JP2013046904A - ガス分離複合膜、その製造方法、それを用いたガス分離モジュール、ガス分離装置およびガス分離方法 - Google Patents

Abstract

【課題】優れたガス透過性を有しながら、高いガス分離選択性をも実現し、さらに高い製膜適性を達成するガス分離複合膜、その製造方法、それを用いたガス分離モジュール、ガス分離装置およびガス分離方法を提供する。
【解決手段】架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜であって、前記架橋ポリイミド樹脂は、ポリイミド化合物がそのラジカル架橋性の官能基で架橋されてなり、前記架橋ポリイミド樹脂における、前記ポリイミド化合物のイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）が０．０００１以上０．４５以下であるガス分離複合膜、その製造方法、それを用いたガス分離モジュール、ガス分離装置およびガス分離方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガス分離複合膜、その製造方法、それを用いたガス分離モジュール、ガス分離装置およびガス分離方法に関する。

高分子化合物からなる素材には、その素材ごとに特有の気体透過性がある。その性質に基づき、特定の高分子化合物から構成された膜によって、所望の気体成分を選択的に透過させて分離することができる。この気体分離膜の産業上の利用態様として、地球温暖化の問題と関連し、火力発電所やセメントプラント、製鉄所高炉等において、大規模な二酸化炭素発生源からこれを分離回収することが検討されている。そして、この膜分離技術は、比較的小さなエネルギーで達成できる環境問題の解決手段として着目されている。一方、天然ガスやバイオガス（生物の排泄物、有機質肥料、生分解性物質、汚水、ゴミ、エネルギー作物などの発酵、嫌気性消化により発生するガス）は主としてメタンと二酸化炭素の混合ガスであり、その二酸化炭素等の不純物を除去する手段として膜分離方法が検討されている（特許文献１、特許文献２）。具体的に天然ガスの精製ではその素材としてセルロースやポリイミドが検討されてきた。しかし、実際のプラントにおける高圧条件および高二酸化炭素濃度では膜が可塑化し、これによる分離選択性の低下が問題となっていた（非特許文献１、３１３−３２２頁および非特許文献２、３）。この膜の可塑化を抑制するためには、膜を構成する高分子化合物に架橋構造を導入することが有効であることが知られており、ポリイミドで研究が続けられている（非特許文献１、３−２７頁）。ガス分離膜に架橋構造の膜を利用したものとして、特許文献３、非特許文献４、５、６などが挙げられる。

特開２００７−２９７６０５号公報 特開２００６−２９７３３５号公報 米国特許第７，２４７，１９１号明細書

Ｙｕｒｉ Ｙａｍｐｏｌｓｋｉｉ，Ｂｅｎｎｙ Ｆｒｅｅｍａｎ，Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｇａｓ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ，２０１０，Ｊｏｈｎｓ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｌｔｄ． Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ ＆ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２００８，４７，２１０９ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ ＆ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２００２，４１，１３９３ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９９，１５５，１４５ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２０００，１７５，１８１ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１９９７，３３，１７１７

ところで、実用的なガス分離膜とするためには、薄層にすることで高ガス透過性を付与しなければならない。従来は単一素材を非対称膜にすることで、分離に寄与する部分をスキン層と呼ばれる薄層にして、高ガス透過性と分離選択性、さらには機械強度を満足させることが試みられていた。しかし、これらを単一素材で兼ね備えたものとすることは難しい。そのため、分離機能と機械強度を付与するための機能を別々の素材とする複合膜が性能とコストの観点から望ましく、水処理用の逆浸透膜では複合膜が主流となりつつある。
一方、ガス分離膜において分離層に架橋構造膜を利用した例は少ない（上記特許文献３、非特許文献４、５、６）。そして、これらの方法では架橋に対して１００℃以上の高温が必要であったり、架橋に対して非常に長い時間を要したりする。そのために、高いガス透過性と分離選択性を維持しつつ、製膜適性、さらには機械強度が高く、耐久性に優れた実用的なガス分離膜を提供するにはまだ不十分であった。

上記の点を考慮し、本発明は、優れたガス透過性を有しながら、高いガス分離選択性をも実現し、さらに高い製膜適性を達成するガス分離複合膜、その製造方法、それを用いたガス分離モジュールおよびガス分離装置の提供を目的とする。

上記の技術課題に鑑み、本発明者らが検討した結果、ガス分離膜において高ガス透過性と分離選択性を維持しつつ製膜適性を付与するためには、支持層を利用した複合膜とし、その上で分離層を構成するポリマーについて、その架橋官能基を導入した一次構造と膜の架橋サイト比を特定のものとすることにより、穏和な条件での架橋による硬化を可能とし、前記問題点を解決することを見出した。本発明はこの知見に基づき完成されたものである。

上記の課題は以下の手段により達成された。
（１）架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜であって、
前記架橋ポリイミド樹脂は、ポリイミド化合物がそのラジカル架橋性官能基で架橋されてなり、
前記架橋ポリイミド樹脂における、前記ポリイミド化合物のイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）が０．０００１以上０．４５以下であるガス分離複合膜。
（２）前記ラジカル架橋性官能基がエチレン性不飽和基を含む（１）に記載のガス分離複合膜。
（３）前記ラジカル架橋性官能基が、架橋された構造部位が−Ｃ（Ｒ^Ａ１）_２ＣＨ_２−〔Ｒ^Ａ１は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、−Ｒ^Ａ２−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｒ^Ａ２−ＯＣ（＝Ｏ）−を表す。Ｒ^Ａ２は炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。〕で表される連結基を含む（１）または（２）に記載のガス分離複合膜。
（４）前記ポリイミド化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む（１）〜（３）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。

（一般式（Ｉ）中、Ｒは炭素数５〜１２の炭化水素環を１つ以上含有する構造部を表す。）
（５）前記ポリイミド化合物が、さらに、一般式（ＩＩ−ａ）もしくは（ＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の少なくとも一種と、一般式（ＩＩＩ−ａ）もしくは（ＩＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の少なくとも一種とをそれぞれ含み、前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位のＲが下記一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）からなる群から選択される原子群である（１）〜（４）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。

（一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）中、Ｘ^１は単結合または２価の連結基を表す。Ｙ^１はメチレン基またはビニレン基を表す。Ｒ^１およびＲ^２は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^１とＲ^２が互いに結合し環を形成してもよい。＊は一般式（Ｉ）におけるイミドのカルボニル基との結合部位を表す。）

（一般式（ＩＩ−ａ）、（ＩＩ−ｂ）中、Ｒ^３はアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、ｌ１は０〜４の整数を表す。Ｒ^４およびＲ^５は各々独立にアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^４とＲ^５が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ１およびｎ１は各々独立に０〜４の整数を表す。Ｘ^２は単結合または２価の連結基を表す。）

（一般式（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）中、Ｒ^６、Ｒ^７およびＲ^８は各々独立に置換基を表す。Ｒ^７とＲ^８は互いに結合して環を形成してもよい。Ｊ^１、Ｊ^２およびＷ^１は各々独立に単結合または２価の連結基を表す。ｌ２、ｍ２、ｎ２は各々独立に０〜３の整数を表す。Ｌ^１は２価の連結基を表し、Ｌ^２は官能基を表す。ｐは０以上の整数を表す。ｐが２以上の場合、複数存在するＬ^１、Ｊ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｘ^３は単結合または２価の連結基を表す。）
（６）前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と、前記一般式（ＩＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位もしくは前記一般式（ＩＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の官能基Ｌ^２との比［γ］（官能基Ｌ^２の数／一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の数）が０．００３〜０．６８である（１）〜（５）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
（７）前記支持層がガス分離層側の多孔質層とその逆側の不織布層とからなる（１）〜（６）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
（８）前記多孔質層の分画分子量が１００，０００以下である（７）に記載のガス分離複合膜。
（９）供給されるガスが二酸化炭素とメタンとの混合ガスであり、４０℃、８気圧における二酸化炭素の透過速度が２０ＧＰＵ超であり、二酸化炭素とメタンとの透過速度比（ＴＲ_ＣＯ２／ＴＲ_ＣＨ４）が２０以上である（１）〜（８）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
（１０）架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜の製造方法であって、
ラジカル架橋性官能基を有するポリイミド化合物を含む塗布液を前記支持層上側に塗布し、該塗布液に活性放射線を照射、もしくは熱を付与することにより前記架橋性官能基を反応させ前記ポリイミド化合物を架橋するに当たり、前記ポリイミド化合物のイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）を０．０００１以上０．４５以下とするガス分離複合膜の製造方法。
（１１）架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜の製造方法であって、
ラジカル架橋性官能基を有するポリイミド化合物を含む塗布液を前記支持層上側に塗布し、該塗布液に活性放射線を照射、もしくは熱を付与することにより前記架橋性官能基を反応させ前記ポリイミド化合物を架橋するに当たり、架橋転化率［α］を２０％以上１００％以下とするガス分離複合膜の製造方法。
（１２）前記（１）〜（９）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜を具備するガス分離モジュール。
（１３）前記（１２）に記載のガス分離モジュールを備えたガス分離装置。
（１４）前記（１）〜（９）のいずれか１項に記載のガス分離複合膜を用いて、二酸化炭素およびメタンを含むガスから二酸化炭素を選択的に透過させるガス分離方法。

本明細書において、特定の符号で表示された置換基や連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、あるいは複数の置換基等を同時もしくは択一的に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよい。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。また、特に断らなくても、複数の置換基等が近接するときにはそれらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい。
また、本明細書において「互いに結合して環を形成してもよい」というときには、単結合、二重結合等により結合して環状構造を形成するものであっても、縮合して縮環構造を形成するものであってもよい。
また、本明細書において「化合物」という語を末尾に付して呼ぶとき、あるいは特定の化合物をその名称一般式で示すときには、当該化合物そのものに加え、その塩、錯体、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の置換基を伴ったあるいは所定の形態で修飾された誘導体を含む意味である。また、本明細書において置換基に関して「基」という語を末尾に付して呼ぶとき、あるいは特定の化合物をその名称で呼ぶときには、その基もしくは化合物に任意の置換基を有していてもよい意味である。

本発明のガス分離複合膜は、優れたガス透過性を有しながら、高いガス分離選択性をも実現し、さらに高い製膜適性を有する。また、それを用いた高性能ガス分離モジュール、ガス分離装置およびガス分離方法の提供を可能とする。さらに、本発明のガス分離複合膜の製造方法により優れた性能を発揮するガス分離複合膜を製造することができる。

本発明のガス分離複合膜の一実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明のガス分離複合膜の別の実施形態を模式的に示す断面図である。

本発明のガス分離複合膜は、架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有する。そして、前記架橋ポリイミド樹脂は、ポリイミド化合物がそのラジカル架橋性の官能基で架橋されてなり、そのイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）（以下、架橋サイト比という）が特定の範囲とされている。このように、ラジカル架橋性官能基で架橋され、かつ、特定の架橋サイト比とされたことにより、ガス分離に優れた効果を発揮する。この理由（作用機構）については未解明の点も含むが、以下のように推定される。

まず、膜によるガス分離の機構についてみると、気体分子が薄膜を透過する際、クヌーセン機構またはハーゲン・ポアズイユ機構（多孔質膜）、表面拡散機構（多孔質膜）、分子ふるい機構（多孔質膜）、溶解・拡散機構（非多孔質膜）等の関与が考慮される（日本ポリイミド・芳香族系高分子研究会編「新訂 最新ポリイミド 〜基礎と応用〜」，３６５−３７６頁参照）。ここで、ＣＯ_２とＣＨ_４の分離についていうと両者はいずれも低分子量の化合物であり、しかも分離対象となる分子の大きさが近似している。このような場合には、上記の溶解・拡散機構の制御が重要となる（永井一清監修 シーエムシー出版，「気体分離膜・透過膜・バリア膜の最新技術」，５２−５９頁参照）。それゆえに、二酸化炭素の透過性（透過係数）を分離対象ガスに対して選択的に向上させるためには、二酸化炭素の高分子膜に対する溶解度係数（溶解性）および／または拡散係数（拡散性）を選択的に向上させればよいことになる。二酸化炭素は分子内で分極した四重極子構造であり、極性を有する化学構造と親和性を有し、例えば、ポリエチレングリコールは二酸化炭素との溶解性が高いことが報告されている（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９０，９４，２１２４−２１２８参照）。このような観点を活かし、ポリエチレンオキシ（ＰＥＯ）組成を含む分離膜が検討されている（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９９，１６０，８７−９９、特開平７−６００７９号公報、国際公開第０８／１４３５１４号パンフレット、国際公開第０８／１４３５１５号パンフレット、国際公開第０８／１４３５１６号パンフレット参照）。これは二酸化炭素がポリエチレンオキシ組成との相互作用が強いことに起因する。このポリエチレンオキシ膜はガラス転移温度の低い柔軟なゴム状のポリマー膜であるため、ガス種による拡散係数の差は小さく、分離選択性は溶解度の差の効果によるものが主である。

これに対し、本発明によれば、ガラス転移温度の高い架橋ポリイミドにおいて架橋サイト比［η］が適切な範囲で低めに設定されたため、分子が透過する間隙は確保されている（高ガス透過性）。一方、特定のラジカル架橋性官能基でポリイミドの高分子鎖が連結されたため、その架橋形態が好適化され、ポリイミド化合物が有する溶解・拡散性と相俟って、特有の拡散選択性を発揮したと考えられる（高ガス選択性）。また、ラジカル架橋されることにより膜内で均質かつ劣化のない架橋形態が実現され、良好な曲げ性を有し、薄い支持層にも適合して優れた製造適性を発揮するものと考えられる。以下、本発明について詳細に説明する。

［複合膜］
本発明の複合膜はガス透過性の支持層の上側に、架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層が形成されている。この複合膜は、多孔質性の支持体の少なくとも表面に、上記のガス分離層をなす塗布液（ドープ）を塗布（本明細書において塗布とは浸漬により表面に付着される態様を含む意味である。）、活性放射線を照射することにより形成することが好ましい。図１は、本発明の好ましい実施形態であるガス分離複合膜１０を模式的に示す断面図である。１はガス分離層、２は多孔質層からなる支持層である。図２は、本発明の好ましい実施形態であるガス分離複合膜２０を模式的に示す断面図である。この実施形態では、ガス分離層１および多孔質層２に加え、支持層として不織布層３が追加されている。

支持層上側とは、支持層とガス分離層との間に他の層が介在してもよい意味である。なお、上下の表現については、特に断らない限り、分離対象となるガスが供給される方向を「上」とし、分離されたガスが出される方向を「下」とする。

本発明のガス分離複合膜は、多孔質性の支持体（支持層）の表面もしくは内面にガス分離層を形成・配置してもよく、少なくとも表面に形成して簡便に複合膜にすることができる。多孔質性の支持体の少なくとも表面に、ガス分離層を形成することで、高分離選択性と高ガス透過性、更には機械的強度を兼ね備えるという利点を有する複合膜にすることができる。分離層の膜厚としては機械的強度、分離選択性を維持しつつ高ガス透過性を付与する条件において可能な限り薄膜であることが好ましい。

本発明のガス分離複合膜のガス分離層の厚さは特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好ましく、０．１〜２．０μｍがより好ましい。なお、本明細書において「から」は「〜」と同じ意味で用い、その前後で規定される数値ないし番号を含む意味である。

支持層に好ましく適用される多孔質支持体（多孔質層）は、機械的強度および高気体透過性の付与に合致する目的のものであれば、特に限定されるものではなく有機、無機どちらの素材であっても構わないが、好ましくは有機高分子の多孔質膜であり、その厚さは１〜３０００μｍ、好ましくは５〜５００μｍであり、より好ましくは５〜１５０μｍである。この多孔質膜の細孔構造は、通常平均細孔直径が１０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下であり、空孔率は好ましくは２０〜９０％であり、より好ましくは３０〜８０％である。また、その気体透過率は二酸化炭素透過速度で３×１０^−５ｃｍ^３（ＳＴＰ）／ｃｍ^２・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ（３０ＧＰＵ）以上であることが好ましい。
なお、１ＧＰＵは１×１０^−６ｃｍ^３（ＳＴＰ）／ｃｍ^２・ｓｅｃ・ｃｍＨｇである。

多孔質膜の素材としては、従来公知の高分子、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂等、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン等の含フッ素樹脂等、ポリスチレン、酢酸セルロース、ポリウレタン、ポリアクリロニトリル、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアラミド等の各種樹脂を挙げることができる。なかでも、前記ポリイミド化合物を塗布して架橋するときの製造適正に優れ、高いガス透過性と分離選択性とを同時に達成する観点から、支持層が、ポリアクリロニトリル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシドからなるものであることが好ましく、ポリアクリロニトリルからなるものであることがより好ましい。多孔質膜の形状は、平板状、スパイラル状、管状、中空糸状などいずれの形状でも構わない。

本発明においては、ガス分離層を形成する支持層を適用することを必須の要件とする。この支持層は上述したように薄く、多孔質な素材であることが、十分なガス透過性を確保でき好ましい。また、後述するガス分離層の優れたガス分離選択性を最大限に引き出すためにも、薄膜多孔質の形態が好ましい。一方、ガス分離膜の成形に高温・長時間等のシビアな反応条件が課される場合には、上述した薄く多孔質の支持層を損傷し、複合膜として十分な性能を発揮できない場合がある。かかる観点から、本発明が採用するラジカル架橋性のポリイミド化合物を利用したガス分離複合膜は穏和な条件で製膜することができ、優れた効果を発揮し、製造適正と、製品品質との両面で高い性能を発揮しうる。

本発明においては、ガス分離層を形成する支持層である多孔質層の下部（ガス分離層とは反対側）にさらに機械的強度を付与するために支持体が形成されていることが望ましい。このような支持体としては、織布、不織布、ネット等が挙げられるが、製膜性およびコスト面から不織布が好適に用いられる。不織布としてはポリエステル、ポリプロピレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレン、ポリアミド等からなる繊維を単独あるいは複数を組み合わせて用いてもよい。不織布は、例えば、水に均一に分散した主体繊維とバインダー繊維を円網や長網等で抄造し、ドライヤーで乾燥することにより製造できる。また、毛羽を除去したり機械的性質を向上させたり等の目的で、不織布を２本のロール挟んで圧熱加工を施すことも好ましい。
多孔質層の分画分子量は、本発明においては、１００，０００以下が好ましい。

本発明のガス分離複合膜は、ガス分離回収法、ガス分離精製法として好適に用いることができる。例えば、水素、ヘリウム、一酸化炭素、二酸化炭素、硫化水素、酸素、窒素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、メタン、エタンなどの炭化水素、プロピレンなどの不飽和炭化水素、テトラフルオロエタンなどのパーフルオロ化合物などのガスを含有する気体混合物から特定の気体を効率よく分離し得るガス分離膜とすることができる。特に二酸化炭素／炭化水素（メタン）を含む気体混合物から二酸化炭素を選択分離するガス分離膜およびこの製造方法、これを用いたモジュール、分離装置とすることが好ましい。

とりわけ、供給されるガスが二酸化炭素とメタンとの混合ガスであり、４０℃、８気圧における二酸化炭素の透過速度が２０ＧＰＵ超であることが好ましく、２０〜３００ＧＰＵであることがより好ましい。二酸化炭素とメタンとの透過速度比（ＴＲ_ＣＯ２／ＴＲ_ＣＨ４）は２０以上であることが好ましく、２０〜５０であることがより好ましい。

上記選択的なガス透過には膜への溶解・拡散機構が関与すると考えられることは前述のとおりであるが、このような観点を活かし、ポリエチレンオキシ（ＰＥＯ）組成を含む分離膜が検討されている（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９９，１６０，８７−９９参照）。これは二酸化炭素がポリエチレンオキシ組成との相互作用が強いことに起因する。このポリエチレンオキシ膜はガラス転移温度の低い柔軟なゴム状のポリマー膜であるため、ガス種による拡散係数の差は小さく、分離選択性は溶解度の差の効果によるものが主である。これに対し、本発明では、ガス分離に使用されるポリイミド化合物のガラス転移温度が高く、上記溶解・拡散作用を発揮させながら、膜の熱的な耐久性耐久性も大幅に改善できる。

［ポリイミド化合物］
（ラジカル架橋性官能基）
本発明においてガス分離層に適用される、架橋ポリイミド樹脂をなすポリイミド化合物は特に限定されないが、ラジカル架橋性官能基を有するものである。このラジカル架橋性官能基は特に限定されないが、エチレン性不飽和基が好ましい。
エチレン性不飽和基は、芳香環中の二重結合でない、炭素−炭素二重結合を有する基である。好ましくは、−ＣＲ＝ＣＨ_２を含む基である。ここで、Ｒは水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒは水素原子またはメチル基であることが好ましい。

エチレン性不飽和基としては、例えば、ビニル基（−ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、ビニルアリール基（−Ａｒ−ＣＨ＝ＣＨ_２、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族基を表す。）、（メタ）アクリロイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＣＲ＝ＣＨ_２、Ｒは上記と同義）が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有する基としては、（メタ）アクリロイルオキシ基（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＣＲ＝ＣＨ_２）、（メタ）アクリロイルアミノ基（−Ｎ（Ｒ’）−Ｃ（＝Ｏ）ＣＲ＝ＣＨ_２、Ｒ’は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基を表す。）などが挙げられる。

ラジカル架橋性官能基は、ポリイミド化合物の側鎖に有するものが好ましく、ポリイミド化合物のテトラカルボン酸成分に有しても、ジアミン成分に有していてもよい。
本発明においては、ラジカル架橋性官能基をジアミン成分に有することが好ましい。

本発明のポリイミド化合物は、テトラカルボン酸成分とジアミン化合物成分からなるが、テトラカルボン酸成分とジアミン化合物成分はどのようなものでも構わない。
テトラカルボン酸成分のテトラカルボン酸や、ジアミン化合物成分のジアミン化合物は、芳香族でも、脂肪族でも、ヘテロ環（芳香族ヘテロ環や非芳香族ヘテロ環）のテトラカルボン酸や、ジアミン化合物であってもよい。
本発明においては、テトラカルボン酸成分、ジアミン化合物成分は芳香族のものが好ましい。
本発明のポリイミド化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素数５〜１２の炭化水素環を１つ以上含有する構造部を表す。
Ｒは、下記一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）からなる群から選択される原子群であることさらに好ましい。

一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）において、Ｘ^１は単結合または２価の連結基を表す。Ｙ^１はメチレン基またはビニレン基を表す。Ｒ^１およびＲ^２は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^１とＲ^２が互いに結合し環を形成してもよい。＊は一般式（Ｉ）におけるイミドのカルボニル基との結合部位を表す。

前記ポリイミド化合物は、さらに、下記一般式（ＩＩ−ａ）もしくは（ＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の少なくとも一種と、下記一般式（ＩＩＩ−ａ）もしくは（ＩＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の少なくとも一種とをそれぞれ含み、前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位のＲが、前記式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）からなる群から選択される原子群であることさらに好ましい。

一般式（ＩＩ−ａ）、（ＩＩ−ｂ）において、Ｒ^３はアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、ｌ１は０〜４の整数を表す。Ｒ^４およびＲ^５は各々独立にアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^４とＲ^５が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ１およびｎ１は各々独立に０〜４の整数を表す。Ｘ^２は単結合または２価の連結基を表す。
ここでアミノ基は、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基を含む。

一般式（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）において、Ｒ^６、Ｒ^７およびＲ^８は各々独立に置換基を表す。Ｒ^７とＲ^８は互いに結合して環を形成してもよい。Ｊ^１およびＪ^２、Ｗ^１は各々独立に単結合または２価の連結基を表す。ｌ２、ｍ２、ｎ２は各々独立に０〜３の整数を表す。Ｌ^１は２価の連結基を表し、Ｌ^２は官能基を表す。ｐは０以上の整数を表す。ｐが２以上の場合、複数存在するＬ^１、Ｊ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｘ^３は２価の連結基を表す。

一般式（ＩＩ−ａ）、（ＩＩ−ｂ）のうち、本発明においては、一般式（ＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位が好ましい。一般式（ＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位の中でも、ポリマー主鎖を構成する２つの結合手が互いに、ｐ位に位置するものと互いに、ｍ位に位置するものが好ましい。ｐ位に位置するものはｌ１が３〜４が好ましく、ｍ位に位置するものは０〜２が好ましく、０または２が好ましく、０が最も好ましい。
一般式（ＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位で構造の異なった繰り返し単位を少なくとも２種有するものが好ましく、この中でも上記ｐ位連結のものとｍ位連結のものの組合せが好ましい。

一般式（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）のうち、本発明においては、一般式（ＩＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位が好ましい。
一般式（ＩＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位のうち、下記一般式（ＩＩＩ−ａ１）で表される繰り返し単位がより好ましい。

一般式（ＩＩＩ−ａ１）において、Ｒ^６、ｌ^２、Ｊ^１、Ｗ^１、Ｌ^１、Ｊ^２、Ｌ^２、ｐは対応する一般式（ＩＩＩ−ａ）のものと同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（Ｉ）におけるＲを母核と呼ぶことがあるが、この母核（Ｒ）は一般式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）が好ましく、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｃ）がより好ましく、（Ｉ−ａ）が特に好ましい。

・Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３は一般式（１−ａ）、（ＩＩ−ｂ）、（ＩＩＩ−ｂ）に含まれ、各々独立に、単結合または２価の連結基を表す。具体的には、単結合、−Ｃ（Ｒａ）_２−（Ｒａは水素原子または置換基を表す。Ｒａが置換基の場合、互いに結合して環を形成してもよい）、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ−であることが好ましく、−Ｃ（Ｒａ）_２−、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−Ｃ（＝Ｏ）−であることがより好ましく、−Ｃ（Ｒａ）_２−がさらに好ましい。ここでＲａは水素原子またはアルキル基が好ましく、アルキル基がより好ましく、ＣＦ_３が特に好ましい。

・Ｒ^１、Ｒ^２
Ｒ^１、Ｒ^２は各々独立に水素原子または置換基を表す。該置換基としては、それぞれ独立に後述の置換基群Ｚより選ばれるいずれか１つを用いることができる。本明細書において置換基というときには、特に断らない限り、後述の置換基群Ｚをその好ましい範囲とする。

Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基またはエチル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

・Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５
Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は各々独立にアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表す。これらの好ましいものは、置換基群Ｚで規定したものと同義である。上記置換基の数を示すｌ１、ｍ１、ｎ１は０〜４の整数であるが、１〜４が好ましく、３〜４がより好ましい。
特にＲ^３の場合、アルキル基またはハロゲン原子が好ましく、アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。ｌ１は４が最も好ましい。
ここで、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５が各々で複数存在する場合は、これらは互いに結合して環を形成してもよい。また、Ｒ^４とＲ^５が互いに結合して環を形成してもよい。
本発明においては、Ｒ^４とＲ^５が互いに結合して環を形成したものも好ましく、Ｒ^４とＲ^５が連結した基としては、−ＳＯ_２−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−Ｓ−などが挙げられる。

・Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８
Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８は各々独立に置換基を表す。これらの好ましいものは、置換基群Ｚで規定したものと同義である。その置換基の数を示すｌ２、ｍ２、ｎ２は０〜３の整数であるが、０〜２が好ましく、０または１がより好ましく、０が特に好ましい。
ここで、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８が各々で複数存在する場合は、これらは互いに結合して環を形成してもよい。また、Ｒ^７とＲ^８が互いに結合して環を形成してもよい。
本発明においては、Ｒ^７とＲ^８が互いに結合して環を形成したものも好ましく、Ｒ^７とＲ^８が連結した基としては、−ＳＯ_２−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−Ｓ−などが挙げられる。

・Ｊ^１、Ｊ^２
Ｊ^１、Ｊ^２は単結合または２価の連結基を表す。２価連結基としては＊−Ｏ−＊＊、＊−Ｓ−＊＊、＊−Ｃ（＝Ｏ）−＊＊、＊−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−＊＊、＊−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^９−＊＊、＊−ＯＣ（＝Ｏ）−＊＊、＊−ＣＯＯ⁻ＮＨ^＋（Ｒ^１０）（Ｒ^１１）−＊＊、＊−ＳＯ_３ ⁻ＮＨ^＋（Ｒ^１２）（Ｒ^１３）−＊＊、メチレン基、フェニレン基または＊−Ｃ_６Ｈ_５Ｃ（＝Ｏ）−＊＊基が好ましい。なお、Ｒ^１０とＲ^１１、Ｒ^１２とＲ^１３は互いに結合して環を形成してもよい。
ここで、＊はＪ^２のときＬ^１側、Ｊ^１のときフェニレン基側の結合手、＊＊はその逆の結合手を表す。Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２およびＲ^１３は各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
Ｊ^１、Ｊ^２の２価連結基は、＊−Ｃ（＝Ｏ）−＊＊、＊−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−＊＊、＊−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^９−＊＊、＊−ＯＣ（＝Ｏ）−＊＊、メチレン基、フェニレン基または＊−Ｃ_６Ｈ_４Ｃ（＝Ｏ）−＊＊基がより好ましい。Ｒ^９〜Ｒ^１３の好ましい範囲は置換基群Ｚのアルキル基、アリール基の好ましい範囲と同義である。
Ｊ^１、Ｊ^２は＊−Ｃ（＝Ｏ）−＊＊、＊−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−＊＊または＊−ＯＣ（＝Ｏ）−＊＊がさらに好ましく、＊−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−＊＊が特に好ましい。

・Ｗ^１
Ｗ^１は単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、直鎖、分岐もしくは環状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数１〜４のアルキレン基であり、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、へキシレン、オクチレン、デシレンなどが挙げられる。）、アルキレンオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数１〜４のアルキレンオキシ基であり、例えばメチレンオキシ、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、ブチレンオキシ、ペンチレンオキシ、へキシレンオキシ、オクチレンオキシ、デシレンオキシなどが挙げられる。）、アラルキレン基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜１３のアラルキレン基であり、例えばベンジリデン、シンナミリデンなどが挙げられる。）、アリーレン基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜１５のアリーレン基であり、例えば、フェニレン、クメニレン、メシチレン、トリレン、キシリレンなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらは更に置換基を有していてもよい。更なる置換基としてはヒドロキシ基またはハロゲン原子が好ましく、ヒドロキシ基またはフッ素原子がより好ましく、フッ素原子が特に好ましい。また、分子内にエーテル結合を含むことが好ましい。

・Ｌ^１
Ｌ^１は２価の連結基を表し、その具体的な例としては下記の（Ｌ−１）〜（Ｌ−３５）で表される構造単位またはこれらを組み合わせて構成される連結基を挙げることができる。なお、下記連結基の＊がＷ^１側の結合手であり、＊＊がＪ^２側の結合手である。

Ｌ^１は、（Ｌ−１）〜（Ｌ−３５）、アルキレン基、アルキレンオキシ基またはアリーレン基が好ましく、アルキレン基、またはアルキレンオキシ基であることがより好ましく、分子内にエーテル結合を有していることが更に好ましい。

・Ｌ^２
Ｌ^２は官能基を表す。該官能基としてはラジカル架橋性官能基が好ましい。中でも、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、ビニル基、アリル基、スチリル基であることが好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基が特に好ましい。

・ｐ
ｐは０以上の整数を表し、０〜１０が好ましく、０〜５がより好ましい。ｐを上記下限値以上とすることで架橋反応をすることができ、上記上限値以下とすることで透過性の低下を抑制することができる。

置換基群Ｚ：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１０のシクロアルキル基であり、例えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０のアルケニル基であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０のアルキニル基であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基を含み、好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０のアミノ基であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のヘテロ環オキシ基であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のアシル基であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルオキシ基であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、

アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２のスルファモイル基であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、

カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のカルバモイル基であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のヘテロ環チオ基であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、

スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニル基であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルフィニル基であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のウレイド基であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくはフッ素原子が挙げられる）、

シアノ基、スルホ基、カルボキシ基、オキソ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは３〜７員環のヘテロ環基で、芳香族ヘテロ環でも芳香族でないヘテロ環であってもよく、ヘテロ環を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。炭素数は０〜３０が好ましく、より好ましくは炭素数１〜１２のヘテロ環基であり、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４のシリル基であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４のシリルオキシ基であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は、更に上記置換基群Ｚより選択されるいずれか１つ以上の置換基により置換されてもよい。
なお、１つの構造部位に複数の置換基があるときには、それらの置換基は互いに連結して環を形成していたり、上記構造部位の一部または全部と縮環して芳香族環もしくは不飽和複素環を形成していたりしてもよい。

ポリイミド化合物として好ましい具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限るものではない。

上記化学式のモル比〔式中の特定ユニット１００に対するＸ／Ｙ／Ｚの比率〕

本発明のポリマーは、他のモノマーとの共重合体であってもよい。用いられる他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、ビニルエステル類、スチレン類、アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリル、無水マレイン酸、マレイン酸イミド等の公知のモノマーも挙げられる。このようなモノマー類を共重合させることで、製膜性、膜強度、親水性、疎水性、溶解性、反応性、安定性等の諸物性を改善することができる。モノマーの合成方法としては、例えば丸善株式会社 日本化学会編，「第５版 実験化学講座１６ 有機化合物の合成（ＩＩ−１）」におけるエステル合成の項目や「第５版 実験化学講座２６ 高分子化学」におけるモノマーの取り扱い、精製の項目などを参考することができる。

ポリイミドは酸無水物とジアミンとの縮合重合により合成することができる。合成方法は一般的な書籍（例えば、株式会社エヌ・ティー・エス発行，今井淑夫、横田力男編著，最新ポリイミド〜基礎と応用〜，３〜４９頁など）に記載の方法を適宜選択することができる。本発明で使用し得る一般的な酸無水物の具体例としては例えば以下のようなものが挙げられる。なお、Ｐ−１９は、市販品を用いてもよいが、特開２００６−２１９３９７号公報を参照し合成することが可能である。

さらに一般的なジアミン化合物の具体例としては以下のようなものが挙げられる。

本発明のガス分離複合膜は、ラジカル架橋性官能基の機能により、何らかのエネルギーを付与することで硬化することにより形成することができる。

前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ−ａ）、（ＩＩ−ｂ）、（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）で表される部分構造に対応するモノマーとしては、オリゴマー、プレポリマーとしたものを用いてもよい。高分子化合物を得る上での重合体については、ブロック共重合体、或いはランダム共重合体、グラフト共重合体などのいずれの形態を有する共重合体でも良いが、特にブロック共重合体やグラフト共重合体を用いる場合には、粘度、相溶性の観点で好ましい。

前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ−ａ）、（ＩＩ−ｂ）、（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）で表される部分構造の比率は、特に規定されるものではないが、架橋構造を複数有する部分構造の組成比が増加するに従い、分子構造の影響は多大にあるものの概して膜の強度、分離選択性は向上するが気体の透過性は低下する傾向があるため、それぞれ組成比として１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％の範囲を目安として用いることが好ましいが、この範囲に限定されることなく、ガス分離の目的（回収率、純度など）に応じて組成比を変えることによりガス透過性と分離選択性を調整されるものである。

本発明において、一般式（Ｉ）の構成単位の共重合比（Ｒ_Ｉ）、一般式（ＩＩ−ａ）および（ＩＩ−ｂ）の構成単位の共重合比（Ｒ_ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ−ａ）および（ＩＩＩ−ｂ）の構成単位の共重合比（Ｒ_ＩＩＩ）は特に限定されないが下記であることが好ましい。

好ましい より好ましい 特に好ましい
Ｒ_ＩＩ ０〜９０ｍｏｌ％ ０〜９０ｍｏｌ％ ０〜６０ｍｏｌ％
Ｒ_ＩＩＩ ０．０１〜１７ｍｏｌ％ ０．１〜１０ｍｏｌ％ １〜１０ｍｏｌ％
Ｒ_ＩＶ＊ ０．０１〜９０ｍｏｌ％ ０．１〜９０ｍｏｌ％ １〜９０ｍｏｌ％

＊Ｒ_ＩＶはその他の構成単位の共重合比。ただし、Ｒ_Ｉ、Ｒ_ＩＩ、Ｒ_ＩＩＩおよびＲ_ＩＶの各好ましい範囲において、Ｒ_Ｉ＝Ｒ_ＩＩ＋Ｒ_ＩＩＩ＋Ｒ_ＩＶを満たすものとする。

前記ポリイミド化合物の分子量は、架橋膜であるため特に限定されるものではない。各部分構造に対応するとしては、好ましくは質量平均分子量として１，０００〜１，０００，０００であり、より好ましくは５，０００〜５００，０００であり、さらに好ましくは５，０００〜１００，０００である。

分子量および分散度は特に断らない限りＧＰＣ（ゲルろ過クロマトグラフィー）法を用いて測定した値とし、分子量はポリスチレン換算の質量平均分子量とする。ＧＰＣ法に用いるカラムに充填されているゲルは芳香族化合物を繰り返し単位に持つゲルが好ましく、例えばスチレン−ジビニルベンゼン共重合体からなるゲルが挙げられる。カラムは２〜６本連結させて用いることが好ましい。用いる溶媒は、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、Ｎ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒が挙げられる。測定は、溶媒の流速が０．１〜２ｍＬ／ｍｉｎの範囲で行うことが好ましく、０．５〜１．５ｍＬ／ｍｉｎの範囲で行うことが最も好ましい。この範囲内で測定を行うことで、装置に負荷がかからず、さらに効率的に測定ができる。測定温度は１０〜５０℃で行うことが好ましく、２０〜４０℃で行うことが最も好ましい。なお、使用するカラムおよびキャリアは測定対象となる高分子化合物の物性に応じて適宜選定することができる。

［架橋ポリイミド樹脂］
（架橋サイト比［η］）
本発明においては、前記架橋ポリイミド樹脂における、前記ポリイミド化合物のイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）が０．０００１〜０．４５であり、０．０１〜０．３であることが好ましく、０．０１〜０．２であることがより好ましく、０．０１〜０．１であることがさらに好ましい。さらに、低架橋サイト比の設定にする場合には、０．０５以下が好ましく、０．０４以下がより好ましく、０．０２以下が特に好ましい。
本明細書において「架橋サイト比［η］」は、架橋された架橋性官能基の数に基づくものであり、ポリイミド化合物に導入されていても、架橋されなかった架橋性官能基の数は除かれた算定値（比率）である。この値を上記下限値以上とすることで、高ＣＯ_２濃度条件あるいは天然ガス中に含まれるベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族化合物あるいはヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素不純物の影響による膜の可塑化にともなう分離選択性の低下を最小限に抑制することができ、上記上限値以下とすることで、架橋密度向上に伴うガス透過率の低下を最小限に抑制することができ、さらには折り曲げ時のクラック、脆性といった機械強度も改善することができる。
この架橋サイト比を所望の範囲とするには、ポリイミド化合物の合成時に適宜架橋性官能基の存在割合（例えば、後述する架橋性官能基密度［γ］）を調整したり、架橋反応条件を変化させたりして架橋転化率（例えば、架橋性官能基の総数に対する架橋された官能基の数の比率（架橋転化率）［α］）を調整することにより行うことができ、計算上は［η］＝［γ］×［α］／２００となる。具体的には、所定の範囲内で架橋サイトをもつモノマーの組成比を増やす、反応性を高める、多官能化する、あるいは別の架橋性置換基を有する素材を併用することで、架橋サイト比［η］を高めることができる。

（架橋構造）
本発明においては、架橋ポリイミド樹脂が、その架橋構造部位（前記ラジカル架橋性官能基が、架橋された構造部位）が、−Ｃ（Ｒ^Ａ１）_２ＣＨ_２−〔Ｒ^Ａ１は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、−Ｒ^Ａ２−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｒ^Ａ２−ＯＣ（＝Ｏ）−を表す。Ｒ^Ａ２は炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。〕で表される連結基を含むことが好ましい。
中でも好ましくは、Ｒ^Ａ１が水素原子、−Ｒ^Ａ２−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−Ｒ^Ａ２−ＯＣ（＝Ｏ）−（Ｒ^Ａ２は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。）であることがより好ましい。
また、架橋構造部位は下記のように架橋しているものが好ましい。

ここで、Ｒ^Ｂ１〜Ｒ^Ｂ４は各々独立には水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。
上記の架橋構造部位は、（ＣＬ−１）、（ＣＬ−３）が好ましく、（ＣＬ−１）がさらに好ましい。

上記架橋部位の構造について、架橋性官能基との関係で具体例を挙げると、下記の通りである。ただし、本発明がこれらの例に限定して解釈されるものではない。

（架橋性官能基密度［γ］）
一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位に対する、一般式（ＩＩＩ−ａ）および（ＩＩＩ−ｂ）の官能基Ｌ^２の数の比率を架橋性官能基密度［γ］という。このγ（官能基Ｌ^２の数／一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の数）の好ましい範囲は、０．００３〜０．６８であり、さらに好ましくは０．００３〜０．５６である。

この架橋性官能基密度は、ポリイミド化合物を合成するときの基質（モノマー）の仕込み量で調節することができる。

（架橋転化率［α］）
本発明の架橋転化率［α］は、膜の反射型赤外分光法測定において、二重結合部位のピーク（１６４０、８１０ｃｍ^−１）および^１Ｈ−ＮＭＲにより、二重結合ピークの架橋前後における減少により算出することができる。架橋転化率は２０％以上１００％以下が好ましく、５０％以上９４％以下がより好ましく、３０％以上８９％以下がさらに好ましい。

この架橋転化率は、ポリイミド化合物の架橋条件により調節を行うことができ、例えば、ラジカル重合開始剤の種類、架橋反応における温度、基質濃度、熱量、活性放射線の光量および照射時間を各種調整することで、架橋転化率を調節することができる。具体的には例えば、ラジカル重合での架橋反応において反応率を高めるために、熱あるいは光エネルギーの総エネルギーを増やすか、材料であれば重合開始剤である光開始剤（ケトン系化合物など）あるいは熱開始剤（アゾ系化合物などであれば分解温度の低い化合物など）の活性を上げることが挙げられる。

［ガス分離複合膜の製造方法］
本発明のガス分離複合膜の製造方法は、好ましくは、上記ポリイミド化合物を含有する塗布液を支持体に塗布し、その塗布膜を、活性放射線を照射することにより形成する製造方法である。塗布膜を構成するための塗布液（ドープ）の成分組成は特に限定されないが、上記ポリイミド化合物と重合開始剤とを有機溶剤中に含むものであることが好ましい。ポリイミド化合物の含有量は特に限定されないが、塗布液中に、０．１〜３０質量％含まれることが好ましく、１〜１０質量％含まれることがより好ましい。上記下限値以上とすることで、濃度が薄い場合には、多孔質支持体上に製膜した際に、容易に下層に浸透してしまうがために分離に寄与する表層に欠陥が生じる可能性が高くなり上記上限値以下とすることで濃度が高い場合における多孔質支持体上に製膜した際に孔内に高濃度に充填されてしまうことに起因する薄層化あるいは透過性が低くなる現象を最低限に抑制することができる。本発明のガス分離複合膜は、分離層のポリマーの分子量、構造、組成さらには溶液粘度を調整することで適切に製造することができる。

〔有機溶剤〕
有機溶剤としては、特に限定されるものではないが、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の炭化水素系有機溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系有機溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の脂肪族ケトン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルもしくはモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルもしくはモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルもしくはモノエチルエーテル、ジブチルブチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルシクロペンチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系有機溶剤、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。これらの有機溶剤は支持体を浸蝕するなどの悪影響を及ぼさない範囲で適切に選択されるものであるが、好ましくは、エステル系（好ましくは酢酸ブチル）、アルコール系（好ましくはメタノール、エタノール、イソプロパノール、イソブタノール）、脂肪族ケトン（好ましくは、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、シクロペンタノン、シクロヘキサノン）、エーテル系（エチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル）が好ましく、さらに好ましくは脂肪族ケトン系、アルコール系、エーテル系である。またこれらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

好ましくは後述する重合開始剤を含有し、活性放射線の照射により硬化することにより形成されるガス分離複合膜である。ここで活性放射線とは、その照射により膜組成物中において開始種を発生させうるエネルギーを付与することができるものであれば、特に制限はなく、広くα線、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、電子線などを包含するものである。なかでも、硬化感度および装置の入手容易性の観点から紫外線および電子線が好ましく、特に紫外線が好ましい。

本発明において、紫外線を使用する場合には、後述の光重合開始剤を添加することが必要となる。電子線硬化の場合は、重合開始剤が不要であり、透過深さも深いので好ましい。電子線加速器としてはスキャニング方式、ダブルスキャニング方式またはカーテンビーム方式が採用できるが、好ましいのは比較的安価で大出力が得られるカーテンビーム方式である。電子線特性としては、加速電圧が３０〜１０００ｋＶ、好ましくは５０〜３００ｋＶである。吸収線量として好ましくは５〜２００ｋＧｙ（０．５〜２０Ｍｒａｄ）、より好ましくは２０〜１００ｋＧｙ（２〜１０Ｍｒａｄ）である。加速電圧および吸収線量が上記範囲内であると、十分な量のエネルギーが透過し、エネルギー効率がよい。電子線を照射する雰囲気は窒素雰囲気により酸素濃度を２００ｐｐｍ以下にすることが好ましく、この範囲内では表面近傍の架橋、硬化反応が良好に進む。

紫外線光源としては、水銀灯が用いられる。水銀灯は２０〜２４０Ｗ／ｃｍ^２のランプを用い、速度０．３〜２０ｍ／分で使用される。膜と水銀灯との距離は一般に１〜３０ｃｍであることが好ましい。卓上型紫外線硬化装置を用いる場合は、１秒〜１０分程度、素材、環境により光量、光源の配置を適宜調整したうえで硬化させるのが望ましい。

放射線硬化装置、条件などについては、「ＵＶ・ＥＢ硬化技術」（（株）総合技術センター発行）や「低エネルギー電子線照射の応用技術」（２０００年，（株）シーエムシー発行）などに記載されている公知のものを用いることができる。硬化時に加熱工程を加えてもよい。

〔重合開始剤〕
本発明のガス分離複合膜を形成する工程において、ラジカル重合開始剤を添加することが好ましく、光重合開始剤を添加することが特に好ましい。
光重合開始剤は光の作用、または、増感色素の電子励起状態との相互作用を経て、化学変化を生じ、ラジカル、酸および塩基のうちの少なくともいずれか１種を生成する化合物である。
光重合開始剤は、照射される活性光線、例えば、４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線またはイオンビームなどに感度を有するものを適宜選択して使用することができる。

具体的な光重合開始剤は当業者間で公知のものを制限なく使用でき、具体的には、例えば、Ｂｒｕｃｅ Ｍ． Ｍｏｎｒｏｅら著、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｕｅ，９３，４３５（１９９３）や、Ｒ．Ｓ．Ｄａｖｉｄｓｏｎ著，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ ｂｉｏｌｏｇｙ Ａ ：Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，７３，８１（１９９３）や、Ｊ．Ｐ．Ｆａｕｓｓｉｅｒ’Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ−Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ’：Ｒａｐｒａ Ｒｅｖｉｅｗ ｖｏｌ．９，Ｒｅｐｏｒｔ，Ｒａｐｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９８）や、Ｍ．Ｔｓｕｎｏｏｋａ ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，２１，１（１９９６）に多く記載されている。また、（有機エレクトロニクス材料研究会編、「イメージング用有機材料」、ぶんしん出版（１９９３年），１８７〜１９２ページ参照）に化学増幅型フォトレジストや光カチオン重合に利用される化合物が多く記載されている。更には、Ｆ．Ｄ．Ｓａｅｖａ，Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１５６，５９（１９９０）、Ｇ．Ｇ．Ｍａｓｌａｋ，Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１６８，１（１９９３）、Ｈ．Ｂ．Ｓｈｕｓｔｅｒ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１２，６３２９（１９９０）、Ｉ．Ｄ．Ｆ．Ｅａｔｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０２，３２９８（１９８０）等に記載されているような、増感色素の電子励起状態との相互作用を経て、酸化的もしくは還元的に結合解裂を生じる化合物群も知られる。

好ましい光重合開始剤としては（ａ）芳香族ケトン類、（ｂ）芳香族オニウム塩化合物、（ｃ）有機過酸化物、（ｄ）ヘキサアリールビイミダゾール化合物、（ｅ）ケトオキシムエステル化合物、（ｆ）ボレート化合物、（ｇ）アジニウム化合物、（ｈ）メタロセン化合物、（ｉ）活性エステル化合物、（ｊ）炭素ハロゲン結合を有する化合物等が挙げられる。

（ａ）芳香族ケトン類の好ましい例としては、Ｊ．Ｐ．ＦＯＵＡＳＳＩＥＲ Ｊ．Ｆ．ＲＡＢＥＫ，「ＲＡＤＩＡＴＩＯＮ ＣＵＲＩＮＧ ＩＮ ＰＯＬＹＭＥＲ ＳＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ」，ｐ７７〜１１７（１９９３）に記載のベンゾフェノン骨格或いはチオキサントン骨格を有する化合物等が挙げられる。より好ましい（ａ）芳香族ケトン類の例としては、特公昭４７−６４１６号公報に記載のα−チオベンゾフェノン化合物、特公昭４７−３９８１号公報に記載のベンゾインエーテル化合物、特公昭４７−２２３２６号公報に記載のα−置換ベンゾイン化合物、特公昭４７−２３６６４号公報に記載のベンゾイン誘導体、特開昭５７−３０７０４号公報に記載のアロイルホスホン酸エステル、特公昭６０−２６４８３号公報に記載のジアルコキシベンゾフェノン、特公昭６０−２６４０３号公報、特開昭６２−８１３４５号公報に記載のベンゾインエーテル類、特公平１−３４２４２号公報、米国特許第４，３１８，７９１号、欧州特許第０２８４５６１Ａ１号明細書に記載のα−アミノベンゾフェノン類、特開平２−２１１４５２号公報に記載のｐ−ジ（ジメチルアミノベンゾイル）ベンゼン、特開昭６１−１９４０６２号公報記載のチオ置換芳香族ケトン、特公平２−９５９７号公報に記載のアシルホスフィンスルフィド、特公平２−９５９６号公報に記載のアシルホスフィン、特公昭６３−６１９５０号公報に記載のチオキサントン類、特公昭５９−４２８６４号公報に記載のクマリン類等が挙げられる。

（ｂ）芳香族オニウム塩は、周期律表の第Ｖ、ＶＩおよびＶＩＩ族の元素、具体的にはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＴｅまたはＩの芳香族オニウム塩が含まれる。例えば、欧州特許第１０４１４３号明細書、米国特許第４，８３７，１２４号明細書、特開平２−１５０８４８号公報、特開平２−９６５１４号公報に記載のヨードニウム塩類、欧州特許第３７０６９３号明細書、同第２３３５６７号明細書、同第２９７４４３号明細書、同第２９７４４２号明細書、同第２７９２１０号明細書および同第４２２５７０号各明細書、米国特許第３，９０２，１４４号明細書、同第４，９３３，３７７号明細書、同第４，７６０，０１３号明細書、同第４，７３４，４４４号明細書および同第２，８３３，８２７号明細書の各明細書に記載されているスルホニウム塩類、ジアゾニウム塩類（置換基を有してもよいベンゼンジアゾニウム等）、ジアゾニウム塩樹脂類（ジアゾジフェニルアミンのホルムアルデヒド樹脂等）、Ｎ−アルコキシピリジニウム塩類等（例えば、米国特許第４，７４３，５２８号明細書、特開昭６３−１３８３４５号公報、特開昭６３−１４２３４５号公報、特開昭６３−１４２３４６号公報および特公昭４６−４２３６３号公報の各公報等に記載されるもので、具体的には１−メトキシ−４−フェニルピリジニウム テトラフルオロボレート等）、更には特公昭５２−１４７２７７号公報、同５２−１４２７８号公報および同５２−１４２７９号公報の各公報に記載の化合物が好適に使用される。これらは活性種としてラジカルや酸を生成する。

（ｃ）「有機過酸化物」としては分子中に酸素−酸素結合を１個以上有する有機化合物のほとんど全てが含まれるが、例えば、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−アミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ヘキシルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−オクチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（クミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｐ−イソプロピルクミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシイソフタレートなどの過酸化エステル系が好ましい。

（ｄ）ヘキサアリールビイミダゾールとしては、特公昭４５−３７３７７号公報、特公昭４４−８６５１６号公報に記載のロフィンダイマー類、例えば２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｐ−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｍ−メトキシフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｏ’−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ニトロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−トリフルオロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール等が挙げられる。

（ｅ）ケトオキシムエステルとしては３−ベンゾイロキシイミノブタン−２−オン、３−アセトキシイミノブタン−２−オン、３−プロピオニルオキシイミノブタン−２−オン、２−アセトキシイミノペンタン−３−オン、２−アセトキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、２−ベンゾイロキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、３−ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノブタン−２−オン、２−エトキシカルボニルオキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられる。

（ｆ）ボレート塩は、例えば米国特許第３，５６７，４５３号明細書、同第４，３４３，８９１号明細書、欧州特許第１０９７７２号明細書、同第１０９７７３号明細書に記載されている化合物が挙げられる。
（ｇ）アジニウム塩化合物は、例えば特開昭６３−１３８３４５号公報、特開昭６３−１４２３４５号公報、特開昭６３−１４２３４６号公報、特開昭６３−１４３５３７号公報および特公昭４６−４２３６３号公報に記載のＮ−Ｏ結合を有する化合物群が挙げられる。

（ｈ）メタロセン化合物は、例えば特開昭５９−１５２３９６号公報、特開昭６１−１５１１９７号公報、特開昭６３−４１４８４号公報、特開平２−２４９号公報、特開平２−４７０５号公報に記載のチタノセン化合物または特開平１−３０４４５３号公報、特開平１−１５２１０９号公報に記載の鉄−アレーン錯体が挙げられる。

上記チタノセン化合物の具体例としては、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ジ−クロライド、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−２，６−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４−ジフルオロフェニ−１−イル、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（ピリ−１−イル）フェニル）チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（メチルスルホンアミド）フェニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）ビス〔２，６−ジフルオロ−３−（Ｎ−ブチルビアロイル−アミノ）フェニル〕チタン等を挙げることができる。

（ｉ）活性エステル化合物は、例えば欧州特許第０２９０７５０号明細書、同第０４６０８３号明細書、同第１５６１５３号明細書、同第２７１８５１号明細書および同第０３８８３４３号明細書の各明細書、米国特許第３，９０１，７１０号明細書および同第４，１８１，５３１号各明細書、特開昭６０−１９８５３８号公報および特開昭５３−１３３０２２号公報の各公報に記載のニトロベンズルエステル化合物、欧州特許第０１９９６７２号明細書、同第８４５１５号明細書、同第１９９６７２号明細書、同第０４４１１５号明細書および同第０１０１１２２号明細書の各明細書、米国特許第４，６１８，５６４号明細書、同第４，３７１，６０５号明細書および同第４，４３１，７７４号明細書の各明細書、特開昭６４−１８１４３号公報、特開平２−２４５７５６号公報および特開平４−３６５０４８号公報の各公報に記載のイミノスルホネート化合物、特公昭６２−６２２３号公報、特公昭６３−１４３４０号公報および特開昭５９−１７４８３１号公報の各公報に記載されている化合物等が挙げられる。

（ｊ）炭素ハロゲン結合を有する化合物は、例えば、若林ら著，Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，４２，２９２４（１９６９）に記載の化合物、英国特許第１３８８４９２号明細書記載の化合物、特開昭５３−１３３４２８号公報に記載の化合物、独国特許第３３３７０２４号明細書に記載の化合物等が挙げられる。

また、Ｆ．Ｃ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ等によるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２９，１５２７（１９６４）に記載の化合物、特開昭６２−５８２４１号公報記載の化合物、特開平５−２８１７２８号公報記載の化合物等が挙げられる。ドイツ特許第２６４１１００号明細書に記載されているような化合物、ドイツ特許第３３３３４５０号明細書に記載されている化合物、ドイツ特許第３０２１５９０号明細書に記載の化合物群またはドイツ特許第３０２１５９９号明細書に記載の化合物群、等が挙げられる。

重合開始剤の使用量は好ましくは、重合性化合物１質量部に対して、０．０１質量部〜１０質量部であり、より好ましくは０．１質量部〜５質量部である。

〔共増感剤〕
更に本発明のガス分離複合膜の作製プロセスにおいて、感度を一層向上させる、または酸素による重合阻害を抑制する等の作用を有する公知の化合物を共増感剤として、更に、加えてもよい。
このような共増感剤の例としては、アミン類、例えばＭ． Ｒ． Ｓａｎｄｅｒら著「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｏｃｉｅｔｙ」，第１０巻，３１７３頁（１９７２）、特公昭４４−２０１８９号公報、特開昭５１−８２１０２号公報、特開昭５２−１３４６９２号公報、特開昭５９−１３８２０５号公報、特開昭６０−８４３０５号公報、特開昭６２−１８５３７号公報、特開昭６４−３３１０４号公報、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ，３３８２５号に記載の化合物等が挙げられ、具体的には、トリエタノールアミン、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−ホルミルジメチルアニリン、ｐ−メチルチオジメチルアニリン等が挙げられる。

別の例としてはチオールおよびスルフィド類、例えば、特開昭５３−７０２号公報、特公昭５５−５００８０６号公報、特開平５−１４２７７２号公報に記載のチオール化合物、特開昭５６−７５６４３号公報のジスルフィド化合物等が挙げられ、具体的には、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプト−４（３Ｈ）−キナゾリン、β−メルカプトナフタレン等が挙げられる。
また、さらに別の例としては、アミノ酸化合物（例えば、Ｎ−フェニルグリシン等）、特公昭４８−４２９６５号公報に記載の有機金属化合物（例えば、トリブチル錫アセテート等）、特公昭５５−３４４１４号公報に記載の水素供与体、特開平６−３０８７２７号公報に記載のイオウ化合物（例えば、トリチアン等）、特開平６−２５０３８７号公報に記載のリン化合物（例えば、ジエチルホスファイト等）、特開平８−６５７７９号公報に記載のＳｉ−Ｈ、Ｇｅ−Ｈ化合物等が挙げられる。

〔その他の成分等〕
本発明のガス分離複合膜には、膜物性を調整するため、各種高分子化合物を添加することもできる。高分子化合物としては、アクリル系重合体、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、シェラック、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ゴム系樹脂、ワックス類、その他の天然樹脂等が使用できる。また、これらは２種以上併用してもかまわない。
また、液物性調整のためにノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤や、有機フルオロ化合物などを添加することもできる

界面活性剤の具体例としては、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、高級脂肪酸塩、高級脂肪酸エステルのスルホン酸塩、高級アルコールエーテルの硫酸エステル塩、高級アルコールエーテルのスルホン酸塩、高級アルキルスルホンアミドのアルキルカルボン酸塩、アルキルリン酸塩などのアニオン界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物、グリセリンのエチレンオキサイド付加物、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどの非イオン性界面活性剤、また、この他にもアルキルベタインやアミドベタインなどの両性界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などを含めて、従来公知である界面活性剤およびその誘導体から適宜選ぶことができる。

高分子分散剤として、具体的にはポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリエチレンオキシド、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリアクリルアミド等が挙げられ、中でもポリビニルピロリドンを用いることも好ましい。

本発明のガス分離複合膜を形成する条件に特に制限はないが、温度は−３０〜１００℃が好ましく、−１０〜８０℃がより好ましく、５〜５０℃が特に好ましい。

本発明においては、膜を形成時に空気や酸素などの気体を共存させてもよいが、不活性ガス雰囲気下であることが望ましい。

また、本発明のガス分離複合膜を作製する際に、媒体として有機溶剤を添加することができる。具体的に使用できる有機溶剤としては特に限定されるものではないが、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の炭化水素系有機溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系有機溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール等の脂肪族ケトン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルもしくはモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルもしくはモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルもしくはモノエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系有機溶剤、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明のガス分離複合膜の膜厚は０．０１〜１００μｍであることが好ましく、０．１〜１０μｍであることがより好ましい。

［ガス混合物の分離方法］
本発明のガス混合物の分離方法は、少なくとも一種の酸性ガスを含むガス混合物から酸性ガスを気体分離膜によって分離する方法において、本発明のガス分離複合膜を用いることができる酸性ガスが二酸化炭素または硫化水素であることが好ましい。

本発明のガス分離複合膜を用いる気体の分離方法において、原料の気体混合物の成分は特に規定されるものではないが、ガス混合物の主成分が二酸化炭素およびメタンまたは二酸化炭素および水素であることが好ましい。ガス混合物が二酸化炭素や硫化水素のような酸性ガス共存下で特に優れた性能を発揮し、好ましくは二酸化炭素とメタン等の炭化水素、二酸化炭素と窒素、二酸化炭素と水素の分離に優れた性能を発揮する。

［ガス分離膜モジュール・気体分離装置］
本発明のガス分離膜は多孔質支持体と組み合わせた複合膜であり、更にはこれを用いたガス分離膜モジュールとすることが好ましい。また、本発明のガス分離複合膜またはガス分離膜モジュールを用いて、ガスを分離回収または分離精製させるための手段を有する気体分離装置とすることができる。
本発明のガス分離複合膜はモジュール化して好適に用いることができる。モジュールの例としては、スパイラル型、中空糸型、プリーツ型、管状型、プレート＆フレーム型などが挙げられる。また本発明のガス分離複合膜は、例えば、特開２００７−２９７６０５号公報に記載のような吸収液と併用した膜・吸収ハイブリッド法としての気体分離回収装置に適用してもよい。

以下に実施例に基づき本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。なお、文中、単に「部」や「％」のみの表記は、特に示さない限り質量基準とする。

〔合成例〕
＜モノマー（Ｍ−２）、（Ｍ−５）の合成＞
以下の反応スキームでモノマー（Ｍ−２）、（Ｍ−５）を合成した。

ここで、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ＩＰＡはイソプロピルアルコール、ＮＭＰはＮ−メチルピロリドンを表す。

化合物（Ｍ−１）の合成
３Ｌの三口フラスコに２−ヒドロキシエチルメタクリレート（和光純薬工業株式会社製、製品番号：０８６−０４３８５）１３０．１４ｇ（１．０ｍｏｌ）、アセトニトリル２６０ｍｌを加えて窒素気流下、氷冷下で攪拌しているところに、３，５−ジニトロベンゾイルクロリド（東京化成株式会社製、製品番号：Ｄ０８２５）２３０．５６ｇ（１．０ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液（４６０ｍｌ）を加えた。更にトリエチルアミン（和光純薬株式会社製、製品番号：２９２−０２６５６）１４６．５ｍｌ（１．０５ｍｍｏｌ）を３０分以上かけて滴下した。滴下終了後、氷冷却下で１時間攪拌した後、徐々に室温まで昇温した。反応混合物に水を加えて、生じた結晶を濾過したのち、集めた粗結晶をイオン交換水、メタノールで洗浄して、化合物（Ｍ−１）を２９７．５ｇ得た。（収率：９２％）化合物（Ｍ−１）はこれ以上精製することなく、次の反応に用いた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）δ＝９．２５（ｂｒ．ｔ，Ｊ＝２．１Ｈｚ、１Ｈ），９．１７（ｂｒ．ｄ、Ｊ＝２．１Ｈｚ、２Ｈ），６．１５−６．１７（ｍ，１Ｈ），５．６５−５．６２（ｍ，１Ｈ），４．５０−４．６２（ｍ，２Ｈ），４．７０−４．８０（ｍ，２Ｈ）、１．９６（ｓ、３Ｈ）．

化合物（Ｍ−２）の合成
３Ｌの三口フラスコに還元鉄（和光純薬工業株式会社製、製品番号：０９６−００７８５）３０７．５ｇ（５．５１ｍｏｌ）、塩化アンモニウム（和光純薬工業株式会社製、製品番号：０１８−２０９８５）４９．１ｇ（０．９２ｍｏｌ）、２−プロパノール１２３０ｍｌ、水２５０ｍｌを加えて加熱還流下で攪拌した。加熱還流を確認したところで、氷酢酸を４９ｍｌ加えてさらに加熱還流下で５分間攪拌した後、化合物（Ｍ−１）２９７．５３ｇ（０．９１８ｍｏｌ）を注意深く加え、さらに２時間加熱還流下で攪拌した。反応液を室温付近まで冷却した後、メタノール２Ｌを添加し、セライト濾過することで鉄残渣を取り除き、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。濃縮物に酢酸エチルを加えてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ヘキサン−酢酸エチル混合溶液より再結晶することで化合物（Ｍ−２）を１３４．６ｇ得た。（収率：５６％）
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）δ＝６．７８（ｂｒ．ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ、２Ｈ），６．１９（ｂｒ．ｔ、Ｊ＝２．１Ｈｚ、１Ｈ），６．１２−６．１６（ｍ，１Ｈ），４．４８−４．５４（ｍ，２Ｈ），４．４３−４．４８（ｍ，２Ｈ）、１．９５（ｓ、３Ｈ）．

化合物（Ｍ−３）の合成
５００ｍｌの三口フラスコに４−アミノ−３，５−キシレノール（東京化成株式会社製、製品番号：Ａ１８６０）１３．７２ｇ（０．１０ｍｏｌ）、Ｎ−メチルピロリドン４１ｍｌ、アセトニトリル４１ｍｌを加えて窒素気流下、氷冷下で攪拌しているところに、トリエチルアミン（和光純薬会社製、製品番号：２９２−０２６５６）１４．７ｍｌ（１．０ｍｏｌ）を加えた。更に３，５−ジニトロベンゾイルクロリド（東京化成株式会社製、製品番号：Ｄ０８２５）２３．０６ｇ（０．１０ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液３０ｍｌを３０分以上かけて滴下した。滴下終了後、氷冷却下で１時間攪拌した後、徐々に室温まで昇温した。反応混合物に水を加えて、生じた結晶を濾過したのち、集めた粗結晶をイオン交換水、アセトニトリル−Ｈ_２Ｏ（１：１）で洗浄して、化合物（Ｍ−３）を１４．６ｇ得た。（収率：４４％）化合物（Ｍ−３）はこれ以上精製することなく、次の反応に用いた。

化合物（Ｍ−４）の合成
５００ｍｌの三口フラスコに化合物（Ｍ−３）９．５ｇ（０．０２９ｍｏｌ）、アセトニトリル１８０ｍｌを加えて窒素気流下、氷冷下で攪拌しているところに、トリエチルアミン（和光純薬会社製、製品番号：２９２−０２６５６）４．４ｍｌ（０．０３２ｍｏｌ）を加えた。更にメタクリロイルクロリド（東京化成株式会社製、製品番号：１３０−１１７４２）３．０ｇ（０．０２９ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液（３０ｍｌ）を３０分以上かけて滴下した。滴下終了後、氷冷却下で１時間攪拌した後、徐々に室温まで昇温した。反応混合物に水を加えて、生じた結晶を濾過した後、集めた粗結晶をイオン交換水、アセトニトリル−Ｈ_２Ｏ（１：１）で洗浄して、化合物（Ｍ−４）を７．２ｇ得た。（収率：５２％）化合物（Ｍ−４）はこれ以上精製することなく、次の反応に用いた。

モノマー（Ｍ−５）の合成
５００ｍＬの三口フラスコに還元鉄（和光純薬工業株式会社製、製品番号：０９６−００７８５）１３．０ｇ（ｍｏｌ）、塩化アンモニウム（和光純薬工業株式会社製、製品番号：０１８−２０９８５）１．３ｇ（ｍｏｌ）、２−プロパノール１３０ｍｌ、水２５０ｍｌを加えて加熱還流下で攪拌した。加熱還流を確認したところで、氷酢酸１．３ｍｌを加えてさらに加熱還流下で５分間攪拌した後、化合物（Ｍ−４）１３．０ｇ（ｍｏｌ）を注意深く加え、さらに２時間加熱還流下で攪拌した。反応液を室温付近まで冷却した後、酢酸エチル０．５Ｌを添加し、セライト濾過することで鉄残渣を取り除き、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。濃縮物に酢酸エチルを加えてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ヘキサン−酢酸エチル混合溶液より再結晶することで化合物（Ｍ−５）を７．０１ｇ得た。（収率：６３％）
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）δ＝９．３５（ｂｒ．ｓ、１Ｈ）、６．９１（ｂｒ．２Ｈ）、６．３５（ｂｒ．ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ、２Ｈ），６．２６（ｂｒ．ｓ、１Ｈ），５．９９（ｂｒ，１Ｈ），５．８９（ｂｒ、１Ｈ）、４．９２（ｂｒ．ｓ，４Ｈ），２．１６（ｓ，６Ｈ）、２．００（ｓ、３Ｈ）．

〔合成例〕
＜ポリマー（Ｐ−１）の合成＞
以下の反応スキームでポリマー（Ｐ−１）を合成した。

ポリマー（Ｐ−１）の合成
１Ｌの三口フラスコにＮ−メチルピロリドン１２３ｍｌ、６ＦＤＡ（東京化成工業株式会社製、製品番号：Ｈ０７７１）５４．９７ｇ（０．１２４ｍｏｌ）を加えて４０℃で溶解させ、窒素気流下で攪拌しているところに、２，３，５，６−テトラメチルフェニレンジアミン（東京化成工業株式会社製、製品番号：Ｔ１４５７）１２．１９ｇ（０．０７４ｍｏｌ）、ｍ−フェニレンジアミン（東京化成工業会社製、製品番号：Ｐ０１６９）４．２８ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、モノマー（Ｍ−２）２．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（０．１３２ｇ）のＮ−メチルピロリドン８７．２ｍｌ溶液を３０分かけて系内を４０℃に保ちつつ滴下した。反応液を４０℃で２．５時間攪拌した後、ピリジン（和光純薬株式会社製、製品番号：１６６−２２５７５）２．９４ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、無水酢酸（和光純薬株式会社製、製品番号：０１８−００２８６）３１．５８ｇ（０．３１ｍｏｌ）をそれぞれ加えて、さらに８０℃で３時間攪拌した。その後、反応液にアセトン６７６．６ｍＬを加え、希釈した。５Ｌステンレス容器にメタノール１．１５Ｌ、アセトン２３０ｍＬを加えて攪拌しているところに、反応液のアセトン希釈液を滴下した。析出したポリマーを吸引ろ過し、６０℃で送風乾燥させて６２．３ｇのポリマー（Ｐ−１）を得た。

〔実施例１〕
３０ｍｌ褐色バイアル瓶に、ポリマー（Ｐ−１）を１．４ｇ、メチルエチルケトン８．６ｇを混合して３０分攪拌した後、更に１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、製品番号：４０，５６１−２）を２８ｍｇ加えて、更に３０分攪拌した。１０ｃｍ四方の清浄なガラス板上に、ポリアクリロニトリル多孔質膜（ＧＭＴ社製）を静置し、前記ポリマー液を、アプリケータを用いて多孔質支持膜表面にキャストさせ、速やかにセン特殊光源株式会社製光硬化装置（ＴＣＴ１０００Ｂ−２８ＨＥ）を用いて、１０ｍＷで６０秒間露光させ、複合膜試料１０１を得た。ポリマー（Ｐ−１）層の厚さは約１μｍであり、ポリアクリロニトリル多孔質膜の厚さは不織布を含めて約１８０μｍであった。

ポリマー（Ｐ−１Ａ）、（Ｐ−１Ｂ）の合成と試料１０２、１０３の作成
前記ポリマーＰ−１の合成において、ｍ−フェニレンジアミン４．２８ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を５．０３ｇ（０．０４６５ｍｏｌ）または５．３３ｇ(０．０４９３ｍｏｌ)に、モノマー（Ｍ−２）２．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）を０．９２５ｇ（０．００３５ｍｏｌ）または０．１８３ｇ(０．０００７４ｍｏｌ)に変更した以外は複合膜試料１０１と同様にして複合膜を作製した〔試料Ｎｏ．１０２（Ｐ−１Ａ）、１０３（Ｐ−１Ｂ）〕。

ポリマー（Ｐ−１Ｃ）の合成と試料１０４の作成
前記ポリマーＰ−１の合成において、２，３，５，６−テトラメチルフェニレンジアミン１２．１９ｇ（０．０７４ｍｏｌ）を６．５７ｇ（０．０４０ｍｏｌ）ｇにｍ−フェニレンジアミン４．２８ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を０ｇに、モノマー（Ｍ−２）２．６４ｇ（０．０１ｍｏｌ）を２２．２０ｇ(０．０８４ｍｏｌ)に変更した以外は複合膜試料１０１と同様にして複合膜を作製した〔試料Ｎｏ．１０４（Ｐ−１Ｃ）〕。

複合膜試料１０１での露光時間を６０秒から５秒に変更した以外は同様にして複合膜試料１０５を作製した。

複合膜１０１におけるポリアクリロニトリル多孔質膜をポリスルホン多孔質膜、ポリフェニレンオキシド多孔質膜に変更した以外は同様にして複合膜試料１０６、１０７を作製した。
なお、これらのポリアクリロニトリル多孔質膜、ポリスルホン多孔質膜、ポリフェニレンオキシド多孔質膜の分画分子量はいずれも１００，０００以下のものを使用した。

複合膜試料１０１におけるＭ−２の代わりにＭ−５を用いてポリマー（Ｐ−２）を合成した。
ポリマー（Ｐ−２）の官能基密度比を０．５５３、質量平均分子量を５８，０００に変更したポリマー（Ｐ−２Ａ）、さらに市販の原料を用いてポリマー（Ｐ−４）、（Ｐ−５）、（Ｐ−６）に変更した以外は同様にして複合膜の試料１０８（Ｐ−２）、試料１０９（Ｐ−２Ａ）、試料１１０（Ｐ−４）、試料１１１（Ｐ−５）、試料１１２（Ｐ−６）を作製した。

ポリマー（Ｐ−１７）の合成
１Ｌの三口フラスコにＮ−メチルピロリドン１３０ｍｌ、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物（東京化成工業株式会社製、製品番号：Ｂ１３１７）２４．８２ｇ（０．１００ｍｏｌ）を加えて氷冷却下、窒素気流下で攪拌しているところに、２，３，５，６−テトラメチルフェニレンジアミン（東京化成工業株式会社製、製品番号：Ｔ１４５７）１４．７８ｇ（０．０９０ｍｏｌ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（東京化成工業会社製、製品番号：Ｂ１４１５）３．６６３ｇ（０．０１０ｍｏｌ）のＮ−メチルピロリドン８１ｍｌ溶液を３０分かけて系内を１０℃以下に保ちつつ滴下した。滴下終了後、反応液を４０℃で２．５時間攪拌した後、トルエン１５０ｍｌを加え、さらに１８０℃まで昇温させてその温度で６時間攪拌した。反応途中に共沸したトルエン−水混合用液をディーンスターク水分離機で溜去した。反応終了後、室温付近まで冷却下した後、アセトン４００ｍＬを加えて希釈した。５Ｌステンレス容器にメタノール１．１５Ｌ、水２３０ｍＬを加えて攪拌しているところに、反応液のアセトン希釈液を滴下した。析出したポリマーを吸引ろ過し、６０℃で送風乾燥させて３８．９ｇのポリマーを得た。

１Ｌの三口フラスコに、得られたポリマー１５ｇ、テトラヒドロフラン３００ｍｌを加えて窒素気流下、室温下で攪拌し完全溶解させた。その後、氷冷下にて攪拌しているところに塩化アクリロイル（東京化成工業株式会社製、製品番号：Ａ０１４７）０．４５ｇ（０．００５ｍｏｌ）を滴下した。さらにトリエチルアミン１．０５ｍｌ（０．００７５ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（東京化成工業株式会社製、製品番号：Ｄ１４５０）０．４６ｇ（０．００３８ｍｏｌ）を加えて、氷冷却下で１時間、室温に昇温させてさらに８時間攪拌した。５Ｌステンレス容器にメタノール１Ｌ、水２００ｍＬを加えて攪拌しているところに、反応液を滴下した。析出したポリマー固体を吸引ろ過し、４０℃で送風乾燥させて１４．３ｇのポリマー（Ｐ−１７）を得た。

複合膜試料１０１のポリマー（Ｐ−１）の代わりにポリマー（Ｐ−１７）を用いて、さらに溶媒をメチルエチルケトンからテトラヒドロフランに変更した以外は同様にして複合膜試料１１３を作製した。

複合膜試料１１３におけるポリマー（Ｐ−１７）の代わりに、以下のポリマーに変更した以外は同様にして（Ｐ−２２、複合膜試料１１４）、（Ｐ−２３、複合膜試料１１５）、（Ｐ−２４、複合膜試料１１６）、（Ｐ−２９、複合膜試料１１７）をそれぞれ合成した。さらにポリアクリロニトリル多孔質膜上に塗布することで複合膜を作製した。

〔比較試料ｃ１１〜ｃ１４〕
米国特許第７，２４７，１９１Ｂ２号明細書に記載のポリマー
１Ｌの三口フラスコにＮ−メチルピロリドン１００ｍｌ、６ＦＤＡ（東京化成株式会社製、製品番号：Ｈ０７１１）１２．０ｇ（０．０２７ｍｏｌ）を加えて４０℃で溶解させ、窒素気流下で攪拌しているところに、２，４−ジアミノメシチレン（東京化成株式会社製、製品番号：Ｔ１２７５）３．２５ｇ（０．０２１６ｍｏｌ）、３，５−ジアミノ安息香酸（東京化成株式会社製、製品番号：Ｄ０２９４）０．８２ｇ（０．００５４ｍｏｌ）のＮ−メチルピロリドン６５ｍｌ溶液を３０分かけて系内を４０℃に保ちつつ滴下した。反応液を４０℃で２．５時間攪拌した後、ピリジン０．６４ｇ（０．００８１ｍｏｌ）、無水酢酸６．８９ｇ（０．０６８ｍｏｌ）をそれぞれ加えて、さらに８０℃で３時間攪拌した。その後、反応液にアセトン１５０ｍＬを加え、希釈した。５Ｌステンレス容器にメタノール１．５Ｌを加えて攪拌しているところに、反応液のアセトン希釈液を滴下した。得られたポリマー結晶を吸引ろ過し、６０℃で送風乾燥させて８．３ｇのポリマー（Ａ）を得た。このポリマー（Ａ）にエチレングリコールを３，５−ジアミノ安息香酸の等量分加えて、米国特許第７，２４７，１９１Ｂ２号明細書に記載の方法と同様の手法を用いて、ポリアクリロニトリル、ポリスルホンおよびポリフェニレンオキシドの各多孔質支持膜上に試料１０１と同様にアプリケータを用いて架橋複合膜試料ｃ１１、ｃ１２、ｃ１３を調製した。

Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，ｖｏｌ３３，Ｎｏ．１０−１２，１７１７−１７２１（１９９７）を参照し、光硬化架橋ポリイミド−ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）複合膜試料ｃ１４を作製した。

（ガス透過率の測定）
得られた各膜試料のガス分離複合膜はガス透過率測定装置（ＧＴＲテック社製ＧＴＲ−１０ＸＦ）を使用し、二酸化炭素（ＣＯ_２）、メタン（ＣＨ_４）の混合ガス（１：１）を用いて、４０℃、ガス供給側の圧力を８気圧としてＣＯ_２、ＣＨ_４の各ガス透過率を測定した。膜のガス透過性は、ガス透過率（Ｐｅｒｍｅａｎｃｅ）としてガス透過速度を算出することにより比較した。ガス透過率（ガス透過速度）の単位はＧＰＵ（ジーピーユー）単位〔１ＧＰＵ＝１×１０^−６ｃｍ^３（ＳＴＰ）／ｃｍ^２・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ〕で表した。
また、得られた二酸化炭素の透過速度（ＴＲ_ＣＯ２）とメタンの透過速度（ＴＲ_ＣＨ４）からの透過速度比（ＴＲ_ＣＯ２／ＴＲ_ＣＨ４）を求めた。

（折り曲げ試験［製膜適性試験］）
本発明のガス分離複合膜はモジュールまたはエレメントと呼ばれる膜が充填されたパッケージとして使用することが望ましい。ガス分離膜をモジュールとして使用する場合は膜表面積を大きくするために高密度に充填されているため、平膜ではスパイラル状に折り曲げて充填するため、十分な折曲げ強度が付与されていなければならない。本性能を確認するために得られた各複合膜を１８０°折り曲げては戻す操作を５０回実施した後、再度ガス透過率が測定できたか否かを確認した。
Ａ：問題なく透過率の測定ができた
Ｂ：透過率の測定ができなかった

ガス透過率、折り曲げ試験の結果を下記表２に示す。

上記表２中の略号は下記の通りである。
ＰＡＮ： ポリアクリロニトリル
ＰＳｆ： ポリスルホン
ＰＰＯ： ポリフェニレンオキシド
室温：約２５℃
Ｒａｄｉｃａｌ：ラジカル架橋
Ｅｓｔｅｒ：エステル交換反応

本発明のガス分離膜は二酸化炭素透過性と分離選択性にともに優れ、さらには折り曲げ強度が付与されていることがわかる。

〔実施例２〕
実施例１で作製した各試料のガス分離膜を用いて、サンプルエラー率を評価した。
（サンプルエラー率）
前記試料のガス分離膜を各々５０サンプル作製し、その折の水素の透過率を測定し、水素ガス透過率値が１,０００,０００ＧＰＵ（１×１０^６ｃｍ^３/ｃｍ^２・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ）を越えたサンプルをピンホール有りの膜として判断し、下記式によりサンプルエラー率を求めた。

サンプルエラー率＝（ピンホール有りの膜数／５０）×１００

得られた結果を下記表３に示す。

［表３］
――――――――――――――――――――――
試料Ｎｏ． サンプルエラー率［％］
――――――――――――――――――――――
１０１ ６
１０２ １２
１０３ １８
１０４ １４
１０５ ４
１０６ ６
１０７ ６
１０８ ８
１０９ ６
１１０ １０
１１１ ４
１１２ １６
１１３ １２
１１４ １４
１１５ ６
１１６ ４
１１７ ８
ｃ１１ −
ｃ１２ −
ｃ１３ ４６
ｃ１４ ６６
――――――――――――――――――――――

上記の結果より、本発明のガス分離複合膜は、いずれもピンホールが少ない。このように本発明により、ピンホールの少ない良好なガス分離層の膜を作製することができることがわかる。

本発明のガス分離複合膜は、架橋サイト比が高すぎることがなく実用的なガス透過性を有し、さらには機械強度にも優れる。さらには低温、短時間で多孔質支持膜との複合膜を得ることができるため、多孔質支持体のガラス転移温度によらず、実用的なガス分離複合膜を得ることができる。

上記の結果より、本発明のガス分離複合膜は、優れたガス透過性とガス分離選択性、特に二酸化炭素の透過性に優れ、二酸化炭素／メタンの分離膜として優れることがわかる。さらに低温、短時間で複合膜を作製することができるために、製造適性に優れる。
このように、本発明のガス分離膜および複合膜により、優れた気体分離方法、ガス分離モジュール、ガス分離モジュールによるガス分離方法、ガス分離装置を提供することができることがわかる。

１ ガス分離層
２ 多孔質層
３ 不織布層
１０、２０ ガス分離複合膜

Claims (14)

1. 架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜であって、
   前記架橋ポリイミド樹脂は、ポリイミド化合物がそのラジカル架橋性官能基で架橋されてなり、
   前記架橋ポリイミド樹脂における、前記ポリイミド化合物のイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）が０．０００１以上０．４５以下であるガス分離複合膜。
2. 前記ラジカル架橋性官能基がエチレン性不飽和基を含む請求項１に記載のガス分離複合膜。
3. 前記ラジカル架橋性官能基が、架橋された構造部位が−Ｃ（Ｒ^Ａ１）_２ＣＨ_２−〔Ｒ^Ａ１は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、−Ｒ^Ａ２−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｒ^Ａ２−ＯＣ（＝Ｏ）−を表す。Ｒ^Ａ２は炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。〕で表される連結基を含む請求項１または２に記載のガス分離複合膜。
4. 前記ポリイミド化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
   

   

   （一般式（Ｉ）中、Ｒは炭素数５〜１２の炭化水素環を１つ以上含有する構造部を表す。）
5. 前記ポリイミド化合物が、さらに、一般式（ＩＩ−ａ）もしくは（ＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の少なくとも一種と、一般式（ＩＩＩ−ａ）もしくは（ＩＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の少なくとも一種とをそれぞれ含み、前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位のＲが下記一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）からなる群から選択される原子群である請求項１〜４のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
   

   

   （一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｇ）中、Ｘ^１は単結合または２価の連結基を表す。Ｙ^１はメチレン基またはビニレン基を表す。Ｒ^１およびＲ^２は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^１とＲ^２が互いに結合し環を形成してもよい。＊は一般式（Ｉ）におけるイミドのカルボニル基との結合部位を表す。）
   

   

   （一般式（ＩＩ−ａ）、（ＩＩ−ｂ）中、Ｒ^３はアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、ｌ１は０〜４の整数を表す。Ｒ^４およびＲ^５は各々独立にアルキル基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^４とＲ^５が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ１およびｎ１は各々独立に０〜４の整数を表す。Ｘ^２は単結合または２価の連結基を表す。）
   

   

   （一般式（ＩＩＩ−ａ）、（ＩＩＩ−ｂ）中、Ｒ^６、Ｒ^７およびＲ^８は各々独立に置換基を表す。Ｒ^７とＲ^８は互いに結合して環を形成してもよい。Ｊ^１、Ｊ^２およびＷ^１は各々独立に単結合または２価の連結基を表す。ｌ２、ｍ２、ｎ２は各々独立に０〜３の整数を表す。Ｌ^１は２価の連結基を表し、Ｌ^２は官能基を表す。ｐは０以上の整数を表す。ｐが２以上の場合、複数存在するＬ^１、Ｊ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｘ^３は単結合または２価の連結基を表す。）
6. 前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と、前記一般式（ＩＩＩ−ａ）で表される繰り返し単位もしくは前記一般式（ＩＩＩ−ｂ）で表される繰り返し単位の官能基Ｌ^２との比［γ］（官能基Ｌ^２の数／一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の数）が０．００３〜０．６８である請求項１〜５のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
7. 前記支持層がガス分離層側の多孔質層とその逆側の不織布層とからなる請求項１〜６のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
8. 前記多孔質層の分画分子量が１００，０００以下である請求項７に記載のガス分離複合膜。
9. 供給されるガスが二酸化炭素とメタンとの混合ガスであり、４０℃、８気圧における二酸化炭素の透過速度が２０ＧＰＵ超であり、二酸化炭素とメタンとの透過速度比（ＴＲ_ＣＯ２／ＴＲ_ＣＨ４）が２０以上である請求項１〜８のいずれか１項に記載のガス分離複合膜。
10. 架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜の製造方法であって、
    ラジカル架橋性官能基を有するポリイミド化合物を含む塗布液を前記支持層上側に塗布し、該塗布液に活性放射線を照射、もしくは熱を付与することにより前記架橋性官能基を反応させ前記ポリイミド化合物を架橋するに当たり、前記ポリイミド化合物のイミド基と架橋サイトとの比［η］（架橋サイトの数／イミド基の数）を０．０００１以上０．４５以下とするガス分離複合膜の製造方法。
11. 架橋ポリイミド樹脂を含有してなるガス分離層をガス透過性の支持層上側に有するガス分離複合膜の製造方法であって、
    ラジカル架橋性官能基を有するポリイミド化合物を含む塗布液を前記支持層上側に塗布し、該塗布液に活性放射線を照射、もしくは熱を付与することにより前記架橋性官能基を反応させ前記ポリイミド化合物を架橋するに当たり、架橋転化率［α］を２０％以上１００％以下とするガス分離複合膜の製造方法。
12. 請求項１〜９のいずれか１項に記載のガス分離複合膜を具備するガス分離モジュール。
13. 請求項１２に記載のガス分離モジュールを備えたガス分離装置。
14. 請求項１〜９のいずれか１項に記載のガス分離複合膜を用いて、二酸化炭素およびメタンを含むガスから二酸化炭素を選択的に透過させるガス分離方法。

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