたアミノ基（即ち、置換アミノ基である。）も含む。置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ビス（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルアミノ基、ビス（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジニルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基等が挙げられる。

置換基としてのシリル基は、−ＳｉＨ_３で表される基のほか、１〜３個の水素原子が置換基で置換されたシリル基（以下「置換シリル基」ともいう。）も含む。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。

置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

置換基としてのアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。

置換基としてのアシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

置換基としての１価の複素環基とは、複素環式化合物（特には、芳香族性を有する複素環式化合物）から１個の水素原子を除いてなる原子団を意味する。「１価の複素環基」における「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を含む化合物を意味する。また、１価の複素環基は上記のアルキル基、アルコキシ基等で更に置換されていてもよい。１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。

置換基としての１価の複素環チオ基とは、メルカプト基の水素原子が１価の複素環基で置換された基を意味する。１価の複素環チオ基としては、例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジニルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等のヘテロアリールチオ基等が挙げられる。

置換基としてのイミン残基は、一般式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^Ｙ１）_２又は一般式：Ｈ−ＣＲ^Ｘ１＝Ｎ−Ｒ^Ｙ１の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。一般式中、Ｒ^Ｘ１は水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示し、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示す。但し、Ｒ^Ｙ１が２個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、また、２個のＲ^Ｙ１は相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン又はアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基が挙げられる。

置換基としてのアミド化合物残基は、一般式：Ｈ−ＮＲ^Ｘ２−ＣＯＲ^Ｙ２又は一般式：Ｈ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^Ｙ２）_２の少なくとも一方で表される構造を有するアミド化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。式中、Ｒ^Ｘ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示し、Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示す。アミド化合物残基としては、ホルムアミド残基、アセトアミド残基、プロピオアミド残基、ブチロアミド残基、ベンズアミド残基、トリフルオロアセトアミド残基、ペンタフルオロベンズアミド残基、ジホルムアミド残基、ジアセトアミド残基、ジプロピオアミド残基、ジブチロアミド残基、ジベンズアミド残基、ジトリフルオロアセトアミド残基、ジペンタフルオロベンズアミド残基等が挙げられる。

置換基としての酸イミド残基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子１個を除いて得られる残基を意味する。酸イミド残基としては、例えば、以下に示す基が挙げられる。

置換基としてのアルコキシカルボニル基は、一般式：Ｒ^Ｘ３ＯＣＯ−で表される基である。式中、Ｒ^Ｘ３は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリール基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルケニル基又はアリール基で置換されたアルキニル基を示す。アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基等が挙げられる。

〔光電変換素子形態に係る高分子化合物〕
本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、アリーレン単位及びヘテロアリーレン単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を繰り返し単位として有し、繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する。

また、本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、炭素クラスター構造を含む基を側鎖に有し、主鎖が以下の繰り返し単位を有する高分子化合物ということもできる。

一般式（１００）中、Ａｒは、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基を示す。

炭素クラスター構造を含む基としては、例えば、下記一般式（１１０）で表される構造を有する基が挙げられる。

［一般式（１１０）中、Ｚ^１１及びＺ^１２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基、炭素数４〜２０の非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、ビニレン基及びそれら同士を組み合わせた２価の基を示す。Ｖは、単結合、酸素原子又は硫黄原子を示す。ｓ及びｕは、それぞれ独立に、０〜１０の整数を示す。Ａ’はフラーレン誘導体から水素原子を１個除いた基を示す。］

炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デカレン基、ドデカレン基、ペンタドデカレン基及びこれらに１価の置換基を有する基等が挙げられる。炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基トリフェニレン基及びこれらに１価の置換基を有する基等が挙げられる。炭素数４〜２０の非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基としては、チエニリデン基、ピリジニレン基、フラニリデン基及びこれらに置換基を有する基等が挙げられる。

Ｚ^１１及びＺ^１２は、好ましくはアルキレン基、アリーレン基であり、更に好ましくはアルキレン基であり、特に好ましくはメチレン基、エチレン基、ブチレン基、ヘキシレン基である。

Ｖは、直接結合、酸素原子又は硫黄原子を示すが、好ましくは直接結合又は酸素原子であり、特に好ましくは直接結合である。

ｓは好ましくは０〜４の整数、更に好ましくは０〜２の整数、特に好ましくは０である。ｕは好ましくは０〜４の整数、更に好ましくは０〜２の整数、特に好ましくは１である。

フラーレン誘導体から水素原子を１個除いた基としては、例えば、フラーレンＣ６０の誘導体から水素原子を１個除いた基、フラーレンＣ７０の誘導体から水素原子を１個除いた基、フラーレンＣ７６の誘導体から水素原子を１個除いた基、フラーレンＣ７８の誘導体から水素原子を１個除いた基、又はフラーレンＣ８４の誘導体から水素原子を１個除いた基が挙げられる。好ましくはフラーレンＣ６０の誘導体から水素原子を１個除いた基、フラーレンＣ７０の誘導体から水素原子を１個除いた基、又はフラーレンＣ８４の誘導体から水素原子を１個除いた基であり、更に好ましくはフラーレンＣ６０の誘導体から水素原子を１個除いた基、又はフラーレンＣ７０の誘導体から水素原子を１個除いた基である。

ここでフラーレン誘導体とは、フラーレンを構成する骨格の炭素−炭素結合を切断し、それぞれの結合を２つの１価の基又は１つの２価の基に置換したものをいう。切断する炭素−炭素結合は１つでもよいし、２つ以上でもよい。このようなフラーレン誘導体の例としては下記Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９、Ａ−１０、Ａ−１１、Ａ−１２、Ａ−１３、Ａ−１４、Ａ−１５、Ａ−１６、Ａ−１７、Ａ−１８、Ａ−１９、Ａ−２０、Ａ−２１、Ａ−２２、Ａ−２３で表される構造を有する化合物が挙げられる。

上記式中、環Ａは、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８又はフラーレンＣ８４のフラーレン環を示す。Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を示す。ｎｎは０〜１０の整数を示す。

環Ａは、好ましくは、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０又はフラーレンＣ８４のフラーレン環であり、更に好ましくは、フラーレンＣ６０又はフラーレンＣ７０のフラーレン環である。上記式中、好ましくは上記Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６で表される構造を有する化合物であり、更に好ましくは上記Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３で表される構造を有する化合物であり、特に好ましくは上記Ａ−１、Ａ−２で表される構造を有する化合物である。

ここで、Ｒで表される１価の有機基としては、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド化合物残基、酸イミド残基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基、シアノ基等が挙げられる。

１価の有機基としてのアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１〜３０である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル墓、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。

１価の有機基としてのアルキルオキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルオキシ基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、アルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、アルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリール基は、その炭素原子数が通常３〜６０であり、置換基を有していてもよい。アリール基の例としては、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールオキシ基は、その炭素原子数が通常３〜６０であり、芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールチオ基は、その炭素原子数が通常３〜６０であり、芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールアルキル基は、その炭素原子数が通常７〜６０であり、置換基を有していてもよい。アリールアルキル基の例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールアルキルオキシ基は、その炭素原子数が通常７〜６０であり、置換基を有していてもよい。アリールアルキルオキシ基の例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールアルキルチオ基は、その炭素原子数が通常７〜６０であり、置換基を有していてもよい。アリールアルキルチオ基の例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアシル基は、その炭素原子数が通常２〜２０である。アシル基の例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

１価の有機基としてのアシルオキシ基は、その炭素原子数が通常２〜２０である。アシルオキシ基の例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。

１価の有機基としてのアミド化合物残基は、一般式：Ｈ−ＮＲ^Ｘ２−ＣＯＲ^Ｙ２又は一般式：Ｈ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^Ｙ２）_２の少なくとも一方で表される構造を有するアミド化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基である。一般式中、Ｒ^Ｘ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を示し、Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を示す。アミド化合物残基は、その炭素原子数が通常２〜２０である。アミド化合物残基の例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

１価の有機基としての酸イミド残基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を１個除いて得られる残基であり、酸イミド残基の例としては、スクシンイミド基、フタル酸イミド基が挙げられる。

１価の有機基としての置換アミノ基は、その炭素原子数が通常１〜４０である。置換アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルオキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基が挙げられる。

１価の有機基としての置換シリル基は、−ＳｉＨ_３で表されるもの、−ＳｉＨ_３中の１〜３個の水素原子が置換基と置換されたシリル基である。置換シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。

１価の有機基としての置換シリルオキシ基の例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ−ｎ−プロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。

１価の有機基としての置換シリルチオ基の例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリ−ｎ−プロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。

１価の有機基としての置換シリルアミノ基の例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリ−ｎ−プロピルシリルアミノ基、トリイソプロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジ（トリメチルシリル）アミノ基、ジ（トリエチルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｎ−プロピルシリル）アミノ基、ジ（トリイソプロピルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）アミノ基、ジ（トリフェニルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｐ−キシリルシリル）アミノ基、ジ（トリベンジルシリル）アミノ基、ジ（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル）アミノ基、ジ（ジメチルフェニルシリル）アミノ基が挙げられる。

１価の有機基としての１価の複素環基の例としては、フラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β−カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の複素環式化合物から水素原子を１個除いた基が挙げられる。１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。

１価の有機基としての複素環オキシ基、複素環チオ基としては、上記１価の複素環基に酸素原子又は窒素原子が結合した基が挙げられる。

１価の有機基としての複素環オキシ基は、その炭素原子数が通常４〜６０である。複素環オキシ基の例としては、チエニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基、チアジアゾールオキシ基が挙げられる。

１価の有機基としての複素環チオ基は、その炭素原子数が通常４〜６０である。複素環チオ基の例としては、チエニルメルカプト基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基、チアジアゾールメルカプト基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールアルケニル基は、通常、その炭素原子数７〜２０であり、アリールアルケニル基の例としては、スチリル基が挙げられる。

１価の有機基としてのアリールアルキニル基は、通常、その炭素原子数７〜２０であり、アリールアルキニル基の例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

このような炭素クラスター構造を含む基としては、下記Ａ’−１、Ａ’−２、Ａ’−３、Ａ’−４、Ａ’−５、Ａ’−６、Ａ’−７、Ａ’−８、Ａ’−９、Ａ’−１０、Ａ’−１１、Ａ’−１２で表される基が挙げられる。

上記式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を示す。ハロゲン原子、１価の有機基としては上述のものと同じものを挙げることができる。環Ａは前述と同じ意味を表す。＊は結合手を表す。

繰り返し単位であるアリーレン単位中のアリーレン基は、前述のとおりである。

アリーレン基として、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環、ペリレン環から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。アリーレン基は、ハロゲン原子又は１価の有機基を有していてもよい。ハロゲン原子、１価の有機基としては、上述のものと同じものを挙げることができる。アリーレン基の例としては、下記式１〜３８で表される構造を有する基を挙げることができる。

上記式１〜３８中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。ハロゲン原子、１価の有機基としては、上述のものと同じものを挙げることができる。

繰り返し単位であるヘテロアリーレン単位中のヘテロアリーレン基は、前述のとおりである。芳香族性を有する複素環式化合物は、芳香族性を有する複素多環式化合物であることが好ましい。芳香族性を有する複素多環式化合物とは、２つ以上の環式構造を有する有機化合物が縮合した化合物であり、かつその環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含み、更に縮合した化合物が芳香族性を有しているものをいう。このような芳香族性を有する複素多環式化合物から２個の水素原子を除いてなるヘテロアリーレン基としては、下記式４９〜７２、７６〜８４、９１〜９３、９９〜１０４、１０６〜１０８又は１１０で表される構造を有する基が挙げられる。

上記式４９〜７２、７６〜８４、９１〜９３、９９〜１０４、１０６〜１０８又は１１０中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。ハロゲン原子、１価の有機基としては、上述のものと同じものを挙げることができる。＊は結合手を示す。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、ヘテロアリーレン単位を有することが好ましく、ヘテロアリーレン単位を繰り返し単位として有することがより好ましい。また、ヘテロアリーレン単位中のヘテロアリーレン基が、芳香族性を有する硫黄環を含む化合物から水素原子を２個除いた基（以下、「２価の芳香族性含硫黄環基」ともいう。）であることが更に好ましい。２価の芳香族性含硫黄環基としては、例えば、チオフェン環、チアゾール環、チオフェン環を有する多環式化合物及びチアゾール環を有する多環式化合物から水素原子を２個除いた基が挙げられる。これらの環にはハロゲン原子又は１価の有機基を有していてもよい。ハロゲン原子、１価の有機基としては上述したものと同じものを挙げることができる。

チオフェン環から水素原子を２個除いた基としては、下記式（１−１）、（１−２）、（１−３）で表される構造を有する基が挙げられる。

上記式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を示す。ハロゲン原子、１価の有機基としては上述したものと同じものを挙げることができる。＊は結合手を示す。

チアゾール環から水素原子を２個除いた基としては、下記式（１−４）、（１−５）で表される構造を有する基が挙げられる。

チオフェン環を有する多環式化合物としては下記の（２−１）、（２−２）、（２−３）で表される構造を有する化合物、チアゾール環を有する多環式化合物としては、下記の（２−４）で表される構造を有する化合物が例示される。

上記式中、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、環Ｅ及び環Ｇは、それぞれ独立に、非置換若しくは置換の芳香環、非置換若しくは置換の芳香族複素環である。式（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）で表される化合物は、ハロゲン原子又は１価の有機基を有していてもよいが、環上に２つ以上の水素原子を有する。ハロゲン原子、１価の有機基としては上述したものと同じものを挙げることができる。

ここでいう芳香環とは、環を構成する元素が炭素原子だけで構成された環であり、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環、ペリレン環が挙げられる。

ここでいう芳香族複素環とは、環式構造を有する有機化合物のうち、環を構成する元素として炭素原子に加え、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいい、その例としては、フラン、ピロール、イミダゾール、チオフェン、ホスホール、ボロール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジンベンゾフラン、イソベンゾフラン、インドール、イソインドール、ベンゾチオフェン、ベンゾホスホール、ベンゾイミダゾール、プリン、インダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリンが挙げられる。これらの芳香族複素環は、更に他の芳香環又は芳香族複素環と縮合していてもよい。

チオフェン環を有する多環式化合物から水素原子を２個除いた基としては、下記式で表される構造を有する基が挙げられる。

上記式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。ハロゲン原子、１価の有機基としては上述したものと同じものを挙げることができる。＊は結合手を示す。

チアゾール環を有する多環式化合物から水素原子を２個除いた基としては下記式で表される構造を有する基が挙げられる。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、ヘテロアリーレン単位を繰り返し単位として含んでいることが好ましい。ヘテロアリーレン単位を繰り返し単位として含んでいる場合、該ヘテロアリーレン単位中のヘテロアリーレン基が２価の芳香族性含硫黄環基を含んでいることが更に好ましく、ヘテロアリーレン基のすべてが２価の芳香族性含硫黄環基であることが特に好ましい。２価の芳香族性含硫黄環基を含んでいる場合、主鎖中に２価の芳香族性含硫黄環基が連続する数が、１〜２０であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましく、１〜５であることが更に好ましい。上記範囲であることにより、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を有機太陽電池に用いた場合に、有機太陽電池の電圧をより高くすることができ、より優れた電圧特性を有する有機太陽電池を得ることができる。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物はまた、第１の繰り返し単位と、第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位とを含み、上記第１の繰り返し単位及び第２の繰り返し単位の少なくとも一方が炭素クラスター構造を含む基を有することが好ましい。例えば、第１の繰り返し単位としてヘテロアリーレン単位、第２の繰り返し単位としてアリーレン単位とすることができる。

炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、下記一般式（Ｔ５Ａ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、Ａｒ^５００は、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基を示す。ＴＸは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ＴＷ及びＲ_ＴＸは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ａ”は炭素クラスター構造を示す。ｉは１〜４の整数を示す。ＴＷは、炭素原子を含む２価の基又はケイ素原子を示す。ＴＺは、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれるヘテロ原子又は炭素原子を示す。ｈは０〜１２の整数、ｇは０又は１を示す。ここで、ｈが０のとき、ｇは１であり、かつ、ＴＷはケイ素原子である。ｈが１のとき、ＴＺは炭素原子である。ｈが２以上のとき、複数存在するＴＺの少なくとも１つはヘテロ原子であってもよく、隣り合う炭素原子間の結合は単結合又は不飽和結合であり、ＴＷとしての、炭素原子を含む２価の基は、ＴＺを含む環と一緒になって環を形成していてもよい。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ、ＴＷ、ＴＺ、ｇ、ｈ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、ＴＸは、単結合、酸素原子、硫黄原子又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示し、好ましくは単結合又は酸素原子であり、より好ましくは単結合である。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、ＴＷは、炭素原子を含む２価の基又はケイ素原子を示す。炭素を含む２価の基としては、例えば、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基が挙げられる。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、Ｒ_ＴＷ及びＲ_ＴＸは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基であり、好ましくは単結合又は非置換のアルキレン基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜２０の非置換のアルキレン基である。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、環Ａ”は炭素クラスター構造を示し、例えば、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８４のフラーレン環であり、好ましくは、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ８４のフラーレン環であり、更に好ましくは、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０のフラーレン環である。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、ｉは１〜４の整数を示し、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１又は２である。

上記一般式（Ｔ５Ａ）中、ｈは０〜１２の整数を示し、好ましくは１〜８の整数であり、より好ましくは１〜４の整数であり、更に好ましくは１又は４である。また、ｈが２以上の整数である場合、隣り合うＴＺ同士の結合は、単結合及び二重結合のいずれであってもよい。

炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、下記一般式（Ｔ５’）で表される繰り返し単位、下記一般式（Ｔ５Ｂ）で表される繰り返し単位、下記一般式（Ｔ５Ｃ）で表される繰り返し単位及び下記一般式（Ｔ５Ｄ）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。

上記一般式（Ｔ５’）中、Ａｒ^５００は、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基を示す。Ａｒ^１１０は、非置換若しくは置換のアリーリジン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーリジン基を示す。ＴＸは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ＴＷ及びＲ_ＴＸは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^１００及びＲ^２００は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基又は炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基を示す。Ｒ^１００及びＲ^２００は複数存在する場合、各々、同一であっても異なっていてもよい。環Ａ”は炭素クラスター構造を示す。ｉは１〜４の整数、ｊは０又は１を示す。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ、Ａｒ^１１０、Ｒ^１００、Ｒ^２００、ｊ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。なお、ｊが０のとき、置換基Ｒ^１００が結合している炭素原子と置換基Ｒ^２００が結合している炭素原子は直接結合していない。

上記一般式（Ｔ５’）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、環Ａ”及びｉは、それぞれ、一般式（Ｔ５Ａ）中のものと同義である。

Ａｒ^１１０で示される非置換若しくは置換のアリーリジン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜３０であり、より好ましくは６〜１６である。Ａｒ^１１０で示される非置換若しくは置換のヘテロアリーリジン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜３０であり、より好ましくは６〜１６である。ヘテロアリーリジン基は、芳香環を形成する原子として、炭素原子に加え、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を含んでいてもよい。

上記一般式（Ｔ５’）中、Ｒ^１００及びＲ^２００は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基又は炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基を示し、好ましくは水素原子である。

上記一般式（Ｔ５Ｂ）中、Ａｒ^５００は、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基を示す。ＴＸは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ＴＷ及びＲ_ＴＸは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^３０は、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基又はＲ_ＴＸとの直接結合を示す。複数存在するＲ^３０は、各々、同一であっても異なっていてもよい。環Ａ”は炭素クラスター構造を示す。ｉは１〜４の整数を示す。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ｂ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、環Ａ”及びｉは、それぞれ、一般式（Ｔ５Ａ）中のものと同義である。

上記一般式（Ｔ５Ｂ）中、Ｒ^３０は、水素原子、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキル基、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルコキシ基又はＲ_ｘとの直接結合を示し、好ましくは水素原子である。複数存在するＲ^３０は、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ｃ）中、Ａｒ^５００は、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基を示す。ＴＸは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ＴＷ及びＲ_ＴＸは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ａ”は炭素クラスター構造を示す。ｉは１〜４の整数を示す。ＴＺは、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれるヘテロ原子又は炭素原子を示す。ＴＺである窒素原子及び炭素原子は、置換基を有していてもよい。ｈは１〜１２の整数を示す。ここで、ｈが１のとき、ＴＺは炭素原子である。ｈが２以上のとき、複数存在するＴＺの少なくとも１つはヘテロ原子であってもよく、隣り合う炭素原子間の結合は単結合又は不飽和結合であってもよい。なお、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ、ＴＺ、ｈ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ｃ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、ＴＺ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、環Ａ”、ｈ及びｉは、それぞれ、一般式（Ｔ５Ａ）中のものと同義である。

上記一般式（Ｔ５Ｄ）中、Ａｒ^５００は、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基を示す。ＴＸは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ＴＷ及びＲ_ＴＸは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ａ”は炭素クラスター構造を示す。ｉは１〜４の整数を示す。なお、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ｄ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、環Ａ”及びｉは、それぞれ、一般式（Ｔ５Ａ）中のものと同義である。

ここで、第１の繰り返し単位に炭素クラスター構造を含む基が導入されている場合、その構造の例としては、下記式で表される構造が挙げられる。

また、第２の繰り返し単位に炭素クラスター構造を含む基が導入されている場合、その構造の例としては、下記式で表される構造が挙げられる。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、重量平均分子量が、通常、１．０×１０^３以上であり、好ましくは３．０×１０^３〜１．０×１０^７であり、より好ましくは８．０×１０^３〜５．０×１０^６であり、更に好ましくは１．０×１０^４〜１．０×１０^６である。
なお、本光電変換素子形態における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンの標準試料を用いて算出したポリスチレン換算の重量平均分子量である。

また、本光電変換素子形態に係る高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、１×１０^３〜１×１０^８である。ポリスチレン換算の数平均分子量がかかる範囲を満たすと、強靭な薄膜が得られ易くなる傾向、及び、高分子化合物の溶解性がより高く、薄膜の作製が容易となる傾向がある。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物中の炭素クラスター構造の含有量は、通常、０．００１質量％〜８０質量％であり、好ましくは０．０１質量％〜７０質量％であり、特に好ましくは０．１質量％〜６０質量％である。

また、本光電変換素子形態に係る高分子化合物中の炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位は、高分子化合物中の全繰り返し単位の合計（炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位と炭素クラスター構造を含む基を有しない繰り返し単位との合計）に対して、５モル％以上１００モル％以下であることが好ましく、１５モル％以上８０モル％以下であることがより好ましく、３０モル％以上６０モル％以下であることが更に好ましい。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子の作製に用いたときに得られる素子の特性や寿命が低下する可能性があるため、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、また、例えば、ビニレン基を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している構造であってもよい。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、共重合体である場合、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、光吸収末端波長が長波長であることが好ましい。光吸収末端波長は、高分子化合物の薄膜を用いて、以下の方法で求めることができる。
上記薄膜の吸収スペクトル測定には、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計（例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０）を用いる。ＪＡＳＣＯ−Ｖ６７０を用いる場合、測定可能な波長範囲が２００ｎｍ〜１５００ｎｍであるため、該波長範囲で測定を行う。
まず、測定に用いる基板の吸収スペクトルを測定する。基板としては、石英基板、ガラス基板等を用いる。次いで、高分子化合物を含む溶液又は高分子化合物を含む溶融体から、その基板の上に高分子化合物を含む薄膜を形成する。溶液からの製膜では、製膜後乾燥を行う。その後、薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルを得る。薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルと基板の吸収スペクトルとの差を、高分子化合物の吸収スペクトルとして得る。
該薄膜の吸収スペクトルは、縦軸が高分子化合物の吸光度を、横軸が波長を示す。最も吸光度の高い吸収ピークの吸光度が０．５〜２．０になるよう、薄膜の厚さを調整することが望ましい。
（複数ある）吸収ピークのうち、一番長波長側にある吸収ピーク（以下、「最長波長吸収ピーク」という。）の吸光度を１００％とする。その５０％となる吸光度の位置に横軸（波長軸）と平行な直線を引き、該直線と最長波長吸収ピークとの交点のうち、最長波長吸収ピークのピーク波長よりも長波長側の交点を第１の点とする。その２５％となる吸光度の位置に横軸（波長軸）と平行な直線を引き、該直線と最長波長吸収ピークとの交点のうち、最長波長吸収ピークのピーク波長よりも長波長側の交点を第２の点とする。
この第１の点と第２の点とを結ぶ直線と基準線との交点から横軸（波長軸）に垂線を引いたときの、横軸（波長軸）と垂線との交点にある波長値を光吸収末端波長と定義する。
ここで、基準線とは、以下のようにして定められる直線をいう。最長波長吸収ピークの吸光度を１００％とし、その１０％となる吸光度の位置に横軸（波長軸）と平行な直線を引き、該直線と最長波長吸収ピークとの交点のうち、最長波長吸収ピークのピーク波長よりも長波長側の交点から横軸（波長軸）に垂線を引いたときの、横軸（波長軸）と垂線との交点にある波長値を基準波長とする。基準波長より１００ｎｍ長波長の位置に横軸（波長軸）と垂直な直線を引き、該直線と高分子化合物の吸収スペクトルとの交点を第３の点とし、基準波長より１５０ｎｍ長波長の位置に横軸（波長軸）と垂直な直線を引き、該直線と高分子化合物の吸収スペクトルとの交点を第４の点とする。この第３の点と第４の点を結んだ直線を基準線という。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、当該高分子化合物に含まれる単位に対応する化合物（モノマー）を縮合重合して得ることができる。モノマーは、予め合成し単離したものを用いてもよく、反応系中で合成してそのまま用いてもよい。

＜製造方法１＞
本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、炭素クラスター構造を含む基を有する化合物であって、縮合重合により合成したときにアリーレン単位又はヘテロアリーレン単位となる化合物を用いて縮合重合することにより製造することができる。その他の縮合重合に用いる化合物は、繰り返し単位がアリーレン単位又はヘテロアリーレン単位となるように選択することができる。

例えば、下記一般式（Ｔ５Ａ−ａ）で表される化合物を縮合重合することにより、製造することができる。

上記一般式（Ｔ５Ａ−ａ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＷ、ＴＺ、ｈ、ｇ及び環Ａ”は、上記一般式（Ｔ５Ａ）のものと同義である。Ｚ^１００は、ハロゲン原子、メトキシ基、ホウ酸エステル残基（詳しくは、後述のとおりである。）、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）_２）、下記式（Ｔａ−１）で表される基、下記式（Ｔａ−２）で表される基、下記式（Ｔａ−３）で表される基又は下記式（Ｔａ−４）で表される基を示す。２個存在するＺ^１００は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ、ＴＷ、ＴＺ、ｇ、ｈ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

式（Ｔａ−１）中、Ｒ^ＴＴは、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示す。

式（Ｔａ−２）中、Ｘ_ＴＡは、ハロゲン原子を示す。

式（Ｔａ−３）中、Ｘ_ＴＡは、上記と同じ意味を有する。

式（Ｔａ−４）中、Ｒ^ＴＴは、上記と同じ意味を有する。

また、例えば、下記一般式（Ｔ５’−ａ）で表される化合物、下記一般式（Ｔ５Ｂ−ａ）で表される化合物、下記一般式（Ｔ５Ｃ−ａ）で表される化合物及び下記一般式（Ｔ５Ｄ−ａ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を縮合重合することにより、製造することもできる。

上記一般式（Ｔ５’−ａ）中、Ａｒ^５００、Ａｒ^１１０、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、Ｒ^１００、Ｒ^２００、環Ａ”、ｉ及びｊは、上記一般式（Ｔ５’）中のものと同義である。Ｚ^１００は、一般式（Ｔ５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１００は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ、Ａｒ^１１０、Ｒ^１００、Ｒ^２００、ｊ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。なお、ｊが０のとき、置換基Ｒ^１００が結合している炭素原子と置換基Ｒ^２００が結合している炭素原子は直接結合していない。

上記一般式（Ｔ５Ｂ−ａ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、Ｒ^３０、環Ａ”及びｉは、上記一般式（Ｔ５Ｂ）中のものと同義である。Ｚ^１００は、一般式（Ｔ５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１００は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ｃ−ａ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、環Ａ”、ｉ、ＴＺ及びｈは、上記一般式（Ｔ５Ｃ）中のものと同義である。Ｚ^１００は、一般式（Ｔ５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１００は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ、ＴＺ、ｈ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（Ｔ５Ｄ−ａ）中、Ａｒ^５００、ＴＸ、Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、環Ａ”及びｉは、上記一般式（Ｔ５Ｄ）中のものと同義である。Ｚ^１００は、一般式（Ｔ５Ａ−ａ）中のものと同義である。２個存在するＺ^１００は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ_ＴＷ、Ｒ_ＴＸ、ＴＸ及び環Ａ”が複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。

＜製造方法２＞
本光電変換素子形態に係る高分子化合物はまた、予め縮合重合によって合成した前駆体高分子化合物と、炭素クラスターとを反応させることにより得ることもできる。前駆体高分子化合物は、アリーレン単位及びヘテロアリーレン単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の単位を繰り返し単位として有し、かつ繰り返し単位の少なくとも一部が架橋性基を含有するものである。

架橋性基としては、ジビニル基、イソブテンからビニル基上の水素原子を一つ取り除いた基、ベンゾシクロブテンからベンゼン環上の水素原子を１つ取り除いた基、アジ基等が挙げられる。架橋性基の例としては、下記式Ｂ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｂ−５、Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９、Ｂ−１０、Ｂ−１１、Ｂ−１２、Ｂ−１３、Ｂ−１４、Ｂ−１５、Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９、Ｂ−２０、Ｂ−２１、Ｂ−２２で表される基が挙げられる。

例えば、炭素クラスター構造を含む基として、上記式Ａ’−１で表される基を有する高分子化合物は、上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物とフラーレンとを反応させることにより得ることができる。また、炭素クラスター構造を含む基として、上記式Ａ’−２で表される基を有する高分子化合物は、上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物とフラーレンとを反応させることにより得ることができる。

上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物の一例としては、下記式で表される構造を繰り返し単位として有する前駆体高分子化合物が挙げられる。

上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物の一例としては、下記式で表される構造を繰り返し単位として有する前駆体高分子化合物が挙げられる。

上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物とフラーレンとの反応、及び上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物とフラーレンとの反応は、通常、有機溶媒等の溶媒の存在下又は無溶媒下で行われ、好ましくは有機溶媒等の溶媒の存在下で行われる。

上記有機溶媒の使用量は、上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物、又は上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物の合計濃度が、通常、０．１質量％〜９０質量％、好ましくは０．１質量％〜１０質量％、より好ましくは０．５質量％〜５質量％となる量である。

上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物、又は上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物と、フラーレンとの反応温度は、好ましくは６０℃〜２５０℃であり、より好ましくは１００℃〜２２０℃であり、更に好ましくは１８０℃〜２２０℃である。

反応に使用するフラーレンの量は、上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物、又は上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物中に含まれる全架橋性基のモル数に対して、０．５モル当量〜５モル当量が好ましく、１．０モル当量〜４モル当量が更に好ましく、１．５モル当量〜３モル当量が特に好ましい。

上記式Ｂ−６、Ｂ−７、Ｂ−８、Ｂ−９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物、又は上記式Ｂ−１６、Ｂ−１７、Ｂ−１８、Ｂ−１９で表される架橋性基を有する前駆体高分子化合物と、フラーレンとを反応させることにより得られる高分子化合物中に含まれる、当該高分子化合物に担持されていないフラーレンの割合は、高分子化合物に含まれる繰り返し単位のモル数、及び高分子化合物に担持されていないフラーレンのモル数をそれぞれＮ_Ｍ’及びＮ_ＮＳ’としたときに、Ｎ_Ｍ’及びＮ_ＮＳ’が下記式（ＩＶ’）を満たすことが、光電変換素子の特性の向上の観点及び特性の安定性の観点から好ましい。
０≦Ｎ_ＮＳ’×１００／Ｎ_Ｍ’≦５０（ＩＶ’）

高分子化合物中に遊離しているフラーレンを除去するための精製方法としては、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の精製方法が例示される。

上記精製方法がカラムクロマトグラフィーによる精製の場合、シリカゲル、アルミナ、活性炭を用いることが好ましく、シリカゲル、活性炭を用いることが更に好ましく、それらを併用して用いることが特に好ましい。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物又は前駆体高分子化合物の縮合重合反応の方法としては、特に制限されるものではないが、高分子化合物又は前駆体高分子化合物の合成の容易さからは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応やＳｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法が好ましい。以下、本光電変換素子形態に係る高分子化合物、又は前駆体高分子化合物を縮合重合により製造する方法を、前駆体高分子化合物を例として説明する。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式（１２０）：

［式（１２０）中、Ｅ^１は、芳香環を含む２価の基を示す。Ｅ^１は炭素クラスター構造を含む基を側鎖に有していてもよいし、架橋性基を側鎖に有していてもよい。Ｑ^１００及びＱ^２００は、それぞれ独立に、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）_２）又はホウ酸エステル残基を示す。］
で表される１種以上の化合物と、式（２００）：

［式（２００）中、Ｅ^２は、式（１００）で表される単位を示す。Ｔ^１及びＴ^２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を示す。］
で表される１種以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する方法が挙げられる。Ｅ^１として好ましくは２価の芳香族基であり、更に好ましくは、前述した式１〜３８、４９〜７２、７６〜８４、９１〜９３、９９〜１０４、１０６〜１０８又は１１０で表される構造を有する基が挙げられる。また、Ｅ^１及びＥ^２の少なくとも１種は、炭素クラスター構造を含む基又は架橋性基を側鎖に有する。

この場合、反応に用いる式（２００）で表される１種以上の化合物のモル数の合計が、式（１２０）で表される１種以上の化合物のモル数の合計に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式（２００）で表される１種以上の化合物のモル数の合計を１モルとすると、式（１２０）で表される１種以上の化合物のモル数の合計が０．６モル〜０．９９モルであることが好ましく、０．７モル〜０．９５モルであることが更に好ましい。

ホウ酸エステル残基としては、下記式で表される基が例示される。

［式中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示す。］

式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることが更に好ましい。

式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。

具体的には、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う方法としては、任意の溶媒中において、触媒としてパラジウム触媒を用い、塩基の存在下で反応させる方法等が挙げられる。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒が挙げられ、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが好ましく、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが特に好ましい。
パラジウム触媒の添加量は、触媒としての有効量であればよいが、式（１２０）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０００１モル〜０．５モル、好ましくは０．０００３モル〜０．１モルである。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン等のリン化合物を配位子として添加することができる。この場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル〜１００モルであり、好ましくは０．９モル〜２０モルであり、更に好ましくは１モル〜１０モルである。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用する塩基としては、無機塩基、有機塩基、無機塩等が挙げられる。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンが挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウムが挙げられる。
塩基の添加量は、式（１２０）で表される化合物１モルに対して、通常、０．５モル〜１００モルであり、好ましくは０．９モル〜２０モルであり、更に好ましくは１モル〜１０モルである。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が例示される。本光電変換素子形態に係る高分子化合物又は前駆体高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。また、塩基は、水溶液として加え、２相系で反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、無機塩の溶解性の観点から、通常、水溶液として加えて反応させる。なお、塩基を水溶液として加え、２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩等の相間移動触媒を加えてもよい。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う温度は、上記溶媒にもよるが、通常、５０℃〜１６０℃であり、高分子化合物の高分子量化の観点から、６０℃〜１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間〜２００時間である。１時間〜３０時間が効率的で好ましい。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ（０）触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（１２０）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、更に、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、予め窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、この溶液に、予め窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。

Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式（３００）：
Ｑ^３００−Ｅ^３−Ｑ^４００（３００）
［式中、Ｅ^３は、芳香環を含む２価の基を示す。Ｑ^３００及びＱ^４００は、同一であっても異なっていてもよく、有機スズ残基を表す。］
で表される１種以上の化合物と、上記式（２００）で表される１種以上の化合物とを、パラジウム触媒の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。Ｅ^３として好ましくはアリーレン基及びヘテロアリーレン基であり、更に好ましくは、前述した式１〜３８、４９〜７２、７６〜８４、９１〜９３、９９〜１０４、１０６〜１０８又は１１０で表される構造を有するアリーレン基及びヘテロアリーレン基が挙げられる。また、Ｅ^２及びＥ^３の少なくとも１種は、炭素クラスター構造を含む基を側鎖に有していてもよいし、架橋性基を側鎖に有していてもよい。

有機スズ残基としては、−ＳｎＲ^１１０ _３で表される基等が挙げられる。
ここでＲ^１１０は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基等が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル墓、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２一メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
有機スズ残基として好ましくは−ＳｎＭｅ_３、−ＳｎＥｔ_３、−ＳｎＢｕ_３、−ＳｎＰｈ_３であり、更に好ましくは−ＳｎＭｅ_３、−ＳｎＥｔ_３、−ＳｎＢｕ_３である。上記好ましい例において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。

式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましい。

式（２００）における、Ｔ^１及びＴ^２で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。

具体的には、触媒として、例えば、パラジウム触媒下で任意の溶媒中で反応する方法が挙げられる。
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒が挙げられる。具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが挙げられ、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒の添加量は、触媒としての有効量であればよいが、式（３００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０００１モル〜０．５モル、好ましくは０．０００３モル〜０．２モルである。

Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応において、必要に応じて配位子や助触媒を用いることもできる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−フリル）ホスフィン等のリン化合物やトリフェニルアルシン、トリフェノキシアルシン等の砒素化合物が挙げられる。助触媒としてはヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、２−テノイル酸銅（Ｉ）等が挙げられる。
配位子又は助触媒を用いる場合、配位子又は助触媒の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル〜１００モルであり、好ましくは０．９モル〜２０モル、更に好ましくは１モル〜１０モルである。

Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。本光電変換素子形態に係る高分子化合物又は前駆体高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。

Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を行う温度は、上記溶媒にもよるが、通常、５０℃〜１６０℃であり、高分子化合物の高分子量化が容易であるとの観点から、６０℃〜１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。

上記反応を行う時間（反応時間）は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間〜２００時間である。１時間〜３０時間が効率的で好ましい。

Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内の気体を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（３００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、パラジウム触媒を仕込み、更に、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、予め窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、必要に応じて配位子や助触媒を加え、その後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。

本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、高い電荷（電子、正孔）輸送性を発揮し得ることから、該高分子化合物を含む有機薄膜を素子に用いた場合、電極から注入された電荷、又は光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、これらの特性により、光電変換素子（特に、有機太陽電池）に好適に用いることができる。

〔光電変換組成物〕
本光電変換素子形態に係る光電変換組成物は、第１の化合物と、第１の化合物とは異なる第２の化合物とを含有する。ここで、第１の化合物は、本光電変換素子形態に係る高分子化合物である。

第２の化合物の第一の態様は、上述の光吸収末端波長が５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である高分子化合物である。光吸収末端波長が５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である高分子化合物を用いることによって光の吸収量を多くすることができ、短絡電流密度を向上させることができる。好ましくは光吸収末端波長が５５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である高分子化合物であり、さらに好ましくは光吸収末端波長が６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である高分子化合物である。このような高分子化合物としては、例えば、以下の式で表される構成単位を有する高分子化合物が挙げられる。

［式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を示す。ハロゲン原子、１価の有機基としては上述したものと同じものを挙げることができる。］

第２の化合物の第二の態様は、フラーレン又はフラーレン誘導体である。フラーレン又はフラーレン誘導体を用いると電荷分離を促進して光電変換効率が向上するために好ましい。

フラーレン及びフラーレン誘導体としては、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８４及びこれらの誘導体が挙げられる。

フラーレン誘導体としては、例えば、式（Ｔ−１３）で表される化合物、式（Ｔ−１４）で表される化合物、式（Ｔ−１５）で表される化合物、式（Ｔ−１６）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｔ−１３）、（Ｔ−１４）、（Ｔ−１５）、（Ｔ−１６）中、Ｒ^ａは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はエステル構造を有する基である。複数個あるＲ^ａは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^ｂは、アルキル基又はアリール基を表す。複数個あるＲ^ｂは、同一であっても異なっていてもよい。］

Ｒ^ａ及びＲ^ｂで表されるアルキル基、アリール基の定義、具体例は、上述のＲで示される１価の有機基におけるアルキル基、アリール基の定義、具体例と同じである。

Ｒ^ａで表されるヘテロアリール基は、通常、炭素原子数が３〜６０であり、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。

Ｒ^ａで表されるエステル構造を有する基としては、例えば、式（Ｔ−１７）で表される基が挙げられる。

［式（Ｔ−１７）中、ｕ１は、１〜６の整数を示し、ｕ２は、０〜６の整数を示し、Ｒ^ｃは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示す。］

Ｒ^ｃで表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の定義、具体例は、Ｒ^ａで表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の定義、具体例と同じである。

フラーレンＣ６０の誘導体の例としては、以下の化合物が挙げられる。

フラーレンＣ７０の誘導体の例としては、以下の化合物が挙げられる。

フラーレン誘導体の例としては、［６，６］フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］−ＰｈｅｎｙｌＣ６１ｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル−Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］−ＰｈｅｎｙｌＣ７１ｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル−Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］−ＰｈｅｎｙｌＣ８５ｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）、［６，６］チエニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］−ＴｈｉｅｎｙｌＣ６１ｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）が挙げられる。

また、本光電変換素子形態に係る光電変換組成物は、第２の化合物の含有量が、光電変換組成物全量を基準として、０．１質量％〜９９質量％である。好ましくは１質量％〜８０質量％であり、より好ましくは５質量％〜６０質量％である。

〔光電変換素子〕
本光電変換素子形態に係る光電変換素子は、一対の電極間に、本光電変換素子形態に係る高分子化合物又は光電変換組成物を含む１層以上の活性層を有する。

本光電変換素子形態に係る光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、ｐ型の有機半導体とｎ型の有機半導体との有機組成物から形成される活性層を有する。本光電変換素子形態に係る高分子化合物は分子内にｐ型半導体とｎ型半導体の特性を有するため、光電変換素子の活性層として好ましく用いられる。

本光電変換素子形態に係る光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。

本光電変換素子形態に係る光電変換素子の他の形態は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、該電極間に本光電変換素子形態に係る高分子化合物又は光電変換組成物を含む第１の活性層と、該第１の活性層に隣接して、フラーレン誘導体等の電子受容性化合物を含む第２の活性層と、を備える光電変換素子である。第１の活性層には本光電変換素子形態に係る高分子化合物又は光電変換組成物のほかに、本発明の目的を妨げない限りにおいて、任意の電子供与性化合物や電子受容性化合物を有していてもよい。

透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、ＮＥＳＡや、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

一方の電極は透明でなくてもよく、該電極の電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、又は、１種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。

光電変換効率を向上させるための手段として活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、ＰＥＤＯＴ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン）等が挙げられる。

活性層は、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を１種単独で含んでいても２種以上を組み合わせて含んでいてもよい。活性層の正孔輸送性を高めるため、電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物として、本光電変換素子形態に係る高分子化合物以外の化合物を活性層中に混合して用いることもできる。なお、電子供与性化合物、電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。

電子供与性化合物としては、本光電変換素子形態に係る高分子化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。

電子受容性化合物としては、本光電変換素子形態に係る高分子化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン）等のフェナントロリン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。

フラーレン、フラーレン誘導体としては、前述の第２の化合物の態様の一つとして説明したフラーレン又はフラーレン誘導体の定義、具体例と同じである。

同一の活性層中に本光電変換素子形態に係る高分子化合物とフラーレン誘導体とを含む場合、フラーレン誘導体の割合が、光電変換組成物全量を基準として、通常、０．１質量％〜９９質量％であり、好ましくは１質量％〜８０質量％であり、より好ましくは５質量％〜６０質量％である。

活性層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。

活性層は、任意の方法で製造してもよく、例えば、高分子化合物を含む溶液から成膜する方法、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。

光電変換素子の好ましい製造方法は、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有する光電変換素子の製造方法であって、該第１の電極上に本光電変換素子形態に係る高分子化合物と溶媒とを含む溶液（一般的に、インクとも言う。）を塗布法により塗布して活性層を形成する工程と、該活性層上に第２の電極を形成する工程とを備える光電変換素子の製造方法である。本光電変換素子形態に係る高分子化合物と溶媒とを含む溶液を塗布することにより、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を含む有機薄膜を形成することができる。

溶液に用いる溶媒は、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、通常、前記溶媒に０．１質量％以上溶解させることができる。

溶液を用いて成膜（活性層を形成）する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェット印刷法、スピンコート法が好ましい。

成膜性の観点からは、２５℃における溶媒の表面張力が１５ｍＮ／ｍより大きいことが好ましく、１５ｍＮ／ｍより大きく１００ｍＮ／ｍよりも小さいことがより好ましく、２５ｍＮ／ｍより大きく６０ｍＮ／ｍよりも小さいことが更に好ましい。

〔太陽電池〕
本光電変換素子形態に係る高分子化合物を用いた光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。また、有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。

図４は、本光電変換素子形態に係る有機薄膜太陽電池の模式断面図である。図４に示す有機薄膜太陽電池１００は、基板１と、基板１上に形成された第１の電極７ａと、第１の電極７ａ上に形成された本光電変換素子形態に係る高分子化合物を含む有機薄膜からなる活性層２と、活性層２上に形成された第２の電極７ｂと、を備えるものである。

本光電変換素子形態に係る有機薄膜太陽電池においては、第１の電極７ａ及び第２の電極７ｂの一方に透明又は半透明の電極を用いる。電極材料としては、上述したものを用いることができる。高い開放電圧を得るためには、それぞれの電極として、仕事関数の差が大きくなるように選ばれることが好ましい。活性層２（有機薄膜）中には光感度を高めるために電荷発生剤、増感剤等を添加することができる。基板１としては、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。

〔太陽電池モジュール〕
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプとよばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本光電変換素子形態に係る高分子化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。

代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等様々な種類のプラスチック材料をフィルム又は充填樹脂の形で用いてもよい。

また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。

ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，４８，ｐ３８３−３９１記載の「ＳＣＡＦ」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。

〔有機イメージセンサー〕
本光電変換素子形態に係る高分子化合物を用いた光電変換素子はまた、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。

〔有機トランジスタ〕
本光電変換素子形態に係る高分子化合物は、高い電荷輸送性を発揮し得ることから、有機薄膜トランジスタにも好適に用いられる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機半導体層（即ち、活性層であり、以下同様である。）と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられ、有機半導体層が上述した本光電変換素子形態に係る高分子化合物を含む有機薄膜によって構成されるものである。このような有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型、静電誘導型等が挙げられる。

電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層に接して設けられており、更に有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層が、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を含む有機薄膜によって構成される。

静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。静電誘導型有機薄膜トランジスタにおいても、有機半導体層が、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を含む有機薄膜によって構成される。

図５は、本光電変換素子形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図５に示す有機薄膜トランジスタ４００は、基板１０と、基板１０上に所定の間隔をもって形成されたソース電極１５及びドレイン電極１６と、ソース電極１５及びドレイン電極１６を覆うようにして基板１０上に形成された有機半導体層１２と、有機半導体層１２上に形成された絶縁層１３と、ソース電極１５とドレイン電極１６との間の絶縁層１３の領域を覆うように絶縁層１３上に形成されたゲート電極１４と、を備えるものである。

本光電変換素子形態に係る有機薄膜トランジスタ４００においては、有機半導体層１２は、本光電変換素子形態に係る高分子化合物を含む有機薄膜から構成されており、ソース電極１５とドレイン電極１６との間の電流通路（チャネル）となる。また、ゲート電極１４は、電圧を印加することにより有機半導体層１２における電流通路（チャネル）を通る電流量を制御する。

有機薄膜トランジスタのうち、電界効果型有機薄膜トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平５−１１００６９号公報に記載の方法により製造することができる。また、静電誘導型有機薄膜トランジスタは、公知の方法、例えば、特開２００４−００６４７６号公報に記載の方法により製造することができる。

上述の有機薄膜トランジスタは、例えば電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の画素の制御や、画面輝度の均一性や画面書き換え速度を制御のために用いられる画素駆動素子等として用いることができる。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（数平均分子量及び重量平均分子量の測定）
ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。この際、測定する高分子化合物は、約０．０５質量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させて、ＧＰＣに１０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＰＬｇｅｌＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ社製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳの測定は、以下の方法で行った。測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、イオン交換水、アセトニトリル、テトラヒドロフラン又はそれらの混合溶液を用い、必要に応じて酢酸を添加した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ２ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

〔発光素子形態に係る高分子化合物〕
まず、発光素子形態に係る高分子化合物及びそれを用いた有機ＥＬ素子についての実施例及び比較例について説明する。
＜合成例１：高分子化合物１の合成＞
不活性雰囲気下、下記式：

で表される化合物１０（１．８１６３ｇ、１．９９ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１１（１．１００２ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物２（０．２８２９ｇ、０．５０ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１２（０．１５８７ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）及びトルエン（４７ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物１を１．７６ｇ得た。高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は６．５×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．３×１０^５であった。

高分子化合物１は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、５０：１２．５：３０：７．５のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例２：高分子化合物２の合成＞
不活性雰囲気下、下記式：

で表される化合物７（２．６５２５ｇ、５．００ｍｍｏｌ）、化合物２（０．６８５６ｇ、１．２５ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１３（２．０４７６ｇ、３．００ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１４（０．３２１９ｇ、０．７５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（７．０ｍｇ）及びトルエン（５０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に１７．５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１３．６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（６０．０ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（７．０ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物２を３．３１ｇ得た。高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は７．６×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．８×１０^５であった。

高分子化合物２は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、６２．５：３０：７．５のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例３：高分子化合物３の合成＞
不活性雰囲気下、化合物１０（１．８１６３ｇ、１．９９ｍｍｏｌ）、化合物１１（１．５５８６ｇ、１．７０ｍｍｏｌ）、化合物１２（０．１５８７ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）及びトルエン（４７ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物３を１．８８ｇ得た。高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は５．６×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．４×１０^５であった。

高分子化合物３は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、５０：４２．５：７．５のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例４：高分子化合物４の合成＞（合成実施例１）
不活性雰囲気下、高分子化合物３（１．５０００ｇ，２．３８ｍｍｏｌ）、フラーレンＣ６０（シグマアルドリッチ社製）（０．５１６０ｇ，０．７２ｍｍｏｌ）及びオルトジクロロベンゼン１２０ｍＬを混合させた。得られた混合液にアルゴンガスで３０分間バブリングをした後、１９０℃に加熱し、２４時間撹拌した。その後、反応液をメタノールに再沈殿し、濾過、減圧乾燥を行った。
乾燥後、得られた粗ポリマーにテトラヒドロフラン８０ｍＬを加え溶解させ、セライト濾過を行い、ポリマー溶液を得た。その後、桐山ロートの下層にセライト、上層に活性炭とシリカゲルの混合物を積層させ、ポリマー溶液を通液させた。この操作を２回繰り返した後、テトラヒドロフランを留去し、トルエンに再溶解させた。ポリマー溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物４を１．０１ｇ得た。高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量は１．４×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４．３×１０^５であった。
また、得られた高分子化合物４の全繰り返し単位に対するフラーレン担持量は６．４モル％、担持されていないフラーレンは０．０モル％であった。

＜合成例５：高分子化合物５の合成＞（合成実施例２）
不活性雰囲気下、高分子化合物１（１．５０００ｇ，２．２４ｍｍｏｌ）、フラーレンＣ６０（シグマアルドリッチ社製）（０．４８４８ｇ，０．６７ｍｍｏｌ）及びオルトジクロロベンゼン１１０ｍＬを混合させた。得られた混合液にアルゴンガスで３０分間バブリングした後、１９０℃に加熱し、２４時間撹拌した。その後、反応液をメタノールに再沈殿し、濾過、減圧乾燥を行った。
乾燥後、得られた粗ポリマーにテトラヒドロフラン８０ｍＬを加え溶解させ、セライト濾過を行い、ポリマー溶液を得た。その後、桐山ロートの下層にセライト、上層に活性炭とシリカゲルの混合物を積層させ、ポリマー溶液を通液させた。この操作を２回繰り返した後、テトラヒドロフランを留去し、トルエンに再溶解させた。ポリマー溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物５を０．８６ｇ得た。高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は１．６×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４．８×１０^５であった。
また、得られた高分子化合物５の全繰り返し単位に対するフラーレン担持量は６．３モル％、担持されていないフラーレンは０．０モル％であった。

＜合成例６：高分子化合物６の合成＞
不活性雰囲気下、下記式：

で表される化合物６（５．２５９２ｇ、７．１２ｍｍｏｌ）、化合物７（１．４８５０ｇ、２．８０ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物８（５．８００７ｇ、９．００ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物９（０．０９４６ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物４（０．５９０９ｇ、０．８ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１４．０ｍｇ）及びトルエン（１１１ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（３３．２ｍＬ）を滴下し、３時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（１．２９２ｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１４．０ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物６を７．５６ｇ得た。高分子化合物６のポリスチレン換算の数平均分子量は１．０×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．４×１０^５であった。

高分子化合物６は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、３６：１４：４５：４：１のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例７：高分子化合物７の合成＞
不活性雰囲気下、下記式：

で表される化合物１５（２．４９２５ｇ、５．００ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１６（０．５５１３ｇ、１．００ｍｍｏｌ）、化合物８（２．５７８１ｇ、４．００ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．７ｍｇ）及びトルエン（５０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１６．６ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（６０．９ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．７ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物７を３．１３ｇ得た。高分子化合物７のポリスチレン換算の数平均分子量は２．６×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は６．７×１０^５であった。

高分子化合物７は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、５０：４０：１０のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例８：高分子化合物８の合成＞
不活性雰囲気下、化合物６（７．５７３３ｇ、１０．２３ｍｍｏｌ）、化合物７（２．１４９４ｇ、４．０３ｍｍｏｌ）、化合物３（７．６３５ｇ、１１．８２ｍｍｏｌ）、化合物９（０．１３６９ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）、化合物４（１．０７０７ｇ、１．４４ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１７（０．６８９５ｇ、０．８６ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（５．０ｍｇ）及びトルエン（３１５ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（４８．９ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（０．１７ｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（５．０ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物８を１２．４８ｇ得た。高分子化合物８のポリスチレン換算の数平均分子量は９．７×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．８×１０^５であった。

高分子化合物８は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、３６：１４：４１：５：１：３のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例９：高分子化合物９の合成＞
不活性雰囲気下、化合物６（２．８９６４ｇ、３．９２ｍｍｏｌ）、化合物２（１．９７４４ｇ、３．６０ｍｍｏｌ）、化合物４（０．２９６３ｇ、０．４０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．８ｍｇ）及びトルエン（８０ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に１７．５質量％炭酸ナトリウム水溶液（１０．９ｍＬ）を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（５０．０ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．８ｍｇ）を加え、更に２３時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物９を２．００ｇ得た。高分子化合物９のポリスチレン換算の数平均分子量は１．１×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．８×１０^５であった。

高分子化合物９は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、５０：４５：５のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例１０：高分子化合物１０の合成＞（合成実施例３）
不活性雰囲気下、高分子化合物２（１．２００ｇ，２．９０ｍｍｏｌ）、フラーレンＣ６０（シグマアルドリッチ社製、０．６２１９ｇ，０．９０ｍｍｏｌ）及びオルトジクロロベンゼン１４０ｍＬを混合させた。得られた混合液にアルゴンガスで３０分間バブリングをした後、１９０℃に加熱し、２４時間撹拌した。その後、反応液をメタノールに再沈殿し、濾過、減圧乾燥を行った。
乾燥後、得られた粗ポリマーにテトラヒドロフランを加え溶解させ、セライト濾過を行い、ポリマー溶液を得た。その後、桐山ロートの下層にセライト、上層に活性炭とシリカゲルの混合物を積層させ、ポリマー溶液を通液させた。この操作を２回繰り返した後、テトラヒドロフランを留去し、トルエンに再溶解させた。ポリマー溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物１０を０．４３ｇ得た。高分子化合物１０のポリスチレン換算の数平均分子量は１．１×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．７×１０^５であった。
また、得られた高分子化合物１０の全繰り返し単位に対するフラーレン担持量は２．２モル％、担持されていないフラーレンは０．０モル％であった。

＜合成例１１：高分子化合物１１の合成＞
（化合物Ｂの合成）
下記式で表される反応により、化合物Ａから化合物Ｂを合成した。

撹拌器を備えた３０００ｍＬの四つ口フラスコに、６−ブロモ−１−へキセン（９０．９ｇ）及びテトラヒドロフラン（３５０ｍＬ）を入れた後、９−ボラビシクロ［３．３．１］ノナン（６６．６ｇ）をゆっくり滴下し、室温で１９時間保温しながら撹拌した。

反応液に、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８．９２ｇ）、３ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（２９０ｍＬ）、化合物Ａ（４０．０ｇ）及びテトラヒドロフラン（３５０ｍＬ）を入れた後、７０℃まで昇温し、１時間保温しながら撹拌した。

反応液を０℃に冷却し、ヘキサン及び過酸化水素水をゆっくり加え、３０分保温しながら撹拌した。有機層を水で洗浄し、得られた有機層を濃縮し、粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル混合液）を用いて精製し、無色透明オイルとして化合物Ｂを２５．２ｇ得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋２６６

（化合物１の合成）
下記式で表される反応により、化合物Ｂから化合物１を合成した。

撹拌器を備えた３００ｍＬの四つ口フラスコに、化合物Ｂ（１６．７ｇ）、化合物Ｃ（２０．８ｇ）及びメチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、シグマアルドリッチ社製）（０．９２ｇ）を入れた後、８５℃まで昇温し、１時間保温しながら撹拌した。そこに、４０質量％水酸化カリウム水溶液（２４ｍＬ）をゆっくり滴下し、８５℃で３時間保温しながら撹拌した。

反応液を室温に戻し、水及びジクロロメタンを加え、有機層と水層を分離した。有機層を水で洗浄し、得られた有機層を濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物を、イソプロパノールとトルエンの混合液で再結晶し、白色固体として化合物１を１５．２ｇ得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋６６８

（高分子化合物１１の合成）
不活性雰囲気下、化合物１０（１．８０９０ｇ、１．９９ｍｍｏｌ）、化合物２（０．１１３２ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、化合物１１（１．１００２ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、化合物１（０．４０３２ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．８ｍｇ）及びトルエン（５０ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。

反応液に、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．８ｍｇ）を加え、更に１６．５間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、濾取することで沈殿物を得た。

この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１１を１．９８ｇ得た。高分子化合物１１のポリスチレン換算の数平均分子量は５．２×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．２×１０^５であった。

高分子化合物１１は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位と、下記式：

で表される繰り返し単位とが、５０：５：３０：１５のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。

＜合成例１２：高分子化合物１２の合成＞（合成実施例４）
不活性雰囲気下、高分子化合物１１（１．５４２６ｇ，２．３８ｍｍｏｌ）、フラーレンＣ６０（シグマアルドリッチ社製、０．５１６３ｇ，０．７２ｍｍｏｌ）及びオルトジクロロベンゼン１２０ｍＬを混合させた。得られた混合液にアルゴンガスで３０分間バブリングした後、１９０℃に加熱し、２４時間撹拌した。その後、反応液をメタノールに再沈殿し、濾過、減圧乾燥を行った。
乾燥後、得られた粗ポリマーにテトラヒドロフラン８０ｍＬを加え溶解させ、セライト濾過を行い、ポリマー溶液を得た。その後、桐山ロートの下層にセライト、上層に活性炭とシリカゲルの混合物を積層させ、ポリマー溶液を通液させた。この操作を２回繰り返した後、テトラヒドロフランを留去し、トルエンに再溶解させた。ポリマー溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物１２を１．１１ｇ得た。高分子化合物１２のポリスチレン換算の数平均分子量は１．５×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は５．３×１０^５であった。
また、得られた高分子化合物１２の全繰り返し単位に対するフラーレン担持量は４．５モル％、担持されていないフラーレンは０．０モル％であった。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
（実施例１）
スパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社、商品名：ＡＩ４０８３）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間加熱して乾燥させた。

次に、高分子化合物１と高分子化合物５とをそれぞれ、キシレンに溶解させ０．７質量％のキシレン溶液を調製した。

次に、高分子化合物１と高分子化合物５との固形分の質量比が８０：２０となるように、高分子化合物１のキシレン溶液と高分子化合物５のキシレン溶液を混合した。このキシレン溶液を用いてスピンコートすることにより、厚さ２０ｎｍの薄膜を形成した。これを窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱した。

次に、高分子化合物６をキシレンに溶解させ、１．３質量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートすることにより厚さ６５ｎｍの薄膜を形成し、窒素雰囲気中において１３０℃で１０分加熱して乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は７．１ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２４２０時間後に半減した。

（実施例２）
実施例１における高分子化合物１に代えて、高分子化合物２を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は７．５ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２０３０時間後に半減した。

（実施例３）
実施例１における高分子化合物１と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物５のみからなるキシレン溶液を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は４．８ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２３２５時間後に半減した。

（実施例４）
実施例１における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物３及び高分子化合物４を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた、最大発光効率は６．９ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２３１０時間後に半減した。

（実施例５）
実施例１における高分子化合物６のキシレン溶液に代えて、高分子化合物７と下記式（Ｌ−１）で表されるイリジウム錯体との固形分の質量比が８０：２０となるように混合したキシレン溶液を用いてスピンコートすることにより、厚さ８０ｎｍの薄膜を形成した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から５１０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は１６．２ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は３８０時間後に半減した。

（実施例６）
実施例１における高分子化合物６に代えて、高分子化合物８を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は１２．０ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は６１７４０時間後に半減した。

（実施例７）
実施例１における高分子化合物６のキシレン溶液に代えて、高分子化合物９と下記式（Ｌ−２）で表されるイリジウム錯体との固形分の質量比が９２．５：７．５となるように混合したキシレン溶液を用いてスピンコートすることにより、厚さ８０ｎｍの薄膜を形成した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は６．２ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２０３２０時間後に半減した。

（実施例８）
実施例１における高分子化合物５に代えて、高分子化合物１０を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は６．１ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２２９０時間後に半減した。

（実施例９）
実施例１における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物２及び高分子化合物１０を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は４．２ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２４６０時間後に半減した。

（実施例１０）
実施例１における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物３及び高分子化合物１２を用いた以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は５．７ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２９２０時間後に半減した。

（実施例１１）
実施例６における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物２及び高分子化合物１０を用いた以外は実施例６と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は１１．９ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５０８９０時間後に半減した。

（実施例１２）
実施例６における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物３及び高分子化合物１２を用いた以外は実施例６と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は１４．０ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は６７１１０時間後に半減した。

（実施例１３）
実施例７における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物２及び高分子化合物１０を用いた以外は実施例７と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は６．０ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２２３１０時間後に半減した。

（実施例１４）
実施例７における高分子化合物１及び高分子化合物５に代えて、高分子化合物３及び高分子化合物１２を用いた以外は実施例７と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２４５２０時間後に半減した。

（比較例１）
実施例１における高分子化合物１と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のみのキシレン溶液を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は８．４ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は８６０時間後に半減した。

（比較例２）
実施例２における高分子化合物２と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物２のみのキシレン溶液を用いた以外は、実施例２と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は８．８ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１０４１時間後に半減した。

（比較例３）
実施例４における高分子化合物３と高分子化合物４を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物３のみのキシレン溶液を用いた以外は、実施例４と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は８．５ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１００１時間後に半減した。

（比較例４）
実施例５における高分子化合物１と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のみのキシレン溶液を用いた以外は、実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から５１０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は１８．８ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２８０時間後に半減した。

（比較例５）
実施例６における高分子化合物１と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のみのキシレン溶液を用いた以外は、実施例６と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は１４．２ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は３２９７０時間後に半減した。

（比較例６）
実施例７における高分子化合物１と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のみのキシレン溶液を用いた以外は、実施例７と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は７．２ｃｄ／Ａであった。

上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１６８００時間後に半減した。

（比較例７）
実施例１における高分子化合物１と高分子化合物５を混合したキシレン溶液に代えて、高分子化合物１とフラーレンＣ６０との固形分の質量比が９２．５：７．５となるように調製したキシレン溶液を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から４６５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、最大発光効率は３．２ｃｄ／Ａと大きく低下した。

実施例及び比較例の結果を表１に示す。表１中、各層に記載した「種類」及び「比率」は、各層に用いた高分子化合物（又はＩｒ錯体）の種類とその混合比（質量比）を示す。また、「ピーク」はＥＬ発光のピーク、「輝度寿命」は輝度半減寿命を示す。

高分子化合物４、５、１０及び１２は、発光素子形態に係る高分子化合物に該当する。高分子化合物４、５、１０又は１２を正孔輸送層に含む有機ＥＬ素子は、優れた輝度寿命を示した。

〔光電変換素子形態に係る高分子化合物〕
次に、光電変換素子形態に係る高分子化合物及びそれを用いた光電変換素子についての実施例及び比較例について説明する。

（ＮＭＲ測定）
ＮＭＲ測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ｖａｒｉａｎ社製、ＩＮＯＶＡ３００）を用いて行った。

（数平均分子量及び重量平均分子量の測定）
数平均分子量及び重量平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する高分子化合物は、約０．５質量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

＜合成例１０１：化合物Ｇ−１の合成＞

内部の気体をアルゴンガスで置換した４つ口フラスコに、３−ブロモチオフェン１３．０ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル８０ｍＬを入れて均一な溶液とした。該溶液を−７８℃に保ったまま、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（２．６Ｍ、３１ｍＬ、８０．６ｍｍｏｌ）を滴下した。−７８℃で２時間反応させた後、３−チオフェンアルデヒド８．９６ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル２０ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下後−７８℃で３０分攪拌し、更に室温（２５℃）で３０分攪拌した。反応液を再度−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（２．６Ｍ、６２ｍＬ、１６１ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下した。滴下後、反応液を−２５℃で２時間攪拌し、更に室温（２５℃）で１時間攪拌した。その後、反応液を−２５℃に冷却し、ヨウ素６０ｇ（２３６ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル１０００ｍＬに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。滴下後、室温（２５℃）で２時間攪拌し、そこに、１規定のチオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍＬを加えて反応を停止させた。ジエチルエーテルで反応生成物を抽出した後、硫酸マグネシウムで反応生成物を乾燥し、濾過後、濾液を濃縮して３５ｇの粗生成物を得た。クロロホルムを用いて粗生成物を再結晶することにより精製し、化合物Ｇ−１を２８ｇ得た。

＜合成例１０２：化合物Ｇ−２の合成＞

４つ口フラスコに、合成例１０１で合成したビスヨードチエニルメタノール（化合物Ｇ−１）１０．５ｇ（２３．４ｍｍｏｌ）及び塩化メチレン１５０ｍＬを加えて均一な溶液とした。該溶液にクロロクロム酸ピリジニウム７．５０ｇ（３４．８ｍｍｏｌ）を加えて室温（２５℃）で１０時間攪拌した。反応液を濾過して不溶物を除去後、濾液を濃縮し、化合物Ｇ−２を１０．０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）得た。

＜合成例１０３：化合物Ｇ−３の合成＞

内部の気体をアルゴンガスで置換したフラスコに、合成例１０２で合成した化合物Ｇ−２を１０．０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）、銅粉末を６．０ｇ（９４．５ｍｍｏｌ）及び脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを１２０ｍＬ加えて、１２０℃で４時間攪拌した。反応後、フラスコを室温（２５℃）まで冷却し、反応液をシリカゲルカラムに通して不溶成分を除去した。その後、水を加え、クロロホルムで反応生成物を抽出した。クロロホルム溶液である有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、有機層を濾過し、濾液を濃縮して粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、化合物Ｇ−３を３．２６ｇ得た。ここまでの操作を複数回行った。

＜合成例１０４：化合物Ｇ−４の合成＞

メカニカルスターラーを備え、内部の気体をアルゴンガスで置換した４つ口フラスコに、合成例１０３で合成した化合物Ｇ−３を３．８５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、クロロホルムを５０ｍＬ及びトリフルオロ酢酸を５０ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液に過ホウ酸ナトリウム１水和物５．９９ｇ（６０ｍｍｏｌ）を加え、室温（２５℃）で４５分間攪拌した。その後、水を加え、クロロホルムで反応生成物を抽出し、クロロホルム溶液である有機層をシリカゲルカラムに通し、エバポレーターで濾液の溶媒を留去した。メタノールを用いて残渣を再結晶し、化合物Ｇ−４を５３４ｍｇ得た。合成例１０４の操作を複数回行った。

化合物Ｇ−４のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ ７．６４（ｄ、１Ｈ）、７．４３（ｄ、１Ｈ）、７．２７（ｄ、１Ｈ）、７．１０（ｄ、１Ｈ）。

＜合成例１０５：化合物Ｇ−５の合成＞

内部の気体をアルゴンガスで置換した４つ口フラスコに、化合物Ｇ−４を１．００ｇ（４．８０ｍｍｏｌ）及び脱水テトラヒドロフランを３０ｍＬ入れて、均一な溶液とした。フラスコを−２０℃に保ちながら、３，７−ジメチルオクチルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（１Ｍ）を１２．７ｍＬ加えた。その後、３０分かけて温度を−５℃まで上げ、そのまま３０分攪拌した。その後、１０分かけて温度を０℃に上げ、そのまま１．５時間攪拌を行った。その後、水を加えて反応を停止し、酢酸エチルで反応生成物を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後、酢酸エチル溶液をシリカゲルカラムに通し、濾液の溶媒を留去し、化合物Ｇ−５を１．５０ｇ得た。

化合物Ｇ−５のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ ８．４２（ｂ、１Ｈ）、７．２５（ｄ、１Ｈ）、７．２０（ｄ、１Ｈ）、６．９９（ｄ、１Ｈ）、６．７６（ｄ、１Ｈ）、２．７３（ｂ、１Ｈ）、１．９０（ｍ、４Ｈ）、１．５８‐１．０２（ｂ、２０Ｈ）、０．９２（ｓ、６Ｈ）、０．８８（ｓ、１２Ｈ）。

＜合成例１０６：化合物Ｇ−６の合成＞

内部の気体をアルゴンガス置換したフラスコに、化合物Ｇ−５１．５０ｇとトルエン３０ｍＬとを入れて均一な溶液とした。該溶液にｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム１水和物を１００ｍｇ入れて１００℃で１．５時間攪拌を行った。反応液を室温（２５℃）まで冷却後、水を加え、トルエンで反応生成物を抽出した。トルエン溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン）で生成し、化合物Ｇ−６を１．３３ｇ得た。ここまでの操作を複数回行った。

化合物Ｇ−６のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ ６．９８（ｄ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄ、１Ｈ）、６．５９（ｄ、１Ｈ）、１．８９（ｍ、４Ｈ）、１．５８‐１．００（ｂ、２０Ｈ）、０．８７（ｓ、６Ｈ）、０．８６（ｓ、１２Ｈ）。

＜合成例１０７：化合物Ｇ−７の合成＞

フラスコ内の気体をアルゴンで置換したフラスコに、化合物Ｇ−６を２．１６ｇ（４．５５ｍｍｏｌ）及び脱水テトラヒドロフランを１００ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を−７８℃に保ち、該溶液に２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液４．３７ｍＬ（１１．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。滴下後、−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で２時間攪拌した。その後、フラスコを−７８℃に冷却し、トリブチルスズクロリドを４．０７ｇ（１２．５ｍｍｏｌ）加えた。添加後、−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で３時間攪拌した。その後、水を加えて反応を停止し、酢酸エチルで反応生成物を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過後、濾液をエバポレーターで濃縮し、溶媒を留去した。得られたオイル状の物質をシリカゲルカラムで精製した（展開溶媒：ヘキサン）。シリカゲルカラムのシリカゲルには、予め５質量％のトリエチルアミンを含むヘキサンに５分間浸し、その後、ヘキサンで濯いだシリカゲルを用いた。精製後、化合物Ｇ−７を３．５２ｇ（３．３４ｍｍｏｌ）得た。

＜合成例１０８：化合物Ｇ−８の合成＞

フラスコに、４，５−ジフルオロ−１，２−ジアミノベンゼン（東京化成工業製）を１０．２ｇ（７０．８ｍｍｏｌ）及びピリジンを１５０ｍＬ入れて均一溶液とした。フラスコを０℃に保ったまま、フラスコ内に塩化チオニル１６．０ｇ（１３４ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、フラスコを２５℃に加熱して、６時間反応を行った。その後、反応液に水を加え、クロロホルムで反応生成物を抽出した。クロロホルム溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。濾液をエバポレーターで濃縮して析出した固体を再結晶で精製した。再結晶の溶媒には、メタノールを用いた。精製後、化合物Ｇ−８を１０．５ｇ（６１．０ｍｍｏｌ）得た。

化合物Ｇ−８のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ ７．７５（ｔ、２Ｈ）。
^１９ＦＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ −１２８．３（ｓ、２Ｆ）。

＜合成例１０９：化合物Ｇ−９の合成＞

フラスコに化合物Ｇ−８を２．００ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）及び鉄粉０．２０ｇ（３．５８ｍｍｏｌ）を入れ、フラスコを９０℃に加熱した。このフラスコに臭素３１ｇ（１９４ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下後、９０℃で３８時間攪拌した。その後、フラスコを室温（２５℃）まで冷却し、クロロホルム１００ｍＬを入れて希釈した。得られた溶液を、５質量％の亜硫酸ナトリウム水溶液３００ｍＬに注ぎ込み、１時間攪拌した。得られた混合液の有機層を分液ロートで分離し、水層をクロロホルムで３回抽出した。得られた抽出液を先ほど分離した有機層と合わせて硫酸ナトリウムで乾燥した。濾過後、濾液をエバポレーターで濃縮し、溶媒を留去した。得られた黄色の固体を、５５℃に熱したメタノールに溶解させ、その後、２５℃まで冷却した。析出した結晶を濾過回収し、その後、室温（２５℃）で減圧乾燥して化合物Ｇ−９を１．５０ｇ得た。

化合物Ｇ−９のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１９ＦＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ −１１８．９（ｓ、２Ｆ）。

＜合成例１１０：化合物Ｇ−１０の合成＞

アルゴン雰囲気下、ジビニルカルビノール（２５．２４ｇ）、トリエチルオルトアセテート（３４０ｇ）及びプロピオン酸（０．２０ｇ）を混合し、ディーンスターク装置を用いエタノールを除去しながら４時間、１３０℃に加温して還流させた。反応終了後、得られた反応液を、冷却し、そこに、ヘキサンとイオン交換水を加え、６０℃で３時間攪拌した。分液後、有機層をイオン交換水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた有機層を、アルミナフラッシュカラムに通し、濃縮した。得られたオイルに、再度ヘキサン、イオン交換水及びプロピオン酸（０．２０ｇ）を加え、６０℃で８時間攪拌した。分液後、有機層をイオン交換水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた有機層を、アルミナフラッシュカラムに通し、濃縮することにより、化合物Ｇ−１０を２８ｇ得た。

化合物Ｇ−１０のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ １．２５（ｔ，３Ｈ），２．０７（ｑ，２Ｈ），２．４１（ｍ，４Ｈ），５．０５（ｄｄ，２Ｈ），５．７０（ｍ，１Ｈ），６．０９（ｄｄ，１Ｈ），６．２９（ｍ，１Ｈ）。

＜合成例１１１：化合物Ｇ−１１の合成＞

アルゴン雰囲気下、化合物Ｇ−１０（１４．６５ｇ）及びジエチルエーテル（７７０ｍＬ）を混合し、０℃に冷却した。次に、得られた混合液に、１Ｍリチウムアルミニウムハイドライド・ジエチルエーテル溶液（５０ｍＬ）を１時間かけて滴下し、０℃を維持したまま１時間攪拌した。得られた反応液に、５質量％水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）をゆっくりと滴下し、反応を停止させた後、有機層を水で３回洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた有機層を、アルミナフラッシュカラムに通し、濃縮することにより化合物Ｇ−１１を８．０ｇ得た。

化合物Ｇ−１１のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ １．６７（ｔｔ，２Ｈ），２．１３−２．２８（ｍ，３Ｈ），３．６３（ｑ，２Ｈ），５．０４（ｄｄ，２Ｈ），５．７２（ｄｄ，１Ｈ），６．０７（ｄｄ，１Ｈ），６．３０（ｍ，１Ｈ）。

＜合成例１１２：化合物Ｇ−１２の合成＞

アルゴン雰囲気下、化合物Ｇ−１１（１８．９８ｇ）及びジクロロメタン（７３０ｍＬ）を混合し、０℃に冷却した。得られた混合液に、トリエチルアミン（５８ｍＬ）を滴下し、次いで、メタンスルホニルクロライド（２４ｍＬ）を滴下し、０℃を保ったまま２時間攪拌した。得られた反応液に水を加えて反応を停止させた後、ジエチルエーテルで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥させることにより黄色オイルを３２ｇ得た。
アルゴン雰囲気下、上記黄色オイル（３２ｇ）、臭化リチウム（３６ｇ）及びテトラヒドロフラン（４００ｍＬ）を混合し、７時間還流した。得られた反応液を冷却し、イオン交換水とトルエンを加え、分液を行い、有機層をイオン交換水で５回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた有機層を濃縮し、ヘキサンを加えた後、アルミナフラッシュカラムに通し、濃縮した。得られたオイルを分留（３ｍｍＨｇ、２７℃）することにより化合物Ｇ−１２を１５．１ｇ得た。

化合物Ｇ−１２のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ １．９６（ｔｔ，２Ｈ），２．２２−２．２９（ｍ，２Ｈ），３．４１（ｔ，２Ｈ），５．０５（ｄｄ，２Ｈ），５．６５（ｍ，１Ｈ），６．１０（ｄｄ，１Ｈ），６．３０（ｍ，１Ｈ）。

＜合成例１１３：化合物Ｇ−１３の合成＞

アルゴン雰囲気下、４つ口フラスコ中で、化合物Ｇ−１２（５．２９ｇ）、２，７−ジブロモフルオレン（４．６７ｇ）及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（３５ｍＬ）を混合した。得られた混合液に、乳鉢ですりつぶした水酸化カリウム（３．４３ｇ）とヨウ化カリウム（０．１７ｇ）を加え、８５℃で、４５分加温した。得られた混合液に、イオン交換水と酢酸エチルを加え、分液を行った後、有機層を飽和食塩水で１０回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）で精製することにより、化合物Ｇ−１３を白色固体として４．９ｇ得た。

化合物Ｇ−１３のＮＭＲスペクトルデータ及びマススペクトルデータを以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ ０．６８（ｍ，４Ｈ），１．８１−１．９６（ｍ，８Ｈ），４．９９（ｄｄ，４Ｈ），５．４４（ｍ，２Ｈ），５．８９（ｄｄ，２Ｈ），６．２２（ｔｄ，２Ｈ），７．４７（ｍ，６Ｈ）。
ＭＳ（ＡＰＣＩ−ＭＳ：Ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：５１２（〔Ｍ〕^＋）。

＜合成例１１４：重合体Ａの合成＞

フラスコ内の気体をアルゴンで置換したフラスコに、化合物Ｇ−７を４００ｍｇ（０．３８０ｍｍｏｌ）、化合物Ｇ−９を１０６．５ｍｇ（０．３２３ｍｍｏｌ）、化合物Ｇ−１３を１０ｍｇ（０．０２０ｍｍｏｌ）及びトルエン２５ｍＬを入れて均一溶液とした。得られたトルエン溶液に対して、アルゴンガスを３０分バブリングした。その後、トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを５．２２ｍｇ（０．００５７０ｍｍｏｌ）、及び、トリス（２−トルイル）ホスフィン１０．４ｍｇ（０．０３４２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で６時間攪拌した。その後、反応液にフェニルブロミドを１００ｍｇ加え、更に５時間攪拌した。その後、フラスコを２５℃に冷却し、反応液をメタノール３００ｍＬに注いだ。析出したポリマーを濾過して回収し、得られたポリマーを、円筒濾紙に入れ、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン及びヘキサンでそれぞれ５時間抽出した。円筒濾紙内に残ったポリマーを、トルエン１００ｍＬに溶解させ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水４０ｍＬを加え、８時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水で２回洗浄し、次いで、３質量％の酢酸水溶液で２回洗浄し、次いで、水で２回洗浄し、次いで、５質量％フッ化カリウム水溶液で２回洗浄し、次いで、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥し、得られたポリマーをｏ−ジクロロベンゼンに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムに通した。得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーを濾過後、乾燥し、精製された重合体２０２ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ａと呼称する。重合体Ａは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が３．８×１０^４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が２．４×１０^４であった。

＜実施例１０１：光電変換組成物Ａの製造＞
フラスコ内の気体をアルゴンで置換したフラスコに、上記合成例１１４で得られた重合体Ａを１００ｍｇ、フラーレンＣ６０（ｎａｎｏｍｐｕｒｐｌｅＳＴ、フロンティアカーボン社製）を２５０ｍｇ及びオルトジクロロベンゼンを５０ｍＬ入れて均一溶液として、１００℃で６時間反応させた。反応後、反応液を室温に冷却し、シリカゲルカラムに通した。得られた溶液をメタノールに注ぎこみ、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄して黒色固体２７７ｍｇを得た。この黒色固体を光電変換組成物Ａと呼称する。光電変換組成物Ａは、下記の構造式を有する重合体Ｂと遊離のフラーレンＣ６０の混合物（重合体Ｂ：フラーレンＣ６０＝５：９５（質量比））であると推定される。

（式中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、繰返し単位数を表す。）

＜実施例１０２：インク及び有機薄膜太陽電池の作製及び評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板を、オゾンＵＶ処理して表面処理を行った。次に、光電変換組成物Ａ（１０ｍｇ）をオルトジクロロベンゼン（２ｍＬ）に溶解し、インク１を製造した。該インク１を用い、スピンコートにより基板上に塗布して、光電変換組成物Ａを含む有機膜を作製した（厚さ約１００ｎｍ）。このようにして作製した有機膜の光吸収末端波長は８９０ｎｍであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ２ｎｍで蒸着し、次いでＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正四角形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ−ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝３．０４ｍＡ／ｃｍ^２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．７１Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．５０、光電変換効率（η）は、１．０７％であった。

＜比較例１０１＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板を、オゾンＵＶ処理して表面処理を行った。次に、重合体Ａ及びフラーレンＣ６０（ｎａｎｏｍｐｕｒｐｌｅＳＴ、フロンティアカーボン社製）（重合体Ａ／フラーレンＣ６０の質量比＝１／２）をオルトジクロロベンゼンに溶解し（重合体ＡとフラーレンＣ６０との質量の合計は、インク２の全量に対して２．０質量％）、インク２を製造した。該インク２を用い、スピンコートにより基板上に塗布して、重合体ＡとフラーレンＣ６０を含む有機膜を作製した（厚さ約１００ｎｍ）。このようにして作製した有機膜の光吸収末端波長は８９０ｎｍであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ２ｎｍで蒸着し、次いでＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正四角形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ−ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝２．５４ｍＡ／ｃｍ^２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．７０Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．４３、光電変換効率（η）は、０．７６％であった。

＜合成例１１５：重合体Ｃの合成＞

フラスコに、化合物Ｇ−１４を２７０ｍｇ（０．５０９ｍｍｏｌ）と化合物Ｇ−１３を２５０ｍｇ（０．４８８ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を１３０ｍｇ加え、トルエン２６ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液に対してアルゴンガスを３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム１．７１ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン９．４ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７質量％）を２．６ｍＬ加え、還流下で３時間攪拌を行った。その後、そこに、フェニルボロン酸５０ｍｇを加えて、更に２時間還流下で攪拌した。その後、そこに、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加えて２時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、反応液を室温（２５℃）付近まで冷却した後、得られた反応液を静置し、分液したトルエン層を回収した。該トルエン層を水で２回、３質量％酢酸水で２回、更に水で２回洗浄し、得られたトルエン層をメタノール中に注ぎ込み、析出した沈殿物を回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。次に、得られたトルエン溶液をシリカゲル／アルミナカラムに通し、精製した。得られたトルエン溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、沈殿させ、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体２０３ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｃという。重合体Ｃは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が８．２×１０^４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が３．５×１０^４であった。

＜実施例１０３：光電変換組成物Ｂの製造＞
フラスコ内の気体をアルゴンで置換したフラスコに、上記合成例１１５で得られた重合体Ｃを１００ｍｇ、フラーレンＣ６０（ｎａｎｏｍｐｕｒｐｌｅＳＴ、フロンティアカーボン社製）を１３２ｍｇ、オルトジクロロベンゼンを５０ｍＬ入れて均一溶液として、１００℃で２時間反応させた。反応後、反応液を室温に冷却し、シリカゲルカラムに通した。得られた溶液をメタノールに注ぎこみ、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄して黒色固体１９１ｍｇを得た。この黒色固体を光電変換組成物Ｂと呼称する。光電変換組成物Ｂは下記の構造式を有する重合体Ｄと遊離のフラーレンＣ６０の混合物（重合体Ｄ：フラーレンＣ６０＝５０：５０（質量比））であると推定される。

（式中、ａ、ｂ及びｃは、繰返し単位数を表す。）

＜合成例１１６：重合体Ｅの合成＞

フラスコに、化合物Ｇ−１５を７３０２ｍｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、化合物Ｇ−１６を８４６９ｍｇ（１４．３４ｍｍｏｌ）及びメチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を３９４０ｍｇ入れ、トルエン７８９ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液に対してアルゴンガスを３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム５３．６６ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン２９４．８ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７質量％）を７８．９ｍＬ加え、還流下で５時間攪拌を行った。その後、フェニルボロン酸１０９６ｍｇを加えて、更に２時間還流下で攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム１４３ｇと水７１２ｍＬを加えて２時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、反応液を室温（２５℃）付近まで冷却した後、得られた反応液を静置し、分液したトルエン層を回収した。該トルエン層を水で２回、３質量％酢酸水で２回、更に水で２回洗浄し、得られたトルエン層をメタノール中に注ぎ込み、析出した沈殿物を回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。次に、得られたトルエン溶液をシリカゲル／アルミナカラムに通し、精製した。得られたトルエン溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、沈殿させ、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体８１２０ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｅという。重合体Ｅは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１．４３×１０^４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が２．５２×１０^４であった。また、重合体Ｅの光吸収末端波長は６５０ｎｍであった。

光電変換組成物Ｂ及び重合体Ｅを用いて作製された有機薄膜太陽電池は、高い短絡電流密度及び高い光電変換効率を示すことが期待される。

＜合成例１１７：化合物Ｇ−１８の合成＞

三つ口ナスフラスコに攪拌子を入れ、コンデンサー及び熱電対を取り付けた。３−ブロモベンゾシクロブタン（４．１ｇ）及びテトラヒドロフラン（６９ｍＬ）を仕込み、ドライアイス−アセトンバスで−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１６．９ｍＬ）を加えて２時間攪拌し、化合物Ｇ−１７（４．１ｇ）をテトラヒドロフラン（１２ｍＬ）に溶かした溶液を滴下した。２時間−７８℃で攪拌後、更に室温で４時間攪拌した。氷浴で冷やしながら水をゆっくりと加え、分液ロートに移して洗浄し、更に水で２回洗浄した。得られた有機層は硫酸マグネシウムを用いて脱水し、固体を濾過して溶液を濃縮した。その結果、化合物Ｇ−１８を含む固体を８．１ｇ（収率９９．９％、ＬＣ純度７３．０％）得た。

＜合成例１１８：化合物Ｇ−１９の合成＞

ナスフラスコに化合物Ｇ−１８を仕込み、ジクロロメタン（２４ｍＬ）を加えて溶液とした。氷浴で０℃に冷却後、ＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ（７．０ｍＬ）を滴下漏斗より滴下した。１時間攪拌後、更にＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ（７．０ｍＬ）を加えて１時間攪拌し、室温で５時間攪拌した。水を加えて攪拌した後、分液ロートへ移し、クロロホルムで３回抽出した。得られた有機層は硫酸ナトリウムで乾燥後、溶液を濃縮し、クロロホルムを加えた。加熱還流しながらメタノールを加えて結晶化を行い、得られた結晶を濾過した。この結晶をクロロホルムに加えて加熱し、メタノールを加えて室温で２時間攪拌した。生じた結晶を濾過して乾燥した。目的とする化合物Ｇ−１９を白色固体として２．０g（収率３５．０％、ＬＣ純度９９．５％）得た。

化合物Ｇ−１９のＮＭＲスペクトルデータを以下に示す。
^１ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３、ｐｐｍ）：δ ７．５６（ｄ，８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｄ，１．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４５（ｄｄ，８．１，１．２Ｈｚ，２Ｈ），７．０１（ｄ，７．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９２（ｄ，７．８Ｈｚ，２Ｈ），６．８１（ｓ，２Ｈ），３．１１（ｓ，４Ｈ）

＜合成例１１９：重合体Ｆの合成＞

フラスコに、化合物Ｇ−１４を２６７ｍｇ（０．５０３ｍｍｏｌ）と化合物Ｇ−１９を２５０ｍｇ（０．４７３ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を１２９ｍｇ入れ、トルエン２６ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液に対してアルゴンガスを３０分間バブリングした。その後、酢酸パラジウム１．７０ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン９．３ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７質量％）を２．６ｍＬ加え、還流下で２時間攪拌を行った。その後、フェニルボロン酸２９ｍｇを加えて、更に２時間還流下で攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム４．７ｇと水２３ｍＬを加えて２時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、反応液を室温（２５℃）付近まで冷却した後、得られた反応液を静置し、分液したトルエン層を回収した。該トルエン層を水で２回、３質量％酢酸水で２回、更に水で２回洗浄し、得られたトルエン層をメタノール中に注ぎ込み、析出した沈殿物を回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。次に、得られたトルエン溶液をシリカゲル／アルミナカラムに通し、精製した。得られたトルエン溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、沈殿させ、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体２１９ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｆという。重合体Ｆは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１．０１×１０^５であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が４．２×１０^４であった。

＜実施例１０４：光電変換組成物Ｃの製造＞
フラスコ内の気体をアルゴンで置換したフラスコに、上記合成例１１９で得られた重合体Ｆを１００ｍｇ、フラーレンＣ６０（ｎａｎｏｍｐｕｒｐｌｅＳＴ、フロンティアカーボン社製）を１３０ｍｇ、オルトジクロロベンゼンを５０ｍＬ入れて均一溶液として、１００℃で２時間反応させた。反応後、反応液を室温に冷却し、シリカゲルカラムに通した。得られた溶液をメタノールに注ぎこみ、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄して黒色固体１２１ｍｇを得た。この黒色固体を光電変換組成物Ｃと呼称する。光電変換組成物Ｃは下記の構造式を有する重合体Ｇと遊離のフラーレンＣ６０の混合物であると推定される。

（式中、ａ、ｂ及びｃは、繰返し単位数を表す。）

光電変換組成物Ｃを用いて作製された有機薄膜太陽電池は、高い短絡電流密度及び高い光電変換効率を示すことが期待される。

１…基板、２…活性層、７ａ、７ｂ…電極、１０…基板、１２…有機半導体層、１３…絶縁層、１４…ゲート電極、１５…ソース電極、１６…ドレイン電極、２０…基板、２２…陽極、２３…電荷注入層、２４…正孔輸送層、２５…発光層、２６…電子輸送層、２７…電荷注入層、２８…陰極、３０…基板、３１…陽極、３２…正孔輸送層、３３…発光層、３４…陰極、３５…保護層、１００…有機薄膜太陽電池、２００…有機ＥＬ素子（構成ｐ）、２２０…有機ＥＬ素子（構成ｈ）、３００…面状光源、４００…有機薄膜トランジスタ。

Claims

繰り返し単位の少なくとも一部が炭素クラスター構造を含む基を有する高分子化合物。
アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上を繰り返し単位として有する、請求項１に記載の高分子化合物。
アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位及び複素環単位からなる群より選ばれる１種以上の単位と、芳香族アミン単位と、を繰り返し単位として有する、請求項１又は２に記載の高分子化合物。
芳香族アミン単位が、下記一般式（２）で表される単位及び一般式（３）で表される単位からなる群より選ばれる１種以上である、請求項２又は３に記載の高分子化合物。

［一般式（２）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。ｃは０又は１を示す。］

［一般式（３）中、Ｒ^７は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。］
アリーレン単位が、フルオレン構造を有する単位である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
共役系高分子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
前記炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位が、下記一般式（５Ａ）で表される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子化合物。

［一般式（５Ａ）中、Ａｒ^５は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換のヘテロアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基又は非置換若しくは置換の２価の芳香族アミン残基を示す。Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｗ及びＲ_ｘは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。環Ｆは炭素クラスター構造を示す。ｍは１〜４の整数を示す。Ｗは、炭素原子を含む２価の基又はケイ素原子を示す。Ｚは、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれるヘテロ原子又は炭素原子を示す。ｐは０〜１２の整数、ｑは０又は１を示す。ここで、ｐが０のとき、ｑは１であり、かつ、Ｗはケイ素原子である。ｐが１のとき、Ｚは炭素原子である。ｐが２以上のとき、複数存在するＺの少なくとも１つはヘテロ原子であってもよく、隣り合う炭素原子間の結合は単結合又は不飽和結合であり、Ｗとしての、炭素原子を含む２価の基は、Ｚを含む環と一緒になって環を形成していてもよい。なお、Ｒ_ｗ、Ｒ_ｘ、Ｘ、Ｗ、Ｚ、ｐ、ｑ及び環Ｆが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。］
前記炭素クラスター構造が、フラーレンを含む構造である、請求項７に記載の高分子化合物。
前記フラーレンがフラーレンＣ６０である、請求項８に記載の高分子化合物。
前記炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位が、下記一般式（６）で表される、請求項８又は９に記載の高分子化合物。

［一般式（６）中、Ｙは、単結合、酸素原子、硫黄原子、非置換若しくは置換のアルキレン基又は非置換若しくは置換のフェニレン基を示す。Ｒ_ｙ及びＲ_ｚは、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜２０の非置換若しくは置換のアルキレン基、炭素数６〜２０の非置換若しくは置換のアリーレン基又はこれらを組み合わせた２価の基を示す。Ｒ^１０は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の１価の複素環基又は架橋性基を示す。ｔは１又は２を示す。Ｒ_ｙ、Ｒ_ｚ及びＹが複数ある場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。］
アリーレン単位、ヘテロアリーレン単位、複素環単位及び芳香族アミン単位からなる群より選ばれる２種以上を繰り返し単位として有し、前記繰り返し単位の少なくとも一部が架橋性基を含有する前駆体高分子化合物と、炭素クラスターと、を反応させることにより得ることのできる高分子化合物。
前記架橋性基を含有する繰り返し単位が、下記一般式（７）で表される単位である、請求項１１に記載の高分子化合物。

［一般式（７）中、Ｒ^１１は、架橋性基を示す。Ｒ^１２は、水素原子、架橋性基、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示す。］
正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる１種以上の材料と、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物と、を含有する組成物。
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１３に記載の組成物を含有する溶液。
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１３に記載の組成物を用いて得られる薄膜。
請求項１５に記載の薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１５に記載の薄膜を正孔輸送層として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項１６又は１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する面状光源。
請求項１６又は１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置。
アリーレン単位及びヘテロアリーレン単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を繰り返し単位として有する、請求項１に記載の高分子化合物。
前記炭素クラスター構造を含む基が、フラーレンＣ６０の誘導体から水素原子を１個除いた基、フラーレンＣ７０の誘導体から水素原子を１個除いた基又はフラーレンＣ８４の誘導体から水素原子を１個除いた基である、請求項１又は２０に記載の高分子化合物。
前記炭素クラスター構造を含む基を有する繰り返し単位が、全繰り返し単位の合計に対して、５モル％以上１００モル％以下である、請求項１〜１２、２０及び２１のいずれか一項に記載の高分子化合物。
第１の化合物と、該第１の化合物とは異なる第２の化合物とを含有し、
前記第１の化合物が、請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の高分子化合物であり、
前記第２の化合物が、フラーレン若しくはフラーレン誘導体、又は、光吸収末端波長が５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である高分子化合物であり、
前記第２の化合物の含有量が、全量を基準として、０．１質量％〜９９質量％である光電変換組成物。
一対の電極と、該電極間に少なくとも１層の活性層とを有し、
前記活性層に、請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項２３に記載の光電変換組成物を含有する光電変換素子。
請求項２４に記載の光電変換素子を有する太陽電池。
請求項２４に記載の光電変換素子を有するイメージセンサー。
請求項２５に記載の太陽電池を含む太陽電池モジュール。
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層中に請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。